JP2010034320A - 露光装置およびデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】要求露光量精度を満たしながらスループットの向上に寄与する露光装置を提供する。
【解決手段】第１強度の光を使った第１所要露光時間が基準時間よりも長い場合には、前記第１強度の光を使って前記第１モードで基板を露光し、前記第１所要露光時間が前記基準時間よりも短く、かつ、要求露光量精度が基準レベルよりも高い場合には、前記第１強度より弱い第２強度の光を使って前記第１モードで基板を露光し、前記第１所要露光時間が前記基準時間よりも短く、かつ、前記要求露光量精度が前記基準レベルよりも低く、かつ、前記第１強度の光を使って前記第２モードで基板を露光するときの所要露光時間である第２所要露光時間が前記基準時間よりも長い場合には、前記第２強度の光を使って前記第１モードで基板を露光する。
【選択図】図１

Description

本発明は、光源からの光で原版を照明し該原版のパターンを投影光学系によって基板に投影して該基板を露光する露光装置に関する。

特許文献１には、被記録体からの光又は被記録体に照射される光の強度を光電検出器で検出し、この検出値に対応する周波数の出力パルスを得て、このパルスを計数し、所定のパルス数に達した際にシャッタを閉じる構成を有する露光装置が記載されている。シャッタは、１枚の回転円板に遮光部と透光部を交互に設け、これを回転駆動することにより、照明光の遮光状態および透光状態を制御するものである。

低露光量による露光制御を行う場合においては、特許文献１に記載されたような構成では、シャッタを閉じるタイミングが間に合わないことがある。そこで、パルス数を計数することなくシャッタを閉じる方法、光強度を低下させた状態で上記のようにパルス数を計数し、所定のパルス数に達した際にシャッタを閉じる方法が採用されうる。
特公昭６１−３４２５２号公報

しかしながら、パルス数を計数することなくシャッタを閉じる方法は、要求露光量精度が低い場合にはスループットの向上に有利であるが、要求露光量精度が高い場合には採用されるべきではない。また、光強度を低下させる方法は、要求露光量精度が高い場合には有用であるが、要求露光量精度が低い場合にはスループットの点で不利である。

本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、例えば、要求露光量精度を満たしながらスループットの向上に寄与する露光装置を提供することを目的とする。

本発明の第１の側面は、光源からの光で原版を照明し該原版のパターンを投影光学系によって基板に投影して該基板を露光する露光装置に係り、前記露光装置は、前記光源と原版の配置面との間に配置されたシャッタと、基板の露光量を検知する露光量センサと、前記シャッタを開いた後に前記露光量センサの出力に基づいて前記シャッタを閉じることによって基板の露光時間を制御する第１モードと、目標露光量に基づいて予め決定された制御情報に基づいて前記シャッタの速度を制御することによって基板の露光時間を制御する第２モードとを含む前記シャッタの制御モードを用いて露光動作を制御する制御部とを備え、前記制御部は、第１強度の光を使って前記第１モードで基板を露光するときの所要露光時間である第１所要露光時間が基準時間よりも長い場合には、前記第１強度の光を使って前記第１モードで基板を露光し、前記第１所要露光時間が前記基準時間よりも短く、かつ、要求露光量精度が基準レベルよりも高い場合には、前記第１強度より弱い第２強度の光を使って前記第１モードで基板を露光し、前記第１所要露光時間が前記基準時間よりも短く、かつ、前記要求露光量精度が前記基準レベルよりも低く、かつ、前記第１強度の光を使って前記第２モードで基板を露光するときの所要露光時間である第２所要露光時間が前記基準時間よりも長い場合には、前記第２強度の光を使って前記第１モードで基板を露光し、前記第１所要露光時間が前記基準時間よりも短く、かつ、前記要求露光量精度が前記基準レベルよりも低く、かつ、前記第２所要露光時間が前記基準時間よりも短い場合には、前記第１強度の光を使って前記第２モードで基板を露光する、ように露光動作を制御する。

本発明の第２の側面は、光源からの光で原版を照明し該原版のパターンを投影光学系によって基板に投影して該基板を露光する露光装置に係り、前記露光装置は、前記光源と原版の配置面との間に配置されたシャッタと、基板の露光量を検知する露光量センサと、前記シャッタを開いた後に前記露光量センサの出力に基づいて前記シャッタを閉じることによって基板の露光時間を制御する第１モードと、目標露光量に基づいて予め決定された制御情報に基づいて前記シャッタの速度を制御することによって基板の露光時間を制御する第２モードとを含む前記シャッタの制御モードを用いて露光動作を制御する制御部とを備え、前記制御部は、第１強度の光を使って前記第１モードで基板を露光するときの所要露光時間である第１所要露光時間が基準時間よりも長い場合には、前記第１強度の光を使って前記第１モードで基板を露光し、前記第１所要露光時間が前記基準時間よりも短く、かつ、要求露光量精度が基準レベルよりも高い場合には、前記第１強度より弱い第２強度の光を使って前記第１モードで基板を露光し、前記第１所要露光時間が前記基準時間よりも短く、かつ、前記要求露光量精度が前記基準レベルよりも低い場合には、前記第１強度の光を使って前記第２モードで基板を露光する、ように露光動作を制御する。

本発明によれば、例えば、要求露光量精度を満たしながらスループットの向上に寄与する露光装置を提供することができる。

以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を説明する。

図１は、本発明の好適な実施形態の露光装置の概略構成を示す図である。本発明の好適な実施形態の露光装置１００は、光源１、シャッタ４、原版ステージ２１、投影光学系６、基板ステージ２２、光量調整部２５を備える。原版ステージ２１は、原版（レチクル）２を保持し位置決めする。原版２には、半導体回路パターン等のパターンが形成されていて、光源１が発生する光によって照明される。光源１は、典型的には、連続的に光を発生するランプを含みうる。

基板ステージ２２は、フォトレジスト（感光剤）が塗布された基板（ウエハ）３を保持し位置決めする。基板３には、投影光学系６を介して、原版２のパターンが投影され、これにより基板３に塗布されているフォトレジストに潜像パターンが形成される。潜像パターンは、現像装置において現像され、これによりレジストパターンが形成される。

シャッタ４は、光源１と原版２の配置面との間（換言すると、光源１と原版ステージ２１との間）に配置され、原版２への光源１からの光の入射時間を制御することによって基板３の露光時間を決定する。

光量調整部２５は、原版２を照明する光の強度（光量）を調整する。原版２を照明する光の強度を調整することは、基板３を露光する光の強度を調整することを意味する。光量調整部２５は、光の強度を連続的に、または段階的に調整可能に構成されうる。光量調整部２５は、例えば、光源１のランプの位置を調整すること、または、光量低減フィルタを光路（光源１と原版２との間）に挿入することによって原版２を照明する光の強度を調整するように構成されうる。

露光装置１００は、基板３の露光量を検知する露光量センサＳを備える。露光量センサＳは、例えば、光センサ５、アンプ７、Ｖ／Ｆコンバータ９、パルスカウンタ１１を含んで構成されうる。光センサ５は、シャッタ４と原版ステージ２１との間における光の強度を検出する。光センサ５は受光素子を含む。該受光素子は、シャッタ４と原版ステージ２１との間における照明光の光路に配置されてもよいし、該光路からミラーによって取り出された光を受光するように配置されてもよい。アンプ７は、光センサ５から出力される光強度を示す信号を電圧信号に変換する。Ｖ／Ｆコンバータ９は、アンプ７から出力される電圧信号を周波数信号に変換する。パルスカウンタ１１は、Ｖ／Ｆコンバータ９から出力される周波数信号のパルス数をカウントする。パルスカウンタ１１によってカウントされたカウント値は、光の光強度を積算した量を意味するので、基板の露光量と比例する。よって、このカウント値によって基板の露光量を示す情報が得られる。

露光装置１００は、更に、制御部１３、入出力装置１５、目標露光量決定器１６、駆動回路１４等を備えうる。制御部１３は、基板３の露光動作を制御する。駆動回路１４は、制御部１３からの指示を受けてシャッタ４を開閉駆動する。入出力装置（コンソール）１５は、各種の情報を入力・出力するための装置である。目標露光量決定器１６は、入出力装置１５を介して入力された露光条件、及び、必要に応じて入力される他の情報に基づいて、目標露光量を決定する。

図２は、シャッタ４の動作による露光制御を説明するための図である。シャッタ４は、不図示の回転機構によって回転駆動されるシャッタ板８１を含む。シャッタ板８１は、遮光部Ａ、Ｂ、Ｃと、それらの間の部分である非遮光部を有する。図２では、シャッタ板８１の遮光部Ａ、Ｂ、Ｃと、光が通る光路領域８６との位置関係が例示されている。図２（ａ）は、シャッタ板８１の遮光部Ａによって光路領域８６が遮断された状態である。図２（ｂ）は、図２（ａ）の状態からシャッタ板８１が時計回りに６０°回転し、光路領域８６が遮断されなくなった状態である。図２（ｃ）は、図２（ｂ）の状態からシャッタ板８１が更に時計回りに６０°回転し、遮光部Ｂにより光路領域８６が遮断された状態である。光路領域８６が遮断されていない状態は、シャッタ４が開かれた状態であり、光路領域８６が遮断された状態は、シャッタ４が閉じられた状態である。

シャッタ４が閉じられた状態（ａ）から開かれた状態（ｂ）を経て閉じられた状態（ｃ）に至るまでには、相応の最小時間が必要である。この最小時間に基づいて、シャッタ４の制御モードを決定するための基準時間Ｔｍｉｎが決定される。基準時間Ｔｍｉｎは、最小時間と等しくてもよいし、最小時間にマージンを加えた時間でもよい。

シャッタ４の制御モードは、第１モードおよび第２モードを含む。第１モードは、シャッタ４を開いた後に露光量センサＳの出力に基づいてシャッタ４を閉じることによって基板３の露光時間を制御するモードである。第２モードは、目標露光量に基づいて予め決定された制御情報に基づいてシャッタ４の開閉速度を制御することによって基板３の露光時間を制御するモードである。本実施例では、シャッタ４の回転速度を制御することで、シャッタ４の開閉速度を制御することが可能である。シャッタ４の制御モードは、メモリ等の記憶手段に予め格納されていても良いし、外部の記憶媒体を用いて後から格納されても良い。

制御部１３は、第１強度（典型的には光源１が発生する光の最大強度）の光を使い第１モードで基板を露光するときの第１所要露光時間Ｔｄ１が基準時間Ｔｍｉｎよりも長い場合、第１強度の光を使って第１モードで基板を露光するように露光動作を制御する。

制御部１３は、次の（１）〜（３）で示されるように露光動作を制御する。
（１）第１所要露光時間Ｔｄ１が基準時間Ｔｍｉｎよりも短く、かつ、要求露光量精度が基準レベルよりも高い場合
第１強度より弱い第２強度の光を使って第１モードで基板を露光する。
（２）第１所要露光時間が基準時間Ｔｍｉｎよりも短く、かつ、要求露光量精度が基準レベルよりも低く、かつ、第１強度の光を使って第２モードで基板を露光するときの第２所要露光時間Ｔｄ２が基準時間Ｔｍｉｎよりも長い場合
第１強度より弱い第２強度の光を使って第１モードで基板を露光する。
（３）第１所要露光時間Ｔｄ１が基準時間Ｔｍｉｎよりも短く、かつ、要求露光量精度が基準レベルよりも低く、かつ、第２所要露光時間Ｔｄ２が基準時間Ｔｍｉｎよりも短い場合
第１強度の光を使って第２モードで基板を露光する。

図３は、第２モードにおけるシャッタ４（より正確にはシャッタ板８１）の回転速度［ｒｐｍ］と露光量［Ｊ／ｍ^２］との関係を示すグラフである。図３に例示されるような露光量とシャッタ４の回転速度との関係は、実験又は計算により求めることができ、例えば、近似関数又はデータテーブルとして制御部１３内のメモリ（不図示）に予め格納しておくことができる。

図７は、第１モードにおけるシャッタ板８１の回転角（ａ）および角速度（ｂ）、基板３の表面における照度（ｃ）を例示する図である。図８は、第２モードにおけるシャッタ板８１の回転角（ａ）および角速度（ｂ）、基板３に表面における照度（ｃ）を例示する図である。第２モードでは、図３に例示されるシャッタ板８１の回転速度［ｒｐｍ］に対応する角速度プロファイル（制御情報）に従ってシャッタ板８１を回転させる。ここで、シャッタ板８１の回転速度［ｒｐｍ］に基づいて角速度プロファイル（制御情報）を決定するために必要な情報は、制御部１３内のメモリに予め格納しておくことができる。角速度プロファイル（制御情報）は、目標とする露光量［Ｊ／ｍ^２］から直接に決定されてもよい。制御部１３は、第２モードにおいて、目標とする露光量［Ｊ／ｍ^２］に応じた角速度プロファイルに従って駆動回路１４にシャッタ４（シャッタ板８１の回転機構）を駆動させる。

この実施形態では、目標とする露光量［Ｊ／ｍ^２］に応じてシャッタ板８１の回転速度［ｒｐｍ］が定められるので、目標とする露光量が大きいと、第２モードにおける所要露光時間が基準時間Ｔｍｉｎを超える場合がある。第２モードは、シャッタ４を閉じるタイミングを露光センサＳの出力によって制御しないので、露光量精度が第１モードよりも低い。したがって、第２モードにおける所要露光時間が基準時間Ｔｍｉｎを超える場合には、もはや第２モードで露光を行う必要はない。よって、このような場合には、制御部１３は、基板の露光のために使用する光の強度を第１強度から第２強度に低減し、第１モードで露光を行うように露光動作を制御する。

図４は、本発明の好適な実施形態の露光処理の流れを示すフローチャートである。この露光処理は、制御部１３によって制御される。なお、この例では、原版２を照明する光の強度は、デフォルト（初期設定）では、第１強度（典型的には、最大強度）に設定されていて、ステップＳ１０８で第１強度よりも弱い第２強度に設定されうるものとする。

まず、ステップＳ１０２では、制御部１３は、入出力装置１５から要求露光量精度および基準時間Ｔｍｉｎの情報を取得する。ここで、要求露光量精度は、露光処理において要求される露光量精度であり、例えば、多段階のレベルで与えられうる。最も単純な例において、要求露光量精度は、２段階のレベル、例えば、基準レベルよりも厳しいか、厳しくないかで与えられうる。図４のフローチャートで示す露光処理の例において、要求露光量精度は、基準レベルよりも厳しいか、厳しくないかで与えられる。基準時間Ｔｍｉｎは、基板の露光を第１モードで実行するか第２モードで実行するかを決定するために使用される。

ステップＳ１０３では、制御部１３は、目標露光量決定器１６から目標露光量Ｄｔの情報を取得する。

ステップＳ１０４では、制御部１３は、第１モードにおいて基板を露光するときの所要露光時間である第１所要露光時間Ｔｄ１を計算する。ここで、基板３に入射する光の光量値（該光量値は、原版２を照明する照明光と比例する。）をＩ、シャッタ４の動作遅れ時間をＴｓとすると、第１所要露光時間Ｔｄ１は、（１）式に従って計算することができる。

Ｔｄ１ ＝ （Ｄｔ／Ｉ）＋ Ｔｓ ・・・（１）
なお、光量値Ｉは、例えば、以前に基板の露光を行ったときの露光量センサＳの出力値を記憶しておいてそれに基づいて決定されてもよいし、露光前にシャッタ４をダミーで開閉させて光量を露光量センサＳで計測しそれに基づいて決定されてもよい。

ステップＳ１０５では、制御部１３は、ステップＳ１０４で計算した第１露光所要時間Ｔｄ１と基準時間Ｔｍｉｎとを比較する。そして、制御部１３は、第１所要時間Ｔｄ１が基準時間Ｔｍｉｎよりも大きければステップＳ１０６に処理を進め、第１所要時間Ｔｄ１が基準時間Ｔｍｉｎよりも小さければステップＳ１０７に処理を進める。なお、第１所要時間Ｔｄ１と基準時間Ｔｍｉｎとが等しい場合にどのようにするかは、基準時間Ｔｍｉｎの決定方法に依存する。この例では、第１所要時間Ｔｄ１が基準時間Ｔｍｉｎと等しい場合には、ステップＳ１０７に処理が進められる。

ステップＳ１０６では、制御部１３は、設定されている強度の光（この例では、第１強度または第２強度に設定されうる）を使って第１モードで基板を露光するように露光動作を制御する。

ステップＳ１０７では、制御部１３は、要求露光精度が基準レベルよりも高いか否か（基準レベルよりも厳しいか否か）を判断する。そして、制御部１３は、要求露光精度が基準レベルよりも高い場合にはステップＳ１０８に処理を進め、要求露光精度が基準レベルよりも低い場合にはステップＳ１０９に処理を進める。例えば、要求露光精度が、基準レベルよりも厳しいか厳しくないかで与えられる場合において、基準レベルを２、基準レベルよりも厳しい要求露光精度を３、基準レベルよりも厳しくない要求露光精度を１とすることができる。この場合、要求露光精度を示す数値と基準レベルを示す数値との比較によって、要求露光精度が基準レベルよりも厳しいか、厳しくないかを判断することができる。

ステップＳ１０８では、制御部１３は、光量調整部２５に、原版２を照明する光の強度（基板３に入射する光の強度）を第１強度からそれよりも弱い第２強度に変更させる。ここで、要求露光量精度が基準レベルよりも厳しい場合には、第２モードで基板を露光することができないので、第１モードで基板を露光するために、所要露光時間が基準時間Ｔｍｉｎを超えるように、露光のために使用する光の強度を低下させる必要がある。

ステップＳ１０８の後は、ステップＳ１０６が実行される。ステップＳ１０８の後に実行されるステップＳ１０６では、第１強度の光を使って第１モードで基板３が露光されることになる。

ステップＳ１０９では、制御部１３は、第１強度の光を使って第２モードで基板を露光するときの所要露光時間である第２所要露光時間Ｔｄ２を計算する。より具体的には、制御部１３は、図３に例示されるグラフである。図３に例示されるグラフに対応する近似関数又はデータテーブルに従って、目標露光量Ｄｔに対応するシャッタの回転速度を計算し、その回転速度に対応する第２所要時間Ｔｄ２を決定する。例えば、目標露光量ＤｔがＤ１であれば、それに対応する回転速度はＲ１である。ここで、第２所要時間Ｔｄ２は、例えば、回転速度に対応する角速度プロファイルに従って決定されてもよいし、予め登録された実測値に従って決定されてもよい。

ステップＳ１１０では、制御部１３は、ステップＳ１０９で計算した第２露光所要時間Ｔｄ２と基準時間Ｔｍｉｎとを比較する。そして、制御部１３は、第２所要時間Ｔｄ２が基準時間Ｔｍｉｎよりも大きければステップＳ１０８に処理を進め、第２所要時間Ｔｄ２が基準時間Ｔｍｉｎよりも小さければステップＳ１１１に処理を進める。なお、第２所要時間Ｔｄ２と基準時間Ｔｍｉｎとが等しい場合にどのようにするかは、基準時間Ｔｍｉｎの決定方法に依存する。この例では、第２所要時間Ｔｄ２が基準時間Ｔｍｉｎと等しい場合には、ステップＳ１０８に処理が進められる。

第２所要時間Ｔｄ２が基準時間Ｔｍｉｎよりも大きければ、ステップＳ１０８において、原版２を照明する光の強度が第１強度からそれよりも弱い第２強度に変更され、その後、ステップＳ１０６において、第１モードで基板が露光される。一方、第２所要時間Ｔｄ２が基準時間Ｔｍｉｎよりも小さければ、デフォルトの光強度、即ち、第１強度のままで、ステップＳ１１１において、基板が露光される。

図９は、目標露光量Ｄｔ、制御モード（第１モード／第２モード）、光の強度（第１強度／第２強度）、第１所要露光時間Ｔｄ１、第２所要露光時間Ｔｄ２、基準時間Ｔｍｉｎの関係を例示する図である。

上記の例は、第２所要露光時間Ｔｄ２が第１所要露光時間Ｔｄ１よりも大きくなりうる場合の例（即ち、ステップＳ１１０でＴｄ２がＴｍｉｎよりも小さくなると判断されうる場合の例）である。第２所要露光時間Ｔｄ２が第１所要露光時間Ｔｄ１よりも常に小さくなる場合には、ステップＳ１０９およびステップＳ１１０は不要である。この場合には、ステップＳ１０７で要求露光精度が基準レベルよりも低いと判断された場合には常にステップＳ１１１に処理が進められ、ステップＳ１１１において第１強度の光を使って第２モードで基板が露光される。

図５は、第１モードで基板を露光するステップＳ１０６の詳細を示すフローチャートである。第１モードは、前述のように、シャッタ４を開いた後に露光量センサＳの出力に基づいてシャッタ４を閉じることによって基板３の露光時間を制御するモードである。

ステップＳ２０３では、制御部１３は、駆動回路１４に対してシャッタ開指令を送り、駆動回路１４にシャッタ４を開かせる。シャッタ４が開かれることによって、基板３の露光が開始される。

ステップＳ２０４では、基板３の露光量の計測が開始される。この計測では、光センサ５から出力される光強度を示す信号がアンプ７で電圧信号に変換され、この電圧信号がＶ／Ｆコンバータ９によりパルス列に変換され、このパルス数がパルスカウンタ１１によってカウントされる。

ステップＳ２０５では、制御部１３は、パルスカウンタ１１から提供されるカウント値を読み、カウント値が目標露光量Ｄｔによって決まるパルス値と一致するか否かを判断する。ステップＳ２０５は、パルスカウンタ１１から提供されるカウント値が目標露光量によって決まるパルス値と一致するまで繰り返され、両者が一致したら、制御部１３は、ステップＳ２０６に処理を進める。

ステップＳ２０６では、制御部１３は、駆動回路１４に対してシャッタ閉指令を送り、シャッタ４を閉じさせる。

図６は、第２モードで基板を露光するステップＳ１１１の詳細を示すフローチャートである。第２モードは、前述のように、目標露光量Ｄｔに基づいて予め決定された制御情報に基づいてシャッタ４の速度を制御することによって基板３の露光時間を制御するモードである。

ステップＳ３０２では、制御部１３は、目標露光量Ｄｔに対応するシャッタ４の回転速度［ｒｐｍ］を計算する。具体的には、制御部１３は、図３に例示されるグラフに対応する近似関数又はデータテーブルに従って、目標露光量Ｄｔに対応するシャッタの回転速度を計算する。

ステップＳ３０３では、制御部１３は、駆動回路１４に対してシャッタ回転指令を送り、駆動回路１４にシャッタ４を回転させる。シャッタ４の回転によって、シャッタ４が閉状態から開状態を経て閉状態になる。

ステップＳ３０４では、基板３の露光量の計測が開始される。この計測では、光センサ５から出力される光強度を示す信号がアンプ７で電圧信号に変換され、この電圧信号がＶ／Ｆコンバータ９によりパルス列に変換され、このパルス数がパルスカウンタ１１によってカウントされる。カウントされたパルス数は、基板の露光量に比例しているので、パルス数のカウントによって露光量を計測することができる。

ステップＳ３０５では、制御部１３は、シャッタの回転速度に基づいてシャッタ４が閉状態になるタイミングを待ち、その後、ステップＳ３０６では、制御部１３は、パルスカウンタ１１によるカウント動作（即ち、露光量の計測）を終了させる。このようにして計測されたカウント値（露光量）は、次に実行されうるステップＳ３０２においてシャッタの回転速度を決定するために考慮されうる。

本発明の好適な実施形態のデバイス製造方法は、例えば、半導体デバイス、液晶デバイスの製造に好適であり、感光剤が塗布された基板の該感光剤に上記の露光装置を用いて原版のパターンを転写する工程と、該感光剤を現像する工程とを含みうる。さらに、他の周知の工程（エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を経ることによりデバイスが製造される。

本発明の好適な実施形態の露光装置の概略構成を示す図である。 シャッタの動作による露光制御を説明するための図である。 第２モードにおけるシャッタの回転速度［ｒｐｍ］と露光量［Ｊ／ｍ^２］との関係を示すグラフである。 本発明の好適な実施形態の露光処理の流れを示すフローチャートである。 第１モードで基板を露光する処理の詳細を示すフローチャートである。 第２モードで基板を露光する処理の詳細を示すフローチャートである。 第１モードにおけるシャッタ板の回転角（ａ）および角速度（ｂ）、基板の表面における照度（ｃ）を例示する図である。 第２モードにおけるャッタ板の回転角（ａ）および角速度（ｂ）、基板に表面における照度（ｃ）を例示する図である。 目標露光量Ｄｔ、制御モード（第１モード／第２モード）、光の強度（第１強度／第２強度）、第１所要露光時間Ｔｄ１、第２所要露光時間Ｔｄ２、基準時間Ｔｍｉｎの関係を例示する図である。

符号の説明

１：光源
２：原版
３：基板
４：シャッタ
５：光センサ
６：投影光学系
Ｓ：露光量センサ

Claims (5)

1. 光源からの光で原版を照明し該原版のパターンを投影光学系によって基板に投影して該基板を露光する露光装置であって、
   前記光源と原版の配置面との間に配置されたシャッタと、
   基板の露光量を検知する露光量センサと、
   前記シャッタを開いた後に前記露光量センサの出力に基づいて前記シャッタを閉じることにより基板の露光時間を制御する第１モードと、目標露光量に基づいて予め決定された制御情報に基づいて前記シャッタの開閉速度を制御することにより基板の露光時間を制御する第２モードとを含む前記シャッタの制御モードを用いて露光動作を制御する制御部とを備え、
   前記制御部は、
   第１強度の光を使って前記第１モードで基板を露光するときの所要露光時間である第１所要露光時間が基準時間よりも長い場合には、前記第１強度の光を使って前記第１モードで基板を露光し、
   前記第１所要露光時間が前記基準時間よりも短く、かつ、要求露光量精度が基準レベルよりも高い場合には、前記第１強度より弱い第２強度の光を使って前記第１モードで基板を露光し、
   前記第１所要露光時間が前記基準時間よりも短く、かつ、前記要求露光量精度が前記基準レベルよりも低く、かつ、前記第１強度の光を使って前記第２モードで基板を露光するときの所要露光時間である第２所要露光時間が前記基準時間よりも長い場合には、前記第２強度の光を使って前記第１モードで基板を露光し、
   前記第１所要露光時間が前記基準時間よりも短く、かつ、前記要求露光量精度が前記基準レベルよりも低く、かつ、前記第２所要露光時間が前記基準時間よりも短い場合には、前記第１強度の光を使って前記第２モードで基板を露光する、
   ように露光動作を制御する、ことを特徴とする露光装置。
2. 光源からの光で原版を照明し該原版のパターンを投影光学系によって基板に投影して該基板を露光する露光装置であって、
   前記光源と原版の配置面との間に配置されたシャッタと、
   基板の露光量を検知する露光量センサと、
   前記シャッタを開いた後に前記露光量センサの出力に基づいて前記シャッタを閉じることにより基板の露光時間を制御する第１モードと、目標露光量に基づいて予め決定された制御情報に基づいて前記シャッタの開閉速度を制御することにより基板の露光時間を制御する第２モードとを含む前記シャッタの制御モードを用いて露光動作を制御する制御部とを備え、
   前記制御部は、
   第１強度の光を使って前記第１モードで基板を露光するときの所要露光時間である第１所要露光時間が基準時間よりも長い場合には、前記第１強度の光を使って前記第１モードで基板を露光し、
   前記第１所要露光時間が前記基準時間よりも短く、かつ、要求露光量精度が基準レベルよりも高い場合には、前記第１強度より弱い第２強度の光を使って前記第１モードで基板を露光し、
   前記第１所要露光時間が前記基準時間よりも短く、かつ、前記要求露光量精度が前記基準レベルよりも低い場合には、前記第１強度の光を使って前記第２モードで基板を露光する、
   ように露光動作を制御する、ことを特徴とする露光装置。
3. 前記シャッタは、遮光部と非遮光部を有し回転駆動されるシャッタ板を含む、
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の露光装置。
4. 前記光源は、ランプを含む、
   ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の露光装置。
5. デバイス製造方法であって、
   感光剤が塗布された基板を請求項１乃至４のいずれか１項に記載の露光装置を使って露光する工程と、
   該感光剤を現像する工程と、
   を含むことを特徴とするデバイス製造方法。

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