JP2010034263A - ウェハ加工用接着シートおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】エキスパンド工程において、基材層を破損することなく半導体ウェハや接着剤層を個片化するのに好適なウェハ加工用接着シートを提供すること。
【解決手段】基材層、および該基材層表面に形成された接着剤層を有するシートであって、該基材層裏面が易滑性を有することを特徴とするウェハ加工用接着シート。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体ウェハを個片化する際に用いられるウェハ加工用接着シート、および該シートを用いた半導体装置の製造方法に関する。さらに詳しくは、エキスパンド工程において、ウェハを個片化する際に好適に用いられるウェハ加工用接着シート、および該シートを用いた半導体装置の製造方法に関する。

シリコン、ガリウムヒ素などの半導体ウェハは大径の状態で製造され、このウェハは素子小片（半導体チップ）に分割された後に、次の工程であるマウント工程に供される。詳しくは、半導体ウェハは予め接着シートに貼付された状態でダイシング、洗浄、乾燥、エキスパンドおよびピックアップの各工程を経た後、次工程のマウント工程に供される。

従来、上記ダイシング工程では、ダイシングブレードと呼ばれる高速回転する回転刃により、半導体ウェハを切断していた。このダイシングブレードは、円盤状の基台と、該基台の側面外周部に装着された環状の切れ刃とからなる。この切れ刃は、例えば粒径３μｍ程度のダイヤモンド砥粒を基台に固定することにより形成され、厚みは２０μｍ程度である。

しかしながら、近年、半導体ウェハは薄型化しており、また表面に脆質な絶縁膜を有するウェハも増えている。このために、ダイシングブレードを用いるとウェハが破損してしまい、半導体装置の歩留まりが悪くなるという問題がある。

このため、上記ダイシングブレードを用いて半導体ウェハをダイシングする方法に代わるものとして、ステルスダイシング法や、先ダイシング法（Ｄｉｃｉｎｇ ｂｅｆｏｒｅ
Ｇｒｉｎｄｉｎｇ；「ＤＢＧ」と略称される。）が試みられている。

上記ステルスダイシング法は、半導体ウェハの一方の面側から内部に集光点を合わせて、ウェハに対して透過性を有する赤外領域のパルスレーザーを照射し、ウェハの内部に分割予定ラインに沿って変質層を連続的に形成し、この変質層が形成されることによって強度が低下した分割予定ラインに沿って外力を加えることにより、ウェハを分割する方法である（例えば、特許文献１〜２参照）。

具体的には、半導体ウェハと、リングフレームと呼ばれるウェハ外周部を保持するドーナツ状の固定治具とを、例えば基材層と接着剤層とから構成されるシートに貼付し、上記のようにパルスレーザーをウェハに照射する。次いで、前記シートを拡張（エキスパンド）することによってウェハを個片化するのである。

上記シートの拡張は、半導体ウェハを固定した状態で、ウェハ外周部を固定しているリングフレームを引き落とす、またはリングフレームを固定した状態でウェハ外周部までの部分を引き上げることにより行なわれる。

上記方法であれば、薄型化したウェハに直接、高速回転するダイシングブレードを押し付けないために、ウェハの破損を防ぐことができる。また、チップの切断面と接着剤層の切断面とをほぼ一致させることができる。

また、上記先ダイシング法は、半導体ウェハの回路形成面側（ウェハ表面側）から所定深さの溝を形成し、半導体ウェハの回路形成されていない面側（ウェハ裏面側）から研削
を行い、次いで上記と同様にシートにウェハを貼付して、このシートをエキスパンドすることによりウェハを分割する方法である。この方法であれば、薄型化したウェハに直接、高速回転するダイシングブレードを押し付けないために、ウェハの破損を防ぐことができる（例えば、特許文献３参照）。

上記のようにして半導体ウェハはチップに分割されるが、ダイシング直後の状態ではチップ間隔が狭小であるため、チップ同士が接触し、チップが破損することがある。したがって、ダイシング工程の後に、上記のようにチップ間隔を離間するエキスパンド工程が通常は設けられている（例えば、特許文献４参照）。
特開２００３−３３８４６７号公報 特開２００５−２２３２８３号公報 特開２００３−１４７３００号公報 特開２００７−００５５３０号公報

上記ステルスダイシング法や先ダイシング法を、上記シートを構成する接着剤層をチップ裏面に固着残存させ、該接着剤層を介して基板などの被着体に該チップを接着する方式の半導体装置の製造方法に適用する場合には、エキスパンド工程において接着剤層もチップ毎に分割する必要がある。このため、従来のエキスパンド工程以上にシートを拡張することが要求される。

しかしながら、エキスパンド工程において、上記シートの拡張速度および拡張量が大きい場合には、基材層が、上記シートが固定されている部分と、引き落とすまたは引き上げられる部分との境界で破損することがある。また、前記境界における摩擦力により上記シートを均一に拡張できない、あるいは摩擦力により接着剤層に充分に外力がかからないために、ウェハや接着剤層を充分に個片化できないことがある。

特に、先ダイシング法を用いる場合には、半導体ウェハはエキスパンド工程において既に個片化されているため、基材層を破損することなく、接着剤層のみを個片化することがより一層困難となっている。

本発明者らは上記課題を解決するために鋭意検討を行った。その結果、基材層裏面に易滑性を付与することにより、エキスパンド工程において基材層を破損することなく半導体ウェハや接着剤層を充分に個片化できることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は以下の［１］〜［９］に関する。

［１］基材層、および該基材層表面に形成された接着剤層を有するシートであって、該基材層裏面が易滑性を有することを特徴とするウェハ加工用接着シート。
［２］前記基材層裏面のＪＩＳ Ｋ７１２５に準拠して測定される動摩擦係数が、０．０１〜０．４であることを特徴とする前記［１］に記載のウェハ加工用接着シート。
［３］前記［１］または［２］に記載のウェハ加工用接着シートであって、前記基材層が、基材フィルムと該基材フィルム裏面に形成された易滑層とから構成され、該易滑層が、該シートの最外層を構成することを特徴とするウェハ加工用接着シート。

［４］前記易滑層が、シリコーン系の易滑剤からなることを特徴とする前記［３］に記載のウェハ加工用接着シート。
［５］前記基材層が、基材フィルムから構成され、該基材フィルム裏面に易滑処理が施されていることを特徴とする前記［１］または［２］に記載のウェハ加工用接着シート。
［６］前記接着剤層が、前記基材層から剥離可能な層であることを特徴とする前記［１］〜［５］の何れかに記載のウェハ加工用接着シート。

［７］前記［１］〜［６］の何れかに記載のウェハ加工用接着シートを構成する接着剤層上に、半導体ウェハを貼付する工程、該ウェハに対して透過性を有するパルスレーザーを分割予定ラインに沿って該ウェハに照射し、該ウェハ内部に分割予定ラインに沿って変質層を形成する工程、該接着シートをエキスパンドすることにより、該ウェハを分割して半導体チップとすると共に該接着剤層を分割する工程、および該チップ裏面に接着剤層を固着残存させて、該接着シートを構成する基材層から該接着剤層を剥離し、該チップを被着体に該接着剤層を介して熱圧着する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

［８］半導体ウェハ表面から該ウェハ厚みよりも小さい深さの溝を形成し、該ウェハ裏面を研削することにより、該ウェハを分割して半導体チップとする工程、前記［１］〜［６］の何れかに記載のウェハ加工用接着シートを構成する接着剤層上に、該チップ群からなる分割されたウェハを貼付する工程、該接着シートをエキスパンドすることにより、該接着剤層を分割する工程、および該チップ裏面に接着剤層を固着残存させて、該接着シートを構成する基材層から該接着剤層を剥離し、該チップを被着体に該接着剤層を介して熱圧着する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

［９］前記［１］〜［６］の何れかに記載のウェハ加工用接着シートを構成する接着剤層上に、半導体ウェハを貼付する工程、該ウェハを分割して半導体チップとする工程、該接着シートをエキスパンドする工程、および該チップ裏面に接着剤層を固着残存させて、該接着シートを構成する基材層から該接着剤層を剥離し、該チップを被着体に該接着剤層を介して熱圧着する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

本発明によれば、基材層および接着剤層を有するシートを用いて半導体ウェハを個片化するに際して、基材層裏面に易滑性が付与されているため、基材層を破損することなくシートの拡張を行うことができ、ウェハや接着剤層を充分に個片化することができる。

以下、本発明のウェハ加工用接着シートについて、詳細に説明する。
〔ウェハ加工用接着シート〕
本発明のウェハ加工用接着シートは、基材層（Ａ）、および該基材層（Ａ）表面に形成された接着剤層（Ｂ）を有するシートであって、該基材層（Ａ）裏面が易滑性を有することを特徴とする。
なお、本発明のウェハ加工用接着シートを単に「接着シート」ともいい、基材層（Ａ）の接着剤層（Ｂ）側の面を「表面」、もう一方の面を「裏面」と定義する。

＜基材層（Ａ）＞
本発明の接着シートを構成する基材層（Ａ）裏面は、易滑性を有する。本発明において「易滑性を有する」とは、具体的には、基材層（Ａ）裏面のＪＩＳ Ｋ７１２５（プラスチック−フィルム及びシート−摩擦係数試験方法）に準拠して測定される動摩擦係数が、好ましくは０．０１〜０．４、より好ましくは０．０３〜０．３５、さらに好ましくは０．０５〜０．３の範囲にあることをいう。動摩擦係数が前記範囲にあると、エキスパンド工程において充分な易滑効果が得られるため、基材層（Ａ）を破損することなく半導体ウェハや接着剤層（Ｂ）の個片化を充分に行うことができる。

上記のように基材層（Ａ）裏面に易滑性を付与するには、≪Ａ１≫基材層（Ａ）として
基材フィルムと、該基材フィルム裏面に形成された易滑層とから構成される層を用いるか、あるいは≪Ａ２≫基材層（Ａ）として基材フィルムから構成される層を用い、該基材フィルム裏面に易滑処理を施すことが好ましい。

また、基材層（Ａ）は、本発明の目的を損なわない範囲で、基材フィルム表面に形成された剥離剤からなる層などを有してもよい。なお、基材フィルムの接着剤層（Ｂ）側の面を「表面」、もう一方の面を「裏面」と定義する。

≪基材フィルム≫
基材フィルムとしては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、フッ素樹脂フィルムなどの透明フィルム；該透明フィルムを着色した着色透明フィルム、着色不透明フィルムが用いられる。また、これらの架橋フィルムや積層フィルムを用いてもよい。

ただし、本発明の接着シートは、その使用に際して、基材層（Ａ）裏面側から紫外線などのエネルギー線照射を行う場合には、上記基材フィルムは使用するエネルギー線に対して透明であることが好ましい。

また、本発明の接着シートは半導体ウェハに貼付して使用されるが、ウェハに所要の加工を施した後、接着剤層（Ｂ）をウェハに固着残存させて、ウェハと共に基材層（Ａ）から剥離するプロセスに好適に使用される。すなわち、接着剤層（Ｂ）を基材層（Ａ）から剥離してウェハに転写する工程を含むプロセスに好適に使用される。

このような場合には、基材層（Ａ）表面の表面張力が、好ましくは５ｍＮ／ｍ以上４０ｍＮ／ｍ以下、さらに好ましくは７ｍＮ／ｍ以上３７ｍＮ／ｍ以下、特に好ましくは１０ｍＮ／ｍ以上３５ｍＮ／ｍ以下となるよう基材フィルムを選択する。このような表面張力が低い基材フィルムは、材質を適宜に選択して得ることが可能であるし、また基材フィルム表面に剥離剤を塗布して剥離剤からなる層（以下、「剥離層」ともいう）を形成することで得ることもできる。

上記剥離剤としては、例えば、アルキッド系、シリコーン系、フッ素系、不飽和ポリエステル系、ポリオレフィン系、ワックス系の剥離剤が挙げられる。これらの中では、特にアルキッド系、シリコーン系、フッ素系の剥離剤が耐熱性を有するため好ましい。

上記剥離剤を用いて基材フィルム表面に剥離層を形成するには、剥離剤をそのまま無溶剤で、または溶剤希釈やエマルション化して、（１）グラビアコーター、メイヤーバーコーター、エアナイフコーター、ロールコーターなどを用いて基材フィルム表面に塗布して、常温硬化もしくは加熱硬化または電子線硬化させる、あるいは（２）ウェットラミネーション、ドライラミネーション、熱溶融ラミネーション、溶融押出ラミネーション、共押出加工などを実施することにより、基材フィルムと剥離層との積層体を形成すればよい。

基材フィルムの厚みは、通常は１０〜５００μｍ、好ましくは１５〜３００μｍ、特に好ましくは２０〜２５０μｍの範囲にある。厚みが前記範囲を下回ると、エキスパンド時に基材フィルムが裂けてしまうことがある。また、厚みが前記範囲を上回ると、固すぎて
基材フィルムを拡張できないことがある。

≪Ａ１：易滑層≫
以下、図１（ａ）を参照しながら説明する。本発明において、基材層（Ａ）１０の裏面に易滑性を付与するには、基材フィルム３０の裏面に易滑層４０を形成することが好ましい。前記易滑層４０は、本発明の接着シートの最外層を構成する。すなわち、易滑層４０のＪＩＳ Ｋ７１２５に準拠して測定される動摩擦係数は、好ましくは０．０１〜０．４、より好ましくは０．０３〜０．３５、さらに好ましくは０．０５〜０．３の範囲にある。

上記易滑層４０を基材フィルム３０の裏面に形成する方法としては、易滑剤をそのまま無溶剤で、または溶剤希釈やエマルション化して、（１）グラビアコーター、メイヤーバーコーター、エアナイフコーター、ロールコーターなどを用いて基材フィルム３０の裏面に塗布して、常温硬化もしくは加熱硬化または電子線硬化させる、あるいは（２）ウェットラミネーション、ドライラミネーション、熱溶融ラミネーション、溶融押出ラミネーション、共押出加工などを実施することにより、基材フィルム３０と易滑層４０との積層体を形成すればよい。なお、本発明において易滑剤とは、接着シートとエキスパンド装置との間の摩擦を小さくできる易滑層を形成可能な成分をいう。

上記易滑剤としては、例えば、アルキッド系、シリコーン系、フッ素系、不飽和ポリエステル系、ポリオレフィン系、ワックス系の易滑剤が挙げられる。これらの中では、特にアルキッド系、シリコーン系、フッ素系の易滑剤が耐熱性を有するため好ましく、特にシリコーン系の易滑剤が好ましい。前記シリコーン系の易滑剤としては各種シリコーンオイルやシリコーン樹脂が挙げられ、その具体例としては、例えば、ＫＳ−８４７（信越化学工業（株））、ＫＳ−７７４（同左）、ＫＳ−７７６Ａ（同左）などが挙げられる。これらは1種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

上記溶剤としては、例えば、トルエン、２−ブタノンなどが挙げられる。
また、上記シリコーン系の易滑剤と白金触媒とを混合した易滑剤を、基材フィルム３０の裏面に塗布乾燥することにより易滑層４０を形成してもよい。前記白金触媒は、シリコーン系の易滑剤を架橋して皮膜強度を高めるために用いられる。前記白金触媒としては、ＰＬ−５０Ｔ（信越化学工業（株））が挙げられる。

易滑層４０の厚みは、好ましくは１ｎｍ〜５０μｍ、より好ましくは１０ｎｍ〜５μｍ、さらに好ましくは２０ｎｍ〜１μｍの範囲にある。易滑層４０の厚みが前記範囲を下回ると易滑効果が得られないことがあり、前記範囲を上回ると接着シートの拡張が困難になることがある。

≪Ａ２：易滑処理≫
以下、図１（ｂ）を参照しながら説明する。本発明において、易滑層を形成する以外に基材層（Ａ）１０の裏面に易滑性を付与するには、基材フィルム３０の裏面に易滑処理を施すことが好ましい。

易滑処理としては、基材フィルム３０の裏面を滑り易くし、接着シートとエキスパンド装置との間の摩擦を小さくできる処理であれば特に限定されず、例えば、エンボス加工により基材フィルム３０の裏面に凹凸を形成する方法、基材フィルム裏面にシリカなどの粒子を高圧空気と共に吹き付けるサンドブラスト法、エッチングなどの化学的方法により、基材フィルム３０の裏面とエキスパンド装置との接触面積を減らし易滑性を得る方法；基材フィルム３０の裏面を高平滑化して易滑性を得る方法などが挙げられる。

＜接着剤層（Ｂ）＞
接着剤層（Ｂ）を形成する材料としては特に制限はなく、ウェハ加工性など使用用途に見合う材料を用いればよい。例えば、アクリル重合体、エポキシ系熱硬化性樹脂および熱硬化剤を含む接着剤組成物が挙げられる。

接着剤層（Ｂ）の厚みは、通常は０．１〜５００μｍ、好ましくは０．５〜３００μｍ、特に好ましくは１〜１５０μｍの範囲にある。厚みが前記範囲を下回ると接着性が得られないことがある。また、厚みが前記範囲を上回るとチップを被着体に熱圧着する際に接着剤層（Ｂ）が不要にはみ出すことがある。

また、接着剤層（Ｂ）は、基材層（Ａ）から剥離可能な層であることが好ましい。これにより、ピックアップ工程においてチップをピックアップする際に、個片化された接着剤層（Ｂ）がチップ裏面に固着残存し、基板などの被着体に対するダイボンド層として機能する。

−アクリル重合体−
接着剤組成物に充分な接着性および造膜性（シート加工性）を付与するためにアクリル重合体を用いることが好ましい。アクリル重合体としては、従来公知のアクリル重合体を用いることができる。

アクリル重合体のガラス転移温度は、好ましくは−５０℃以上５０℃以下、さらに好ましくは−４５℃以上４０℃以下、特に好ましくは−４０℃以上３０℃以下の範囲にある。ガラス転移温度が低過ぎると、接着剤層（Ｂ）と基材層（Ａ）との剥離力が大きくなってチップのピックアップ不良が起こることがある。また、ガラス転移温度が高過ぎると、ウェハを固定するための接着力が不充分となるおそれがある。

アクリル重合体のポリスチレン換算の重量平均分子量は、好ましくは１万以上２００万以下、さらに好ましくは１０万以上１５０万以下の範囲にある。アクリル重合体の重量平均分子量が低過ぎると、接着剤層（Ｂ）と基材層（Ａ）との剥離力が大きくなってチップのピックアップ不良が起こることがある。また、重量平均分子量が高過ぎると、基板などの被着体の凹凸へ接着剤層（Ｂ）が追従できないことがあり、ボイドなどの発生要因になることがある。

アクリル重合体の原料モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸エステルおよびその誘導体が挙げられる。具体例としては、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸ブチルなどのアルキル基の炭素数が１〜１８である（メタ）アクリル酸アルキルエステル；（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、（メタ）アクリル酸ベンジルエステル、イソボルニルアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルアクリレート、イミドアクリレートなどの環状骨格を有する（メタ）アクリル酸エステル；２−ヒドロキシメチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレートなどの水酸基含有（メタ）アクリル酸エステル；グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレートなどが挙げられる。また、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸などを用いてもよい。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

これらの中では、エポキシ系熱硬化性樹脂との相溶性が良いアクリル重合体が得られることから、水酸基含有（メタ）アクリル酸エステルを用いることが好ましい。
また、上記（メタ）アクリル酸エステルおよびその誘導体などと共に、本発明の目的を損なわない範囲で、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレンなどを原料モノマーとして
用いてもよい。

上記アクリル重合体は、上記原料モノマーを用いて、従来公知の方法に従って製造することができる。このようにして得られるアクリル重合体は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

−エポキシ系熱硬化性樹脂−
エポキシ系熱硬化性樹脂としては、従来公知の種々のエポキシ樹脂を用いることができる。前記エポキシ樹脂としては、下記式（１）で表されるクレゾールノボラック樹脂、下記式（２）で表されるジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、下記式（３）で表されるビフェニル型エポキシ樹脂などの構造単位中に２つ以上の官能基が含まれるエポキシ樹脂；下記式（４）で表されるビフェニル化合物、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルおよびその水添物などの２つ以上の官能基が含まれるエポキシ化合物が挙げられる。

（但し、式中ｎは０以上、好ましくは０以上２０以下の整数である。）

（但し、式中ｎは０以上、好ましくは０以上２０以下の整数である。）

（但し、式中ｎは０以上、好ましくは０以上２０以下の整数である。）

（但し、式中Ｒはそれぞれ独立に水素原子またはメチル基である。）
これらのエポキシ樹脂は１種単独で用いてもよく、２種類以上を併用してもよい。

接着剤組成物中のエポキシ系熱硬化性樹脂の含量は、アクリル重合体１００重量部に対して、１〜１５００重量部であることが好ましく、３〜１０００重量部であることがより好ましい。エポキシ系熱硬化性樹脂の含量が前記範囲を下回ると、充分な接着力を有する接着剤層（Ｂ）が得られないことがある。また、エポキシ系熱硬化性樹脂の含量が前記範囲を上回ると、接着剤層（Ｂ）と基材層（Ａ）との接着力が高くなり過ぎ、チップのピックアップ不良が起こることがある。

−熱硬化剤−
熱硬化剤は、エポキシ系熱硬化性樹脂に対する熱硬化剤として機能する。好ましい熱硬化剤としては、エポキシ基と反応しうる官能基を分子中に２個以上有する化合物が挙げられ、その官能基としてはフェノール性水酸基、アルコール性水酸基、アミノ基、カルボキシル基および酸無水物基などが挙げられる。これらの中では、フェノール性水酸基、アミノ基および酸無水物基が好ましく、フェノール性水酸基およびアミノ基がより好ましい。

熱硬化剤の具体的な例としては、下記式（５）で表されるノボラック型フェノール樹脂、下記式（６）で表されるジシクロペンタジエン系フェノール樹脂、下記式（７）で表される多官能系フェノール樹脂、下記式（８）で表されるアラルキルフェノール樹脂などのフェノール性熱硬化剤；ＤＩＣＹ（ジシアンジアミド）などのアミン系熱硬化剤が挙げられる。これらの熱硬化剤は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

（但し、式中ｎは０以上、好ましくは０以上２０以下の整数を表す。）

（但し、式中ｎは０以上、好ましくは０以上２０以下の整数を表す。）

（但し、式中ｎは０以上、好ましくは０以上２０以下の整数を表す。）

（但し、式中ｎは０以上、好ましくは０以上２０以下の整数を表す。）

接着剤組成物中の熱硬化剤の含量は、エポキシ系熱硬化性樹脂１００重量部に対して、好ましくは０．１〜５００重量部、より好ましくは１〜２００重量部である。熱硬化剤の含量が過小であると、接着剤組成物の硬化性が不足して充分な接着力を有する接着剤層（Ｂ）が得られないことがあり、過大であると、接着剤組成物の吸湿率が高まり半導体装置の信頼性が低下することがある。

−その他の成分−
上記成分に加えて、接着剤組成物の各種物性を改良するために、硬化促進剤、エネルギ
ー線硬化性樹脂、エネルギー線重合開始剤、無機・有機粒子、可塑剤、帯電防止剤、酸化防止剤、顔料、染料などの成分を、本発明の目的を損なわない範囲で添加してもよい。

＜その他の層＞
本発明の接着シートには、本発明の目的を損なわない範囲で、その他の層を積層してもよい。例えば、接着シートの使用前に、接着剤層（Ｂ）を保護するために該（Ｂ）層表面に剥離フィルムを積層してもよい。また、リングフレームなどの他の治具を固定するために、接着剤層（Ｂ）表面の外周部に別途該（Ｂ）層とは異なる接着剤層や接着テープを積層してもよい。

〔ウェハ加工用接着シートの具体的構成およびその製造方法〕
本発明のウェハ加工用接着シートの具体的構成としては、例えば、基材フィルム３０、該基材フィルム３０の表面に形成された接着剤層２０、および該基材フィルム３０の裏面に形成された易滑層４０から構成される接着シート（図１（ａ）参照）；基材フィルム３０、および該基材フィルム３０の表面に形成された接着剤層２０から構成され、該基材フィルム３０の裏面に上述の易滑処理が施されている接着シート（図１（ｂ）参照）などが挙げられる。接着シートの形状は、テープ状、ラベル状などあらゆる形状をとり得る。

上述の接着シートの製造方法は特に限定されない。例えば、基材フィルム、該基材フィルム表面に形成された接着剤層、および該基材フィルム裏面に形成された易滑層から構成される接着シートは、以下のようにして製造される。なお、（１）および（２）の順序は任意に選択することができる。

（１）基材フィルム表面に、接着剤層を形成する材料（例えば、上記接着剤組成物）を塗布して乾燥する、または接着剤層を剥離フィルム上に形成し、これを基材フィルム表面に転写することで、基材フィルム表面に接着剤層を形成する。

（２）基材フィルム裏面に易滑剤を塗布して乾燥する、または易滑層を剥離フィルム上に形成し、これを基材フィルム裏面に転写することで、基材フィルム裏面に易滑層を形成する。

また、基材フィルム、および該基材フィルムの表面に形成された接着剤層から構成され、該基材フィルムの裏面に上述の易滑処理が施されている接着シートは、上記（２）に代えて、（３）基材フィルム裏面に上述の易滑処理を施し、該基材フィルム裏面に易滑性を付与することにより製造される。

〔ウェハ加工用接着シートを用いた半導体装置の製造方法〕
本発明のウェハ加工用接着シートは、基材層（Ａ）裏面に易滑性が付与されているため、半導体ウェハを個片化するに際して、基材層（Ａ）を破損することなくシートの拡張を行うことができ、ウェハや接着剤層（Ｂ）を充分に個片化することができる。したがって、ダイシングブレードを用いてダイシングを行う従来の方法にはもちろんのこと、ステルスダイシング法や先ダイシング法などを用いた半導体装置の製造に好適に用いることができる。

以下、本発明のウェハ加工用接着シートを、ステルスダイシング法、先ダイシング法、およびダイシングブレードを用いてダイシングを行う従来の方法に用いた例について、それぞれ説明する。

＜ステルスダイシング法を用いた半導体装置の製造＞
ステルスダイシング法を用いた半導体装置の製造方法は、以下の工程を含む。
（１）本発明の接着シートを構成する接着剤層（Ｂ）上に半導体ウェハを貼付する工程、（２）該ウェハに対して透過性を有するパルスレーザーを分割予定ラインに沿って該ウェハに照射し、該ウェハ内部に分割予定ラインに沿って変質層を形成する工程、
（３）該接着シートをエキスパンドすることにより、該ウェハを分割して半導体チップとすると共に該接着剤層（Ｂ）を分割する工程、および
（４）該チップ裏面に接着剤層（Ｂ）を固着残存させて、該接着シートを構成する基材層（Ａ）から該接着剤層（Ｂ）を剥離し、該チップを被着体に接着剤層（Ｂ）を介して熱圧着する工程。

−（１）半導体ウェハの貼付工程−
ラミネート装置上にリングフレームと所定の厚みまで研削されたウェハとを静置し、本発明の接着シートを構成する接着剤層（Ｂ）がリングフレームとウェハ裏面とに接するように該シートを貼付し、軽く押圧してウェハを固定する。

−（２）変質層形成工程−
半導体ウェハ表面から、ウェハに対して透過性を有するパルスレーザーを分割予定ラインに沿って該ウェハに照射し、該ウェハ内部に分割予定ラインに沿って変質層を形成する。本工程は、例えば上述の特許文献１および２の記載に従って実施される。

−（３）エキスパンド工程−
エキスパンド装置を用いてウェハが貼付された接着シートの拡張を行う。このエキスパンド工程において、ウェハおよび接着剤層（Ｂ）が充分に個片化され、接着剤層（Ｂ）が固着残存したチップが得られる。また、チップ間隔が増大するため、チップを破損するおそれが大幅に減少する。

上記エキスパンド工程における、接着シートの拡張速度は、通常は１〜２００ｍｍ／秒、好ましくは１０〜１５０ｍｍ／秒であり、拡張量は、通常は１〜３０ｍｍ、好ましくは２〜２０ｍｍである。拡張速度および拡張量が前記範囲を下回ると、ウェハおよび接着剤層（Ｂ）の個片化が困難となることがある。また、拡張速度および拡張量が前記範囲を上回ると、基材層（Ａ）が破損することがある。

−（４）ピックアップ・マウント工程−
半導体チップ裏面に接着剤層（Ｂ）を固着残存させて、基材層（Ａ）から該接着剤層（Ｂ）を剥離し、該チップを被着体に接着剤層（Ｂ）を介して載置する。ここで、前記被着体は、通常は有機基板もしくはリードフレーム上のダイパッド部、または予め有機基板もしくはリードフレーム上のダイパット部上に固定された他のチップである。

ダイパッド部または他のチップは、チップを載置する前に加熱するか載置直後に加熱することが好ましい。加熱温度は、通常は８０〜２００℃、好ましくは１００〜１８０℃であり、加熱時間は、通常は０．１秒〜５分、好ましくは０．５秒〜３分であり、チップマウント圧力は、通常は１ｋＰａ〜６００ＭＰａである。

なお、チップをダイパッド部または他のチップ上にマウントした後、必要に応じさらに加熱を行ってもよい。この際の加熱条件は、上記加熱温度の範囲であって、加熱時間は通常は１〜１８０分、好ましくは１０〜１２０分である。

また、マウント後の加熱処理は行ずにチップを仮接着状態としておき、半導体装置の製造において通常行われる樹脂封止での加熱を利用して、接着剤層（Ｂ）を硬化させてもよい。

このような工程を経ることで、接着剤層（Ｂ）が硬化し、チップと、ダイパッド部または他のチップとを強固に接着することができる。また、接着剤層（Ｂ）はダイボンド条件下では流動化しているため、ダイパッド部または他のチップの凹凸にも充分に埋め込まれ、ボイドの発生を防止できる。

＜先ダイシング法を用いた半導体装置の製造方法＞
先ダイシング法を用いた半導体装置の製造方法は、以下の工程を含む。
（１）半導体ウェハ表面から該ウェハ厚みよりも小さい深さの溝を形成し、該ウェハ裏面を研削することにより、該ウェハを分割して半導体チップとする工程、
（２）本発明の接着シートを構成する接着剤層（Ｂ）上に、該チップ群からなる分割されたウェハを貼付する工程、
（３）該接着シートをエキスパンドすることにより、該接着剤層（Ｂ）を分割する工程、および
（４）該チップ裏面に接着剤層（Ｂ）を固着残存させて、該接着シートを構成する基材層（Ａ）から該接着剤層（Ｂ）を剥離し、該チップを被着体に該接着剤層（Ｂ）を介して熱圧着する工程。

−（１）ダイシング工程−
ダイシングソーなどの切断手段を用いて、複数の区画を形成する半導体ウェハの切断位置に沿って、該ウェハ厚みよりも小さい、所定の深さの溝を該ウェハ表面から形成する。次いで、前記ウェハ表面に、従来公知の表面保護シートを貼付し、該ウェハ裏面を研削して半導体チップに分割する。

−（２）半導体チップ群からなる分割された半導体ウェハの貼付工程−
本発明の接着シートを、ラミネート装置上にリングフレームにより固定し、上記半導体チップ群からなる分割された半導体ウェハの一方の面を、該接着シートを構成する接着剤層（Ｂ）上に載置し、軽く押圧して該ウェハを固定する。次いで、上記表面保護シートを該ウェハから剥離する。

続く（３）エキスパンド工程および（４）ピックアップ・マウント工程は、上記ステルスダイシング法にて記載した条件で実施することができる。このようにして半導体チップのピックアップを行うと、分割された接着剤層（Ｂ）をチップ裏面に固着残存させて、基材層（Ａ）から該接着剤層（Ｂ）を剥離することができ、該チップを接着剤層（Ｂ）を介して被着体上に載置することができる。

＜ダイシングブレードを用いた半導体装置の製造方法＞
ダイシングブレードを用いた半導体装置の製造方法は、以下の工程を含む。
（１）本発明の接着シートを構成する接着剤層（Ｂ）上に半導体ウェハを貼付する工程、（２）該ウェハを分割して半導体チップとする工程、
（３）該接着シートをエキスパンドする工程、および
（４）該チップ裏面に接着剤層（Ｂ）を固着残存させて、該接着シートを構成する基材層（Ａ）から該接着剤層（Ｂ）を剥離し、該チップを被着体に該接着剤層（Ｂ）を介して熱圧着する工程。

−（１）半導体ウェハの貼付工程−
ラミネート装置上にリングフレームと所定の厚みまで研削されたウェハとを静置し、本発明の接着シートの接着剤層（Ｂ）がリングフレームとウェハ裏面とに接するように該シートを貼付し、軽く押圧してウェハを固定する。

−（２）ダイシング工程−
ダイシングソーなどの切断手段を用いて、上記半導体ウェハを分割して半導体チップとする。この際の切断深さは、半導体ウェハの厚みと、接着剤層（Ｂ）の厚みとの合計およびダイシングソーの磨耗分を加味した深さにすることが好ましい。なお、続く（３）エキスパンド工程において前記接着シートの拡張を行うことにより、ウェハおよび接着剤層（Ｂ）を分割することもできるので、必ずしもウェハおよび接着剤層（Ｂ）をダイシングソーなどで完全に分割する必要はない。

続く（３）エキスパンド工程および（４）ピックアップ・マウント工程は、上記ステルスダイシング法にて記載した条件で実施することができる。このようにして半導体チップのピックアップを行うと、分割された接着剤層（Ｂ）を半導体チップ裏面に固着残存させて、基材層（Ａ）から該接着剤層（Ｂ）を剥離することができ、該チップを接着剤層（Ｂ）を介して被着体上に載置することができる。

次に、本発明のウェハ加工用接着シートについて実施例を示してさらに詳細に説明するが、本発明はこれらによって限定されるものではない。
基材層（Ａ）
以下に記載の構成を有する基材層（Ａ）を用いた。なお、基材層（Ａ）裏面の動摩擦係数は、ＪＩＳ Ｋ７１２５に準拠して、島津製作所社製オートグラフＡＧ−ＩＳを用いて測定された値である。

（Ａ）−１：基材フィルムとしてポリエチレンフィルム（厚み１００μｍ）を用い、易滑剤として「ＫＳ−８４７」（信越化学工業（株）製）１００重量部と「ＰＬ−５０Ｔ」（信越化学工業（株）製）１重量部とを溶解したトルエン溶液を、乾燥後の厚みが１００ｎｍとなるように該フィルム裏面（表面張力３３ｍＮ／ｍ）に塗布し、オーブンにて８０℃で３０秒間乾燥して、厚み１００ｎｍの易滑層を有する基材層（Ａ）−１を得た。基材層（Ａ）−１裏面の動摩擦係数は０．２１であった。

（Ａ）−２：易滑剤として「ＫＳ−８４７」の代わりに「ＫＳ−７７４」（信越化学工業（株）製）を用いたこと以外は（Ａ）−１と同様にして、厚み３００ｎｍの易滑層を有する基材層（Ａ）−２を得た。基材層（Ａ）−２裏面の動摩擦係数は０．０７であった。

（Ａ）−３：易滑剤として「ＫＳ−８４７」の代わりに「ＫＳ−７７４」（信越化学工業（株）製）を用いたこと以外は（Ａ）−１と同様にして、厚み１００ｎｍの易滑層を有する基材層（Ａ）−３を得た。基材層（Ａ）−３裏面の動摩擦係数は０．１５であった。

（Ａ）−４：易滑剤として「ＫＳ−８４７」の代わりに「ＫＳ−７７４」（信越化学工業（株）製）を用いたこと以外は（Ａ）−１と同様にして、厚み２０ｎｍの易滑層を有する基材層（Ａ）−４を得た。基材層（Ａ）−４裏面の動摩擦係数は０．２８であった。

（Ａ）−５：易滑層を有さず、易滑処理も施されていないポリエチレンフィルム（易滑性なし、厚み１００μｍ）である。ポリエチレンフィルム裏面の動摩擦係数は０．５１であった。

接着剤層（Ｂ）
接着剤層（Ｂ）を形成する材料として、表１に記載の組成の接着剤組成物を用いた。表１中、数値は固形分換算の重量部を示す。表面にシリコーン系の剥離剤からなる層が形成された剥離フィルム（リンテック（株）製、ＳＰ−ＰＥＴ３８１１（Ｓ））に、前記接着剤組成物を乾燥後の厚みが２０μｍとなるように塗布し、オーブンにて１００℃で１分間乾燥して、接着剤層（Ｂ）−１〜（Ｂ）−３を有する転写フィルムを得た。

（ａ）アクリル重合体：アクリル酸ブチル５５重量部、アクリル酸メチル１０重量部、グリシジルメタクリレート２０重量部、および２−ヒドロキシエチルアクリレート１５重量部を共重合して得られた、重量平均分子量８０万、ガラス転移温度−２８℃のアクリル重合体。
（ｂ）エポキシ系熱硬化性樹脂：
（ｂ１）エポキシ樹脂：液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン
（株）製、ＪＥＲ８２８、エポキシ当量１８４〜１９４ｇ／ｅｑ)
（ｂ２）エポキシ樹脂：固形ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量８００〜９００ｇ／ｅｑ）
（ｂ３）エポキシ樹脂：ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、ＥＯＣＮ−１０４Ｓ、エポキシ当量２１５〜２２０ｇ/ｅｑ）
（ｃ）硬化剤：アデカハードナー３６３６ＡＳ（旭電化製）
（ｄ）硬化促進剤：キュアゾール２ＰＨＺ（四国化成工業）
（ｅ）エネルギー線硬化性樹脂：カヤラッドＤＰＨＡ（日本化薬（株）製）
（ｆ）エネルギー線重合開始剤：イルガキュア１８４（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ（株）製）

［実施例１］
基材層（Ａ）−１と、接着剤層（Ｂ）−１を有する転写フィルムとを貼り合せて、接着剤層（Ｂ）−１を基材層（Ａ）−１表面に転写することで接着シートを得た。得られた接着シートを用いて下記のエキスパンド性の評価を行った。評価結果を表２に示す。

［実施例２〜９、比較例１〜５］
実施例１において、表２または表３に記載の基材層（Ａ）と、接着剤層（Ｂ）を有する転写フィルムとを用いたこと以外は実施例１と同様にして、接着シートを得た。得られた接着シートを用いて下記のエキスパンド性の評価を行った。評価結果を表２または表３に示す。

〔エキスパンド性の評価〕
６インチ、１００μｍ厚のドライポリッシュウェハに対して、下記の条件でウェハ裏面（ドライポリッシュ面）側から、該ウェハに対して透過性を有するパルスレーザーを照射した。
光源：ＬＤ励起Ｑスイッチ Ｎｄ：ＹＶＯ４パルスレーザー
波長：１０６４ｎｍ
パルス出力：１０μＪ
集光スポット径：φ１μｍ
パルス幅：４０ｎｓ
集光点のピークパワー密度：３．２×１０¹⁰Ｗ／ｃｍ²
繰り返し周波数：１００ｋＨｚ
ウェハの加工送り速度：１００ｍｍ／秒
分割予定ライン（Ｘ、Ｙ）のピッチサイズ：Ｘ、Ｙ共に５ｍｍ

テープマウンター（ＲＡＤ２５００、リンテック（株）製）を用いて、実施例および比較例で得られた接着シートをパルスレーザー照射後のウェハ裏面に室温で貼付した。その後、半自動エキスパンダー（ＭＥ−３００Ｂ、（株）ＪＣＭ製）を用いて、下記（条件１）〜（条件３）にてエキスパンドを行った。ウェハおよび接着剤層（Ｂ）が個片化された割合を、以下の式１および２により求めた。
式１：実際に得られたチップ数／１ウェハから得られうる全チップ数×１００（％）
式２：接着剤層（Ｂ）が固着残存したチップ数／１ウェハから得られうる全チップ数×１００（％）
条件１：エキスパンド温度：２３℃、拡張速度１０ｍｍ／秒、拡張量１０ｍｍ
条件２：エキスパンド温度：２３℃、拡張速度２０ｍｍ／秒、拡張量１０ｍｍ
条件３：エキスパンド温度：２３℃、拡張速度２０ｍｍ／秒、拡張量１５ｍｍ

また、上記エキスパンド工程を実施した後に、基材フィルムの破損の有無を目視にて確認した。基材フィルムに裂けが発生した場合には、その破損箇所を数えた。

図１（ａ）は、基材フィルム、該基材フィルム表面に形成された接着剤層、および該基材フィルム裏面に形成された易滑層から構成される接着シート。図１（ｂ）は、裏面に易滑処理が施された基材フィルム、および該基材フィルム表面に形成された接着剤層から構成される接着シート。

符号の説明

１０・・・基材層
２０・・・接着剤層
３０・・・基材フィルム
４０・・・易滑層
５０・・・易滑処理が施された基材フィルム裏面

Claims (9)

1. 基材層、および該基材層表面に形成された接着剤層を有するシートであって、該基材層裏面が易滑性を有することを特徴とするウェハ加工用接着シート。
2. 前記基材層裏面のＪＩＳ Ｋ７１２５に準拠して測定される動摩擦係数が、０．０１〜０．４であることを特徴とする請求項１に記載のウェハ加工用接着シート。
3. 請求項１または２に記載のウェハ加工用接着シートであって、前記基材層が、基材フィルムと該基材フィルム裏面に形成された易滑層とから構成され、該易滑層が、該シートの最外層を構成することを特徴とするウェハ加工用接着シート。
4. 前記易滑層が、シリコーン系の易滑剤からなることを特徴とする請求項３に記載のウェハ加工用接着シート。
5. 前記基材層が、基材フィルムから構成され、該基材フィルム裏面に易滑処理が施されていることを特徴とする請求項１または２に記載のウェハ加工用接着シート。
6. 前記接着剤層が、前記基材層から剥離可能な層であることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載のウェハ加工用接着シート。
7. 請求項１〜６の何れかに記載のウェハ加工用接着シートを構成する接着剤層上に、半導体ウェハを貼付する工程、
   該ウェハに対して透過性を有するパルスレーザーを分割予定ラインに沿って該ウェハに照射し、該ウェハ内部に分割予定ラインに沿って変質層を形成する工程、
   該接着シートをエキスパンドすることにより、該ウェハを分割して半導体チップとすると共に該接着剤層を分割する工程、および
   該チップ裏面に接着剤層を固着残存させて、該接着シートを構成する基材層から該接着剤層を剥離し、該チップを被着体に該接着剤層を介して熱圧着する工程
   を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
8. 半導体ウェハ表面から該ウェハ厚みよりも小さい深さの溝を形成し、該ウェハ裏面を研削することにより、該ウェハを分割して半導体チップとする工程、
   請求項１〜６の何れかに記載のウェハ加工用接着シートを構成する接着剤層上に、該チップ群からなる分割されたウェハを貼付する工程、
   該接着シートをエキスパンドすることにより、該接着剤層を分割する工程、および
   該チップ裏面に接着剤層を固着残存させて、該接着シートを構成する基材層から該接着剤層を剥離し、該チップを被着体に該接着剤層を介して熱圧着する工程
   を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
9. 請求項１〜６の何れかに記載のウェハ加工用接着シートを構成する接着剤層上に、半導体ウェハを貼付する工程、
   該ウェハを分割して半導体チップとする工程、
   該接着シートをエキスパンドする工程、および
   該チップ裏面に接着剤層を固着残存させて、該接着シートを構成する基材層から該接着剤層を剥離し、該チップを被着体に該接着剤層を介して熱圧着する工程
   を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

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