CN103748456A - 确定非晶质合金中的结晶性的非破坏性方法 - Google Patents
确定非晶质合金中的结晶性的非破坏性方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103748456A CN103748456A CN201180072662.4A CN201180072662A CN103748456A CN 103748456 A CN103748456 A CN 103748456A CN 201180072662 A CN201180072662 A CN 201180072662A CN 103748456 A CN103748456 A CN 103748456A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- alloy
- curve
- sample
- temperature
- amorphous
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 74
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 title description 46
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 148
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 147
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 67
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 107
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 95
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 95
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 34
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 27
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 20
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 claims description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 17
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000013074 reference sample Substances 0.000 claims description 12
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 6
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 claims description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 2
- 238000007542 hardness measurement Methods 0.000 claims description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 45
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 31
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 29
- 239000005300 metallic glass Substances 0.000 description 29
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 22
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 15
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 13
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 13
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 11
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 7
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 7
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 5
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005314 correlation function Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000002601 radiography Methods 0.000 description 3
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052713 technetium Inorganic materials 0.000 description 3
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000555268 Dendroides Species 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 2
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 2
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910000952 Be alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017532 Cu-Be Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001021 Ferroalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000736911 Turritella communis Species 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052789 astatine Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000001803 electron scattering Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007656 fracture toughness test Methods 0.000 description 1
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 1
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000007620 mathematical function Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000005551 mechanical alloying Methods 0.000 description 1
- 238000011326 mechanical measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002074 melt spinning Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000011156 metal matrix composite Substances 0.000 description 1
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000075 oxide glass Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910052699 polonium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005381 potential energy Methods 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- 239000013079 quasicrystal Substances 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010671 solid-state reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005328 spin glass Effects 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- GKLVYJBZJHMRIY-UHFFFAOYSA-N technetium atom Chemical compound [Tc] GKLVYJBZJHMRIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
- 229910000931 vitreloy 1 Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/14—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of an electrically-heated body in dependence upon change of temperature
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/20—Metals
- G01N33/204—Structure thereof, e.g. crystal structure
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/38—Concrete; Lime; Mortar; Gypsum; Bricks; Ceramics; Glass
- G01N33/386—Glass
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Pathology (AREA)
- Immunology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Food Science & Technology (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Investigating And Analyzing Materials By Characteristic Methods (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Abstract
一个实施例提供了一种确定未知结晶程度的方法,该方法包括:构造包括多条参考曲线的主曲线图,每条参考曲线表示具有某种化学成分和各种预定的结晶程度的多个参考合金样本之一的电阻系数与温度之间的关系;对于具有该化学成分和该未知结晶程度的合金样品,获得表示其电阻系数与温度的曲线;以及通过将该曲线与主曲线图相比较来确定该未知结晶程度。
Description
特此通过引用将本说明书中引述的所有公布、专利和专利申请全部并入。
背景技术
现今使用的金属合金大部分——至少在最初——是通过凝固浇铸来处理的。金属合金被熔融并浇铸到金属或陶瓷模具中,在这里其凝固。模具被剥离,并且铸造金属件准备好供使用或进一步处理。在凝固和冷却期间产生的大多数材料的铸态结构取决于冷却速率。对于差异的性质没有一般规则,但在很大程度上,结构只是随着冷却速率的变化而逐渐变化。另一方面,对于块体凝固非晶质合金,通过相对迅速的冷却产生的非晶质状态和通过相对较慢的冷却产生的结晶状态之间的变化是种类上的而不是程度上的——两种状态具有截然不同的属性。
块体凝固非晶质合金或者说块体金属玻璃(bulk metallic glass,“BMG”)是近来开发的金属材料种类。这些合金可被以相对缓慢的速率凝固且冷却,并且它们在室温下保持非晶质的非结晶(即,玻璃)状态。此非晶质状态对于某些应用可能是非常有利的。如果冷却速率不足够高,则在冷却期间在合金内部可形成晶体,从而失去非晶质状态的益处。例如,产生块体非晶质合金部件的一个风险是由于缓慢的冷却或原材料中的杂质引起的部分结晶。从而,确保较高的非晶程度(以及相反地,较低的结晶程度)在BMG制造过程的质量控制中可能是重要的。
当前,测量结晶程度的方法可包括弯曲测试、X射线照相术和蚀刻。然而,所有这些现有技术对测量样品都是破坏性的。当前最常见的筛选方法依赖于破坏性的强度测试,或者依赖于切割并随后从视觉上对结晶进行筛选。结果,对于需要测量其结晶程度的BMG部件(例如,套管),其需要首先被大加更改(例如,切割、抛光和/或研磨成粉末形式)。
从而,需要开发能够提供非破坏性地对BMG的结晶程度进行测量的方法,从而促进对其制造过程的质量控制。
发明内容
一个实施例提供了一种确定未知结晶程度的方法,该方法包括:构造包括多条参考曲线的主曲线图,每条参考曲线表示具有某种化学成分和各种预定的结晶程度的多个参考合金样本之一的电阻系数与温度之间的关系;对于具有该化学成分和该未知结晶程度的合金样品,获得表示其电阻系数与温度的曲线;以及通过将该曲线与主曲线图相比较来确定该未知结晶程度。
另一实施例提供了一种确定未知结晶程度的方法,该方法包括:提供具有某种化学成分的多个参考合金样本,这多个中的每一个具有预定的结晶程度;对于这多个中的每一个,测量电阻系数与温度之间的关系以获得表示该关系的参考曲线;构造包括至少一些参考曲线的主曲线图;提供具有该化学成分和该未知结晶程度的合金样品;对于该样品,测量电阻系数与温度之间的关系以获得表示该关系的曲线;以及通过将该曲线与主曲线图相比较来确定该样品的未知结晶程度。
替换实施例提供了一种确定未知结晶程度的方法,该方法包括:提供包括多条参考曲线的主曲线图,每条参考曲线表示具有某种化学成分和各种预定的结晶程度的多个参考样本之一的电阻系数与温度之间的相应关系;在合金样品的第一位置处测量该合金样品的电阻系数,其中该合金样品具有该化学成分和该未知结晶程度;以及通过将该电阻系数与主曲线图相比较来确定该未知结晶程度。
另一实施例提供了一种评估合金样品的方法,包括:在至少两个温度下测量合金样品的电阻系数;确定电阻率与温度图上连接电阻系数测量值的线的斜率;以及基于该斜率评估合金样品。
附图说明
图1提供了说明图,示出了一个实施例中三种说明性非晶质合金的电阻系数与温度之间的关系,这些非晶质合金具有各自的结晶程度X1、X2、X3、X4、X5,其中X1<X2<X3<X4<X5。
图2提供了说明图,示出了另一实施例中三种说明性非晶质合金的电阻系数与温度之间的关系,这些非晶质合金具有各自的结晶程度X1、X2和X3,其中X1<X2<X3。每条曲线由从具有100%非晶性的相同成分的合金获得的数据来正规化。
图3(a)-3(b)图示了可应用当前描述的测量和确定方法的不同位置。图3(a)示出了可沿着单一轴对不同位置应用确定,而图3(b)示出了可对截面平面上的不同位置应用确定。
图4提供了示出一个实施例中非破坏性地确定合金样品的结晶性的步骤的流程图。
图5示出了一示意图,该示意图示出了在一个实施例中使用电阻系数与温度的关系(未按比例)作为质量控制机制。
图6(a)-6(c)示出了在一个实施例中作为对三个不同样本的两次测量的结果的电阻系数与温度(未按比例)之间的关系的示意图。
具体实施方式
相态
这里的术语“相态”(phase)可以指在热力学相态图中可找到的那种。相态是一空间区域(例如,热力学系统),在该空间区域中的各处,材料的所有物理属性都是基本上均一的。物理属性的示例包括密度、折射率、化学成分和晶格周期性。一个简单的描述是相态是材料的一区域,该区域是化学上均一的、物理上不同的和/或机械上可分离的。例如,在由玻璃罐中的冰和水构成的系统中,冰块是一个相态,水是第二相态,并且水上的潮湿空气是第三相态。罐子的玻璃是另一个单独的相态。相态可以指固体溶液,其可以是二元、三元、四元或更多元的溶液,或者可以是化合物,例如金属互化物。作为另一示例,非晶质相态与结晶相态是不同的。
金属、过渡金属和非金属
术语“金属”(metal)指的是正电性化学元素。本说明书中的术语“元素”(element)一般指的是可在周期表中找到的元素。物理上,处于基态的金属原子包含部分满带,其具有接近占有态的空态。术语“过渡金属”(transition metal)是周期表中的第3至12族内的金属元素中的任何一种,这些金属元素具有不完整的内电子壳层并且充当一系列元素中的最正电性与最不正电性之间的过渡链接。过渡金属的特征在于多个化合价、有色化合物和形成稳定的配离子的能力。术语“非金属”(nonmetal)指的是不具有失去电子并形成阳离子的能力的化学元素。
取决于应用,可以使用任何适当的非金属元素,或者其组合。合金成分可包括多种非金属元素,例如至少两种、至少三种、至少四种或者更多种非金属元素。非金属元素可以是在周期表中的第13-17族中找到的任何元素。例如,非金属元素可以是F、Cl、Br、I、At、O、S、Se、Te、Po、N、P、As、Sb、Bi、C、Si、Ge、Sn、Pb和B中的任何一种。有时,非金属元素也可以指第13-17族中的某些类金属(例如,B、Si、Ge、As、Sb、Te和Po)。在一个实施例中,非金属元素可包括B、Si、C、P或者其组合。因此,例如,合金成分可包括硼化物、碳化物或者这两者。
过渡金属元素可以是钪、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、钇、锆、铌、钼、锝、钌、铑、钯、银、镉、铪、钽、钨、铼、锇、铱、铂、金、汞、钅卢、钅杜、钅喜、钅波、钅黑、钅麦、鐽、錀和鎶中的任何一种。在一个实施例中,包含过渡金属元素的BMG可具有Sc、Y、La、Ac、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Tc、Re、Fe、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd和Hg中的至少一种。取决于应用,可以使用任何适当的过渡金属元素或者其组合。合金成分可包括多种过渡金属元素,例如至少两种、至少三种、至少四种或者更多种过渡金属元素。
当前描述的合金或合金“样本”(sample)或“样品”(specimen)合金可具有任何形状或大小。例如,合金可具有微粒形状,该微粒可具有诸如球形、椭圆体形、线状、杆状、薄片状、碎片状或者不规则形状之类的形状。微粒可具有任何适当的大小。例如,其可具有如下的平均直径:大约1微米到大约100微米之间,例如大约5微米到大约80微米之间,例如大约10微米到大约60微米之间,例如大约15微米到大约50微米之间,例如大约15微米到大约45微米之间,例如大约20微米到大约40微米之间,例如大约25微米到大约35微米之间。例如,在一个实施例中,微粒的平均直径为大约25微米到大约44微米之间。在一些实施例中,可以使用更小的微粒,例如纳米范围中的那些,或者更大的微粒,例如大于100微米的那些。
合金样本或样品也可具有大得多的尺寸。例如,其可以是块体结构组件,例如铸锭、电子装置的壳体/外壳,或者甚至是具有毫米、厘米或米范围中的尺寸的结构组件的一部分。
固体溶液
术语“固体溶液”(solid solution)指的是固体形式的溶液。术语“溶液”(solution)指的是两种或更多种物质的混合物,这些物质可以是固体、液体、气体或者它们的组合。混合物可以是均质的或异质的。术语“混合物”(mixture)是被相互组合并且一般能够被分离的两种或更多种物质的组成物。一般地,这两种或更多种物体不相互化合。
合金
在一些实施例中,这里描述的合金粉末成分可被完全合金化。在一个实施例中,“合金”(alloy)指的是两种或更多种金属的均质混合物或固体溶液,其中一种的原子替换或占据另一种的原子之间的间隙位置;例如,黄铜是锌和铜的合金。与合成物不同,合金可以指金属基体中的一种或多种元素——例如金属基体中的一种或多种化合物——的部分或完全固体溶液。这里的术语“合金”既可以指可以给出单个固体相态微观结构的完全固体溶液合金,也可以指可给出两个或更多个相态的部分溶液。
从而,完全合金化的合金可具有组分的均质分布,无论其是固体溶液相态、化合物相态还是这两者。这里使用的术语“完全合金化”(fully alloyed)可计入误差容限内的微小变化。例如,其可以指至少90%合金化的,例如至少95%合金化的,例如至少99%合金化的,例如至少99.5%合金化的,例如至少99.9%合金化的。这里的百分比取决于上下文可以指体积百分比或重量百分比。这些百分比可被杂质所均衡,杂质可以是就不是合金的一部分的成分或相态而言的。
非晶质或非结晶固体
“非晶质”或“非结晶固体”是缺乏晶格周期性的固体,晶格周期性是晶体的特性。这里使用的“非晶质固体”(amorphous solid)包括“玻璃”(glass),其是在加热通过玻璃转变相态时软化并变换成类似液体的状态的非晶质固体。一般地,非晶质材料缺乏晶体的长程有序特性,虽然由于化学键结的性质,它们在原子长度尺度上可拥有某种短程有序性。非晶质固体与结晶固体之间的区分可基于由诸如X射线衍射和透射电子显微镜法之类的结构表征技术确定的晶格周期性来作出。
术语“有序”和“无序”指的是多粒子系统中的某种对称性或关联的存在或不存在。术语“长程有序”和“短程有序”基于长度尺度来区分材料中的有序性。
固体中的最严格形式的有序性是晶格周期性:特定的模式(单位单元中的原子的排列)一次又一次地重复以形成空间的平移不变铺砌。这是晶体的定义属性。可能的对称性被按14个布拉维晶格和230个空间组来分类。
晶格周期性意味着长程有序性。如果只有一个单位单元是已知的,则凭借着平移对称性,可以准确地预测任意距离处的所有原子位置。反过来一般也为真,除了例如在具有完全确定的铺砌但不拥有晶格周期性的准晶体中以外。
长程有序性表征着如下物理系统:在这种物理系统中,同一样本的遥远部分表现出关联的行为。这可表达为关联函数,即自旋-自旋关联函数:G(x,x')=(s(x),s(x'))。
在上述函数中,s是自旋量子数,并且x是特定系统内的距离函数。此函数在x=x'时等于单位一,并且随着距离|x–x'|增大而减小。通常,其在大距离处指数衰减到零,并且系统被认为是无序的。然而,如果关联函数在大|x–x'|处衰减到恒定值,则可以说系统拥有长程有序性。如果其随着距离的幂衰减到零,则可称其为准长程有序。注意,什么构成|x–x'|的大值是相对的。
当定义一系统的行为的一些参数是不随着时间而演变的随机变量时(即,它们被淬火或冻结),则可以说该系统呈现出淬火无序性——例如自旋玻璃。其与退火无序性是相反的,在退火无序性中允许随机变量自己演变。这里的实施例包括包含淬火无序性的系统。
这里描述的合金可以是结晶的、部分结晶的、非晶质的或基本上非晶质的。例如,合金样本/样品可包括至少一些结晶性,其中颗粒/晶体具有纳米和/或微米范围中的大小。或者,合金可以是基本上非晶质的,例如完全非晶质的。在一个实施例中,合金粉末成分至少基本上不是非晶质的,例如是基本上结晶的,例如是完全结晶的。
在一个实施例中,在一否则非晶质的合金中的一个或多个晶体的存在可被理解为其中的“结晶相态”。合金的结晶程度(或者在一些实施例中简称为“结晶性”)可以指该合金中存在的结晶相态的量。该程度可以指例如合金中存在的晶体的比率。该比率取决于上下文可以是体积比率或重量比率。关于非晶质合金有多“非晶质”的度量可以是非晶性。可以就结晶程度来度量非晶性。例如,在一个实施例中,可以说具有低结晶程度的合金具有高非晶程度。在一个实施例中,例如,具有60vol%结晶相态的合金可具有40vol%非晶质相态。
非晶质合金或非晶质金属
“非晶质合金”(amorphous alloy)是如下的合金:该合金具有按体积算多于50%的非晶质含量,优选具有按体积算多于90%的非晶质含量,更优选具有按体积算多于95%的非晶质含量,并且最优选具有按体积算多于99%到几乎100%的非晶质含量。注意,如上所述,非晶性高的合金相当于结晶程度低。“非晶质金属”(amorphous metal)是具有无序的原子尺度结构的非晶质金属材料。与是结晶性的并且因此具有非常有序的原子排列的大多数金属不同,非晶质合金是非结晶性的。在冷却期间直接从液体状态产生这种无序结构的材料有时被称为“玻璃”。因此,非晶质金属通常被称为“金属玻璃”(metallic glass)或“玻璃金属”(glassy metal)。在一个实施例中,“块体金属玻璃”(bulk metallic glass,BMG)可以指其微观结构至少部分非晶质的合金。然而,除了极迅速地冷却以外,还有若干种方式来产生非晶质金属,包括物理汽相淀积、固态反应、离子辐射、熔体纺丝和机械合金化。非晶质合金可以是单类材料,无论它们是如何制备的。
非晶质金属可通过多种迅速冷却方法来产生。例如,非晶质金属可通过将熔化的金属溅射到旋转金属盘上来产生。迅速冷却——大约一秒数百万度——可能太快以至于晶体不能形成,并且材料从而被“锁定”在玻璃态中。另外,非晶质金属/合金可利用低到足以允许厚层的非晶质结构的形成的临界冷却速率来产生——例如块体金属玻璃。
术语“块体金属玻璃”(“BMG”)、块体非晶质合金和块体固化非晶质合金在这里可互换使用。它们指的是具有至少在毫米范围中的最小尺寸的非晶质合金。例如,尺寸可以为至少大约0.5mm,例如至少大约1mm,例如至少大约2mm,例如至少大约4mm,例如至少大约5mm,例如至少大约6mm,例如至少大约8mm,例如至少大约10mm,例如至少大约12mm。取决于几何结构,尺寸可以指直径、半径、厚度、宽度、长度,等等。BMG也可以是具有在厘米范围中的至少一个尺寸的金属玻璃,例如至少大约1.0cm,例如至少大约2.0cm,例如至少大约5.0cm,例如至少大约10.0cm。在一些实施例中,BMG可具有至少在米范围中的至少一个尺寸。BMG可采取以上描述的与金属玻璃有关的任何形状或形式。因此,这里描述的BMG在一些实施例可在一个重要方面上与由传统的淀积技术制成的薄膜不同——前者的尺寸可远大于后者。
非晶质金属可以是合金而不是纯金属。合金可包含大小很不相同的原子,从而导致熔化状态中的低自由体积(并且因此具有比其他金属和合金高到多达若干数量级的粘度)。粘度防止原子移动到足以形成有序晶格。该材料结构可导致冷却期间的低收缩和对塑性形变的耐抗性。颗粒边界的缺乏——一些情况下结晶材料弱点——可例如带来更好的耐磨损性和耐腐蚀性。在一个实施例中,非晶质金属虽然严格来说是玻璃,但也可比氧化物玻璃和陶瓷坚韧得多且不易碎得多。
非晶质材料的热导率可比其结晶对应物的低得多。为了即使在更慢的冷却期间也实现非晶质结构的形成,合金可由三种或更多种成分制成,从而带来了具有更高的势能和更低的形成概率的复杂晶体单位。非晶质合金的形成可取决于若干个因素:合金的成分的组成;成分的原子半径(优选具有超过12%的显著差异以实现高组装密度和低自由体积);以及混合成分的组合的负热,从而抑制了晶体成核并且延长了熔化的金属停留在过冷状态中的时间。然而,由于非晶质合金的形成是基于许多不同的变量的,因此可能难以预先判定合金成分是否将会形成非晶质合金。
例如,硼、硅、磷和具有磁性金属(铁、钴、镍)的其他玻璃形成体的非晶质合金可以是磁性的,具有较低的矫顽性和较高的电阻。高电阻使得在经受交变磁场时由涡流引起的损耗较低,这是例如作为变压器磁芯有用的属性。
非晶质合金可具有多种可能有用的属性。具体地,它们倾向于比类似化学成分的结晶合金更强韧,并且它们可比结晶合金承受更大的可逆(“弹性”)形变。非晶质金属的强度直接源于其非结晶结构,非结晶结构可不具有限制结晶合金的强度的缺陷(例如位错)。例如,一种被称为VitreloyTM的现代非晶质金属具有几乎是高品级钛的两倍的拉伸强度。在一些实施例中,室温下的金属玻璃不易延展并且倾向于在担负张力时会突然失效,这限制了材料在可靠性关键应用中的适用性,因为即将发生的失效是不明显的。因此,为了克服此挑战,可以使用具有包含易延展的结晶金属的树枝状粒子或纤维的金属玻璃基体的金属基体复合材料。或者,可以使用倾向于引起脆化的元素(例如Ni)含量较低的BMG。例如,可以使用无Ni的BMG来改善BMG的延展性。
块体非晶质合金的另一个有用的属性是它们可以是真正的玻璃;换言之,它们可在加热时软化并流动。这允许了容易处理,例如通过注射成型来处理,就好像聚合物那样。结果,非晶质合金可用于制作体育器材、医疗设备、电子组件和设备以及薄膜。非晶质金属的薄膜可经由高速氧燃技术被淀积为保护性涂层。
材料可具有非晶质相态、结晶相态或者这两者。非晶质和结晶相态可具有相同的化学成分并且仅在微观结构上不同——即,一个是非晶质的,另一个是结晶的。微观结构在一个实施例中指的是由25X倍率以上的显微镜揭示的材料的结构。或者,两个相态可具有不同的化学成分和微观结构。例如,成分可以是部分非晶质的、基本上非晶质的或者完全非晶质的。
如上所述,非晶程度(以及相反地,结晶程度)可以由合金中存在的晶体的比率来度量。该程度可以是合金中存在的结晶相态的体积比率或重量比率。部分非晶质成分可以指如下成分:其至少大约5vol%是非晶质相态的,例如至少大约10vol%是非晶质相态的,例如至少大约20vol%是非晶质相态的,例如至少大约40vol%是非晶质相态的,例如至少大约60vol%是非晶质相态的,例如至少大约80vol%是非晶质相态的,例如至少大约90vol%是非晶质相态的。术语“基本上”和“大约”已在本申请中别处定义。因此,至少基本上为非晶质的成分可以指如下成分:其至少大约90vol%是非晶质的,例如至少大约95vol%是非晶质的,例如至少大约98vol%是非晶质的,例如至少大约99vol%是非晶质的,例如至少大约99.5vol%是非晶质的,例如至少大约99.8vol%是非晶质的,例如至少大约99.9vol%是非晶质的。在一个实施例中,基本上非晶质的成分中可存在一些附带的微小量的结晶相态。
在一个实施例中,非晶质合金成分就非晶质相态而言可以是均质的。成分均一的物质是均质的。这与异质的物质形成对比。术语“成分”(composition)指的是物质中的化学成分和/或微观结构。当物质的体积被分成两半并且两半都具有基本相同的成分时,该物质是均质的。例如,当微粒悬浮体的体积被分成两半并且两半都具有基本上相同的粒子体积时,该微粒悬浮体是均质的。然而,有可能在显微镜下看到个体粒子。均质物质的另一示例是空气,其中的不同成分是均等悬浮的,虽然空气中的粒子、气体和液体可被分别分析或者被从空气中分离出来。
就非晶质合金而言均质的成分可以指如下的成分:该成分具有在其微观结构各处基本上均一分布的非晶质相态。换言之,该成分宏观上在该成分各处包括基本上均一分布的非晶质合金。在替换实施例中,该成分可以是合成物,具有非晶质相态,其中具有非非晶质相态。非非晶质相态可以是晶体或多个晶体。晶体可以采取诸如球形、椭圆体形、线状、杆状、薄片状、碎片状或者不规则形状之类的任何形状的微粒的形式。在一个实施例中,其可具有树枝状形式。例如,至少部分非晶质的合成物成分可具有散布在非晶质相态基体中的树枝形状的结晶相态;散布可以是均一的或非均一的,并且非晶质相态和结晶相态可具有相同或不同的化学成分。在一个实施例中,它们具有基本上相同的化学成分。在另一实施例中,结晶相态可比BMG相态更易延展。
这里描述的方法可应用到任何类型的非晶质合金。类似地,这里描述为成分或物品的组分的非晶质合金可以是任何类型的。非晶质合金可包括元素Zr、Hf、Ti、Cu、Ni、Pt、Pd、Fe、Mg、Au、La、Ag、Al、Mo、Nb、Be或者其组合。即,合金在其化学式或化学成分中可包括这些元素的任何组合。这些元素可以按不同的重量或体积百分比存在。例如,“基于”铁的合金可以指其中存在非微小重量百分比的铁的合金,该重量百分比例如可以是至少大约20wt%,例如至少大约40wt%,例如至少大约50wt%,例如至少大约60wt%,例如至少大约80wt%。或者,在一个实施例中,上述百分比可以是体积百分比,而不是重量百分比。因此,非晶质合金可以是基于锆的、基于钛的、基于铂的、基于钯的、基于金的、基于银的、基于铜的、基于铁的、基于镍的、基于铝的、基于钼的,等等。在一些实施例中,合金或者包括合金的成分可以基本上不含镍、铝或铍或者其组合。在一个实施例中,合金或者合成物完全不含镍、铝或铍或者其组合。
例如,非晶质合金可具有分子式(Zr,Ti)a(Ni,Cu,Fe)b(Be,Al,Si,B)c,其中a、b和c各自表示重量或原子百分比。在一个实施例中,按照原子百分比,a在从30到75的范围中,b在从5到60的范围中,并且c在从0到50的范围中。或者,非晶质合金可具有分子式(Zr,Ti)a(Ni,Cu)b(Be)c,其中a、b和c各自表示重量或原子百分比。在一个实施例中,按照原子百分比,a在从40到75的范围中,b在从5到50的范围中,并且c在从5到50的范围中。合金也可具有分子式(Zr,Ti)a(Ni,Cu)b(Be)c,其中a、b和c各自表示重量或原子百分比。在一个实施例中,按照原子百分比,a在从45到65的范围中,b在从7.5到35的范围中,并且c在从10到37.5的范围中。或者,合金可具有分子式(Zr)a(Nb,Ti)b(Ni,Cu)c(Al)d,其中a、b、c和d各自表示重量或原子百分比。在一个实施例中,按照原子百分比,a在从45到65的范围中,b在从0到10的范围中,c在从20到40的范围中,并且d在从7.5到15的范围中。上述合金系统的一个示范性实施例是基于Zr-Ti-Ni-Cu-Be的非晶质合金,其商品名为VitreloyTM,例如Vitreloy-1和Vitreloy-101,由Liquidmetal Technologies,CA,USA制造。不同系统的非晶质合金的一些示例在表1中提供。
非晶质合金也可以是铁合金,例如基于(Fe、Ni、Co)的合金。这种成分的示例在以下文献中公开:美国专利No.6,325,868;5,288,344;5,368,659;5,618,359;和5,735,975;Inoue et al.,Appl.Phys.Lett.,Volume71,p464(1997);Shen et al.,Mater.Trans.,JIM,Volume42,p2136(2001);以及日本专利申请No.200126277(公布号2001303218A)。一个示范性成分是Fe72Al5Ga2P11C6B4。另一个示例是Fe72Al7Zr10Mo5W2B15。在这里的涂层中可使用的另一种基于铁的合金系统在美国专利申请公布No.2010/0084052中公开,其中非晶质金属例如包含括号中给出的成分范围中的锰(1至3原子%)、钇(0.1至10原子%)和硅(0.3至3.1原子%);并且包含括号中给出的指定成分范围中的以下元素:铬(15至20原子%)、钼(2至15原子%)、钨(1至3原子%)、硼(5至16原子%)、碳(3至16原子%)和平衡铁。
上述非晶质合金系统还包括额外的元素,例如额外的过渡金属元素,包括Nb、Cr、V和Co。额外的元素可以按如下含量存在:小于或等于大约30wt%,例如小于或等于大约20wt%,例如小于或等于大约10wt%,例如小于或等于大约5wt%。在一个实施例中,额外的可选元素是钴、锰、锆、钽、铌、钨、钇、钛、钒和铪中的至少一种,以形成碳化物并且进一步改善耐磨损性和耐腐蚀性。另外的可选元素可包括磷、锗和砷,总共最多达大约2%,优选小于1%,以降低熔点。其他附带杂质应当小于大约2%,并且优选小于0.5%。
在一些实施例中,具有非晶质合金的成分可包括少量的杂质。杂质元素可以是故意添加的,以修改成分的属性,例如改善机械属性(例如硬度、强度、断裂机理等等)和/或提高耐腐蚀性。或者,杂质可以作为不可避免的附带杂质存在,例如作为处理和制造的副产品获得的那些。杂质可小于或等于大约10wt%,例如大约5wt%,例如大约2wt%,例如大约1wt%,例如大约0.5wt%,例如大约0.1wt%.在一些实施例中,这些百分比可以是体积百分比而不是重量百分比。在一个实施例中,合金样本/成分基本上由非晶质合金构成(只有少量的附带杂质)。在另一实施例中,成分由非晶质合金构成(没有可观察到的杂质痕迹)。
表1.示范性非晶质合金成分
合金 | Atm% | Atm% | Atm% | Atm% | Atm% | Atm% |
1 | Zr | Ti | Cu | Ni | Be | |
41.20% | 13.80% | 12.50% | 10.00% | 22.50% | ||
2 | Zr | Ti | Cu | Ni | Be | |
44.00% | 11.00% | 10.00% | 10.00% | 25.00% | ||
3 | Zr | Ti | Cu | Ni | Nb | Bc |
56.25% | 11.25% | 6.88% | 5.63% | 7.50% | 12.50% | |
4 | Zr | Ti | Cu | Ni | Al | Be |
64.75% | 5.60% | 14.90% | 11.15% | 2.60% | 1.00% | |
5 | Zr | Ti | Cu | Ni | Al | |
52.50% | 5.00% | 17.90% | 14.60% | 10.00% | ||
6 | Zr | Nb | Cu | Ni | Al | |
57.00% | 5.00% | 15.40% | 12.60% | 10.00% | ||
7 | Zr | Cu | Ni | Al | Sn | |
50.75% | 36.23% | 4.03% | 9.00% | 0.50% | ||
8 | Zr | Ti | Cu | Ni | Be | |
46.75% | 8.25% | 7.50% | 10.00% | 27.50% | ||
9 | Zr | Ti | Ni | Be | ||
21.67% | 43.33% | 7.50% | 27.50% | |||
10 | Zr | Ti | Cu | Be | ||
35.00% | 30.00% | 7.50% | 27.50% | |||
11 | Zr | Ti | Co | Be | ||
35.00% | 30.00% | 6.00% | 29.00% | |||
12 | Au | Ag | Pd | Cu | Si | |
49.00% | 5.50% | 2.30% | 26.90% | 16.30% | ||
13 | Au | Ag | Pd | Cu | Si | |
50.90% | 3.00% | 2.30% | 27.80% | 16.00% | ||
14 | Pt | Cu | Ni | P | ||
57.50% | 14.70% | 5.30% | 22.50% | |||
15 | Zr | Ti | Nb | Cu | Be | |
36.60% | 31.40% | 7.00% | 5.90% | 19.10% | ||
16 | Zr | Ti | Nb | Cu | Be | |
38.30% | 32.90% | 7.30% | 6.20% | 15.30% | ||
17 | Zr | Ti | Nb | Cu | Be | |
39.60% | 33.90% | 7.60% | 6.40% | 12.50% | ||
18 | Cu | Ti | Zr | Ni | ||
47.00% | 34.00% | 11.00% | 8.00% | |||
19 | Zr | Co | Al | |||
55.00% | 25.00% | 20.00% |
电阻系数
电阻系数(ρ)(也称为电阻率、比电阻或体积电阻率)是材料对电流流动的反抗有多强的度量。低电阻率指的是容易允许电荷移动的材料。电阻系数的SI单位是欧姆米(Ωm)。电阻率是材料的固有属性,从而是几何独立的。另一方面,电阻(R)取决于材料的几何结构。例如,在一个实施例中,电阻与导线的截面面积成反比,但与导线的长度成正比。换言之,短导线将具有长导线更小的电阻,而截面面积小的导线将具有比截面面积大的导线更大的电阻。
一般地,结晶金属及其合金的电阻系数随着温度而增大,而半导体的电阻率随着温度增大而减小。在两种情况下,电子-声子相互作用都将起到重要作用。在高温下,金属的电阻随着温度线性增大。随着金属的温度减小,电阻率的温度依从性遵循温度的幂函数。从数学上来说,金属的电阻率ρ的温度依从性由Bloch-Grüneisen公式给出:
其中ρ(0)是由于缺陷散射引起的残余电阻率,A是取决于费密面处的电子的速度、德拜半径和金属中的电子的数目密度的常数。ΘR是从电阻率测量获得的德拜温度,并且与从比特测量获得的德拜温度的值非常紧密地匹配。n是取决于相互作用的性质的整数:n=5意味着电阻是由于声子对电子的散射引起的(就像简单金属那样);n=3意味着电阻是由于s-d电子散射引起的(就像过渡金属那样);n=2意味着电阻是由于电子-电子相互作用引起的。
随着金属的温度充分降低(以“冻结”所有声子),电阻系数通常达到恒定值,该恒定值被称为“残余电阻率”。此值不仅取决于金属的类型,还取决于其纯度和热历史。金属的残余电阻率的值可由其杂质浓度决定。由于一个被称为超导的效应,一些材料在充分低的温度下失去所有电阻系数。
与结晶金属和金属合金不同,金属玻璃就电阻系数而言表现得相当不同。例如,在结晶金属合金中,电阻随着温度升高而线性增大,而在非晶质合金中,电阻随着温度增大没有显著变化,或者甚至表现出减小,直到结晶发生为止。众所周知,金属玻璃表现出随着温度增大保持相当恒定或减小的电阻系数(即,小的并且经常是负的温度系数),而其结晶对应物则具有大的并且正的温度系数或电阻率。另外,金属玻璃的电阻系数(ρ)可大于结晶合金的。例如,金属玻璃的ρ可在大约100到大约250μΩ·cm的范围中,并且可随着穿过在Tg的玻璃转变而平滑且连续地变化。与之不同,结晶金属合金可具有小得多的电阻率(例如,1-50μΩ·cm)以及更大且更正的温度系数。
例如,对于基于Zr的合金,结晶温度(Tx)可为750K左右。从而,在这种合金的ρvs.T图中,曲线看起来将是相对水平平坦的,直到750K为止,在750K发生结晶。从而,通过测量在给定的温度范围中块体金属玻璃样本的电阻系数,可以非破坏性地检测该样本的结晶程度/结晶性。
主曲线图
当前描述的确定结晶程度的方法可包括首先构造主曲线图,然后使用该图来确定样品的结晶程度。这里的术语“主曲线图”(mastercurve plot)用于描述包含表示预定的参考样本的某个材料属性的多条参考曲线的图。该属性可由例如在图上示出和/或由数学式示出的关系和/或数学函数来表示。例如,该图可图示电阻系数(以及相反地,导电系数)、比重、体积、质量、热阻系数(以及相反地,导热系数)、结晶性等等(y轴上)的温度依从性(x轴)。x轴上的参数不需要是温度;其可以是结晶性、时间、密度、体积、成分,等等。任何适当的轴可用于图示材料属性。
像材料属性比较的情况中那样,优选在保持要比较的样本材料的一个参数恒定的同时构造主曲线图,使得样本的至少一个另外的参数可被比较。例如,在一个实施例中,主曲线图是合金成分特定的。即,可为相同成分的多个参考合金样本构造该图。参考合金样本可具有各种结晶程度。在一个实施例中,主曲线图可包括多条参考曲线,每条参考曲线表示多个参考样本之一的电阻系数与温度之间的关系。参考样本可具有相同的化学成分,但具有各种预定的结晶程度。
主曲线图(或者在一些实施例中简称为“主图”)可通过各种技术来构造,这具体取决于要利用该图考查的参数。例如,这里描述的一个实施例提供了一种主图,其示出了多个参考样本的作为温度的函数的电阻系数之间的关系——即,电阻系数的温度依从性。这些参考样本一般应当具有至少一个共同的参数,以便可就另一参数对它们进行比较。
在一个实施例中,对具有预定的已知化学成分的多个参考合金样本构造主曲线图。然而,虽然这些参考样本具有相同的化学成分,但它们具有不同的结晶程度。例如,这些参考样本中的一些可以是100vol%结晶的,25vol%结晶的,50vol%结晶的,75vol%结晶的或者0vol%结晶的(非晶质的)。在此实施例中,可以测量每个参考样本的电阻系数与温度之间的关系。每个参考样本的这种关系可由“参考”曲线表示。取决于应用,数据获取频率可以是任何值。另外,在测量相同成分和结晶程度的若干个参考样本的情况下,这些相同的参考样本的数据点可被表示为平均值,具有标准偏差(如果适当的话)。数据点不需要是从相同成分和结晶程度的各种参考样本取得的。例如,其可从参考样本的不同位置取得——这种测量可提供材料属性的沿着特定轴的均一性的指标。如果需要,基于所获得的数据可执行进一步的统计分析。
主曲线图可通过叠加多条参考曲线来构造,这些参考曲线都具有相同的化学成分,但每条具有其自己的预定结晶程度。如前所述,在低于结晶开始的温度,至少部分非晶质的合金的电阻系数一般是独立于温度的。即,在电阻系数与温度的图上,曲线可以相当平坦,直到结晶温度为止。然而,如上所述,在一些实施例中,非晶质合金的电阻系数可随着结晶程度的增大而减小。
图1提供了说明图,示出了一个实施例中的具有各自的结晶程度X1、X2、X3、X4和X5的三种说明性非晶质合金A1、A2、A3、A4和A5的电阻系数。假定X1<X2<X3<X4<X5,于是相应地,电阻系数ρ1、ρ2、ρ3、ρ4和ρ5将具有关系ρ1>ρ2>ρ3>ρ4>ρ5。参见图1。注意,图中所示的曲线只是用于说明的,并且夸大了斜率变化。注意,合金材料的斜率可依据结晶程度而变。具体而言,在此实施例中,随着结晶程度减小到0(即,非晶程度增大),斜率变得更正。当非晶性变为0%(100%结晶)时,曲线可基本上变成具有正斜率的直线。注意,在高于结晶温度Tx的温度,明显可见每个合金样本的电阻系数的急剧下降。另外,因为所有样本在此温度范围中变得结晶,所以它们可以有相似的表现,这从此实施例中所有三条曲线的坍塌可以证明。
为了促进比较和说明,在一些实施例中,可以用全部/完全非晶质(“ρ(100)”)的参考样本的数据来正规化每条参考曲线的数据,如图2中所示。注意,可以使用其他类型的正规化。例如,为了考虑到样本的几何结构,可以用尺寸来正规化每条参考曲线的电阻系数以考查每个参考样本的电阻(而不是电阻率)。
因为温度依从性,可以在样本被加热时测量参考样本的电阻系数。结果,除了某个温度下的电阻系数以外,还可以比较参考样本和/或测试样品的整个加热历史。加热可通过电阻加热、感应加热、传导加热和/或辐射加热来执行。在一个实施例中,加热可以用炉、加热垫和/或加热灯来进行。辐射加热技术例如可以是放射加热,例如高强度放射加热。在一个实施例中,放射加热可利用红外灯——例如高密度红外灯——来执行。灯也可以是等离子弧灯、卤钨灯或其组合。
每个参考样本的电阻系数可通过任何适当的技术来测量。该技术可以是破坏性的或非破坏性的。在这里的一些实施例中,“破坏性”技术可以指如下技术:由于执行测量本身,该技术以某种方式永久地更改了样本。例如,被研磨成粉末和/或切割以通过SEM来考查的BMG部件。破坏性测量技术的一个后果是对样本的永久更改使得样本不适合于后续测量或者后续测量可给出并不代表样本的误导结果。例如,破坏性技术可包括差示扫描量热法(differential scanningcalorimetry,“DSC”)。可以使用的技术可包括机械属性测量、射线照相术、显微镜法以及差示扫描量热法(“DSC”)。这些方法可以是破坏性的或非破坏性的。机械测量可通过弯曲、断裂韧性测量、拉伸测试测量、压缩测试测量、比重测量、硬度测量来执行。射线照相术可以是x射线照相术或x射线衍射法。也可使用蚀刻。显微镜法可以是光学显微镜法——例如偏振光显微镜法——和电子显微镜法中的任何一种。
与之不同,非破坏性技术——至少在宏观意义上——不更改样本,导致样本的属性的任何可观察的变化。例如,非破坏性技术将从视觉上观察样本,而不接触样本,或者用不在样本中产生可观察的变化的探头来接触样本。例如,非破坏性技术可以是使用万用表来测量样本的电阻。在测量参考样本的电阻系数的一个实施例中,非破坏性技术可包括Guo et al.,Solid State Communications135(2005)103-107中描述的四探头技术。该技术可也通过简单的万用表来进行。也可采用间接电阻测量。在一个实施例中,可以使用感应技术。感应技术的一些示例可以是在Teodorescu et al.,International Journal ofThermophysics,vol.22,No.5,p.1521(2001)和Bakhtiyarov et al.,Transactions of the ASME,vol.126,p.468(2004)中描述的那些之一。
测量可通过适当设计的装置来执行。例如,这种装置可包括以下各项中的至少一个:万用表、样本架、电极;加热器;温度控制器;电阻测量系统;计算机;以及显示器。装置或者其上述组件中的任何一个可以是便携的。
利用主曲线图确定结晶性
具有多条参考曲线的主曲线图可用于考查样品的属性。例如,在一个实施例中,利用多个参考样本的结晶程度与电阻系数之间的关系作为向导,上述主曲线图随后可用于确定未知合金样品的结晶程度。合金样品和参考合金样本可以是上述合金中的任何一种。
作为示范性实施例,主曲线图用于确定与参考样本具有相同化学成分但具有未知结晶程度的合金样品的结晶程度。在此实施例中,可通过上述技术中的任何一种来测量合金样品的电阻系数与温度之间的关系。优选地,用于确定合金样品的电阻系数的技术是非破坏性的。关系可由曲线来表示。曲线随后可被叠加到主曲线图上。在一些实施例中,因为电阻系数保持相当独立于温度,但随着结晶性增大而减小,所以合金样品的结晶程度可通过将合金样品的曲线的位置与主曲线图上的参考曲线的位置相比较来确定。
在一个实施例中,因为结晶温度Tx之前的温度独立性,对结晶性的确定可在低于Tx的任何预定温度执行。然而,要注意,在一些实施例中,优选温度远低于Tx。例如,取决于合金系统,结晶程度可在室温(约300K)、400K、500K、600K等等确定。注意,因为此温度独立性,当前描述的方法的一个替换实施例是在低于Tx的单个预定温度下测量合金样品的电阻率,并且将该值与主曲线图相比较。在这种实施例中,测量可以迅速,因为将不需要观察样品的整个加热历史。然而,要注意,获得样品的加热历史也可提供关于合金样品的额外的有价值信息。
因为此独立性,主曲线图内的可用于这里描述的确定的温度范围可以相当宽。例如,温度可以是从77K到结晶温度的任何温度,例如从大约0℃(273K)到结晶温度,例如从室温到结晶温度。该范围中的最低温度也可低于℃,对于最低温度没有限制。例如,该范围中的最低温度可低于大约250K,例如低于大约200K,例如低于大约150K,例如低于大约100K,例如低于大约80K,例如低于大约77K,例如低于大约50K,例如低于大约25K,例如低于大约10K,例如接近0K。
取决于应用,远高于结晶温度的温度范围可用于允许观察合金的从低于结晶温度到高于结晶温度的热历史。例如,在上述最低温度的情况下,温度范围中的最高温度可以高于结晶温度至少大约100K,例如至少大约150K,例如至少大约200K,例如至少大约250K,例如至少大约300K,例如至少大约350K,例如至少大约350K,例如至少大约400K,例如至少大约450K。温度依从性可由于加热而获得(例如,从室温到结晶温度);或者其可由于冷却而获得(例如,从室温到273K或者甚至更低,例如到77K)。
此外,由于电阻系数对电阻率的依从性,未知结晶程度的合金样品的电阻率可通过将曲线与参考曲线相比较来确定。例如,如果合金样品的曲线落在50vol%结晶的一种参考样本的参考曲线与75vol%结晶的另一种参考样本的参考曲线之间,则可以假定合金样品可具有50vol%到75vol%之间的结晶程度。通过具有不同的预定结晶程度的更多参考曲线,可以缩窄此范围,进一步完善该方法。
此外,可以采用更精细的方法来进一步完善该确定。例如,取决于合金系统,可以用一定的数学式(例如,线性、二次、指数、多项式等等函数)来阐明电阻系数与结晶性之间的关系。因此,在一个实施例中,通过确定合金样品的曲线相对于参考曲线的相对位置,可以基于数学式来确定合金样品的精确结晶程度。在另一实施例中,可以对特定的预定温度处的曲线的位置而不是整条曲线执行比较。或者,也可以对曲线的一部分而不是整条曲线或者单个点执行比较。
因为主曲线图是化学成分特定的,所以在要考查不同化学成分的合金样品的情况下,可以同时使用多于一个主曲线图。例如,第二成分的一系列参考合金样本的第二主曲线图、第三图、第四图等等可被叠加并同时使用。或者,可以分开使用不同的主图。
当前描述的方法也可用于在不使用主曲线的情况下评估合金样品。例如,在一个实施例中,因为已知结晶合金倾向于在其电阻率与温度曲线中具有正斜率,所以合金的ρ与T曲线的斜率可提供合金的属性的指标。在一个实施例中,可以在至少两个温度下(例如至少3个、至少4个等等)对合金的电阻率进行测量。通过在ρ与T图上绘出测量数据,这些数据点可由线连接,如图6中所示。在一个实施例中,因为已知结晶合金表现出正斜率(例如,图6(c)),所以任何具有表现出零斜率或负斜率的线的合金(例如,分别是图6(b)、6(a))可被视为非结晶的(或者至少部分非结晶的)。在此实施例中,不需要主曲线。或者,也可使用主曲线。在另一实施例中,可以预先确定一定的结晶程度与斜率之间的相互关系。因此,通过测量曲线的斜率并将其与预定的值相比较,可以基于斜率来确定合金样品的结晶程度。另外,由此方法提供的材料属性不需要是精确的结晶程度。例如,正斜率可指示晶体的存在,从而提供对合金样品的某些指示。
质量控制
取决于应用,具有结晶性的BMG可能是不合需要的。另一方面,破坏BMG部件以测量其结晶性同样是不合需要的。从而,希望非破坏性地监视和/或测量非晶质合金样本的结晶程度。上述涉及使用主曲线图的方法可能是有用的。图4提供了示出一个实施例中使用主曲线图来确定合金样品的结晶性的步骤的说明性流程图。
可在合金样品上的不同位置处测量电阻系数。合金可以是上述的任何合金,例如完全非晶质的,或者部分非晶质的。这样一系列测量可能对于确保结晶性的均一性是有用的。例如,晶体可在合金样品中随机且均一地发生。在一个实施例中,如图3(a)中所示,可在BMG1的多个位置11、12、13处沿着合金样本的任何表面上的某个轴进行一系列电阻系数测量。或者,这些位置可在BMG1的平面2(或截面区域)上,如图3(b)中所示。
沿着同一条线,当前描述的方法还可用于将材料属性与结晶程度相互关联。当前的方法尤其可用于提供材料的“局部”属性的指标,而不是整体上合金样品的全局测量。例如,图3(a)-3(b)中的位置11、12和13,而不是整体上的整个BMG1。例如,当前描述的方法将能够提供合金样品的顶侧、左侧、右侧、底侧等等的电阻率测量,而不是现有的只能够在DSC测量之后提供合金样品整体上的结晶性测量的测量的(破坏性)方法。
当前描述的方法能够提供监视和/或测量合金产品的质量的非破坏性方式,尤其是在合金制作过程中,就结晶程度而言。例如,可以添加额外的监视步骤。在一个实施例中,可以引入质量被认为“好”和“坏”的标准,以便在进一步进行对结晶程度的确定之后可以添加对“好”和“坏”产品的二元确定。这种二元指标可用于接受或拒绝产品。这个质量测量/确定也可用于评估制作合金的过程,如下所示,从而允许对制作过程的修改和/或优化。例如,合金样本的电阻系数的温度依从性可用于评估合金的质量或制造(即,制作)过程。例如,如图5中所示,如果曲线51表示被视为“可接受”或“好”的合金的关系,则具有在此级别下方的关系的合金,例如阴影区域中示出的那种,可被视为“坏”或“不可接受”的。坏的或不可接受的合金可被拒绝。好或可接受的级别可以是任意定义的,阴影区域也可任意定义。
类似地,在使用主曲线的上述实施例中,其ρ与T曲线具有非正斜率的合金可被视为“可接受”的,而前者可被视为“不可接受”的。因此,不需要使用主曲线,线的斜率可用于确定合金的材料参数(例如,结晶或非结晶),或者甚至用于评估制作非晶质合金的制造过程的效力,如上所述。
可执行上述方法的装置可被用作质量控制装置,其可与金属玻璃制造系统相集成。例如,如果装置中的指标显示“坏”信号,则装置可发送信号到制造系统以停止该过程。或者,该信号可被发送到制造系统以修改制造条件(例如,温度、压力,等等)以优化产品的质量。与该装置集成的系统的质量控制反馈可以是连续的——即,反馈被连续发送并被制造系统接收,并且调整被连续进行。或者,反馈可以是离散的——即,信号在指定的时间被发送,并且制造系统随后可基于反馈被监视并考查。
另外,取代二元的“好”或“坏”确定,当前描述的方法可用于直接描述结晶级别/程度。在一个实施例中,这种处理/制造后的确定可在制造过程中提供反馈,以便能够调整制造参数来优化产品质量。在一个实施例中,包括制造、质量监视和参数调整的整个过程可以是自动化的,即,由计算机控制。
上述质量控制在涉及使用BMG的制造过程中可能是有价值的。因为BMG的优秀属性,BMG可被制成多种装置和部件中的结构组件。一个这种装置是电子装置。
这里的电子装置可以指本领域已知的任何电子装置。例如,其可以是电话,例如蜂窝电话和陆线电话,或者任何通信装置,例如智能电话,包括例如iPhoneTM,以及电子邮件发送/接收装置。其可以是显示器的一部分,例如数字显示器,TV监视器,电子书阅读器,便携式web浏览器(例如iPadTM),以及计算机监视器。其也可以是娱乐装置,包括便携式DVD播放器,传统DVD播放器,蓝光盘播放器,视频游戏机,音乐播放器,例如便携式音乐播放器(例如iPodTM),等等。其也可以是提供控制——例如控制图像、视频、声音的流传输——的装置(例如Apple TVTM)的一部分,或者其可以是电子装置的遥控器。其可以是计算机或其配件的一部分,例如硬盘塔壳体或外壳、膝上型电脑壳体、膝上型电脑键盘、膝上型电脑触控板、桌面电脑键盘、鼠标和扬声器。该物品也可应用到诸如手表或时钟之类的装置。
冠词“一”在这里用来指该冠词的受词的一个或多于一个(即,至少一个)。作为示例,“一聚合树脂”指的是一个聚合树脂或者多于一个聚合树脂。这里引述的任何范围都是包含性的。本说明书中各处使用的术语“基本上”和“大约”用于描述并计入小波动。例如,它们可以指小于或等于±5%,例如小于或等于±2%,例如小于或等于±1%,例如小于或等于±0.5%,例如小于或等于±0.2%,例如小于或等于±0.1%,例如小于或等于±0.05%。
Claims (23)
1.一种确定未知结晶程度的方法,包括:
构造包括多条参考曲线的主曲线图,每条参考曲线表示具有某种化学成分和各种预定的结晶程度的多个参考合金样本之一的电阻系数与温度之间的关系;
对于具有所述化学成分和所述未知结晶程度的合金样品,获得表示其电阻系数与温度之间的关系的曲线;以及
通过将所述曲线与所述主曲线图相比较来确定所述未知结晶程度。
2.如权利要求1所述的方法,其中,所述合金包括Zr、Hf、Ti、Cu、Ni、Pt、Pd、Fe、Mg、Au、La、Ag、Al、Mo、Nb、Be或者其组合。
3.如权利要求1所述的方法,其中,获得所述合金样品的曲线的步骤是通过非破坏性技术执行的。
4.如权利要求1所述的方法,其中,构造步骤还包括通过破坏性技术对于所述多个中的每一个测量所述关系。
5.如权利要求1所述的方法,其中,构造步骤还包括相对于表示完全非晶质的参考合金样本的参考曲线来正规化每条参考曲线。
6.如权利要求1所述的方法,其中,所述温度的范围是从77K到高于所述合金的结晶温度至少大约100K。
7.如权利要求1所述的方法,其中,确定步骤还包括将所述合金样品的曲线叠加到所述主曲线图上。
8.如权利要求1所述的方法,其中,确定步骤还包括在预定温度处将所述合金样品的曲线与所述主曲线图相比较。
9.如权利要求1所述的方法,还包括为具有另一种不同化学成分的多个参考合金样本构造第二主曲线图。
10.如权利要求1所述的方法,其中,所述方法是在包括以下各项中的至少一个的装置中执行的:万用表、样本架、电极;加热器;温度控制器;电阻测量系统;计算机;以及显示器。
11.一种确定未知结晶程度的方法,包括:
提供具有某种化学成分的多个参考合金样本,所述多个中的每一个具有预定的结晶程度;
对于所述多个中的每一个,测量电阻系数与温度之间的关系以获得表示该关系的参考曲线;
构造包括至少一些所述参考曲线的主曲线图;
提供具有所述化学成分和所述未知结晶程度的合金样品;
对于所述样品,测量电阻系数与温度之间的关系以获得表示该关系的曲线;以及
通过将所述曲线与所述主曲线图相比较来确定所述样品的所述未知结晶程度。
12.如权利要求11所述的方法,其中,对于所述多个中的每一个进行测量的步骤还包括在对该参考合金样本加热的同时测量电阻系数。
13.如权利要求11所述的方法,其中,对于所述多个中的每一个进行测量的步骤还包括通过电阻加热、感应加热、传导加热、辐射加热来对参考样本加热。
14.如权利要求11所述的方法,其中,对于所述多个中的每一个进行测量的步骤是由以下各项中的至少一种来执行的:弯曲、X射线照相术、X射线衍射法、蚀刻、光显微镜法、电子显微镜法、比重测量、硬度测量、断裂韧性测量、拉伸测试测量、以及差示扫描量热法。
15.如权利要求11所述的方法,其中,对于所述合金样品进行测量的步骤是通过用四探头技术、感应技术或其组合测量其电阻系数来执行的。
16.如权利要求11所述的方法,其中,确定步骤包括在预定温度处将所述曲线与所述主曲线图相比较。
17.如权利要求11所述的方法,其中,对于所述样品进行测量的步骤在所述样品上的不同位置处重复。
18.如权利要求11所述的方法,还包括在所述样品上的多个位置处测量所述样品的所述未知结晶程度。
19.如权利要求11所述的方法,还包括测量至少一个材料属性并且将该属性与所确定的未知结晶程度相互关联。
20.如权利要求11所述的方法,还包括制作所述合金样品并且基于对所述曲线和所述主曲线的比较来评估该制作步骤。
21.一种评估合金样品的方法,包括:
在至少两个温度下测量所述合金样品的电阻系数;
确定电阻率与温度图上连接电阻系数测量值的线的斜率;以及
基于所述斜率评估所述合金样品。
22.如权利要求21所述的方法,还包括基于所述斜率确定所述合金样品的结晶程度。
23.如权利要求21所述的方法,还包括制作所述合金样品并且基于所述斜率评估所述合金的制作。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/US2011/046715 WO2013022418A1 (en) | 2011-08-05 | 2011-08-05 | Nondestructive method to determine crystallinity in amorphous alloy |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103748456A true CN103748456A (zh) | 2014-04-23 |
CN103748456B CN103748456B (zh) | 2017-02-15 |
Family
ID=44511556
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201180072662.4A Expired - Fee Related CN103748456B (zh) | 2011-08-05 | 2011-08-05 | 确定非晶质合金中的结晶性的非破坏性方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140297202A1 (zh) |
JP (1) | JP5703419B2 (zh) |
CN (1) | CN103748456B (zh) |
WO (1) | WO2013022418A1 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115143654A (zh) * | 2021-03-31 | 2022-10-04 | 三菱电机株式会社 | 热传递系统和用于操作热传递系统的方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR3072777B1 (fr) * | 2017-10-23 | 2019-12-27 | Centre National De La Recherche Scientifique | Four d'analyse portable pour ligne de rayonnement |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101351702A (zh) * | 2005-12-07 | 2009-01-21 | 惠氏公司 | 结晶雷帕霉素的制备方法以及使用差示扫描量热法测量雷帕霉素化合物结晶度的方法 |
JP2010038697A (ja) * | 2008-08-04 | 2010-02-18 | Nihon Univ | シリコン半導体薄膜の結晶性評価装置及び結晶性評価方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5368659A (en) | 1993-04-07 | 1994-11-29 | California Institute Of Technology | Method of forming berryllium bearing metallic glass |
US5288344A (en) | 1993-04-07 | 1994-02-22 | California Institute Of Technology | Berylllium bearing amorphous metallic alloys formed by low cooling rates |
US5618359A (en) | 1995-02-08 | 1997-04-08 | California Institute Of Technology | Metallic glass alloys of Zr, Ti, Cu and Ni |
US5735975A (en) | 1996-02-21 | 1998-04-07 | California Institute Of Technology | Quinary metallic glass alloys |
JP2001026277A (ja) | 1999-07-12 | 2001-01-30 | Koyo Seiko Co Ltd | 車両用操舵装置 |
US6325868B1 (en) | 2000-04-19 | 2001-12-04 | Yonsei University | Nickel-based amorphous alloy compositions |
JP3805601B2 (ja) | 2000-04-20 | 2006-08-02 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 高耐蝕性・高強度Fe−Cr基バルクアモルファス合金 |
US7069153B2 (en) * | 2003-01-28 | 2006-06-27 | Therma-Wave, Inc. | CD metrology method |
US8480864B2 (en) | 2005-11-14 | 2013-07-09 | Joseph C. Farmer | Compositions of corrosion-resistant Fe-based amorphous metals suitable for producing thermal spray coatings |
US7666526B2 (en) * | 2005-11-30 | 2010-02-23 | The Trustees Of The University Of Pennsylvania | Non-volatile resistance-switching oxide thin film devices |
US20140012534A1 (en) * | 2012-07-04 | 2014-01-09 | Christopher D. Prest | Non-destructive method to determine crystallinity in amorphous alloy using specific heat capacity |
-
2011
- 2011-08-05 WO PCT/US2011/046715 patent/WO2013022418A1/en active Application Filing
- 2011-08-05 CN CN201180072662.4A patent/CN103748456B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-08-05 JP JP2014523894A patent/JP5703419B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-08-05 US US14/237,093 patent/US20140297202A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101351702A (zh) * | 2005-12-07 | 2009-01-21 | 惠氏公司 | 结晶雷帕霉素的制备方法以及使用差示扫描量热法测量雷帕霉素化合物结晶度的方法 |
JP2010038697A (ja) * | 2008-08-04 | 2010-02-18 | Nihon Univ | シリコン半導体薄膜の結晶性評価装置及び結晶性評価方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
冯本政,杨汝森: "某些非晶态合金的电阻率-温度特性", 《金属学报》, vol. 21, no. 4, 31 August 1985 (1985-08-31) * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115143654A (zh) * | 2021-03-31 | 2022-10-04 | 三菱电机株式会社 | 热传递系统和用于操作热传递系统的方法 |
CN115143654B (zh) * | 2021-03-31 | 2024-06-28 | 三菱电机株式会社 | 热传递系统和用于操作热传递系统的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014521969A (ja) | 2014-08-28 |
CN103748456B (zh) | 2017-02-15 |
US20140297202A1 (en) | 2014-10-02 |
WO2013022418A1 (en) | 2013-02-14 |
JP5703419B2 (ja) | 2015-04-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Shen et al. | Strange-metal behaviour in a pure ferromagnetic Kondo lattice | |
Larin et al. | Preparation and properties of glass-coated microwires | |
Perera | Compilation of the fragility parameters for several glass-forming metallic alloys | |
CN103827048B (zh) | 坩埚材料 | |
Sun et al. | Thermal physical properties of high entropy alloy Al0. 3CoCrFeNi at elevated temperatures | |
CN103635270B (zh) | 热熔接合方法及装置 | |
CN104582877A (zh) | 无定形合金铸块的连续无模制造 | |
Zhang et al. | Structure, magnetic and magnetocaloric properties of Ni2MnGa Heusler alloy nanowires | |
Wang et al. | Reversible room temperature brittle‐plastic transition in Ag2Te0. 6S0. 4 inorganic thermoelectric semiconductor | |
US20150368769A1 (en) | Method of Using Core Shell Pre-Alloy Structure to Make Alloys in a Controlled Manner | |
Zhou et al. | On the existence of Einstein oscillators and thermal conductivity in bulk metallic glass | |
JP2017052007A (ja) | 取り外し可能プランジャチップを有するプランジャ | |
CN103748456A (zh) | 确定非晶质合金中的结晶性的非破坏性方法 | |
US20140012534A1 (en) | Non-destructive method to determine crystallinity in amorphous alloy using specific heat capacity | |
CN103958719A (zh) | 防篡改的无定形合金接合部 | |
Hu et al. | Influence of melt temperature on the Invar effect in (Fe 71.2 B 24 Y 4.8) 96 Nb 4 bulk metallic glass | |
Liu et al. | Enhanced Tensile Properties and Fracture Reliability of Cu‐Based Amorphous Wires via Pr‐Doping | |
Meng et al. | Glass transition in a marginal glass-forming alloy studied by dynamic mechanical analysis | |
Ziewiec et al. | Properties and microstructure of the (Fe, Ni)–Cu–(P, Si, B) melt‐spun alloys | |
WO2013162501A1 (en) | Non-destructive determination of volumetric crystallinity of bulk amorphous alloy | |
Li et al. | Magnetic and compressive properties of ternary Ni–Fe–Ti eutectic alloy processed by electromagnetic levitation technique | |
Cheng et al. | Experimental research on thermal transport properties of crystallized palladium-based alloys | |
Wilde et al. | Fragility, kinetic stability and phase separations in the undercooled state of bulk glass formers–a case study on metallic model systems | |
CN104583435A (zh) | 无定形合金粉末给料加工 | |
Han et al. | Study on Structures Stability, Mechanical Properties, and Electronic Properties of Alloy Ag–Au–Al: First‐Principles Calculations and Experiments |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20170215 Termination date: 20170805 |