JP2010027095A - 半導体記憶装置 - Google Patents
半導体記憶装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010027095A JP2010027095A JP2008183790A JP2008183790A JP2010027095A JP 2010027095 A JP2010027095 A JP 2010027095A JP 2008183790 A JP2008183790 A JP 2008183790A JP 2008183790 A JP2008183790 A JP 2008183790A JP 2010027095 A JP2010027095 A JP 2010027095A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- read
- test mode
- lock
- memory cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Read Only Memory (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
【課題】 テストモード時に利用する回路の面積増大を抑制することが可能な半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】 記憶内容の書き換え動作及び読み出し動作を含む処理動作の夫々について、メモリ素子に対する印加電圧条件を含む処理情報を設定する処理情報設定回路と、外部コマンド及び処理情報に基づいて処理動作を制御するライトステートマシンと、内部処理で利用する記憶回路を備えた1または複数の機能回路と、を備え、機能回路は、記憶回路の記憶領域の一部または全部に設定された外部利用可能領域が回路外部から利用可能に構成され、ライトステートマシンが、テストモードにおいて、機能回路の記憶回路の外部利用可能領域に、テストモード用の処理情報を記憶し、テストモードにおける処理動作の実行時に、機能回路の記憶回路に記憶されたテストモード用の処理情報に基づいて、書き換え動作及び読み出し動作の動作条件を制御する。
【選択図】 図5
【解決手段】 記憶内容の書き換え動作及び読み出し動作を含む処理動作の夫々について、メモリ素子に対する印加電圧条件を含む処理情報を設定する処理情報設定回路と、外部コマンド及び処理情報に基づいて処理動作を制御するライトステートマシンと、内部処理で利用する記憶回路を備えた1または複数の機能回路と、を備え、機能回路は、記憶回路の記憶領域の一部または全部に設定された外部利用可能領域が回路外部から利用可能に構成され、ライトステートマシンが、テストモードにおいて、機能回路の記憶回路の外部利用可能領域に、テストモード用の処理情報を記憶し、テストモードにおける処理動作の実行時に、機能回路の記憶回路に記憶されたテストモード用の処理情報に基づいて、書き換え動作及び読み出し動作の動作条件を制御する。
【選択図】 図5
Description
本発明は、半導体記憶装置、特に、テストモード時に動作条件を外部設定可能な半導体記憶装置に関する。
フラッシュメモリ等の半導体記憶装置には、読み出し動作、書き込み動作及び消去動作を含む処理動作の夫々において、フラッシュメモリを構成するメモリセル(メモリ素子)に印加する電圧の電圧条件等の動作条件を任意に設定できるものがある(例えば、特許文献1参照)。
以下、フラッシュメモリを構成するメモリセルの電圧特性について、図9を基に説明する。図9は、メモリセルの閾値電圧分布を示しており、横軸が閾値電圧を、縦軸がメモリセル数を示している。また、ここでは、メモリセルが、4値のデータ(2ビットデータ)を記憶可能な場合について示しており、閾値電圧の低い順に“11”、“10”、“01”、“00”が割り当てられている。
尚、Vevは、消去動作時において、メモリセルに対する消去動作が正常に終了したか否かを判定する消去動作用リファレンス電圧である。VreadL、VreadM、VreadHは、夫々、読み出し動作時におけるデータ値の判定に用いる読み出し動作用リファレンス電圧である。また、VpvL、VpvM、VpvHは、夫々、書き込み動作時において、メモリセルへの書き込み動作が正常に実行できたか否かを判定するベリファイ動作で用いるベリファイ用リファレンス電圧である。メモリセルの閾値電圧は、書き込み動作時及び消去動作時では、印加電圧と印加時間によって決まる。また、各処理動作の判定は、メモリセルの閾値電圧とリファレンス電圧を比較して行われる。
ここで、ベリファイ用リファレンス電圧VpvL、VpvM、VpvHは、夫々、読み出し動作用リファレンス電圧VreadL、VreadM、VreadHより高い閾値電圧に設定されており、ベリファイ用リファレンス電圧と読み出し動作用リファレンス電圧の差、即ち、VpvL−VreadL=VmLH、VpvM−VreadM=VmMH、VpvH−VreadH=VmHHが、夫々、読み出し動作時において、センス動作の不感帯やリードバッファ回路におけるデータ保持時のチャージロス等を考慮し、十分な読み出しマージンを持つように設計されている。同様に、読み出し動作用リファレンス電圧VreadL、VreadM、VreadHと“11”、“10”、“01”の夫々に対応する分布の閾値電圧の最大値との差、即ち、VmLL、VmML、VmHLは、読み出し動作時において、十分な読み出しマージンを持つように設計されている。
ところで、通常動作を行うユーザモード時において、読み出し動作におけるリファレンス電圧と書き込み動作におけるリファレンス電圧は、例えば、リファレンスセルを備えるリファレンス電圧生成回路によって生成される。上述したように、読み出し動作と書き込み動作では、用いるリファレンス電圧の値が夫々異なるが、リファレンスセルのゲート電圧を変更することによって、リファレンス電圧生成回路から出力されるリファレンス電圧の値を変更できることから、1つのリファレンス電圧生成回路で、読み出し動作と書き込み動作のリファレンス電圧を生成可能である。1つのリファレンス電圧生成回路で、読み出し動作と書き込み動作のリファレンス電圧を生成する場合には、半導体記憶装置の面積を削減できる。
また、メモリセルの物理的特性や信頼性、各データに対応する閾値電圧分布は、半導体記憶装置毎に異なり、更に、消費電力の観点から電源電圧を低くすることが望ましいため読み出しマージンを広くとることが困難になってきている。このため、半導体記憶装置の信頼性や製造歩留まりの観点から、半導体記憶装置毎に処理動作夫々の電圧条件を個別に設定することが望ましい。
このため、従来の半導体記憶装置には、製造時に実施されるテスト評価において、半導体記憶装置の夫々に個別に対応して、ユーザモード時の最適な処理条件を求めるように構成されているものがある。テスト評価時に、ユーザモード時の最適な処理条件を求めるためには、電圧条件や時間条件を適宜変更しながら様々な条件下で書き込み動作や消去動作、読み出し動作等を実施し、半導体記憶装置の動作確認を行う。このため、従来の半導体記憶装置では、テストモード時の条件設定を外部から任意に行えるようにするため、外部入力されたテストモード用の処理条件を記憶するテストモード用処理情報記憶レジスタを備えたものがある。
テストモード用処理情報記憶レジスタを備えた従来の半導体記憶装置には、例えば、ユーザモード時における書き込み動作及び消去動作の処理条件(処理情報)を設定する書き換え条件設定回路と、ユーザモード時における読み出し動作の処理条件を設定する読み出し条件設定回路と、テストモード時において、書き込み動作及び消去動作夫々の最適な電圧条件及び時間条件を求める際に使用する書き換え条件設定レジスタと、テストモード時において、読み出し動作の最適な電圧条件及び時間条件を求める際に使用する読み出し条件設定レジスタと、を備えたものがある(例えば、特許文献1参照)。
また従来の半導体記憶装置には、意図しない書き換え動作を防止して記憶内容を保護するため、データ書き換えを制限するロック機能を備えたものがある(例えば、特許文献2〜3、非特許文献1参照)。例えばデータが記憶される領域を複数の小領域に分割し、各小領域に対するデータの書き換えの可否を記憶するレジスタを用意することでロック機能を実現することができる。
また従来の半導体記憶装置には、外部からの複数の書き換え指示を複数記憶し、連続してそれらの書き換えを実行することで、書き換えの実質的な所要時間を短縮する機能を備えたものがある(例えば、特許文献4、非特許文献1参照)。例えば非特許文献1のフラッシュメモリは、複数セクタへの消去命令を予め指示する機能を備えるが、この機能は、各セクタへの消去の指示の有無を記憶するレジスタを用意することで実現できる。また例えば特許文献4で実現されるメモリでは、書き込むデータのバッファを複数用意することで、内部で書き込み動作を連続して実行することを可能にする。
また従来の半導体記憶装置には、意図しない書き換え動作を防止して記憶内容を保護するため、データ書き換えを制限するロック機能を備えたものがある(例えば、特許文献2〜3、非特許文献1参照)。例えばデータが記憶される領域を複数の小領域に分割し、各小領域に対するデータの書き換えの可否を記憶するレジスタを用意することでロック機能を実現することができる。
また従来の半導体記憶装置には、外部からの複数の書き換え指示を複数記憶し、連続してそれらの書き換えを実行することで、書き換えの実質的な所要時間を短縮する機能を備えたものがある(例えば、特許文献4、非特許文献1参照)。例えば非特許文献1のフラッシュメモリは、複数セクタへの消去命令を予め指示する機能を備えるが、この機能は、各セクタへの消去の指示の有無を記憶するレジスタを用意することで実現できる。また例えば特許文献4で実現されるメモリでは、書き込むデータのバッファを複数用意することで、内部で書き込み動作を連続して実行することを可能にする。
以下、ユーザモード時に利用する書き換え条件設定回路及び読み出し条件設定回路と、テストモード時に利用する書き換え条件設定レジスタ及び読み出し条件設定レジスタと、格納されたデータの書き換えを防止する保護機能(ロック機能)とを備えた半導体記憶装置1000について、図10を基に説明する。
図10に示す半導体記憶装置1000は、メモリ素子としてフラッシュメモリセルを複数備えてなるメモリセルアレイ1100と、読み出し対象のメモリセルの閾値電圧とリファレンスセルの電圧を比較するセンス動作を実行するセンス回路1130と、メモリセルアレイ1100に対する書き込み動作及び消去動作(書き換え動作)を制御する書き換え制御回路1110と、メモリセルアレイ1100に対する読み出し動作を制御する読み出し制御回路1120と、ユーザモードにおける書き込み動作及び消去動作(書き換え動作)を実行する際のメモリ素子への印加電圧の電圧条件や印加時間の時間条件を含む書き換え条件を設定する書き換え条件設定回路1210と、ユーザモードにおける読み出し動作を実行する際のメモリ素子への印加電圧の電圧条件や印加時間の時間条件を含む読み出し条件を設定する読み出し条件設定回路1230と、外部ユーザが発行するメモリセルアレイ1100に対する書き込み動作、消去動作及び読み出し動作を含む処理動作に係るコマンドを入出力バッファ1280を介して受け付け可能に構成されたUI(User Interface)回路1260と、コマンド及び処理情報に基づいて処理動作を制御するライトステートマシン1220と、ライトステートマシン1220または外部から制御され、半導体記憶装置1000内部の回路制御や処理情報の取得を行なうI/O回路1240を備えて構成されるフラッシュメモリである。
更に、図10に示す半導体記憶装置1000は、メモリセルアレイ1100の特定のセクタに書き込まれた情報が書き換えまたは消去されるのを防止する保護機能(ロック機能)のために、メモリセルアレイ1100に対する書き込み動作及び消去動作の実行可否を、メモリセルアレイ1100のセクタ単位で設定するためのロック情報レジスタを備えたロック回路1270を備えて構成されている。また、図10に示す半導体記憶装置1000は、メモリセルアレイ1100に対するセクタ単位での消去動作を複数のセクタに対して連続的に実行する連続消去動作機能を実現するために、各セクタが連続消去動作の対象として指示されたか否かを記憶するイレース情報レジスタを備えたイレースキュー回路1250を備えて構成されている。更に、図10に示す半導体記憶装置1000は、メモリセルアレイ1100からセンス回路1130を介して読み出されたデータを保持するラッチ回路を備えたリードバッファ回路1140を備えて構成されている。
より詳細には、メモリセルアレイ1100は、図9に示す2ビットのデータを記憶可能な4値メモリセルを、同時に32個読み出す構成を備えている。従って、一度の読み出し動作で32×2=64ビットのデータを読み出すことができ、単位ワードを16ビットとして、4ワードのページ読み出しが可能に構成されている。また、図10に示す半導体記憶装置1000のメモリセルアレイ1100は、64個のセクタで構成されている。
センス回路1130は、ここでは、上述したように、32個のセンスアンプを備えて構成されている。各センスアンプは、1つの4値メモリセルを読み出すため、時分割で3回のセンス動作を実行する。具体的には、ここでは、1回目のセンス動作でメモリセルの閾値電圧と図9に示すVreadLの大小を比較し、メモリセルの閾値電圧がVreadLより大きい場合にセンス動作結果が“1”となり、メモリセルの閾値電圧がVreadLより小さい場合にセンス動作結果が“0”となる。同様に、2回目のセンス動作でメモリセルの閾値電圧と図9に示すVreadMを比較し、3回目のセンス動作でメモリセルの閾値電圧と図9に示すVreadHを比較する。
リードバッファ回路1140は、ここでは、半導体記憶装置1000が4ワード=64ビットのページ読み出しが可能に構成されていることから、2ビット(1メモリセル分)のデータを記憶可能な単位バッファ回路を4ワード=64ビットのデータを保持可能な数備えて構成されている。ここで、図14(a)は、リードバッファ回路1140の内、2ビット分(1メモリセル分)の単位バッファ回路の概略部分構成例を、図14(b)は、図14(a)の単位バッファ回路の動作を、図15は、単位バッファ回路の接続構成を、夫々示している。
リードバッファ回路1140は、図14(a)に示すように、対応するセンスアンプから出力されたセンス動作結果SADATとSADATが何回目のセンス動作の結果であるかを示すRDATCTLを受け付け、図14(b)の表に従って2ビットの読み出しデータを生成する読み出しデータ生成回路1140と、ラッチ制御信号SALATの立ち上がりのタイミングで、読み出しデータ生成回路1140から出力された2ビットの読み出しデータを保持する上位ラッチ回路及び下位ラッチ回路と、読み出し選択信号READSELがHレベルのときに、上位ラッチ回路からの出力データを上位出力信号OUTDAT_Hとして、下位ラッチ回路からの出力データを下位出力信号OUTDAT_Lとして出力するバッファ回路を備えている。
I/O回路1240は、ここでは、テストモード時において、書き込み動作、消去動作、連続消去動作の夫々について、メモリセルへの印加電圧の電圧条件及び印加時間の時間条件を含む処理条件を設定する書き換え条件設定レジスタ1241と、読み出し動作の処理条件を設定する読み出し条件設定レジスタ1242と、半導体記憶装置1000内部の回路制御や処理情報の取得を行なうためのレジスタ等を備えて構成されており、外部入力されたテストモード用処理条件を書き換え条件設定レジスタ1241及び読み出し条件設定レジスタ1242に記憶する。I/O回路1240は、ライトステートマシン1220、ロック回路1270、イレースキュー回路1250と8ビット幅のバスで接続されている。
尚、書き換え条件設定レジスタ1241には、上述したように、4値メモリセルに対する書き込み動作のため、書き込み対象のメモリセルに対する書き込み動作用ゲート電圧、書き込み動作用ドレイン電圧、書き込み動作用パルス幅、書き込み動作用閾値電圧のマージン情報の4つの条件を、“10”“01”“00”の書き込み動作について記憶する。1つの条件につき8ビットの記憶容量を割り当てる場合、書き換え条件設定レジスタ1241は、4×3×8=96ビットの記憶容量が必要になる。ここで、8ビットの内訳は、7ビットが、電圧値や時間を記憶するために割り当てられ、1ビットが、テストモード用の処理条件を用いるかユーザモード用の処理条件を用いるかを示す処理条件設定用フラグに割り当てられている。
更に、書き換え条件設定レジスタ1241には、上述したように、4値メモリセルに対する消去動作のため、消去対象のセクタのメモリセルに対する消去動作用ゲート電圧、消去動作用チャネル電圧、消去動作用パルス幅、消去動作用閾値電圧のマージン情報を記憶する。1つの条件につき8ビットの記憶容量を割り当てる場合、書き換え条件設定レジスタ1241は、4×8=32ビットの記憶容量が必要になる。
また、読み出し条件設定レジスタ1242には、上述したように、メモリセルアレイ1100に対する読み出し動作時については、センス回路1130が3回のセンス動作を行うことから、各センス動作においてメモリセルのゲート端子に印加する電圧条件及び時間条件と、読み出し動作用リファレンスセルのゲート端子に印加する印加電圧の電圧条件の7つの条件を記憶する。1つの条件につき8ビットの記憶容量を割り当てる場合、読み出し条件設定レジスタ1242は、7×8=56ビットの記憶容量が必要になる。
従って、I/O回路1240は、書き換え条件設定レジスタ1241及び読み出し条件設定レジスタ1242の両方で、96+32+56=184ビットの記憶容量が必要となる。
ライトステートマシン1220は、外部ユーザからの指示に基づいて、ユーザモードかテストモードかを必要に応じて判断しながら、メモリセルアレイ1100に対する書き込み動作、消去動作、連続消去動作を含む処理動作を制御する。読み出し動作は、ライトステートマシン1220の制御によらずに処理される。
以下、図11に基づいて、ライトステートマシン1220におけるユーザモードとテストモードのモード切り替え動作、ライトステートマシン1220におけるロック機能による保護設定の確認動作の処理手順について順次説明する。
先ず、ライトステートマシン1220におけるモード切り替え動作の処理手順について説明する。ここで、図11(a)は、ライトステートマシン1220におけるユーザモードとテストモードのモード切り替え動作の処理手順を示しており、ユーザモードかテストモードであるかの判定と、判定されたモードに応じた印加電圧の電圧条件と印加時間の時間条件を含む処理条件の選択を行う。
ライトステートマシン1220は、図11(a)に示すように、外部ユーザによって発行されたコマンドに基づいて処理動作を実行する際、先ず、テスト信号TESTENを読み出し(ステップ#1001)、テスト信号TESTENがHレベルの場合(ステップ#1002で「YES」分岐)、テストモードであると判定し、Lレベルの場合(ステップ#1002で「NO」分岐)、ユーザモードであると判定する。
ライトステートマシン1220は、ステップ#1002においてテストモードであると判定した場合、I/O回路1240から、テストモード用の処理条件を用いるか、ユーザモード用の処理条件を用いるかを示す処理条件設定用フラグを読み出す(ステップ#1003)。ステップ#1003で読み出した処理条件設定用フラグが、ユーザモード用条件を用いることを示す場合(ステップ#1004で「NO」分岐)、及び、ステップ#1002でユーザモードであると判定された場合、ユーザモード用処理条件をI/O回路1240を介して書き換え条件設定回路1210または読み出し条件設定回路1230から取得する(ステップ#1005)。ステップ#1003で読み出した処理条件設定用フラグが、テストモード用条件を用いることを示す場合(ステップ#1004で「YES」分岐)、書き換え条件設定レジスタ1241及び読み出し条件設定レジスタ1242からテストモード用条件を取得する(ステップ#1006)。
続いて、ライトステートマシン1220におけるロック機能による保護設定の確認動作の処理手順を、書き込み動作、消去動作、連続消去動作の夫々について順次説明する。ここで、図11(b)は、書き込み動作または消去動作または連続消去動作を実行する場合に、ロック機能により保護されているか否かを確認するための処理手順を示している。
書き込み動作においてロック機能による保護設定の確認動作を行う場合の処理手順について説明する。
ライトステートマシン1220は、外部ユーザによって発行された書き込み動作を指示する書き込みコマンドを、UI回路1260が受け付けると、書き込みコマンドと共にUI回路1260が受け付けた書き込み対象のメモリセルを含むセクタの書き込みアドレス情報を取得し、書き込み対象のセクタがロック機能により保護されているか否かを示すロック情報を、I/O回路1240を介してロック回路1270から取得する。ライトステートマシン1220は、ロック情報から、書き込み対象のメモリセルが保護されていないと判定した場合は、図11(a)に示すモード切り替え動作で設定された処理条件と、書き込みコマンドと共にUI回路1260が受け付けた書き込みデータを用いて書き込み動作を実行する。保護されていると判定した場合は、書き込み動作が実行できない旨の信号を、I/O回路1240及びUI回路1260を介して入出力バッファ1280から送信する。
ライトステートマシン1220は、外部ユーザによって発行された書き込み動作を指示する書き込みコマンドを、UI回路1260が受け付けると、書き込みコマンドと共にUI回路1260が受け付けた書き込み対象のメモリセルを含むセクタの書き込みアドレス情報を取得し、書き込み対象のセクタがロック機能により保護されているか否かを示すロック情報を、I/O回路1240を介してロック回路1270から取得する。ライトステートマシン1220は、ロック情報から、書き込み対象のメモリセルが保護されていないと判定した場合は、図11(a)に示すモード切り替え動作で設定された処理条件と、書き込みコマンドと共にUI回路1260が受け付けた書き込みデータを用いて書き込み動作を実行する。保護されていると判定した場合は、書き込み動作が実行できない旨の信号を、I/O回路1240及びUI回路1260を介して入出力バッファ1280から送信する。
消去動作においてロック機能による保護設定の確認動作を行う場合の処理手順について説明する。
ライトステートマシン1220は、外部ユーザによって発行されたセクタ単位での消去動作を指示する消去コマンドを、UI回路1260が受け付けると、消去コマンドと共にUI回路1260が受け付けた消去対象のセクタの消去アドレス情報を取得し、消去対象のセクタがロック機能により保護されているか否かを示すロック情報を、I/O回路1240を介してロック回路1270から取得する。ライトステートマシン1220は、ロック情報から、消去対象のセクタが保護されていないと判定した場合は、図11(a)に示すモード切り替え動作で設定された処理条件を用いて消去対象のセクタに対する消去動作を実行する。保護されていると判定した場合は、消去動作が実行できない旨の信号を、I/O回路1240及びUI回路1260を介して入出力バッファ1280から送信する。
ライトステートマシン1220は、外部ユーザによって発行されたセクタ単位での消去動作を指示する消去コマンドを、UI回路1260が受け付けると、消去コマンドと共にUI回路1260が受け付けた消去対象のセクタの消去アドレス情報を取得し、消去対象のセクタがロック機能により保護されているか否かを示すロック情報を、I/O回路1240を介してロック回路1270から取得する。ライトステートマシン1220は、ロック情報から、消去対象のセクタが保護されていないと判定した場合は、図11(a)に示すモード切り替え動作で設定された処理条件を用いて消去対象のセクタに対する消去動作を実行する。保護されていると判定した場合は、消去動作が実行できない旨の信号を、I/O回路1240及びUI回路1260を介して入出力バッファ1280から送信する。
ロック回路1270は、メモリセルアレイ1100の64セクタの夫々について、書き換え動作の実行可否を示すロック情報を記憶するロック情報レジスタを備えている。ここでのロック情報は、書き換え動作の実行可否を示す保護設定フラグで構成されている。ロック回路1270は、ライトステートマシン1220からI/O回路1240を介してロック情報の読み出しが指示された場合に、処理対象のセクタのロック情報を読み出してI/O回路1240に対し出力し、それによってライトステートマシン1220はI/O回路1240を介してロック情報を取得することが出来る。また、ロック回路1270は、外部ユーザからのロック情報読み出し指示に応じて、UI回路1260からロック情報の読み出しが指示された場合に、UI回路1260からロック情報の読み出し対象のアドレス情報を受け付け、読み出し対象のロック情報を読み出し、UI回路1260に出力し、UI回路1260はロック情報を入出力バッファ1280を介して外部に出力する。また、ロック回路1270は、外部ユーザからのロック情報の書き換え指示に応じて、UI回路1260からロック情報の書き換えが指示された場合に、UI回路1260からロック情報の書き換え対象のレジスタのアドレス情報と新たなロック情報を受け付け、ロック情報を書き換える。
ここで、図12(a)は、ロック回路1270の概略構成例を示している。また、図12(b)は、データセレクタ回路1274の内、1ビット分について部分概略構成例を、図13(a)は、データセレクタ回路1274の真理値表を示している。図13(b)は、単位レジスタ回路LRの概略回路構成例を示している。
図12(a)に示すように、ロック回路1270は、単位レジスタ回路LRij(i=0〜7、j=0〜7)をマトリクス状に配列してなるレジスタアレイ1271(ロック情報レジスタ)と、セクタアドレス信号SECADD[5:3]に基づいてレジスタアレイ1271の単位レジスタ回路LRijを選択するデコーダ回路1272、読み出し動作時に、デコーダ回路1272によって選択された行の単位レジスタ回路LRijのデータを保持し、書き込み動作時に、書き込み対象のビットにLOCKWDAT信号に応じた値を保持する読み出し/書き込みバッファ回路1273、セクタアドレス信号SECADD[2:0]に基づいて出力するビットを選択するデータセレクタ回路1274を備えて構成されている。
レジスタアレイ1271は、ここでは、図13(b)に示す単位レジスタ回路LRを、8×8個備えて構成されている。データセレクタ回路1274は、図12(b)に示すように、SECADD[2:0]をデコードしたビットセレクト信号BITSELに応じてRDAT信号とLOCKWDAT信号の何れか一方をWDAT信号として出力するセレクタ回路MUX1と、ビットセレクト信号BITSELに応じてLOCKRDAT信号の出力可否を設定するバッファ回路BUFを備えて構成されている。
ロック回路1270は、UI回路1260からロック情報の読み出しが指示された場合、セクタアドレス信号SECADD[5:3]が示す選択行の8個の単位レジスタ回路LRのデータを読み出して、読み出し/書き込みバッファ回路1273で保持する。データセレクタ回路1274は、読み出し/書き込みバッファ回路1273から出力されるRDAT[7:0]の内、セクタアドレス信号SECADD[2:0]が示す選択列の単位レジスタ回路LRのデータを、ロック情報LOCKRDATとして出力する。より具体的には、図13(b)において、読み出し対象の単位レジスタ回路LRには、Hレベルの読み出し信号RENが入力され、RDBUFが活性化して、2つのインバータ回路INV1、INV2を備えて構成されるラッチ回路のデータが、読み出しデータRDATとして出力される。
ロック回路1270は、UI回路1260からロック情報の書き換えが指示された場合、セクタアドレス信号SECADD[5:3]が示す選択行、セクタアドレス信号SECADD[2:0]が示す選択列の単位レジスタ回路LRのデータを、書き込みデータLOCKWDATのデータに書き換える。より具体的には、図13(b)において、書き換え対象の単位レジスタ回路LRには、Hレベルの書き込み信号WENが入力され、WRBUFが活性化して書き込みデータWDATが、2つのインバータ回路INV1、INV2を備えて構成されるラッチ回路に保持される。
イレースキュー回路1250は、ここでは、ロック回路1270と同じ構成であり、単位レジスタ回路LRに各セクタへの消去の指示の有無が記憶されている。イレースキュー回路1250は、外部ユーザによって発行された連続消去コマンドに応じて、UI回路1260から消去対象のセクタの夫々について消去アドレス情報を受け付けて対応する単位レジスタ回路LRに消去の指示をセットし、ライトステートマシン回路1220は連続消去を実行するとき、イレースキュー回路1250からI/O回路1240を介して各セクタへの消去指示の有無の情報を読み出し、消去指示が有るセクタに対して消去動作を行なう。
しかしながら、上述した図10に示す従来の半導体記憶装置1000では、テストモード用処理条件を記憶するためだけに、通常の動作では使用しない184ビットの記憶容量を備えたレジスタと、当該レジスタを制御するための周辺回路を備える必要が生じ、半導体記憶装置1000のチップ面積の増大を抑えることが困難であるという問題があった。近年、半導体記憶装置の小型化が求められており、チップ面積の増大を抑制することが可能な半導体記憶装置が望まれている。
本発明は上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、簡素な構成で、テストモード時に利用するレジスタの面積を低減或いはレジスタを設ける必要を無くし、チップ面積を削減可能な半導体記憶装置を提供する点にある。
上記目的を達成するための本発明に係る半導体記憶装置は、メモリ素子を複数備えてなるメモリセルアレイと、外部ユーザが発行する前記メモリセルアレイに格納された記憶情報の書き換え動作及び読み出し動作の内、少なくとも1つを含む処理動作に係るコマンドを受け付け可能に構成されたユーザインターフェース回路と、前記書き換え動作及び前記読み出し動作の夫々について、動作条件の少なくとも一部を指定する処理情報を設定する処理情報設定回路と、前記コマンド及び前記処理情報に基づいて、前記処理動作を制御するライトステートマシンと、回路内部の処理で利用する記憶回路を備えた1または複数の機能回路と、を備えた半導体記憶装置であって、前記機能回路として、前記メモリセルアレイに対する前記書き換え動作の少なくとも一部の実行可否を記憶するロック情報レジスタを前記記憶回路として備えたロック回路と、前記メモリセルアレイに対して発行された前記書き換え動作の指示内容を複数記憶する書き換え情報レジスタを前記記憶回路として備えた書き換え指示キュー回路と、前記メモリセルアレイから読み出されたデータを保持するラッチ回路を前記記憶回路として備えたリードバッファ回路の内、少なくとも何れか1つを備えて構成され、
前記機能回路が、前記記憶回路の記憶領域の一部または全部に外部利用可能領域が設定され、当該外部利用可能領域は、回路外部から利用可能に構成され、
前記ライトステートマシンが、テストモードにおいて、前記機能回路の前記記憶回路の前記外部利用可能領域に、前記テストモード用の前記処理情報を記憶し、前記テストモードにおける前記処理動作の実行時に、前記機能回路の前記記憶回路に記憶された前記テストモード用の前記処理情報に基づいて、前記書き換え動作及び前記読み出し動作の動作条件の少なくとも一部を変更できることを特徴とすることを第1の特徴とする。
前記機能回路が、前記記憶回路の記憶領域の一部または全部に外部利用可能領域が設定され、当該外部利用可能領域は、回路外部から利用可能に構成され、
前記ライトステートマシンが、テストモードにおいて、前記機能回路の前記記憶回路の前記外部利用可能領域に、前記テストモード用の前記処理情報を記憶し、前記テストモードにおける前記処理動作の実行時に、前記機能回路の前記記憶回路に記憶された前記テストモード用の前記処理情報に基づいて、前記書き換え動作及び前記読み出し動作の動作条件の少なくとも一部を変更できることを特徴とすることを第1の特徴とする。
上記特徴の本発明に係る半導体記憶装置は、前記機能回路が、前記ロック回路を備えて構成され、前記ロック情報レジスタの各々が、前記メモリセルアレイの対応する領域に対する書き換え動作の実行可否を設定する保護機能を備え、前記ライトステートマシンが、前記テストモード時は前記ロック情報レジスタの内容に拘らず、前記書き換え動作を実行することを第2の特徴とする。
上記何れかの特徴の本発明に係る半導体記憶装置は、前記機能回路が、前記書き換え指示キュー回路を備えて構成され、前記ライトステートマシンが、前記テストモードにおいて、前記書き換え情報レジスタに前記テストモード用の前記処理情報を記憶する場合に、前記メモリセルアレイに対して連続的に実行する複数の前記書き込み動作および前記消去動作の一部の実行を禁止することを第3の特徴とする。
上記何れかの特徴の本発明に係る半導体記憶装置は、前記機能回路が、前記リードバッファ回路を備えて構成され、前記ライトステートマシンが、前記テストモードにおいて、前記ラッチ回路に前記テストモード用の前記処理情報を記憶する場合に、前記メモリセルアレイに対する前記読み出し動作の少なくとも一部の実行を禁止することを第4の特徴とする。
上記特徴の本発明に係る半導体記憶装置によれば、機能回路の記憶回路に外部利用可能領域を設け、当該外部利用可能領域に、メモリ素子(メモリセル)に印加する電圧条件を含む処理情報を記憶するように構成したので、図10に示す従来の半導体記憶装置のように、テストモード用の書き換え条件設定レジスタ及び読み出し条件設定レジスタを備える必要が無くなる、或いは、テストモード用の書き換え条件設定レジスタ及び読み出し条件設定レジスタの記憶容量を低減可能になる。従って、上記特徴の本発明に係る半導体記憶装置によれば、簡単な構成で、テストモード用の処理情報を記憶するレジスタに係る半導体記憶装置のチップ面積の増大をおさえることが可能になり、製造コストの増大をおさえることが可能になる。
以下、本発明に係る半導体記憶装置(以下、適宜「本発明装置」と略称する)の実施形態を図面に基づいて説明する。
〈第1実施形態〉
本発明装置の第1実施形態について、図1〜図8を基に説明する。ここで、図1は、本発明装置1の概略構成例を示している。
本発明装置の第1実施形態について、図1〜図8を基に説明する。ここで、図1は、本発明装置1の概略構成例を示している。
本発明装置1は、図1に示すように、メモリ素子(メモリセル)としてフラッシュメモリセルを複数備えてなるメモリセルアレイ100と、読み出し対象のメモリセルの閾値電圧とリファレンスセルの電圧を比較するセンス動作を実行するセンス回路130と、メモリセルアレイ100に対する書き込み動作及び消去動作(書き換え動作)を制御する書き換え制御回路110と、メモリセルアレイ100に対する読み出し動作を制御する読み出し制御回路120と、ユーザモードにおける書き込み動作及び消去動作(書き換え動作)を実行する際のメモリ素子への印加電圧の電圧条件や印加時間の時間条件を含む書き換え条件を設定する書き換え条件設定回路210と、ユーザモードにおける読み出し動作を実行する際のメモリ素子への印加電圧の電圧条件や印加時間の時間条件を含む読み出し条件を設定する読み出し条件設定回路230と、外部ユーザが発行するメモリセルアレイ100に対する書き込み動作、消去動作及び読み出し動作を含む処理動作に係るコマンドを入出力バッファ280を介して受け付け可能に構成されたUI回路260と、コマンド及び処理情報に基づいて処理動作を制御するライトステートマシン220と、ライトステートマシン220または外部から制御され、本発明装置1内部の回路制御や処理情報の取得を行なうI/O回路240を備えて構成されるフラッシュメモリである。
更に、本発明装置1は、図1に示すように、メモリセルアレイ100の特定のセクタに書き込まれた情報が書き換えられるのを防止する保護機能(ロック機能)を実現するために、メモリセルアレイ100に対する書き込み動作及び消去動作の実行可否を、メモリセルアレイ100のセクタ単位で設定するためのロック情報レジスタを備えたロック回路270を備えて構成されている。また、本発明装置1は、メモリセルアレイ100に対するセクタ単位での消去動作を複数のセクタに対して連続的に実行する連続消去動作機能を実現するために、各セクタが連続消去動作の対象として指示されたか否かを記憶するイレース情報レジスタを備えたイレースキュー回路250を備えて構成されている。更に、本発明装置1は、メモリセルアレイ100からセンス回路130を介して読み出されたデータを保持するラッチ回路を備えたリードバッファ回路140を備えて構成されている。
尚、本発明装置1を構成するメモリセルアレイ100、センス回路130、書き換え制御回路110、読み出し制御回路120、書き換え条件設定回路210、読み出し条件設定回路230、UI回路260、入出力バッファ280の構成は、従来技術における構成と同じである。
本発明装置1のロック回路270は、メモリセルアレイ100を構成するセクタの夫々について、書き換え動作の実行可否を示すロック情報を記憶するロック情報レジスタ(機能回路の記憶回路に相当)を備えており、メモリセルアレイ100の64セクタの夫々に対応するために、当該ロック情報レジスタは、64ビットの記憶容量を持っている。尚、ロック情報は、従来技術の場合と同様に、書き換え動作の実行可否を示す保護設定フラグで構成されている。
本発明装置1のロック情報レジスタは、記憶領域の全部に外部利用可能領域が設定されており、テストモード時に、回路外部から直接利用可能に構成されている。より具体的には、外部利用可能なI/O回路240に含まれる信号を介してテストモードにおける処理条件を記憶可能に構成されている。
ここで、図2(a)は、本発明装置1のロック回路270の概略構成例を示している。また、図2(b)は、データセレクタ回路274の内、1ビット分について部分概略構成例を、図2(c)は、データセレクタ回路274の真理値表を示している。
図2(a)に示すように、本発明装置1のロック回路270は、単位レジスタ回路LRij(i=0〜7、j=0〜7)をマトリクス状に配列してなるレジスタアレイ271(ロック情報レジスタに相当)と、セクタアドレス信号SECADD[5:3]に基づいてレジスタアレイ271の単位レジスタ回路LRijを選択するデコーダ回路272、デコーダ回路272によって選択された行の単位レジスタ回路LRijの読み出しデータとデータセレクタ回路274により生成された書き込みデータをバッファリングする読み出し/書き込みバッファ回路273、セクタアドレス信号SECADD[2:0]に基づいて回路外部に出力するビットを選択し、書き込みデータWDATを生成するデータセレクタ回路274を備えて構成されている。
本発明装置1のレジスタアレイ271は、従来技術のレジスタアレイ271の構成と同じであり、単位レジスタ回路LRを8×8個備えて構成されている。
本発明装置1のデータセレクタ回路274は、図2(b)に示すように、図12(b)に示す従来のデータセレクタ回路274のセレクタ回路MUX1及びバッファ回路BUFに加え、テスト信号TESTENに応じて、セレクタ回路MUX1からの出力信号と外部入力データ信号IOWDATの何れか一方を書き換えデータ信号WDATとして出力するセレクタ回路MUX2を備えて構成されている。
尚、本発明装置1では、ロック回路270とI/O回路240の間のデータ伝送は、8ビット単位で実行するように構成されている。このため、選択アドレス信号IOSEL[2:0]により、ロック情報レジスタの64ビットの内、何れの8ビットを選択するかを設定している。
続いて、本発明装置1のロック回路270のユーザモード及びテストモードの夫々における動作について簡単に説明する。
ユーザモードでの本発明装置1のロック回路270の動作について説明する。ユーザモードでは、テスト信号TESTENはLレベルである。この状態で、ライトステートマシン220からI/O回路240を介してロック情報の読み出しが指示されると、ロック回路270は、処理対象のセクタのロック情報を読み出してI/O回路240に対し出力し、それによってライトステートマシン1220はI/O回路1240を介してロック情報を取得することが出来る。また、ロック回路270は、外部ユーザからのロック情報読み出し指示に応じて、UI回路260からロック情報の読み出しが指示された場合に、UI回路260からロック情報の読み出し対象のアドレス情報を受け付け、読み出し対象のロック情報を読み出し、UI回路260に出力し、UI回路260はロック情報を入出力バッファ280を介して外部に出力する。また、ロック回路270は、外部ユーザからのロック情報の書き換え指示に応じて、UI回路260からロック情報の書き換えが指示されると、UI回路260からロック情報の書き換え対象のレジスタのアドレス情報と新たなロック情報を受け付け、ロック情報を書き換える。これにより、本実施形態のロック回路270におけるユーザモード時の動作は、従来のロック回路1270の動作と同じになる。
テストモードでの本発明装置1のロック回路270の動作について説明する。外部ユーザから予め定められた特定の操作が与えられることで本発明装置1はユーザモードからテストモードに移行する。テストモードでは、テスト信号TESTENはHレベルである。この状態で、後述するライトステートマシン220または外部により、ロック情報レジスタへの書き込みが指示されると、データセレクタ回路274のセレクタ回路MUX2は、外部入力データ信号IOWDATを書き換えデータ信号WDATとして出力する。このように構成することにより、本発明装置1のロック回路270は、外部入力データ信号IOWDATの値をレジスタアレイ271に記憶することが可能になる。また、ロック回路270が読み出し信号IORDAT[7:0]をI/O回路240へ出力することで、ライトステートマシン220はI/O回路240を介してレジスタアレイに記憶された記憶内容を読み出すことが可能である。
イレースキュー回路250は、本発明装置1のロック回路270と同じ構成であり、レジスタアレイ271各レジスタに対応するセクタへの消去指示の有無が記憶されており、ユーザモード時の動作は従来のイレースキュー回路250と同じである。
本発明装置1のイレースキュー回路250は、本発明装置1のロック回路270と同様に、テストモード時に、Hレベルのテスト信号TESTENが入力され、外部入力データ信号IOWDATにより、テストモード用の処理条件等をイレースキュー回路250のレジスタアレイ271に記憶することが可能になっている。また、ライトステートマシン回路が記憶された処理条件等を読み出すことが可能になっている。
本発明装置1のリードバッファ回路140は、本発明装置1が4ワードのページ読み出しが可能に構成されていることから、2ビット(1メモリセル分)のデータを記憶可能な単位バッファ回路を4ワード=64ビットのデータを保持可能な数備えて構成されている。ここで、図3は、リードバッファ回路140の内、2ビットの単位バッファ回路の概略部分構成例を、図4は、単位バッファ回路の接続構成を、夫々示している。
本発明装置1のリードバッファ回路140を構成する上位ラッチ回路142及び下位ラッチ回路143には、記憶領域の全部に外部利用可能領域が設定されており、テストモード時に、回路外部から直接利用可能に構成されている。より具体的には、外部ユーザから発行されたコマンドをUI回路260及びI/O回路240を介して受け付けたライトステートマシン220からの指示に基づいて、テストモードにおける処理条件を記憶可能に構成されている。
リードバッファ回路140は、図3に示すように、図14(a)に示す従来のリードバッファ回路140の読み出しデータ生成回路141に加え、テスト信号TESTENに応じて外部入力信号IOWDAT_Hと読み出しデータ生成回路141から出力された信号の何れか一方を出力するセレクタ回路MUXHと、テスト信号TESTENに応じて外部入力信号IOWDAT_Lと読み出しデータ生成回路141から出力された信号の何れか一方を出力するセレクタ回路MUXLと、外部書き込み信号IOWEITEと外部選択信号IOSELのANDを演算するAND回路と、テスト信号TESTENに応じてAND回路からの出力信号とラッチ制御信号SALATの何れか一方を出力するセレクタ回路MUXWと、セレクタ回路MUXWの出力信号の立ち上がりのタイミングでセレクタ回路MUXHの出力信号の値を保持する上位ラッチ回路142と、セレクタ回路MUXWの出力信号の立ち上がりのタイミングでセレクタ回路MUXLの出力信号の値を保持する下位ラッチ回路143と、を備えている。
続いて、本発明装置1のリードバッファ回路140のユーザモード及びテストモードにおける動作について簡単に説明する。
ユーザモードでの本発明装置1のリードバッファ回路140の動作について説明する。ユーザモードでは、テスト信号TESTENはLレベルである。このとき、セレクタ回路MUXHは読み出しデータ生成回路141からの出力信号を出力し、上位ラッチ回路142は、ラッチ制御信号SALATの立ち上がりのタイミングで読み出しデータ生成回路141からの出力信号の値を保持する。同様に、セレクタ回路MUXLは読み出しデータ生成回路141からの出力信号を出力し、上位ラッチ回路142は、ラッチ制御信号SALATの立ち上がりのタイミングで読み出しデータ生成回路141からの出力信号の値を保持する。これにより、本発明装置1のリードバッファ回路140におけるユーザモード時の動作は、図14及び図15に示す従来のリードバッファ回路140と同じになる。
テストモードでの本発明装置1のリードバッファ回路140の動作について説明する。外部ユーザから予め定められた特定の操作が与えられることで本発明装置1はユーザモードからテストモードに移行する。テストモードでは、テスト信号TESTENはHレベルである。このとき、セレクタ回路MUXHは、外部入力信号IOWDAT_Hを出力し、上位ラッチ回路142は、セレクタ回路MUXWの出力信号の立ち上がりのタイミングで、外部入力信号IOWDAT_Hの値を保持する。同様に、セレクタ回路MUXLは、外部入力信号IOWDAT_Lを出力し、下位ラッチ回路143は、セレクタ回路MUXWの出力信号の立ち上がりのタイミングで、外部入力信号IOWDAT_Lの値を保持する。セレクタ回路MUXWはIOWRITE信号とIOSEL信号の論理積を出力するが、テストモードにおいてリードバッファへの書き込みを実行するときIOSEL信号はHレベルに設定され、IOWRITE信号の立ち上がりで書き込みが実行される。このように構成することにより、本発明装置1のリードバッファ回路140は、テストモード時において、外部入力信号IOWDAT_H、IOWDAT_Lの値を上位ラッチ回路142及び下位ラッチ回路143に保持することが可能になる、即ち、外部からラッチ回路を利用可能になる。また、リードバッファ回路140が読み出し信号IORDAT_H、読み出し信号IORDAT_LをI/O回路240へ出力することで、ライトステートマシン220はI/O回路240を介してラッチ回路に記憶された記憶内容を読み出すことが可能である。
本発明装置1のI/O回路240は、ライトステートマシン220と、ロック回路270、イレースキュー回路250及びリードバッファ回路140等の機能回路、書き換え制御回路110、読み出し制御回路120及びセンス回路130等のメモリセルアレイ100の周辺回路を接続するように構成されている。尚、本発明装置1のI/O回路240は、図10に示す従来のI/O回路1240とは異なり、テストモード用の書き換え条件設定レジスタ及び読み出し条件設定レジスタを備えない構成となっている。
ライトステートマシン220は、I/O回路240を介して、ロック回路270、イレースキュー回路250及びリードバッファ回路140等の機能回路、書き換え制御回路110、読み出し制御回路120及びセンス回路130等のメモリセルアレイ100の周辺回路を制御可能に構成されている。本発明装置1のライトステートマシン220は、機能回路の記憶回路の外部利用可能領域に、テストモード用の処理情報を記憶し、テストモードにおける処理動作の実行時に、機能回路の記憶回路に記憶されたテストモード用の処理情報に基づいて、メモリ素子に印加する電圧等を制御するように構成されている。
本発明装置1のライトステートマシン220の動作について、図5を基に簡単に説明する。尚、ユーザモード時の動作は、従来のライトステートマシン220と同じである。
テストモードでの本発明装置1の動作について説明する。外部ユーザから予め定められた特定の操作が与えられることでユーザモードからテストモードに移行すると、ライトステートマシン220は、ロック回路270のロック情報レジスタ、イレースキュー回路250のイレース情報レジスタ、リードバッファ回路140のラッチ回路を、テストモード用の処理条件の記憶回路として用いるため、ロック回路270によるロック機能の停止、イレースキュー回路250を用いた連続消去動作の禁止、及び、リードバッファ回路140の利用禁止(読み出し動作の禁止)設定を行う。
ここで、図5は、ライトステートマシン220のロック機能に係る動作を示している。ライトステートマシン220は、図5に示すように、外部ユーザによって発行されたコマンドに基づいて処理動作を実行する際、先ず、テスト信号TESTENを読み出し(ステップ#101)、テスト信号TESTENがHレベルの場合(ステップ#102で「YES」分岐)、テストモードであると判定し、Lレベルの場合(ステップ#102で「NO」分岐)、ユーザモードであると判定する。
ライトステートマシン220は、ステップ#102でテストモードであると判定した場合、ロック情報を読み出して書き換えの可否を判定することをせず、書き換えを実行する。この動作により、レジスタアレイ271に処理条件が記憶されている場合に、処理条件を誤ってロック情報として扱うことを防止する。
ライトステートマシン220は、ステップ#102でユーザモードであると判定した場合、ロック機能を有効にし、書き込み対象または消去対象のセクタがロック機能により保護されているか否かを示すロック情報を、I/O回路240を介してロック回路270から取得する(ステップ#103、#104)。書き込み対象または消去対象のセクタがロック機能により保護されている場合は(ステップ#105で「YES」分岐)、書き込み動作または消去動作が実行できない旨の信号を、I/O回路240及びUI回路260を介して入出力バッファ280から出力する。
書き込み対象または消去対象のセクタがロック機能により保護されていない場合は(ステップ#105で「NO」分岐)、書き込み対象のセクタに対する書き込み動作、または、消去対象のセクタに対する消去動作を実行する。
ここで、図6は、ロック回路270のロック情報レジスタの割り当ての一例を、図7は、イレースキュー回路250のイレース情報レジスタの割り当ての一例を、図8は、リードバッファ回路140のラッチ回路の割り当ての一例を、夫々示している。
より具体的には、ロック回路270のロック情報レジスタの場合、図6に示すように、I/O回路240がアクセスするためのI/Oアドレスとして18が割り当てられている。テストモードでは、読み出し動作に対する電圧条件及び時間条件を記憶するように構成されている。即ち、センス回路130における各センス動作でのメモリセルへの印加電圧の電圧条件及び印加時間の時間条件、リファレンスセルの電圧条件が割り当てられている。尚、ロック情報レジスタに対する処理動作は8ビット単位で実行するように構成されており、8ビット単位でアドレスを割り当てることにより、I/Oアドレスの増加をおさえている。
イレースキュー回路250のイレース情報レジスタの場合、図7に示すように、I/O回路240がアクセスするためのI/Oアドレスとして19が割り当てられている。テストモードでは、書き込み動作に対する電圧条件及び時間条件の一部を記憶するように構成されている。ここでは、“10”、“01”に書き込む場合のメモリセルのゲート電圧、ドレイン電圧、パルス幅、ベリファイマージンを記憶するように設定されている。尚、イレース情報レジスタに対する処理動作は8ビット単位で実行するように構成されており、8ビット単位でアドレスを割り当てることにより、I/Oアドレスの増加をおさえている。
リードバッファ回路140のラッチ回路の場合、図8に示すように、I/O回路240がアクセスするためのI/Oアドレスとして20が割り当てられている。テストモードでは、書き込み動作に対する電圧条件及び時間条件の一部と、消去動作に対する電圧条件及び時間条件を記憶するように構成されている。ここでは、“00”に書き込む場合のメモリセルのゲート電圧、ドレイン電圧、パルス幅、ベリファイマージン、消去動作でのメモリセルのゲート電圧、チャネル電圧、パルス幅、ベリファイマージンを記憶するように設定されている。尚、リードバッファ回路140のラッチ回路に対する処理動作は8ビット単位で実行するように構成されており、8ビット単位でアドレスを割り当てることにより、I/Oアドレスの増加をおさえている。
〈別実施形態〉
〈1〉上記第1実施形態では、本発明装置1が、機能回路として、ロック回路270、イレースキュー回路250、及び、リードバッファ回路140の3つの回路を備える場合について説明したが、これに限るものではない。ロック回路270、イレースキュー回路250、及び、リードバッファ回路140の内、2つの回路を備える構成であっても良いし、1つの回路のみを備える構成であっても良い。また、例えば、暗号化回路等、他の機能回路を備える構成であっても良い。
〈1〉上記第1実施形態では、本発明装置1が、機能回路として、ロック回路270、イレースキュー回路250、及び、リードバッファ回路140の3つの回路を備える場合について説明したが、これに限るものではない。ロック回路270、イレースキュー回路250、及び、リードバッファ回路140の内、2つの回路を備える構成であっても良いし、1つの回路のみを備える構成であっても良い。また、例えば、暗号化回路等、他の機能回路を備える構成であっても良い。
〈2〉上記第1実施形態では、ロック回路270を構成するロック情報レジスタの記憶領域の全部、イレースキュー回路250を構成するイレース情報レジスタの記憶領域の全部、リードバッファ回路140を構成する上位ラッチ回路142及び下位ラッチ回路143の全部に、外部利用可能領域が設定されている場合について説明したが、これに限るものではない。外部利用可能領域は、夫々の記憶回路の記憶領域の一部のみに設定されていても良いし、外部利用可能領域が設定されない機能回路の記憶回路があっても良い。外部利用可能領域は、各機能回路の構成や記憶回路の記憶容量、テストモード時に必要とされる記憶領域の容量等に応じて適切に設定する。
1 本発明に係る半導体記憶装置
100 メモリセルアレイ
110 書き換え制御回路
120 読み出し制御回路
130 センス回路
140 リードバッファ回路
141 読み出しデータ生成回路
142 上位ラッチ回路
143 下位ラッチ回路
210 書き換え条件設定回路
220 ライトステートマシン
230 読み出し条件設定回路
240 I/O回路
250 イレースキュー回路
260 UI回路
270 ロック回路
271 レジスタアレイ
272 デコーダ回路
273 読み出し/書き込みバッファ回路
274 データセレクタ回路
280 入出力バッファ
1000 従来技術に係る半導体記憶装置
1100 メモリセルアレイ
1110 書き換え制御回路
1120 読み出し制御回路
1130 センス回路
1140 リードバッファ回路
1141 読み出しデータ生成回路
1142 上位ラッチ回路
1143 下位ラッチ回路
1210 書き換え条件設定回路
1220 ライトステートマシン
1230 読み出し条件設定回路
1240 I/O回路
1241 書き換え条件設定レジスタ
1242 読み出し条件設定レジスタ
1250 イレースキュー回路
1260 UI回路
1270 ロック回路
1271 レジスタアレイ
1272 デコーダ回路
1273 読み出し/書き込みバッファ回路
1274 データセレクタ回路
1280 入出力バッファ
LR レジスタ回路
100 メモリセルアレイ
110 書き換え制御回路
120 読み出し制御回路
130 センス回路
140 リードバッファ回路
141 読み出しデータ生成回路
142 上位ラッチ回路
143 下位ラッチ回路
210 書き換え条件設定回路
220 ライトステートマシン
230 読み出し条件設定回路
240 I/O回路
250 イレースキュー回路
260 UI回路
270 ロック回路
271 レジスタアレイ
272 デコーダ回路
273 読み出し/書き込みバッファ回路
274 データセレクタ回路
280 入出力バッファ
1000 従来技術に係る半導体記憶装置
1100 メモリセルアレイ
1110 書き換え制御回路
1120 読み出し制御回路
1130 センス回路
1140 リードバッファ回路
1141 読み出しデータ生成回路
1142 上位ラッチ回路
1143 下位ラッチ回路
1210 書き換え条件設定回路
1220 ライトステートマシン
1230 読み出し条件設定回路
1240 I/O回路
1241 書き換え条件設定レジスタ
1242 読み出し条件設定レジスタ
1250 イレースキュー回路
1260 UI回路
1270 ロック回路
1271 レジスタアレイ
1272 デコーダ回路
1273 読み出し/書き込みバッファ回路
1274 データセレクタ回路
1280 入出力バッファ
LR レジスタ回路
Claims (4)
- メモリ素子を複数備えてなるメモリセルアレイと、
外部ユーザが発行する前記メモリセルアレイに格納された記憶情報の書き換え動作及び読み出し動作の内、少なくとも1つを含む処理動作に係るコマンドを受け付け可能に構成されたユーザインターフェース回路と、
前記書き換え動作及び前記読み出し動作の夫々について、動作条件の少なくとも一部を指定する処理情報を設定する処理情報設定回路と、
前記コマンド及び前記処理情報に基づいて、前記処理動作を制御するライトステートマシンと、
回路内部の処理で利用する記憶回路を備えた1または複数の機能回路と、を備えた半導体記憶装置であって、
前記機能回路として、前記メモリセルアレイに対する前記書き換え動作の少なくとも一部の実行可否を記憶するロック情報レジスタを前記記憶回路として備えたロック回路と、前記メモリセルアレイに対して発行された前記書き換え動作の指示内容を複数記憶する書き換え情報レジスタを前記記憶回路として備えた書き換え指示キュー回路と、前記メモリセルアレイから読み出されたデータを保持するラッチ回路を前記記憶回路として備えたリードバッファ回路の内、少なくとも何れか1つを備えて構成され、
前記機能回路が、前記記憶回路の記憶領域の一部または全部に外部利用可能領域が設定され、当該外部利用可能領域は、回路外部から利用可能に構成され、
前記ライトステートマシンが、テストモードにおいて、前記機能回路の前記記憶回路の前記外部利用可能領域に、前記テストモード用の前記処理情報を記憶し、前記テストモードにおける前記処理動作の実行時に、前記機能回路の前記記憶回路に記憶された前記テストモード用の前記処理情報に基づいて、前記書き換え動作及び前記読み出し動作の動作条件の少なくとも一部を変更できることを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記機能回路が、前記ロック回路を備えて構成され、
前記ロック情報レジスタの各々が、前記メモリセルアレイの少なくとも一部に対する書き換え動作の実行可否を設定する保護機能を備え、
前記ライトステートマシンが、前記テストモード時は前記ロック情報レジスタの内容に拘らず、前記書き換え動作を実行することを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 前記機能回路が、前記書き換え指示キュー回路を備えて構成され、
前記ライトステートマシンが、前記テストモードにおいて、前記書き換え情報レジスタに前記テストモード用の前記処理情報を記憶する場合に、前記メモリセルアレイに対して連続的に実行する複数の前記書き込み動作および前記消去動作の少なくとも一部の実行を禁止することを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の半導体記憶装置。 - 前記機能回路が、前記リードバッファ回路を備えて構成され、
前記ライトステートマシンが、前記テストモードにおいて、前記ラッチ回路に前記テストモード用の前記処理情報を記憶する場合に、前記メモリセルアレイに対する前記読み出し動作の少なくとも一部の実行を禁止することを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の半導体記憶装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008183790A JP2010027095A (ja) | 2008-07-15 | 2008-07-15 | 半導体記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008183790A JP2010027095A (ja) | 2008-07-15 | 2008-07-15 | 半導体記憶装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010027095A true JP2010027095A (ja) | 2010-02-04 |
Family
ID=41732793
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008183790A Withdrawn JP2010027095A (ja) | 2008-07-15 | 2008-07-15 | 半導体記憶装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010027095A (ja) |
-
2008
- 2008-07-15 JP JP2008183790A patent/JP2010027095A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100885783B1 (ko) | 플래시 메모리 장치 및 동작 방법 | |
JP4806814B2 (ja) | 不揮発性メモリデバイスにおけるマルチレベルプログラミング | |
JP4270994B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JP2008502090A (ja) | ユーザにより密度/動作性能を設定可能なメモリデバイス | |
JP2005108273A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JP2007179701A (ja) | 多値データを記憶する不揮発性半導体記憶装置 | |
JP2006107719A (ja) | 不揮発性メモリ装置及びそれのプログラム方法 | |
KR100967001B1 (ko) | 불휘발성 메모리 소자의 프로그램 방법 | |
JP5204069B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JP2006164408A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置及びそのデータ消去方法。 | |
JP2009158082A (ja) | メモリへのデータ書き込み方法及びデータ読み取り方法 | |
EP3057100B1 (en) | Memory device and operating method of same | |
US8275934B2 (en) | Nonvolatile memory device and cache read method using the same | |
JP2008293567A (ja) | 不揮発性記憶装置、不揮発性記憶システムおよび不揮発性記憶装置の制御方法 | |
KR100953062B1 (ko) | 불휘발성 메모리 소자의 어드레스 입력 방법 및 동작 방법 | |
KR20090068668A (ko) | 불휘발성 메모리 장치의 플래그 상태 결정 방법. | |
JP2014096122A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置を用いた記憶媒体のファイルの記録方法 | |
KR20100022229A (ko) | 불휘발성 메모리 소자 및 그 동작 방법 | |
KR101598379B1 (ko) | 불휘발성 반도체 기억장치 | |
US8045374B2 (en) | Erase verification method of flash memory by selectively assigning deselected sectors | |
JP2010027095A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2017059281A (ja) | 半導体記憶装置および半導体記憶装置におけるデータ消去方法 | |
US9003105B2 (en) | Semiconductor memory device and method for writing therein | |
CN112988048B (zh) | 存储器控制器及操作存储器控制器的方法 | |
JP2005339438A (ja) | メモリンコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20111004 |