JP2010032646A - 焦点検出装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】隣接する画素を結合あるいは加算することで画素ピッチが粗くなった場合においても、被写体の高周波成分による焦点検出の誤差を軽減できるようにする。
【解決手段】被写体像を形成する撮影光学系と、被写体像を光電変換する撮像素子であって、撮影光学系の射出瞳を分割した一部領域を通過した光束を受光する焦点検出用画素BLKを有する撮像素子と、撮像素子の所定の領域内に含まれる複数の焦点検出用画素の出力に焦点検出用画素の位置に応じた重み付け係数を掛けて加算する加算部と、加算部からの出力に基づいて生成した一対の位相差検出用信号から焦点ずれ量を計算する焦点ずれ量演算部とを備える。
【選択図】図12

Description

本発明は、デジタルスチルカメラ、ビデオカメラなどに搭載される焦点検出装置に関する。
従来、カメラの自動焦点検出装置として、撮影レンズの異なる射出瞳領域を通過した被写体からの光束を、一対のラインセンサー上に結像させ、これらのラインセンサーから得られる一対の像信号の相対位置変位量を求めることにより、被写体のデフォーカス量を検出して、これに基づいて焦点調節レンズの駆動を行なう自動焦点装置が良く知られている(例えば、特許文献1参照)。
また、撮像素子に位相差検出機能を付与し、専用のAFセンサを不要とし、位相差焦点検出を実現するための技術も提案されている。
例えば特開2000−156823号公報(特許文献2)では、撮像素子の一部の受光素子(画素)に対して、オンチップマイクロレンズの光軸に対して受光部の感度領域を偏心させることで瞳分割機能を付与している。そしてこれらの画素を焦点検出用画素とし、撮像用画素群の間に所定の間隔で配置することで、位相差焦点検出を行なう。
一方、電荷蓄積型センサは、低輝度被写体では電荷蓄積量自体が減少するので、センサ出力のS/Nが低下し、焦点検出精度が悪化する問題がある。
一般的に、特許文献2で開示されている焦点検出用画素は、専用のAFセンサの画素よりも開口部が小さいため、低輝度被写体に対してS/Nが低下する。これは、焦点検出用画素が配置された箇所は撮像用画素の欠損部となるため、焦点検出用画素のサイズを、撮像用画素と同じサイズかもしくは小さく構成する必要があり、専用AFセンサの画素のようにサイズを自由に設計することができないためである。
そこで、特開平10−319311号公報(特許文献3)には、隣接する光電変換画素アレイを結合および分離できる画素ピッチ切り換え手段を備えた焦点検出装置が開示されている。この焦点検出装置では、低輝度時に画素ピッチ切り換え手段により、隣接する光電変換画素アレイを結合し、電荷蓄積量を増加させてS/Nを向上させている。
一方、位相差焦点検出では、被写体の高周波成分が検出精度に悪影響を及ぼすことが知られている。
そこで、特開平6−308379号公報(特許文献4)には、撮影画面の水平、垂直方向に対して、ラインセンサーの画素を少し傾けることによって光学的に高周波成分をカットする構成が開示されている。
特開2000−292686号公報 特開2000−156823号公報 特開平10−319311号公報 特開平6−308379号公報
しかしながら、上記の特許文献3に開示されている焦点検出装置では、S/Nを良くするために、隣接画素信号を加算して像信号を形成した場合、画素ピッチが粗くなり、検出できる空間周波数の分解能が低下する。そのため、被写体の高周波成分による焦点検出結果の誤差がより大きくなる。
また、上記の特許文献4に開示されている焦点検出装置では、傾けた画素に対して平行で、かつ高周波な被写体に対しては、光学的な高周波成分カットができない問題が生じる。
従って、本発明は上述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、隣接する画素を結合あるいは加算することで画素ピッチが粗くなった場合においても、被写体の高周波成分による焦点検出の誤差を軽減できるようにすることである。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係わる焦点検出装置は、被写体像を形成する撮影光学系と、前記被写体像を光電変換する撮像素子であって、前記撮影光学系の射出瞳を分割した一部領域を通過した光束を受光する焦点検出用画素を有する撮像素子と、前記撮像素子の所定の領域内に含まれる複数の前記焦点検出用画素の出力に該焦点検出用画素の位置に応じた重み付け係数を掛けて加算する加算手段と、前記加算手段からの出力に基づいて生成した一対の位相差検出用信号から焦点ずれ量を計算する焦点ずれ量演算手段と、を備えることを特徴とする。
本発明によれば、隣接する画素を結合あるいは加算することで画素ピッチが粗くなった場合においても、被写体の高周波成分による焦点検出の誤差を軽減できるようにすることが可能となる。
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。
図1は本発明の一実施形態に係わるカメラの構成を示す図であり、撮像素子を備えたカメラ本体と撮影光学系が一体となったデジタルカメラを示している。
図1において、101は撮影光学系(撮影レンズ)の先端に配置された第1レンズ群で、光軸方向に進退可能に保持される。102は絞り兼用のシャッタで、その開口径を調節することにより撮影時の光量調節を行なうほか、静止画撮影時には露光秒時を調節する機能も備える。103は第2レンズ群である。そしてシャッタ102及び第2レンズ群103は一体となって光軸方向に進退し、第1レンズ群101の進退動作との連動により、変倍(ズーミング)を行う。
105は第3レンズ群で、光軸方向の進退動作により、焦点調節を行なう。106は光学的ローパスフィルタで、撮影画像の偽色やモアレを軽減する機能を果たす。107はC−MOSセンサとその周辺回路で構成された撮像素子である。この撮像素子107は、横方向m画素、縦方向n画素の受光ピクセル上に、ベイヤー配列の原色カラーモザイクフィルタがオンチップで形成された、2次元単板カラーセンサである。
111はズームアクチュエータで、不図示のカム筒を回動することで、第1レンズ群111及び第2レンズ群103を光軸方向に進退駆動し、変倍操作を行なう。112はシャッタアクチュエータで、シャッタ102の開口径を制御して撮影光量を調節すると共に、静止画撮影時の露光時間の制御を行なう。114はフォーカスアクチュエータで、第3レンズ群105を光軸方向に進退駆動して焦点調節を行なう。
115は撮影時に被写体を照明するための電子フラッシュであり、キセノン管を用いた閃光照明装置が通常用いられるが、連続発光するLEDを用いた照明装置でも良い。116はAF補助光投光装置で、所定の開口パターンを有したマスクの像を、投光レンズを介して被写界に投影し、暗い被写体あるいはコントラストの低い被写体に対する焦点検出能力を向上させる。
121はCPUで、カメラ本体の種々の制御を司る。CPU121は、演算部、ROM、RAM、A/Dコンバータ、D/Aコンバータ、通信インターフェイス回路等を有し、ROMに記憶された所定のプログラムに基づいて、カメラが有する各種回路を駆動する。そして、AF(オートフォーカス)、AE(自動露出)、撮影処理、画像処理、記録処理等の一連の動作を実行する。
122はフラッシュ制御回路で、撮影動作に同期して電子フラッシュ115を点灯制御する。123は補助光駆動回路で、焦点検出動作に同期してAF補助光投光装置116を点灯制御する。124は撮像素子駆動回路で、撮像素子107を駆動するとともに、取得した画像信号をA/D変換してCPU121に送信する。125は画像処理回路で、撮像素子107が取得した画像信号に対して、γ変換、カラー補間、JPEG圧縮等の処理を行なう。
126はフォーカス駆動回路で、焦点検出結果に基づいてフォーカスアクチュエータ114を駆動し、第3レンズ群105を光軸方向に進退させて焦点調節を行なう。128はシャッタ駆動回路で、シャッタアクチュエータ112を駆動してシャッタ102の開口を制御する。129はズーム駆動回路で、撮影者のズーム操作に応じてズームアクチュエータ111を駆動する。
131はLCD等の表示器で、カメラの撮影モードに関する情報、撮影前のプレビュー画像と撮影後の確認用画像、焦点検出時の合焦状態表示画像等を表示する。132は操作スイッチ群で、電源スイッチ、レリーズ(撮影トリガ)スイッチ、ズーム操作スイッチ、撮影モード選択スイッチ等を備えて構成される。133はフラッシュメモリ等からなる着脱可能なメモリで、撮影済み画像を記録する。
図2は、撮像素子107の概略的な回路構成を示す図で、特開平09−046596号公報等に開示された技術を用いて製造される。
図2は、2次元C−MOSエリアセンサの2列×4行の画素の範囲を示しているが、撮像素子として利用する場合は、図2に示した画素を多数配置し、高解像度画像の取得を可能としている。本実施形態においては、画素ピッチが2μm、有効画素数が横3000列×縦2000行=600万画素、撮像画面サイズが横6mm×縦4mmの撮像素子として説明を行なう。
図2において、1はMOSトランジスタゲートとゲート下の空乏層とからなる光電変換部、2はフォトゲート、3は転送スイッチMOSトランジスタ、4はリセット用MOSトランジスタ、5はソースフォロワアンプMOSトランジスタ、6は水平選択スイッチMOSトランジスタ、7はソースフォロワの負荷MOSトランジスタ、8は暗出力転送MOSトランジスタ、9は明出力転送MOSトランジスタ、10は暗出力蓄積容量Ctn、11は明出力蓄積容量Cts、12は水平転送MOSトランジスタ、13は水平出力線リセットMOSトランジスタ、14は差動出力アンプ、15は水平走査回路、16は垂直走査回路である。
図3は、各画素部の断面を示す図である。
図3において、17はP型ウェル、18はゲート酸化膜、19は一層目ポリSi、20は二層目ポリSi、21はn+フローティングディフュージョン部(FD部)である。FD部21は別の転送MOSトランジスタを介して別の光電変換部と接続される。図3においては、2つの転送MOSトランジスタ3のドレインとFD部21を共通化して微細化とFD部21の容量低減による感度向上を図っているが、Al配線でFD部21を接続しても良い。
次に、図4のタイミングチャートを用いて撮像素子の動作について説明する。このタイミングチャートは、全画素独立出力の場合のタイミングを示す図である。
まず垂直走査回路16からのタイミング出力によって、制御パルスφLをハイとして垂直出力線をリセットする。また制御パルスφR0,φPG00,φPGe00をハイとし、リセット用MOSトランジスタ4をオンとし、フォトゲート2の一層目ポリSi19をハイとしておく。時刻T0において、制御パルスφS0をハイとし、選択スイッチMOSトランジスタ6をオンさせ、第1、第2ラインの画素部を選択する。次に制御パルスφR0をローとし、FD部21のリセットを止め、FD部21をフローティング状態とする。そして、ソースフォロワアンプMOSトランジスタ5のゲート・ソース間をスルーとした後、時刻T1において制御パルスφTnをハイとし、FD部21の暗電圧をソースフォロワ動作で蓄積容量Ctn10に出力させる。
次に、第1ラインの画素の光電変換出力を行なうため、第1ラインの制御パルスφTX00をハイとして転送スイッチMOSトランジスタ3を導通した後、時刻T2において制御パルスφPG00をローとして下げる。この時フォトゲート2の下に拡がっていたポテンシャル井戸を上げて、光発生キャリアをFD部21に完全転送させるような電圧関係が好ましい。従って完全転送が可能であれば制御パルスφTXはパルスではなくある固定電位でもかまわない。
時刻T2でフォトダイオードの光電変換部1からの電荷がFD部21に転送されることにより、FD部21の電位が光に応じて変化することになる。この時ソースフォロワアンプMOSトランジスタ5がフローティング状態であるので、FD部21の電位を時刻T3において制御パルスφTsをハイとして蓄積容量Cts11に出力する。この時点で第1ラインの画素の暗出力と光出力はそれぞれ蓄積容量Ctn10とCts11に蓄積されており、時刻T4の制御パルスφHCを一時ハイとして水平出力線リセットMOSトランジスタ13を導通して水平出力線をリセットし、水平転送期間において水平走査回路15の走査タイミング信号により水平出力線に画素の暗出力と光出力を出力させる。この時、蓄積容量Ctn10とCts11の差動増幅器14によって、差動出力Voutを取れば、画素のランダムノイズ、固定パターンノイズを除去したS/Nの良い信号が得られる。また画素30−12、30−22の光電荷は画素30−11、30−21と同時に夫々の蓄積容量Ctn10とCts11に蓄積されるが、その読み出しは水平走査回路15からのタイミングパルスを1画素分遅らして水平出力線に読み出して差動増幅器14から出力させる。
本実施形態では、差動出力Voutをチップ内で生成する構成を示しているが、チップ内に含めず、外部で従来のCDS(Correlated Double Sampling:相関二重サンプリング)回路を用いるように構成しても同様の効果が得られる。
蓄積容量Cts11に明出力を出力した後、制御パルスφR0をハイとしてリセット用MOSトランジスタ4を導通しFD部21を電源VDDにリセットする。第1ラインの水平転送が終了した後、第2ラインの読み出しを行なう。第2ラインの読み出しは、制御パルスφTXe0、制御パルスφPGe0を同様に駆動させ、制御パルスφTn、φTsに夫々ハイパルスを供給して、蓄積容量Ctn10とCts11に夫々光電荷を蓄積し、暗出力及び明出力を取り出す。以上の駆動により、第1、第2ラインの読み出しが夫々独立に行なえる。この後、垂直走査回路を走査させ、同様に第2n+1,第2n+2(n=1,2,…)の読み出しを行なえば全画素独立出力が行なえる。即ち、n=1の場合は、まず制御パルスφS1をハイとし、次にφR1をローとし、続いて制御パルスφTn、φTX01をハイとし、制御パルスφPG01をロー、制御パルスφTsをハイ、制御パルスφHCを一時ハイとして画素30−31,30−32の画素信号を読み出す。続いて、制御パルスφTXe1,φPGe1及び上記と同様に制御パルスを印加して、画素30−41,30−42の画素信号を読み出す。
図5乃至図7は、撮像用画素と焦点検出用画素の構造を説明する図である。本実施形態においては、2行×2列の4画素のうち、対角2画素にG(緑色)の分光感度を有する画素を配置し、他の2画素にR(赤色)とB(青色)の分光感度を有する画素を各1個配置した、ベイヤー配列が採用されている。そして、このベイヤー配列の間に、後述する構造の焦点検出用画素が所定の規則で分散配置される。
図5は、撮像用画素の配置と構造を示す図である。
図5(a)は2行×2列の撮像用画素の平面図である。周知のごとく、ベイヤー配列では対角方向にG画素が、他の2画素にRとBの画素が配置される。そしてこの2行×2列の構造が繰り返し配置される。
図5(b)は、図5(a)における断面A−Aを示している。MLは各画素の最前面に配置されたオンチップマイクロレンズ、CFRはR(Red)のカラーフィルタ、CFGはG(Green)のカラーフィルタである。PD(Photo Diode)は図3で説明したC−MOSセンサの光電変換部を模式的に示したもの、CL(Contact Layer)はC−MOSセンサ内の各種信号を伝達する信号線を形成するための配線層である。TLは撮影光学系を模式的に示したものである。
ここで、撮像用画素のオンチップマイクロレンズMLと光電変換部PDは、撮影光学系TL(Taking Lens)を通過した光束を可能な限り有効に取り込むように構成されている。換言すると、撮影光学系TLの射出瞳EP(Exit Pupil)と光電変換部PDは、マイクロレンズMLにより共役関係にあり、かつ光電変換部の有効面積は大面積に設計される。また、図5(b)ではR画素の入射光束について説明したが、G画素及びB(Blue)画素も同一の構造となっている。従って、撮像用のRGB各画素に対応した射出瞳EPは大径となり、被写体からの光束(光量子)を効率よく取り込んで画像信号のS/Nを向上させている。
図6は、撮影光学系の水平方向(横方向)に瞳分割を行なうための焦点検出用画素の配置と構造を示す図である。ここで水平方向あるいは横方向とは、撮影光学系の光軸が水平となるようにカメラを構えたとき、この光軸に直交し、かつ水平方向に伸びる直線に沿った方向を指す。図6(a)は、焦点検出用画素を含む2行×2列の画素の平面図である。記録もしくは観賞のための画像信号を得る場合、G画素で輝度情報の主成分を取得する。そして人間の画像認識特性は輝度情報に敏感であるため、G画素が欠損すると画質劣化が認知されやすい。一方でRもしくはB画素は、色情報(色差情報)を取得する画素であるが、人間の視覚特性は色情報には鈍感であるため、色情報を取得する画素は多少の欠損が生じても画質劣化は認識され難い。そこで本実施形態においては、2行×2列の画素のうち、G画素は撮像用画素として残し、RとBの画素を焦点検出用画素に置き換える。これを図6(a)においてSHA及びSHBで示す。
図6(b)は、図6(a)における断面A−Aを示している。マイクロレンズMLと、光電変換部PDは図5(b)に示した撮像用画素と同一構造である。本実施形態においては、焦点検出用画素の信号は画像創生には用いないため、色分離用カラーフィルタの代わりに透明膜CFW(White)が配置される。また、撮像素子で瞳分割を行なうため、配線層CLの開口部はマイクロレンズMLの中心線に対して一方向に偏倚している。具体的には、画素SHAの開口部OPHAは右側に偏倚しているため、撮影光学系TLの左側の射出瞳EPHA(射出瞳の一部領域)を通過した光束を受光する。同様に、画素SHBの開口部OPHBは左側に偏倚しているため、撮影光学系TLの右側の射出瞳EPHBを通過した光束を受光する。よって、画素SHAを水平方向に規則的に配列し、これらの画素群で取得した被写体像をA像(位相差検出用信号)とし、画素SHBも水平方向に規則的に配列し、これらの画素群で取得した被写体像をB像とすると、A像とB像の相対位置を検出することで、被写体像のピントずれ量(デフォーカス量)を検出することができる。
なお、上記の画素SHA及びSHBでは、撮影画面の横方向に輝度分布を有した被写体、例えば縦線に対しては焦点検出可能だが、縦方向に輝度分布を有する横線は焦点検出不能である。そこで本実施形態では、後者についても焦点検出できるよう、撮影光学系の垂直方向(縦方向)にも瞳分割を行なう画素も備えている。
図7は、撮影光学系の垂直方向(換言すると上下方向もしくは縦方向)に瞳分割を行なうための焦点検出用画素の配置と構造を示す。ここで垂直方向あるいは上下あるいは縦方向とは、撮影光学系の光軸が水平となるようにカメラを構えたとき、この光軸に直交し、鉛直方向に伸びる直線に沿った方向を指す。図7(a)は、焦点検出用画素を含む2行×2列の画素の平面図で、図6(a)と同様に、G画素は撮像用画素として残し、RとBの画素を焦点検出用画素としている。これを図7(a)においてSVC及びSVDで示す。
図7(b)は、図7(a)の断面A−Aを示しているが、図6(b)の画素が横方向に瞳分離する構造であるのに対して、図7(b)の画素は瞳分離方向が縦方向になっているだけで、画素の構造としては変わらない。すなわち、画素SVCの開口部OPVCは下側に偏倚しているため、撮影光学系TLの上側の射出瞳EPVCを通過した光束を受光する。同様に、画素SVDの開口部OPVDは上側に偏倚しているため、撮影光学系TLの下側の射出瞳EPVDを通過した光束を受光する。よって、画素SVCを垂直方向に規則的に配列し、これらの画素群で取得した被写体像をC像とし、画素SVDも垂直方向に規則的に配列し、これらの画素群で取得した被写体像をD像とすると、C像とD像の相対位置を検出することで、垂直方向に輝度分布を有する被写体像のピントずれ量(デフォーカス量)を検出することができる。
図8乃至図10は、上記の図5乃至図7で説明した撮像用画素と焦点検出用画素の配置の規則を説明する図である。
図8は、撮像用画素の間に焦点検出用画素を離散的に配置する場合の、最小単位の配置規則を説明するための図である。
図8において、10行×10列=100画素をひとつのブロックと定義する。そして一番左上のブロックBLK(1,1)において、一番左下のR画素とB画素を、水平方向に瞳分割を行なう1組の焦点検出用画素SHA及びSHBで置き換える。
その右隣のブロックBLK(1,2)においては、同じく一番左下のR画素とB画素を、垂直方向に瞳分割を行なう1組の焦点検出用画素SVC及びSVDで置き換える。また、最初のブロックBLK(1,1)の下に隣接したブロックBLK(2,1)の画素配列は、ブロックBLK(1,2)と同一とする。そして、その右隣のブロックBLK(2,2)の画素配列は、先頭のブロックBLK(1,1)と同一とする。
この配置規則を普遍的に表現すると、ブロックBLK(i,j)において、i+jが偶数なら水平瞳分割用の焦点検出用画素を配置し、i+jが奇数なら垂直瞳分割用の焦点検出用画素を配置することになる。そして、図8の2×2=4ブロック、すなわち20行×20列=400画素の領域を、ブロックの上位の配列単位として、クラスタと定義する。
図9は、前述したクラスタを単位とした配置規則を説明するための図である。
図9において、20行×20列=400画素で構成された一番左上のクラスタをCST(u,w)=CST(1,1)とする。そして、このクラスタCST(1,1)においては、各ブロックの一番左下のR画素とB画素を、焦点検出用画素SHA及びSHB、もしくはSVC及びSVDで置き換える。
その右隣のクラスタCST(1,2)においては、ブロック内における焦点検出用画素の配置を、クラスタCST(1,1)に対して上方向に2画素分シフトした位置に配置する。また、最初のクラスタCST(1,1)の下に隣接したクラスタCST(2,1)においては、ブロック内における焦点検出用画素の配置を、クラスタCST(1,1)に対して右方向に2画素分シフトした位置に配置する。以上の規則を繰り返し適用すると図9に示した配置が得られる。
この配置規則を普遍的に表現すると以下のようになる。なお、焦点検出用画素の座標は、図6もしくは図7で示したG画素を含む4画素を一つの単位(ペア)とし、そのうちの左上の画素の座標で規定する。また各ブロック内の座標は左上を(1,1)とし、下方向と右方向を正とする。
以上の定義を適用すると、クラスタCST(u,w)において、各ブロック内の焦点検出用画素ペアの水平座標は2×u−1となり、垂直座標は11−2×wとなる。そして、図9の5×5=25クラスタ、すなわち100行×100列=1万画素の領域を、クラスタの上位の配列単位として、フィールドと定義する。
図10は、上記のフィールドを単位とした配置規則を説明するための図である。同図において、100行×100列=1万画素で構成された一番左上のフィールドをFLD(q,r)=FLD(1,1)とする。そして本実施形態では、すべてのフィールドFLD(q,r)は先頭フィールドFLD(1,1)と同様の配列となっている。そこで、FLD(1,1)を水平方向に30個、垂直方向に20個配列すると、3000列×2000行=600万画素の撮像領域は600個のフィールドで構成されることになる。そして撮像領域全面に渡って焦点検出用画素を均一に分布させることができる。
次に図11乃至図14を用いて、焦点検出時の画素のグループと信号加算方法について説明する。
図11は、撮影光学系によって形成された被写体像の、横ずれ方向の焦点検出(焦点ずれ量演算)を行なう場合の画素グループ化方法を説明する図である。
横ずれ方向の焦点検出とは、図6で説明した、撮影光学系の射出瞳を横方向(左右方向、水平方向)に分割するための焦点検出用画素を用いて、位相差式焦点検出を行なうことを指す。
図11に示す画素配列は図9で説明したものであるが、焦点検出の際には、破線で囲まれた範囲を1つのグループとし、これをセクションと定義する。隣接しているセクションは一部がオーバーラップしている。そして、本実施形態では、横方向に並んだ30セクションで、1つの焦点検出領域を構成する。この1つの焦点検出領域をAFエリアと定義する。ここで、1つのセクション内(領域内)においては、横方向における一方の瞳分割を行なう画素SHAが9個、他方の瞳分割を行なう画素SHBも9個含まれている。そこで本実施形態においては、9個のSHAの出力をそれぞれ重み付け加算して、位相差演算用の一方の画像信号(A像と称する)の1AF画素とする。同様に、9個のSHBの出力についても重み付け加算して、位相差演算用の他方の画像信号(B像と称する)の1AF画素とする。
図12は、セクションにおける、重み付け加算方法を説明するための図である。
図12は、図11の左端の2つのセクションを切り出したものである。そして下端に示された水平線PRJhは、焦点検出用画素SHA及びSHBの瞳分割方向に延伸した第1の射影軸(Projection Line)と射影された像信号に対応した重み付け係数である。
ここで、セクション内における、各焦点検出用画素に対応した重み付け係数はセクションの中心付近ほど大きく、周辺ほど小さくなっている。焦点検出用画素からの信号と重み付け係数を乗算して、1セクション内で乗算結果を積算する。そして、1セクションの演算結果を1AF画素の信号とする。SCTh(1)、SCTh(2)以外の他のセクションについても同様の重み付け係数であり、同様の演算を行なう。
ここで、隣接するセクションは一部の焦点検出用画素がオーバーラップするように構成しているので、光学的に被写体の高周波成分をカットしているのと同じ効果が得られる。 図13は、撮影光学系によって形成された被写体像の、縦ずれ方向の焦点検出を行なう場合の画素グループ化方法を説明する図である。縦ずれ方向の焦点検出とは、図7で説明した、撮影光学系の射出瞳を縦方向(上下方向、すなわち垂直方向)に分割するための焦点検出用画素を用いて、位相差焦点検出を行なうことを指す。すなわち、図11で説明した技術を90度回転したものに相当する。
図13に示す画素配列も図9で説明したものだが、焦点検出の際には、破線で囲まれた範囲を1つのグループとし、これをセクションと定義する。隣接しているセクションは一部がオーバーラップしている。すなわちn番目(nは正の整数)と(n+1)番目のセクションは一部オーバーラップしている。そして、本実施形態では、縦方向に並んだ30セクションで、1つの焦点検出領域を構成する。この1つの焦点検出領域も図11と同様にAFエリアと定義する。ここで、1つのセクション内においては、縦方向における一方の瞳分割を行なう画素SVCが9個、他方の瞳分割を行なう画素SVDも9個含まれている。そこで本実施形態においては、9個のSVCの出力をそれぞれ重み付け加算して、位相差演算用の一方の画像信号(C像と称する)の1AF画素とする。同様に、9個のSVDの出力についても重み付け加算して、位相差演算用の他方の画像信号(D像と称する)の1AF画素とする。
図14は、セクションにおける、重み付け加算方法を説明するための図で、図12の手法を90度回転したものと等価である。
図14は図13の上端の2つセクションを切り出したものである。そして右端に示された垂直線PRJvは、焦点検出用画素SVC及びSVDの瞳分割方向に延伸した第2の射影軸と射影された像信号に対応した重み付け係数である。
図14においても、セクション内における焦点検出用画素に対応した重み付け係数はセクションの中心付近ほど大きく、周辺ほど小さくなっている。焦点検出用画素からの信号と重み付け係数を乗算し、1セクション内の乗算結果を積算する。そして、1セクションの演算結果を1AF画素の信号とする。SCTv(1)、SCTv(2)以外の他のセクションについても同様の重み付け係数であり、同様の演算を行なう。
図14においても、隣接するセクションは一部の焦点検出用画素がオーバーラップするように構成しているので、光学的に被写体の高周波成分をカットしているのと同じ効果が得られる。
図15は、本実施形態における撮像素子の瞳分割状況を概念的に説明する図である。TLは撮影光学系、107は撮像素子、OBJは被写体、IMGは被写体像である。
撮像用画素は図5で説明したように、撮影光学系の射出瞳全域EPを通過した光束を受光する。一方、焦点検出用画素は図6及び図7で説明したように、瞳分割機能を有している。具体的には、図6の画素SHAは撮像面からレンズ後端を見て左側の瞳を通過した光束、すなわち図15の瞳EPHAを通過した光束を受光する。同様に画素SHB、SVC及びSVDはそれぞれ瞳EPHB、EPVC及びEPVDを通過した光束を受光する。そして、焦点検出用画素は、図10で説明したように撮像素子107の全領域に渡って分布しているため、撮像領域全域で焦点検出も可能となっている。
図16は、焦点検出時に取得した画像と焦点検出領域を説明する図である。
図16において、撮像面に形成された被写体像には、中央に人物、左側に近景の樹木、右側に遠景の山並みが写っている。そして本実施形態においては、焦点検出用画素は、横ずれ検出用の画素ペアSHA及びSHBと、縦ずれ検出用の画素ペアSVC及びSVDが、図10に示したように撮像領域全域に渡って均等な密度で配置されている。そして横ずれ検出の際には、位相差演算のためのAF画素信号を図11及び図12で示したようにグループ化処理する。また、縦ずれ検出の際には、位相差演算のためのAF画素信号を図13及び図14で示したようにグループ化処理する。よって、撮像領域の任意位置において、横ずれ検出及び縦ずれ検出のための焦点検出領域を設定可能である。
図16においては、画面中央に人物の顔が存在している。そこで公知の顔認識技術によって顔の存在が検出されると、顔領域を中心に横ずれ検知のための焦点検出領域AFARh(x1,y1)と、縦ずれ検知のための焦点検出領域AFARv(x3,y3)が設定される。ここで添え字のhは水平方向を表わし、(x1,y1)及び(x3,y3)は焦点検出領域の左上隅の座標を表わす。そして、焦点検出領域AFARh(x1,y1)の各セクション内に含まれる9個の焦点検出用画素SHAを重み付け加算し、これを30セクションに渡って連結した位相差検出用のA像信号がAFSIGh(A1)である。また、同様に各セクションの9個の焦点検出用画素SHBを重み付け加算し、これを30セクションに渡って連結した位相差検出用のB像信号がAFSIGh(B1)である。そして、A像信号AFSIGh(A1)とB像信号AFSIGh(B1)の相対的な横ずれ量を公知の相関演算によって計算することで、被写体の焦点ずれ量(デフォーカス量)を求めることができる。
焦点検出領域AFARv(x3,y3)についても同様に焦点ずれ量を求める。そして、横ずれ及び縦ずれの焦点検出領域で検出した2つの焦点ずれ量を比較し、信頼性の高い値を採用すればよい。
一方、画面左側の樹木の幹部は、縦線成分が主体、すなわち横方向に輝度分布を有しているため、横ずれ検知に適した被写体と判断され、横ずれ検知のための焦点検出領域AFARh(x2,y2)が設定される。また、画面右側の山並み稜線部は、横線成分が主体、すなわち縦方向に輝度分布を有しているため、縦ずれ検知に適した被写体と判断され、縦ずれ検知のための焦点検出領域AFARv(x4,y4)が設定される。
以上のごとく本実施形態においては、横ずれ及び縦ずれ検出のための焦点検出領域が画面の任意位置に設定可能なため、被写体の投影位置や輝度分布の方向性が様々であっても、常に正確な焦点検出が可能である。
図17乃至図19は、本実施形態に係わるカメラの焦点調節及び撮影工程を説明するためのフローチャートである。先に説明した図1乃至図16の各図を参照しながら、図17以降の制御フローを説明する。
図17は実施形態のカメラのメインフローである。
撮影者がカメラの電源スイッチをオン操作すると、ステップS101においてCPU121はカメラ内の各アクチュエータや撮像素子の動作確認を行ない、メモリ内容や実行プログラムの初期化を行なうと共に、撮影準備動作を実行する。ステップS102では撮像素子の撮像動作を開始し、プレビュー用の低画素動画像を出力する。ステップS103では読み出した動画をカメラ背面に設けられた表示器131に表示し、撮影者はこのプレビュー画像を目視して撮影時の構図決定を行なう。
ステップS104では、プレビュー用動画像に顔が存在するか否かを認識する。そして、撮影領域に顔が存在していると認識された場合には、ステップS105からステップS106に移行し、焦点調節モードを顔AFモードに設定する。ここで顔AFモードとは、撮影領域の顔に焦点を合わせるAFモードを指す。
一方撮影領域に顔が存在していない場合はステップS105からステップS107に移行し、焦点調節モードを多点AFモードに設定する。ここで多点AFモードとは、撮影領域を例えば3×5=15分割し、各分割領域で焦点検出を行ない、焦点検出結果と被写体の輝度情報から主被写体を類推し、その領域を合焦させるモードを指す。
ステップS106あるいはステップS107でAFモードを決定したら、ステップS108で焦点検出領域を決定する。ステップS109では、撮影準備スイッチがオン操作されたか否かを判別し、オン操作されていなければステップS102に戻り、撮像素子駆動からステップS108の焦点検出領域の決定を繰り返し実行する。
ステップS109で撮影準備スイッチがオン操作されるとステップS110に移行し、焦点検出サブルーチンを実行する。
図18は焦点検出サブルーチンのフローチャートである。
メインフローのステップS109から当サブルーチンのステップS110にジャンプすると、続くステップS131においては、メインルーチンのステップS108で決定した焦点検出領域に含まれる焦点検出用画素を読み出す。
ステップS132では、焦点検出領域における図12もしくは図14で説明した方法で、それぞれのセクション内に含まれる焦点検出用画素からの信号を重み付け加算することで、AF画素信号を得る。
ステップS133では、ステップS132の演算結果を基に、相関演算用の2像の信号を得る。具体的には、図16に示したAFSIGh(A1)とAFSIGh(B1)、あるいはAFSIGv(C3)とAFSIGv(D3)等の対の信号を創生する。
ステップS134では得られた2像の相関演算を行ない、2像の相対的な位置ずれ量を計算する。ステップS135では、相関演算結果の信頼性を判定する。ここで信頼性とは、2像の一致度を指し、2像の一致度が良い場合は一般的に焦点検出結果の信頼性が高い。そこで、複数の焦点検出領域が選択されている場合は、信頼性の高い情報を優先的に使用する。
ステップS136では、上記の信頼性の高い検出結果からピントずれ量を演算し、図17のメインフロー内のステップS111にリターンする。
図17のステップS111では、図18のステップS136で計算したピントずれ量が許容値以下か否かを判断する。そして焦点ずれ量が許容値以上である場合は、非合焦と判断し、ステップS112でフォーカスレンズを駆動し、その後ステップS110からステップS112を繰り返し実行する。そしてステップS111にて合焦状態に達したと判定されると、ステップS113にて合焦表示を行ない、ステップS114に移行する。
ステップS114では、撮影開始スイッチがオン操作されたか否かを判別し、オン操作されていなければステップS114にて撮影待機状態を維持する。ステップS114で撮影開始スイッチがオン操作されるとステップS115に移行し、撮影サブルーチンを実行する。
図19は撮影サブルーチンのフローチャートである。
撮影開始スイッチが操作されると、ステップS115にジャンプする。続くステップS161では光量調節絞りを駆動し、露光時間を規定するメカニカルシャッタの開口制御を行なう。ステップS162では、高画素静止画撮影のための画像読み出し、すなわち全画素の読み出しを行なう。ステップS163では読み出した画像信号の欠損画素補間を行なう。すなわち、焦点検出用画素の出力は撮像のためのRGBカラー情報を有しておらず、画像を得る上では欠陥画素に相当する。そのため、周囲の撮像用画素の情報から補間により画像信号を創生する。
ステップS164では、画像のγ補正、エッジ強調等の画像処理を行い、ステップS165において、メモリ133に撮影画像を記録する。ステップS166では、表示器131に撮影済み画像を表示し、図17のメインフローにリターンする。
図17のメインフローに戻り、一連の撮影動作を終了する。
以上説明したように、上記の実施形態によれば、以下のような効果が得られる。
ステップS132で説明したように、焦点領域の各セクション内に含まれる焦点検出用画素を重み付け加算してAF画素を得ている。また、隣接するセクションは、セクションに含まれる焦点検出用画素の一部がオーバーラップするように重み付け係数を設定している。そのため、演算したAF画素信号で形成された被写体像信号は、光学的に高周波成分をカットされる効果ある。したがって、被写体の高周波成分による焦点検出結果の誤差を軽減できる。
本発明の一実施形態に係わるデジタルカメラの構成を示す図である。 撮像素子の回路図である。 撮像素子の画素部断面図である。 撮像素子の駆動タイミングチャートである。 撮像素子の撮像用画素の平面図と断面図である。 撮像素子のAF用画素の平面図と断面図である。 撮像素子の他のAF用画素の平面図と断面図である。 撮像素子の最小単位の画素配列の説明図である。 撮像素子の上位単位の画素配列の説明図である。 撮像素子の全領域における画素配列の説明図である。 横ずれ焦点検出時の画素のグループ化方法の説明図である。 横ずれ焦点検出時の画素信号の重み付け係数の説明図である。 縦ずれ焦点検出時の画素のグループ化方法の説明図である。 縦ずれ焦点検出時の画素信号の重み付け係数の説明図である。 撮像素子の瞳分割状況を説明する概念図である。 焦点検出領域の説明図である。 一実施形態のデジタルカメラのメイン制御フローチャートである。 焦点検出サブルーチンのフローチャートである。 撮影サブルーチンのフローチャートである。
符号の説明
101 第1レンズ群
102 シャッタ
103 第2レンズ群
105 第3レンズ群
106 光学的ローパスフィルタ
107 撮像素子
113 プリズムアクチュエータ
114 フォーカスアクチュエータ
121 CPU
124 撮像素子駆動回路
125 画像処理回路
131 表示器
132 操作スイッチ群
133 メモリ

Claims (3)

  1. 被写体像を形成する撮影光学系と、
    前記被写体像を光電変換する撮像素子であって、前記撮影光学系の射出瞳を分割した一部領域を通過した光束を受光する焦点検出用画素を有する撮像素子と、
    前記撮像素子の所定の領域内に含まれる複数の前記焦点検出用画素の出力に該焦点検出用画素の位置に応じた重み付け係数を掛けて加算する加算手段と、
    前記加算手段からの出力に基づいて生成した一対の位相差検出用信号から焦点ずれ量を計算する焦点ずれ量演算手段と、
    を備えることを特徴とする焦点検出装置。
  2. 前記加算手段は、前記位相差検出用信号のn番目(nは正の整数)の信号と隣接する(n−1)番目と(n+1)番目の信号がオーバーラップするように予め設定された重み付け係数を掛けて加算を行なうことを特徴とする請求項1に記載の焦点検出装置。
  3. 前記撮像素子は、記録もしくは表示のための画像を生成するための撮像用画素と、該撮像用画素の間に所定の間隔で離散的に配置された前記焦点検出用画素とを有することを特徴とする請求項1又は2に記載の焦点検出装置。
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