JP2010038697A - シリコン半導体薄膜の結晶性評価装置及び結晶性評価方法 - Google Patents
シリコン半導体薄膜の結晶性評価装置及び結晶性評価方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】基材上に成膜されたシリコン半導体薄膜の結晶性を評価するための装置であって、シリコン半導体薄膜の表面の所定の領域にキャリアを励起させるための励起光14を照射するLED1と、前記所定の領域における表面光電圧を検出してその検出信号を出力する透明電極6と、前記検出信号を処理してシリコン半導体薄膜の結晶性を評価するためのデータを作成する信号処理装置11とを備えている。
【選択図】図1
Description
2 光源制御部
3 レンズ
4 ミラー
6 透明電極
7 試料
11 信号処理装置
20 測定用レーザ光源
21 ビーム位置検出器
22 コントローラ
23 上下移動機構
Claims (8)
- 基材上に成膜されたシリコン半導体薄膜の結晶性を評価するための装置であって、
前記シリコン半導体薄膜の表面に強度変調された紫外光を照射することにより、前記シリコン半導体薄膜の表面に励起光キャリアを生じさせるための紫外光照射手段と、
前記紫外光の照射により前記シリコン半導体薄膜の表面に生じる表面光電圧の変化を、前記シリコン半導体薄膜の表面に対して間隔をもって配置された電極により検出してその検出信号を出力する電圧検出手段と、
前記シリコン半導体薄膜の結晶性を評価するために前記検出信号を処理する信号処理手段とを備えていることを特徴とするシリコン半導体薄膜の結晶性評価装置。 - 請求項1に記載のシリコン半導体薄膜の結晶性評価装置において、前記信号処理手段は、前記紫外光の照射前後における表面光電圧の変化に基づいて結晶性を評価するための処理を行うことを特徴とするシリコン半導体薄膜の結晶性評価装置。
- 請求項2に記載のシリコン半導体薄膜の結晶性評価装置において、前記信号処理手段は、前記紫外光の照射前後における表面光電圧の変化量に基づいて結晶性を評価するための処理を行うことを特徴とするシリコン半導体薄膜の結晶性評価装置。
- 請求項2に記載のシリコン半導体薄膜の結晶性評価装置において、前記信号処理手段は、前記紫外光の照射を止めた際、表面光電圧が照射前の表面光電圧に相当する電位まで減衰するまでの時間に基づいて結晶性を評価するための処理を行うことを特徴とするシリコン半導体薄膜の結晶性評価装置。
- 請求項1〜4の何れか1項に記載のシリコン半導体薄膜の結晶性評価装置において、前記紫外光照射手段は、周期的に強度が変調された紫外光を照射可能に構成され、前記信号処理手段は、前記強度変調に同期して検出された複数の検出信号を加算平均したものに基づいて結晶性を評価するための処理を行うことを特徴とするシリコン半導体薄膜の結晶性評価装置。
- 請求項5に記載のシリコン半導体薄膜の結晶性評価装置において、前記紫外光照射手段は、パルス光を照射可能に構成されていることを特徴とするシリコン半導体薄膜の結晶性評価装置。
- 請求項1〜6の何れか1項に記載のシリコン半導体薄膜の結晶性評価装置において、
前記電極とシリコン半導体薄膜との間の距離を検出する距離検出手段と、
前記距離検出手段により検出された距離に基づいて電極とシリコン半導体薄膜の表面が予め設定された間隔に保たれるように、前記電極とシリコン半導体薄膜との距離を調整するための距離調整手段とをさらに備えていることを特徴とするシリコン半導体薄膜の結晶性評価装置。 - 基材上に成膜されたシリコン半導体薄膜の結晶性を評価するための方法であって、
シリコン半導体薄膜の表面に紫外光を照射する照射工程と、
前記紫外光を照射した部分における表面光電圧の変化を検出する検出工程と、
前記表面光電圧の変化に基づいて、シリコン半導体薄膜の結晶性を評価する評価工程とを含むことを特徴とするシリコン半導体薄膜の結晶性評価方法。
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