JP2010025756A - 温度計測装置及び温度分布計測システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】Si、SiC、GaN、GaAs、InPなどの半導体基板33の温度を計測する温度計測装置100において、広帯域光源31と、広帯域光源31から出射した光を半導体基板33に集光する集光光学系32と、半導体基板33からの散乱光を受光し、集光する受光光学系34と、受光光学系34により集光した光を分光し、光スペクトルを測定する分光計35と、分光計35で測定された光スペクトルに基づいて半導体基板33の温度を演算計測する温度演算手段36とを含んで構成する。温度演算手段36は、分光計35で測定された光スペクトルを波長で微分することによって、波長と散乱光の強度変化率に基づく吸収波長を演算し、この吸収波長に基づいて半導体基板33の温度を演算計測するようにする。
【選択図】図1
Description
図10は、バンドギャップ検出法による装置構成図である。図10に示すように、この装置は、広帯域光源51と、広帯域光源から出射した光を集光する集光光学系52と、半導体基板53からの散乱光を受光し、集光する受光光学系54と、集光した光を分光し、光スペクトルを測定する分光計55と、分光計により得られたスペクトルから吸収波長を演算する温度演算手段56とで構成される。
図1に示すように、第1の実施例の温度計測装置100は、広帯域光源31と、広帯域光源31から出射した光を半導体基板33に集光する集光光学系32と、半導体基板33からの散乱光を受光し、集光する受光光学系34とを備える。さらに、温度計測装置100は、受光光学系34により集光した光を分光し、光スペクトルを測定する分光計35と、分光計35で測定された光スペクトルに基づいて半導体基板33の温度を演算計測する温度演算手段36とを備える。半導体基板33は、Si、SiC、GaN、GaAs、InPなどの半導体材料から構成されてある。
広帯域光源31から出射した光は、集光光学系32によって集光され、半導体基板33に照射される。半導体基板33のバンドギャップにより吸収を受けた散乱光は、受光光学系34により受光され、集光されて分光計35に導かれる。分光計35は集光した光を分光し、散乱光の光スペクトルを取得する。
第2の実施例の温度計測装置200は、図3に示すように、第1の実施例の構成(温度計測装置100)において差分演算手段38をさらに備えるように構成したものである。以下の説明では、第1の実施例の温度計測装置100と同一の構成要素については同一符号を付して詳細な説明を省略するものとする。
次に、本発明に係る温度分布計測システムの実施の形態について説明する。
図4に示すように、温度分布計測システム300は、第1の実施例の構成(温度計測装置100)において放射温度計37をさらに備えるように構成したものであり、半導体基板33に対して温度計測装置100と放射温度計37とを設置する。以下の説明では、第1の実施例の温度計測装置100と同一の構成要素については同一符号を付して詳細な説明を省略するものとする。
10 半導体基板
12 内径
13 凹部状キャビティ
14 熱電対配線
15 熱電対接合部
16 キャビティ開口
17 絶縁被覆
18 接着剤
31,51 広帯域光源
32,52 集光光学系
33,53 半導体基板
34,54 受光光学系
35,55 分光計
36,56 温度演算手段
37 放射温度計
38 差分演算手段
100,200 温度計測装置
300 温度分布計測システム
Claims (3)
- Si、SiC、GaN、GaAs、InPなどの半導体基板の温度を計測する温度計測装置において、
広帯域光源と、
広帯域光源から出射した光を半導体基板に集光する集光光学系と、
半導体基板からの散乱光を受光し、集光する受光光学系と、
受光光学系により集光した光を分光し、光スペクトルを測定する分光計と、
分光計で測定された光スペクトルに基づいて半導体基板の温度を演算計測する温度演算手段とを含んで構成され、
温度演算手段は、分光計で測定された光スペクトルを波長で微分することによって、波長と散乱光の強度変化率に基づく吸収波長を演算し、この吸収波長に基づいて半導体基板の温度を演算計測することを特徴とする温度計測装置。 - 予め計測した発光スペクトルと、実測した発光スペクトルとの差分を演算し、この差分の発光スペクトルに基づいて半導体基板の温度を演算計測する差分演算手段をさらに備えたことを特徴とする請求項1に記載の温度計測装置。
- 請求項1又は2に記載の温度計測装置と、半導体基板の温度分布を計測可能な放射温度計とを用いて半導体基板の温度分布を計測する温度分布計測システムであって、
前記放射温度計は、前記温度計測装置による温度計測箇所を含む半導体基板の温度を計測可能に設置され、
前記放射温度計は、受光する赤外線の強度と前記温度計測装置による計測温度とに基づいて温度分布を計測することを特徴とする温度分布計測システム。
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JP2008187563A JP2010025756A (ja) | 2008-07-18 | 2008-07-18 | 温度計測装置及び温度分布計測システム |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US9773936B2 (en) | 2013-06-04 | 2017-09-26 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
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2008
- 2008-07-18 JP JP2008187563A patent/JP2010025756A/ja active Pending
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