JP2010027919A - 発光素子及び発光素子の製造方法 - Google Patents
発光素子及び発光素子の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】発光素子1は、n側電極20と、n側電極20と同じ側に形成されn側電極20よりも面積が小さいp側電極10と、p側電極10上に形成されるp側バンプ30と、n側電極20上に形成されp側バンプ30よりも上端の高さが高いn側バンプ40と、を備える。
【選択図】図2
Description
図2に示すように、発光素子1は、(0001)面を有するサファイア基板50と、サファイア基板50の上に設けられるバッファ層60と、バッファ層60の上に設けられるn側コンタクト層61と、n側コンタクト層61の上に設けられるn側クラッド層62と、n側クラッド層62の上に設けられる発光部としての発光層63と、発光層63の上に設けられるp側クラッド層64と、p側クラッド層64の上に設けられるp側コンタクト層65とを備える。
図3から図5は、第1の実施の形態に係る発光素子の製造工程の一例を示す。図3(a)は、n側コンタクト層の表面を露出させるためのエッチングが施される前の縦断面図である。図3(b)は、n側コンタクト層の表面を露出させるためのエッチングが施された後の縦断面図である。また、図3(c)は、拡散電極にマスクが形成された状態の縦断面図である。さらに、図3(d)は、拡散電極をエッチングした後の縦断面図である。
また、前記実施形態においては、III族窒化物半導体層を備えた発光素子を示したが、他の半導体層を備えたものであってもよい。
図6に示すように、第2の実施形態の発光素子101は、n側電極20に凹部25を形成した点で第1の実施形態の発光素子1と構成を異にしている。凹部25は、平面視にて、角部に形成される2つのn側バンプ40にそれぞれ隣接して設けられる。本実施形態においては、各凹部25は、溝状に形成され、発光素子101の外縁側から中央側(図6中下方向)へ向かうよう形成されている。
図7に示すように、凹部25は、n側電極20の接合電極21におけるp側電極10側を凹ますことにより形成されている。これにより、発光素子101の実装基板への実装時に、n側バンプ40が溶融すると、凹部25に溶融したバンプが流入するようになっている。これにより、n側バンプ40が流出して、n側とp側とで短絡することを防止することができる。
10 p側電極
11 拡散電極
12 中間電極
13 接合電極
20 n側電極
21 オーミック電極
22 接合電極
25 凹部
30 p側バンプ
40 n側バンプ
50 サファイア基板
60 バッファ層
61 n側コンタクト層
62 n側クラッド層
63 発光層
64 p側クラッド層
65 p側コンタクト層
70 絶縁部
71 開口
72 開口
80 反射部
101 発光素子
200 マスク
201 マスク
Claims (5)
- 第1電極と、
前記第1電極と同じ側に形成され、前記第1電極よりも面積が小さい第2電極と、
前記第1電極上に形成される第1バンプと、
前記第2電極上に形成され、前記第1バンプよりも上端の高さが高い第2バンプと、を備える発光素子。 - 前記第2電極の上面に、溶融した前記第2バンプを受容可能な凹部を形成した請求項1に記載の発光素子。
- n型コンタクト層と、n型クラッド層と、発光層と、p型クラッド層と、p型コンタクト層と、を含むIII族窒化物半導体層を備え、
前記第1電極は、p型コンタクト層上に形成され、
前記第2電極は、n型コンタクト層上に形成される請求項1または2に記載の発光素子。 - 成長基板上にn型コンタクト層と、n型クラッド層と、発光層と、p型クラッド層と、p型コンタクト層と、を含むIII族窒化物半導体層を成長する成長工程と、
前記III族窒化物半導体層の前記p型コンタクト層、前記p型クラッド層、前記発光層及び前記n型クラッド層の一部を切除して前記n型コンタクト層を露出させる露出工程と、
前記p型コンタクト層上にp側電極を形成し、前記n型コンタクト層上に前記p側電極よりも面積が小さいn側電極を形成する電極形成工程と、
前記p側電極上にp側バンプを形成し、前記n側電極上に前記p側バンプよりも上端が高いn側バンプを形成するバンプ形成工程と、を含む発光素子の製造方法。 - 前記電極形成工程にて、前記n側電極の表面に、溶融した前記n側バンプを受容可能な凹部を形成する請求項4に記載の発光素子の製造方法。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011258673A (ja) * | 2010-06-07 | 2011-12-22 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JP2015043467A (ja) * | 2014-12-02 | 2015-03-05 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光素子 |
WO2016021919A1 (ko) * | 2014-08-05 | 2016-02-11 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 다이오드 및 그 제조 방법 |
WO2017030396A1 (ko) * | 2015-08-18 | 2017-02-23 | 엘지이노텍(주) | 발광 소자, 이 소자를 포함하는 발광 소자 패키지 및 이 패키지를 포함하는 발광 장치 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07106464A (ja) * | 1993-09-29 | 1995-04-21 | Toppan Printing Co Ltd | マルチチップモジュールおよびその製造方法ならびにプリント配線板への実装方法 |
JPH11204830A (ja) * | 1991-06-28 | 1999-07-30 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
JP2000133669A (ja) * | 1998-10-26 | 2000-05-12 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2007036015A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置およびその製造方法 |
JP2007251021A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
-
2008
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11204830A (ja) * | 1991-06-28 | 1999-07-30 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
JPH07106464A (ja) * | 1993-09-29 | 1995-04-21 | Toppan Printing Co Ltd | マルチチップモジュールおよびその製造方法ならびにプリント配線板への実装方法 |
JP2000133669A (ja) * | 1998-10-26 | 2000-05-12 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2007036015A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置およびその製造方法 |
JP2007251021A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011258673A (ja) * | 2010-06-07 | 2011-12-22 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
WO2016021919A1 (ko) * | 2014-08-05 | 2016-02-11 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 다이오드 및 그 제조 방법 |
US9923121B2 (en) | 2014-08-05 | 2018-03-20 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light-emitting diode and manufacturing method therefor |
US10290772B2 (en) | 2014-08-05 | 2019-05-14 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light-emitting diode and manufacturing method therefor |
JP2015043467A (ja) * | 2014-12-02 | 2015-03-05 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光素子 |
WO2017030396A1 (ko) * | 2015-08-18 | 2017-02-23 | 엘지이노텍(주) | 발광 소자, 이 소자를 포함하는 발광 소자 패키지 및 이 패키지를 포함하는 발광 장치 |
US10998478B2 (en) | 2015-08-18 | 2021-05-04 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting element package comprising light-emitting element, and light-emitting device comprising light-emitting element package |
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