JP2010028099A - 基板熱処理用セッター及びこれを用いたtft基板の熱処理方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】大型のTFT基板などを高度のクリーン度を維持した状態で、安価に熱処理できる基板熱処理用セッター及びこれを用いたTFT基板の熱処理方法を提供する。
【解決手段】平板状の本体の周囲を額縁状のシール枠3とし、その内側部分を上面に機能膜が形成されたガラス基板10の収納部としたセッター本体1と、その上面に載せられてシール枠3と密着する平板状のセッター蓋体2とからなる基板熱処理用セッターである。このセッターを用いれば、既存のPDP焼成炉を用いても、クリーンな状態での熱処理が可能である。セッター蓋体2をその上面または下面の撓み防止用のビームにより補強することができる。
【選択図】図2
【解決手段】平板状の本体の周囲を額縁状のシール枠3とし、その内側部分を上面に機能膜が形成されたガラス基板10の収納部としたセッター本体1と、その上面に載せられてシール枠3と密着する平板状のセッター蓋体2とからなる基板熱処理用セッターである。このセッターを用いれば、既存のPDP焼成炉を用いても、クリーンな状態での熱処理が可能である。セッター蓋体2をその上面または下面の撓み防止用のビームにより補強することができる。
【選択図】図2
Description
本発明は、TFT(薄膜トランジスタ)などの製造工程において使用される基板熱処理用セッター及びこれを用いたTFT基板の熱処理方法に関するものである。
液晶ディスプレイ等に広く用いられているTFTは、ガラス基板上にシランをCVDによって成膜し、まずアモルファスシリコン薄膜として製作される。本明細書においては、上面にアモルファスシリコン薄膜が形成されたガラス基板をTFT基板と記す。TFTを高速回路に使用するためには、この導体層中の電子移動速度(モビリティ)を高めることが必要である。そこでアモルファスシリコン薄膜を熱処理することによって微結晶化させ、電子移動速度を向上させる手法が種々開発されている。
例えば特許文献1に示される低温多結晶シリコンのレーザー再結晶化と呼ばれる手法では、ガラス基板上に形成されたアモルファスシリコン薄膜をエキシマレーザー(紫外線レーザー)によってアニールして多結晶シリコンを形成している。この手法によって得られるTFTは高速ドライバ回路にも適し、ガラス基板上にドライバ回路を搭載できる利点がある。しかしレーザーを表面全体に均一照射することが難しく、表面が凹凸構造となり易いうえに、エキシマレーザー設備のイニシャルコスト及びランニングコストが非常に高価となるという問題がある。
そこで表面が凹凸構造となりにくく、しかも安価にアモルファスシリコン薄膜を微結晶化させるための技術として、アニール炉を用いて熱処理する方法が開発されている。その一例は非特許文献1に開示されているように、ガラス基板上にアモルファスシリコン薄膜が形成されたTFT基板を石英チャンバ内に収納し、電気ヒータによって500〜700℃に加熱するというものである。
しかしこの非特許文献1の手法によれば、TFT基板を収納できる大型の石英チャンバが必要となるため、熱処理可能なTFT基板の最大サイズは1m×2m程度が限界であり、非特許文献1中では730mm×920mmと記載されている。ところが近年におけるTFT基板の大型化は著しく、一辺が2mを超え、さらに3mを超えようとしている。このため非特許文献1の技術では大型のTFT基板に対応することが困難である。
なお、熱処理温度が400℃未満の低温の場合には、ステンレスチャンバを使用することも可能である。しかし熱処理温度が400℃を超えるとステンレスから酸化物が発生して基盤表面に付着するおそれがあるため、高度のクリーン度を要求されるTFT基板の熱処理には使用することができなかった。
本発明は上記した従来の問題点を解決し、一辺が2mを超えるような大型のTFT基板などを、凹凸を生じさせることなく、高度のクリーン度を維持した状態で、安価に熱処理することができる技術を提供することである。
上記の課題を解決するためになされた本発明は、平板状の本体の周囲を額縁状のシール枠とし、その内側部分を上面に機能膜が形成されたガラス基板の収納部としたセッター本体と、セッター本体の上面に載せられてシール枠と密着する平板状のセッター蓋体とからなることを特徴とする基板熱処理用セッターを要旨とするものである。なお請求項2のように、セッター本体の額縁状のシール枠をセッター本体の彫り込みまたはスペーサの配置により形成されたものとすることができる。また請求項3のように、セッター本体のシール枠には、セッター蓋体突き上げ孔を形成しておくことが好ましい。
また請求項4のように、熱処理される基板を、ガラス基板上に機能膜としてアモルファスシリコン薄膜が形成されたTFT基板とすることができる。この場合、請求項5のように、TFT基板の割断線に対応するセッター蓋体の裏面位置に、突掛を形成しておくことが好ましい。また請求項6のように、セッター蓋体に、TFT基板の収納部の内圧を逃がす通気部を形成しておくことが好ましい。さらに請求項7のように、セッター蓋体がその上面または下面に撓み防止用のビームを備えたものとすることができる。
また上記の課題を解決するためになされた請求項8のTFT基板の熱処理方法は、請求項1〜7のいずれかに記載の基板熱処理用セッターの内部にTFT基板を封入し、熱処理炉の内部を移動させながら400℃以上に加熱してアモルファスシリコン薄膜を微結晶化させることを特徴とするものである。また請求項9のTFT基板の熱処理方法は、請求項1〜7のいずれかに記載の基板熱処理用セッターの内部にTFT基板を封入し、熱処理炉の内部を移動させながら400℃以上に加熱してアモルファスシリコン薄膜中の水素を除去することを特徴とするものである。
本発明のTFT基板熱処理用セッターを用いれば、上面にアモルファスシリコン薄膜が形成されたガラス基板(TFT基板)などを、セッター本体とセッター蓋体との間に封入した状態で熱処理することができる。このため既存のPDP焼成炉を用いて熱処理を行なっても、基板の周囲はゴミを含む炉内雰囲気から完全に遮断され、クリーンな状態での熱処理が可能である。
またセッター本体とセッター蓋体とを例えば結晶化ガラス製としておけば、熱膨張係数が小さいので反り等の変形が生ずることがなく、しかも自由に接合することができるので大型化が容易である。このために一辺が2m以上の大型の基板であっても十分に対応可能である。このため大型のTFT基板などを、凹凸を生じさせることなく、高度のクリーン度を維持した状態で安価に熱処理することが可能となる。特にセッター本体の額縁状のシール枠をスペーサの配置により形成すれば低コストで製作可能であり、セッター蓋体の上面または下面に撓み防止用のビームを設けておけば、セッター蓋体を薄い結晶化ガラス板により形成した場合にも中央部の垂れ下がりを効果的に防止することができる。
以下に本発明の好ましい実施形態を示す。
図1は本発明の第1の実施形態を示す斜視図、図2はその部分断面図である。これらの図において、1はセッター本体、2はセッター蓋体、10は上面にアモルファスシリコン薄膜11が形成されたガラス基板(TFT基板)である。この実施形態ではガラス基板10はTFT基板であるが、必ずしもこれに限定されるものではない。この実施形態のガラス基板10の厚さは0.3〜0.7mm程度であり、アモルファスシリコン薄膜11の厚さは0.06μm程度である。またガラス基板10のサイズは一辺が2m以上の大型サイズであり、例えば3m×3mである。
図1は本発明の第1の実施形態を示す斜視図、図2はその部分断面図である。これらの図において、1はセッター本体、2はセッター蓋体、10は上面にアモルファスシリコン薄膜11が形成されたガラス基板(TFT基板)である。この実施形態ではガラス基板10はTFT基板であるが、必ずしもこれに限定されるものではない。この実施形態のガラス基板10の厚さは0.3〜0.7mm程度であり、アモルファスシリコン薄膜11の厚さは0.06μm程度である。またガラス基板10のサイズは一辺が2m以上の大型サイズであり、例えば3m×3mである。
セッター本体1は厚さが2〜5mm程度の平板状のものであって、周囲は額縁状のシール枠3となっており、その内側部分はガラス基板10の収納部4となっている。収納部4は0.3〜0.7mm程度のガラス基板10を収納することができるサイズであるが、その深さは例えば1〜2mmとすればよい。このためセッター本体1は大型平板の周囲を残してその内側をごく浅く掘り込んだ形状である。シール枠3の上面は平坦面となっている。
セッター蓋体2もセッター本体1とほぼ同一サイズの平板状のものである。図2に示すように、セッター蓋体2はセッター本体1の周囲に形成されたシール枠3の上面と密着し、収納部4の内部空間をセッターの外部空間と遮断し、外部空間に浮遊しているゴミがガラス基板10に到達することを防止している。
これらのセッター本体1とセッター蓋体2はともにクリーン度を確保するうえで優れた石英製または結晶化ガラス製とすることが好ましく、コスト面及び製作容易性の観点から、この実施形態では結晶化ガラス製となっている。結晶化ガラスのうちでも熱膨張係数が非常に小さいか実質的にゼロであるベータ石英型、またはベータスポジューメン型のものが好ましく、日本電気ガラス株式会社からネオセラム(登録商標)の名称で市販されているものが好適である。
このような結晶化ガラスは耐熱性に優れるうえに耐熱衝撃性にも優れており、800℃までの温度域において使用しても変形したり割れるおそれがない。しかもガラス状態で自由な形状に加工できるので、大型サイズであっても安価に製作することができる。さらに透明なベータ石英型を選択すれば、ヒータからの輻射熱を透過させることができるので、特に好ましい。
なお、セッター蓋体2も大型で薄肉の平板であるから、中央部分が自重によって撓んでアモルファスシリコン薄膜11と接触するおそれがある。このため、図2に示すようにセッター蓋体2の裏面位置に、突掛7を形成しておくことが好ましい。図4に示すように突掛7の位置をTFT基板の割断線に対応させておけば、その部分は傷が付いても製品とならない部分であるため、支障はない。図4は16枚取り(1枚のTFT基板を16分割して製品パネルとする)場合を示している。なお突掛7は線状であっても、点状であってもよい。
このようにセッター本体1の収納部4にガラス基板10を収納し、セッター蓋体2を被せた状態で図3に示すように熱処理炉30の内部を走行させながら、熱処理を行なうことができる。ガラス基板10の周囲は外部空間から遮断されているため、熱処理炉30としては特別なクリーン度は要求されず、PDPパネル焼成用の炉をそのまま使用することができる。なお図3において31はローラ、32,33はヒータ、34は雰囲気ガス供給用配管、35は排気用配管である。
熱処理炉30を用いて400℃以上、好ましくは500〜750℃で熱処理を行なうことにより、ガラス基板10上に形成されたアモルファスシリコン薄膜11は微結晶化され、電子移動速度の大きい微結晶シリコンとなる。本発明の技術を用いれば大型のTFT基板であっても全体が均等に加熱されるので凹凸が生じることもなく、かつ設備コストもランニングコストも安価である。また、同様に熱処理を行なうことにより、ガラス基板10上に形成されたアモルファスシリコン薄膜11中に含まれる水素を飛ばして除去することもできる。後工程でレーザーアニールを行う場合には水素は突沸の原因となるので、予め除去しておくことが好ましい。
熱処理を終えたTFT基板はセッターとともに炉外に取り出され、先ずセッター蓋体2を開き、次にセッター本体1の収納部4からTFT基板が取り出される。この取出しを容易に行なえるようにするため、図2に示すようにセッター本体1のシール枠3にセッター蓋体突き上げ孔5を適当数形成しておく。これらのセッター蓋体突き上げ孔5から突き上げピンを挿入するか圧縮空気などの気体を吹き込むことにより、セッター本体1からセッター蓋体2を持ち上げることができる。
また図2に示すように、セッター本体1のガラス基板の収納部4には、複数のガラス基板突き上げ孔6を形成しておく。セッター蓋体2を取り外した後にこれらのガラス基板突き上げ孔6から突き上げピンを挿入するか圧縮空気などの気体を吹き込むことにより、熱処理を終えたTFT基板をセッター本体1から取り出すことができる。なお、ガラス基板突き上げ孔6は熱処理中はガラス基板10によって覆われているので、外部からゴミが進入するおそれはない。
以上に説明したように、本発明のセッターを用いればガラス基板の収納部4を外部空間から遮断した状態で熱処理を行なうことができるが、昇温工程ではガラス基板の収納部4に封入されたガスや空気が膨張してセッター蓋体2を押し上げる可能性がある。そこで図5に示すように、セッター蓋体2に収納部の内圧を逃がす通気部8を形成しておくことが好ましい。図5では、通気部8は多孔質材料により形成されており、具体的には例えば多孔質セラミックスを用いることができる。
また図6に示すように、通気部8を貫通孔とその上面に配置された多孔質開閉体9により形成することもできる。開閉体9は内圧を受けた場合にのみ持ち上げられて内圧を逃がし、その後は自重により閉じてゴミの進入を防止する。
上記した第1の実施形態では、セッター本体1の彫り込みによって額縁状のシール枠3を形成したのであるが、第2の実施形態では、図7に示すようにセッター本体1の周囲に薄板状のスペーサ40を配置し、アルミナピン41で固定することによって額縁状のシール枠3を形成している。この場合にはセッター本体1の座繰り加工を行う必要がなくなるので、製作コストが安価となる。
また上記した第1の実施形態では、セッター蓋体2の裏面位置に突掛7を形成してセッター蓋体2の垂れ下がりを防止したのであるが、TFT基板の割断線の幅が狭くなると次第に突掛7の配置が困難となる。そこで第2の実施形態では、図8、図9に示すようにセッター蓋体2の上面または下面に撓み防止用のビーム42を形成し、突掛7をなくした。ビーム42は例えばステンレス製とすることができ、固定ピン43によってセッター蓋体2に固定する。
図8のようにビーム42をセッター蓋体2の外側に設ければセッターの内部空間が狭くなることはない。逆に図9のようにビーム42をセッター蓋体2の内側に設ければ、内部空間は狭くなるがセッター蓋体2の上面はフラットのままであるので、清掃やハンドリングに適する。よってビーム42の配置は必要に応じて使い分けることが好ましい。ただしビーム42をセッター蓋体2の内側に設ける場合には、スペーサ40との干渉を避けるために端部まで設けることはできなくなる。
以上に説明したように、本発明によれば大型のTFT基板などを、凹凸を生じさせることなく、高度のクリーン度を維持した状態で、安価に熱処理することができる。本発明者がG4サイズのセッターを用いて本発明のセッター内にセットしたウエハへの付着パーティクル数を測定した結果を、表1に示す。測定は炉単体のクリーン度が10万クラスの焼成炉を用いて行い、5枚のウエハの平均値を求めた。この結果はクリーン度が100の炉を用いて蓋なしのセッターによる焼成を行なった場合と同等レベルであり、本発明の効果が確認された。
1 セッター本体
2 セッター蓋体
3 シール枠
4 収納部
5 セッター蓋体突き上げ孔
6 ガラス基板突き上げ孔
7 突掛
8 通気部
9 開閉体
10 ガラス基板(TFT基板)
11 アモルファスシリコン薄膜
30 熱処理炉
31 ローラ
32 ヒータ
33 ヒータ
34 雰囲気ガス供給用配管
35 排気用配管
40 スペーサ
41 アルミナピン
42 ビーム
2 セッター蓋体
3 シール枠
4 収納部
5 セッター蓋体突き上げ孔
6 ガラス基板突き上げ孔
7 突掛
8 通気部
9 開閉体
10 ガラス基板(TFT基板)
11 アモルファスシリコン薄膜
30 熱処理炉
31 ローラ
32 ヒータ
33 ヒータ
34 雰囲気ガス供給用配管
35 排気用配管
40 スペーサ
41 アルミナピン
42 ビーム
Claims (9)
- 平板状の本体の周囲を額縁状のシール枠とし、その内側部分を上面に機能膜が形成されたガラス基板の収納部としたセッター本体と、セッター本体の上面に載せられてシール枠と密着する平板状のセッター蓋体とからなることを特徴とする基板熱処理用セッター。
- セッター本体の額縁状のシール枠が、セッター本体の彫り込みまたはスペーサの配置により形成されたものであることを特徴とする請求項1記載の基板熱処理用セッター。
- セッター本体のシール枠には、セッター蓋体突き上げ孔を形成したことを特徴とする請求項1記載の基板熱処理用セッター。
- 基板が、ガラス基板上に機能膜としてアモルファスシリコン薄膜が形成されたTFT基板であることを特徴とする請求項1記載の基板熱処理用セッター。
- TFT基板の割断線に対応するセッター蓋体の裏面位置に、突掛を形成したことを特徴とする請求項4記載の基板熱処理用セッター。
- セッター蓋体に、TFT基板の収納部の内圧を逃がす通気部を形成したことを特徴とする請求項4記載の基板熱処理用セッター。
- セッター蓋体が、その上面または下面に撓み防止用のビームを備えたものであることを特徴とする請求項1記載の基板熱処理用セッター。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の基板熱処理用セッターの内部にTFT基板を封入し、熱処理炉の内部を移動させながら400℃以上に加熱してアモルファスシリコン薄膜を微結晶化させることを特徴とするTFT基板の熱処理方法。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の基板熱処理用セッターの内部にTFT基板を封入し、熱処理炉の内部を移動させながら400℃以上に加熱してアモルファスシリコン薄膜中の水素を除去することを特徴とするTFT基板の熱処理方法。
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