JP2010021546A - 発光素子及びその製造方法 - Google Patents
発光素子及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010021546A JP2010021546A JP2009159139A JP2009159139A JP2010021546A JP 2010021546 A JP2010021546 A JP 2010021546A JP 2009159139 A JP2009159139 A JP 2009159139A JP 2009159139 A JP2009159139 A JP 2009159139A JP 2010021546 A JP2010021546 A JP 2010021546A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- light emitting
- layer
- insulating structure
- type semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 62
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 335
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims abstract description 133
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 115
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 115
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 113
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 80
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 68
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 31
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 28
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 12
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910004158 TaO Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract description 18
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 385
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 GaN Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/387—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】第1の導電型半導体層、活性層、及び第2の導電型半導体層を有する化合物半導体層と、前記第2の導電型半導体層の一部領域に形成された金属反射層と、少なくとも前記第2の導電型半導体層の境界領域に形成された絶縁構造体と、前記金属反射層及び前記絶縁構造体が形成された前記第2の導電型半導体層を覆うように形成された金属材料構造体と、前記金属材料構造体にボンディングされた基板と、を備え、前記第2の導電型半導体層の境界領域は、前記第2の導電型半導体層の外周に沿って、前記第2の導電型半導体層の外部領域を含むことを特徴とする発光素子が提供される。
【選択図】図2
Description
Claims (48)
- 第1の導電型半導体層、活性層、及び第2の導電型半導体層を有する化合物半導体層と、
前記第2の導電型半導体層の一部領域に形成された金属反射層と、
少なくとも前記第2の導電型半導体層の境界領域に形成された絶縁構造体と、
前記金属反射層及び前記絶縁構造体が形成された前記第2の導電型半導体層を覆って形成された金属材料構造体と、
前記金属材料構造体にボンディングされた基板と、を備え、
前記第2の導電型半導体層の境界領域は、前記第2の導電型半導体層の外周に沿って、前記第2の導電型半導体層の外部領域を含むことを特徴とする発光素子。 - 前記基板は、導電性基板であることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 前記基板は、サファイア基板であることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 前記絶縁構造体は、SiO2、SiN、MgO、TaO、TiO2、ポリマーの少なくともいずれか一つを有することを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 前記絶縁構造体は、前記金属材料構造体の一部を露出させるように形成され、
前記発光素子は、
前記第1の導電型半導体層上に形成された第1の電極と、
前記絶縁構造体から露出される前記金属材料構造体上に形成された第2の電極と、をさらに有することを特徴とする請求項1に記載の発光素子。 - 前記第2の電極に接触する前記金属材料構造体は、前記絶縁構造体の上面まで充填されていることを特徴とする請求項5に記載の発光素子。
- 前記金属材料構造体に接触する前記第2の電極は、前記絶縁構造体の下面まで充填されていることを特徴とする請求項5に記載の発光素子。
- 前記絶縁構造体は、前記第2の導電型半導体層の下面の少なくとも一部に延長されて形成されたことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 前記絶縁構造体は、前記金属反射層の少なくとも一部を覆うように延長されて形成されたことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 犠牲層上に第1の導電型半導体層、活性層、及び第2の導電型半導体層を形成し、前記第2の導電型半導体層の一部領域上に金属反射層を形成し、
少なくとも前記第2の導電型半導体層の境界領域に絶縁構造体を形成し、
前記金属反射層及び前記絶縁構造体が形成された前記第2の導電型半導体層の上部に金属材料構造体を形成し、
前記金属材料構造体上にボンディング基板を形成し、前記犠牲層を除去して前記第1の導電型半導体層を露出させ、
前記絶縁構造体が露出するまで、前記第1の導電型半導体層、前記活性層、前記第2の導電型半導体層をエッチングすること、を含み、
前記第2の導電型半導体層の境界領域は、前記第2の導電型半導体層の外周に沿って、前記第2の導電型半導体層の外部領域を含むことを特徴とする発光素子の製造方法。 - 前記基板は、導電性基板であることを特徴とする請求項10に記載の発光素子の製造方法。
- 前記基板は、サファイア基板であることを特徴とする請求項10に記載の発光素子の製造方法。
- 前記絶縁構造体は、SiO2、SiN、MgO、TaO、TiO2、ポリマーの少なくともいずれか一つを有することを特徴とする請求項10に記載の発光素子の製造方法。
- 前記絶縁構造体は、前記金属材料構造体の一部を露出させるように形成され、
前記発光素子の製造方法は、
前記第1の導電型半導体層上に第1の電極を形成し、
前記絶縁構造体から露出される前記金属材料構造体上に第2の電極を形成すること、をさらに含むことを特徴とする請求項10に記載の発光素子の製造方法。 - 前記第2の電極に接触する前記金属材料構造体は、前記絶縁構造体の上面まで充填されていることを特徴とする請求項14に記載の発光素子の製造方法。
- 前記絶縁構造体は、前記第2の導電型半導体層の下面の少なくとも一部に延長されて形成されたことを特徴とする請求項10に記載の発光素子の製造方法。
- 前記絶縁構造体は、前記金属反射層の少なくとも一部を覆うように延長されて形成されたことを特徴とする請求項10に記載の発光素子の製造方法。
- 第1の導電型半導体層、活性層、及び第2の導電型半導体層を有する化合物半導体層と、
前記第2の導電型半導体層の一部領域に形成された金属反射層と、
少なくとも前記活性層及び前記第2の導電型半導体層の側面を覆うように形成された絶縁構造体と、
前記金属反射層が形成された前記第2の導電型半導体層及び前記絶縁構造体を覆うように形成された金属材料構造体と、
前記金属材料構造体にボンディングされた基板と、を備え、
前記絶縁構造体は、前記金属材料構造体の一部を露出させるように形成されたことを特徴とする発光素子。 - 前記第1の導電型半導体層上に形成された第1の電極と、
前記絶縁構造体から露出される前記金属材料構造体上に形成された第2の電極と、をさらに有することを特徴とする請求項18に記載の発光素子。 - 前記第2の電極に接触する前記金属材料構造体は、前記絶縁構造体の上面まで充填されていることを特徴とする請求項19に記載の発光素子。
- 前記金属材料構造体に接触する前記第2の電極は、前記絶縁構造体の下面まで充填されていることを特徴とする請求項19に記載の発光素子。
- 前記絶縁構造体は、前記第1の導電型半導体層の側面の少なくとも一部を覆うように形成されたことを特徴とする請求項18に記載の発光素子。
- 前記絶縁構造体は、SiO2、SiN、MgO、TaO、TiO2、ポリマーの少なくともいずれか一つを有することを特徴とする請求項18に記載の発光素子。
- 前記絶縁構造体は、前記第2の導電型半導体層の下面の少なくとも一部に延長されて形成されたことを特徴とする請求項18に記載の発光素子。
- 前記絶縁構造体は、前記金属反射層の少なくとも一部を覆うように延長されて形成されたことを特徴とする請求項18に記載の発光素子。
- 犠牲基板上に第1の導電型半導体層、活性層、及び第2の導電型半導体層を有する化合物半導体層を形成し、前記犠牲基板または前記第1の導電型半導体層を露出させるメサエッチング工程を行い、
前記第2の導電型半導体層の上部の一部領域に金属反射層を形成し、
前記メサエッチング工程により露出した前記第1の導電型半導体層または前記犠牲基板上に、少なくとも前記活性層及び前記第2の導電型半導体層の側面を取り囲む絶縁構造体を形成し、
前記金属反射層が形成された前記第2の導電型半導体層の上部と前記絶縁構造体の上部に、金属材料構造体及びボンディング基板を形成し、前記犠牲基板を除去して前記第1の導電型半導体層を露出させ、
少なくとも前記活性層及び前記第2の導電型半導体層の側面が、前記絶縁構造体により覆われている状態で、前記化合物半導体層を個別素子に分離するためのエッチング工程を行うこと、を含み、
前記絶縁構造体は、前記金属材料構造体の一部を露出させるように形成されたことを特徴とする発光素子の製造方法。 - 前記第1の導電型半導体層上に第1の電極を形成し、
前記絶縁構造体から露出された前記金属材料構造体上に第2の電極を形成すること、をさらに含むことを特徴とする請求項26に記載の発光素子の製造方法。 - 前記第2の電極に接触する前記金属材料構造体は、前記絶縁構造体の上面まで充填されていることを特徴とする請求項27に記載の発光素子の製造方法。
- 前記金属材料構造体に接触する前記第2の電極は、前記絶縁構造体の下面まで充填されていることを特徴とする請求項27に記載の発光素子の製造方法。
- 前記絶縁構造体は、前記第1の導電型半導体層の側面の少なくとも一部を覆うように形成されたことを特徴とする請求項26に記載の発光素子の製造方法。
- 前記絶縁構造体は、SiO2、SiN、MgO、TaO、TiO2、ポリマーの少なくともいずれか一つを有することを特徴とする請求項26に記載の発光素子の製造方法。
- 前記絶縁構造体は、前記第2の導電型半導体層の下面の少なくとも一部に延長されて形成されたことを特徴とする請求項26に記載の発光素子の製造方法。
- 前記絶縁構造体は、前記金属反射層の少なくとも一部を覆うように延長されて形成されたことを特徴とする請求項26に記載の発光素子の製造方法。
- 基板と、
前記基板の一領域の上部に配置され、第1導電型の上部半導体層、活性層、及び第2導電型の下部半導体層を有する化合物半導体の発光構造体と、
前記基板のまた他の領域の上部に配置され、前記発光構造体から離隔した第1の導電型半導体の分離層と、
前記発光構造体及び前記分離層と前記基板との間に配置され、前記下部半導体層と前記分離層を電気的に接続する金属材料構造体と、
前記上部半導体層及び前記活性層から前記金属材料構造体を絶縁させるように、前記発光構造体の側面を覆う絶縁構造体と、を備えることを特徴とする発光素子。 - 前記発光構造体上に形成された第1の電極パッドと、前記分離層上に形成された第2の電極パッドと、をさらに有することを特徴とする請求項34に記載の発光素子。
- 前記下部半導体層の下面と前記金属材料構造体との間に介在された反射金属層をさらに有し、
前記金属材料構造体は、前記反射金属層を覆う保護金属層を有することを特徴とする請求項34に記載の発光素子。 - 前記金属材料構造体と前記基板とをボンディングするボンディングメタルを有することを特徴とする請求項34に記載の発光素子。
- 前記金属材料構造体は、前記絶縁構造体を貫通し、前記分離層に接続されることを特徴とする請求項34に記載の発光素子。
- 前記分離層は、前記上部半導体層と同一レベルに配置されたことを特徴とする請求項34に記載の発光素子。
- 前記分離層は、前記上部半導体層の少なくとも一部をなす材料と同一の材料により形成されたことを特徴とする請求項34に記載の発光素子。
- 前記分離層は、前記発光構造体を取り囲むように形成されたことを特徴とする請求項34に記載の発光素子。
- 前記絶縁構造体は、前記下部半導体層の下面に延長され、前記下部半導体層と前記金属材料構造体との間に介在されたことを特徴とする請求項34に記載の発光素子。
- 犠牲基板上に第1の導電型半導体層、第2の導電型半導体層、及び前記第1及び第2の導電型半導体層間に介在された活性層を有する化合物半導体層を形成し、前記第1の導電型半導体層が前記犠牲基板の近くに配置され、
前記化合物半導体層をパターニングしてメサを形成し、前記メサの周囲に前記第1の導電型半導体層を露出させ、
前記メサの周囲に露出した前記第1の導電型半導体層及び前記活性層を覆う絶縁構造体を形成し、前記メサの周囲の前記第1の導電型半導体層の一部領域を露出させ、
前記メサと前記メサの周囲に露出した前記第1の導電型半導体層の一部領域を電気的に接続する金属材料構造体を形成し、
前記金属材料構造体に基板をボンディングし、
前記犠牲基板を除去し、前記第1の導電型半導体層を露出させ、前記露出した第1の導電型半導体層をパターニングし、前記メサ上の第1の導電型半導体層から前記メサの周囲の前記第1の導電型半導体層の一部領域を分離することを含むことを特徴とする発光素子の製造方法。 - 前記メサ上の前記第1の導電型半導体層上に第1の電極を形成し、
前記メサの周囲の前記第1の導電型半導体層の一部領域上に第2の電極を形成することをさらに含むことを特徴とする請求項37に記載の発光素子の製造方法。 - 前記金属材料構造体を形成する前に、反射金属層を形成することをさらに含むことを特徴とする請求項37に記載の発光素子の製造方法。
- 前記絶縁構造体を形成することは、
前記メサ及び前記メサの周囲に露出した前記第1の導電型半導体層を覆う絶縁層を形成すること、
前記絶縁層をパターニングし、前記メサの上部領域を露出させると共に、前記メサの周囲の前記第1の導電型半導体層の一部領域を露出させる貫通孔を形成すること、を含むことを特徴とする請求項37に記載の発光素子の製造方法。 - 前記絶縁構造体は、前記メサの上部周縁を覆うことを特徴とする請求項37に記載の発光素子の製造方法。
- 前記絶縁構造体を形成することは、
前記メサ及び前記メサの周囲に露出した前記第1の導電型半導体層を覆う絶縁層を形成すること、
前記絶縁層をパターニングし、前記メサの上部領域を露出させると共に、前記メサの周囲の前記第1の導電型半導体層の一部領域を露出させること、を含み、前記一部領域は、前記メサを取り囲むことを特徴とする請求項37に記載の発光素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2008-0066074 | 2008-07-08 | ||
KR1020080066074A KR100986963B1 (ko) | 2008-07-08 | 2008-07-08 | 발광 소자 및 그 제조방법 |
KR10-2008-0066356 | 2008-07-09 | ||
KR1020080066356A KR100987986B1 (ko) | 2008-07-09 | 2008-07-09 | 발광 소자 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010021546A true JP2010021546A (ja) | 2010-01-28 |
JP5421001B2 JP5421001B2 (ja) | 2014-02-19 |
Family
ID=41504345
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009159139A Active JP5421001B2 (ja) | 2008-07-08 | 2009-07-03 | 発光素子及びその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7982234B2 (ja) |
JP (1) | JP5421001B2 (ja) |
DE (1) | DE102009025015A1 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012099815A (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-24 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子、照明システム |
JP2012199357A (ja) * | 2011-03-22 | 2012-10-18 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2014039039A (ja) * | 2012-08-20 | 2014-02-27 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子 |
JP2015008324A (ja) * | 2010-06-24 | 2015-01-15 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. | 発光ダイオード |
US9324919B2 (en) | 2009-11-13 | 2016-04-26 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode chip having distributed Bragg reflector and method of fabricating the same |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9000461B2 (en) * | 2003-07-04 | 2015-04-07 | Epistar Corporation | Optoelectronic element and manufacturing method thereof |
DE102009025015A1 (de) * | 2008-07-08 | 2010-02-18 | Seoul Opto Device Co. Ltd., Ansan | Lichtemittierende Vorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
KR100986523B1 (ko) | 2010-02-08 | 2010-10-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
KR101064049B1 (ko) * | 2010-02-18 | 2011-09-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법, 발광소자 패키지 |
KR101020963B1 (ko) | 2010-04-23 | 2011-03-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
JP5725927B2 (ja) | 2010-05-18 | 2015-05-27 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. | 高効率発光ダイオード及びその製造方法 |
KR101125025B1 (ko) * | 2010-07-23 | 2012-03-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 그 제조방법 |
CN101937956A (zh) * | 2010-08-11 | 2011-01-05 | 中国科学院半导体研究所 | 氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法 |
TWI493756B (zh) * | 2010-11-15 | 2015-07-21 | Epistar Corp | 發光元件 |
US8476649B2 (en) | 2010-12-16 | 2013-07-02 | Micron Technology, Inc. | Solid state lighting devices with accessible electrodes and methods of manufacturing |
DE102011011139B4 (de) | 2011-02-14 | 2023-01-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Halbleiterbauelements und optoelektronisches Halbleiterbauelement |
KR101766298B1 (ko) * | 2011-03-30 | 2017-08-08 | 삼성전자 주식회사 | 발광소자 및 그 제조방법 |
JP4989773B1 (ja) * | 2011-05-16 | 2012-08-01 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
TWI523269B (zh) | 2012-03-30 | 2016-02-21 | 晶元光電股份有限公司 | 發光元件 |
TWI662719B (zh) * | 2012-03-30 | 2019-06-11 | 晶元光電股份有限公司 | 發光元件 |
FR2992466A1 (fr) | 2012-06-22 | 2013-12-27 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de realisation de contact pour led et structure resultante |
US9356070B2 (en) | 2012-08-15 | 2016-05-31 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
US20140048824A1 (en) | 2012-08-15 | 2014-02-20 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
CN102931309B (zh) * | 2012-11-15 | 2015-04-01 | 安徽三安光电有限公司 | 一种倒装发光二极管及其制作方法 |
TWI604632B (zh) * | 2013-04-25 | 2017-11-01 | 晶元光電股份有限公司 | 發光二極體裝置 |
TWI626395B (zh) | 2013-06-11 | 2018-06-11 | 晶元光電股份有限公司 | 發光裝置 |
DE102013111503B4 (de) * | 2013-10-18 | 2021-08-05 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterchip, optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Vereinzelung von Halbleiterchips |
TWI506824B (zh) * | 2013-10-28 | 2015-11-01 | Lextar Electronics Corp | 發光二極體封裝結構及其製造方法 |
CN104347776B (zh) * | 2014-10-31 | 2017-01-25 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种led结构及其制备方法 |
JP6824501B2 (ja) * | 2017-02-08 | 2021-02-03 | ウシオ電機株式会社 | 半導体発光素子 |
KR102338140B1 (ko) * | 2017-05-04 | 2021-12-10 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 반도체소자 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001007393A (ja) * | 1999-06-08 | 2001-01-12 | Agilent Technol Inc | エピタキシャル層を有するAlGaInNベースLED |
WO2003065464A1 (fr) * | 2002-01-28 | 2003-08-07 | Nichia Corporation | Dispositif a semi-conducteur a base de nitrure comprenant un substrat de support, et son procede de realisation |
JP2004128507A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 電磁ビームを放出する半導体チップおよびその製造方法 |
JP2004281863A (ja) * | 2003-03-18 | 2004-10-07 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子及びその製造方法 |
JP2005101610A (ja) * | 2003-09-23 | 2005-04-14 | Kokuren Koden Kagi Kofun Yugenkoshi | 発光ダイオード、及びその製造方法 |
JP2005535143A (ja) * | 2002-07-31 | 2005-11-17 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | GaNベースの発光薄膜半導体素子 |
JP2006024701A (ja) * | 2004-07-07 | 2006-01-26 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2007073986A (ja) * | 2000-10-17 | 2007-03-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | GaNベースの半導体デバイスを製造する方法 |
JP2007287757A (ja) * | 2006-04-12 | 2007-11-01 | Rohm Co Ltd | 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法 |
JP2008047864A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 窒化物系半導体発光素子の製造方法 |
JP2008518436A (ja) * | 2004-10-22 | 2008-05-29 | ソウル オプト−デバイス カンパニー リミテッド | GaN系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200735418A (en) * | 2005-11-22 | 2007-09-16 | Rohm Co Ltd | Nitride semiconductor device |
DE102009025015A1 (de) * | 2008-07-08 | 2010-02-18 | Seoul Opto Device Co. Ltd., Ansan | Lichtemittierende Vorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
-
2009
- 2009-06-16 DE DE102009025015A patent/DE102009025015A1/de active Pending
- 2009-07-03 JP JP2009159139A patent/JP5421001B2/ja active Active
- 2009-07-06 US US12/498,168 patent/US7982234B2/en active Active
-
2011
- 2011-03-30 US US13/076,330 patent/US8242530B2/en active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001007393A (ja) * | 1999-06-08 | 2001-01-12 | Agilent Technol Inc | エピタキシャル層を有するAlGaInNベースLED |
JP2007073986A (ja) * | 2000-10-17 | 2007-03-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | GaNベースの半導体デバイスを製造する方法 |
WO2003065464A1 (fr) * | 2002-01-28 | 2003-08-07 | Nichia Corporation | Dispositif a semi-conducteur a base de nitrure comprenant un substrat de support, et son procede de realisation |
JP2005535143A (ja) * | 2002-07-31 | 2005-11-17 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | GaNベースの発光薄膜半導体素子 |
JP2004128507A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 電磁ビームを放出する半導体チップおよびその製造方法 |
JP2004281863A (ja) * | 2003-03-18 | 2004-10-07 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子及びその製造方法 |
JP2005101610A (ja) * | 2003-09-23 | 2005-04-14 | Kokuren Koden Kagi Kofun Yugenkoshi | 発光ダイオード、及びその製造方法 |
JP2006024701A (ja) * | 2004-07-07 | 2006-01-26 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2008518436A (ja) * | 2004-10-22 | 2008-05-29 | ソウル オプト−デバイス カンパニー リミテッド | GaN系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2007287757A (ja) * | 2006-04-12 | 2007-11-01 | Rohm Co Ltd | 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法 |
JP2008047864A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 窒化物系半導体発光素子の製造方法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9324919B2 (en) | 2009-11-13 | 2016-04-26 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode chip having distributed Bragg reflector and method of fabricating the same |
US9343631B2 (en) | 2009-11-13 | 2016-05-17 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode chip having distributed bragg reflector and method of fabricating the same |
US9577157B2 (en) | 2009-11-13 | 2017-02-21 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode chip having distributed Bragg reflector and method of fabricating the same |
US10128306B2 (en) | 2009-11-13 | 2018-11-13 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode chip having distributed bragg reflector and method of fabricating the same |
US10141480B2 (en) | 2009-11-13 | 2018-11-27 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode chip having distributed Bragg reflector and method of fabricating the same |
JP2015008324A (ja) * | 2010-06-24 | 2015-01-15 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. | 発光ダイオード |
US9142715B2 (en) | 2010-06-24 | 2015-09-22 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode |
JP2012099815A (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-24 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子、照明システム |
JP2012199357A (ja) * | 2011-03-22 | 2012-10-18 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2014039039A (ja) * | 2012-08-20 | 2014-02-27 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110175131A1 (en) | 2011-07-21 |
JP5421001B2 (ja) | 2014-02-19 |
US8242530B2 (en) | 2012-08-14 |
US20100006881A1 (en) | 2010-01-14 |
US7982234B2 (en) | 2011-07-19 |
DE102009025015A1 (de) | 2010-02-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5421001B2 (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
KR101457209B1 (ko) | 발광 소자 및 그 제조방법 | |
JP5437171B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
US8759865B2 (en) | Light emitting diode chip, light emitting diode package structure, and method for forming the same | |
US9620681B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
KR101017394B1 (ko) | 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법 | |
KR101752663B1 (ko) | 발광소자 및 발광소자 제조방법 | |
KR102471670B1 (ko) | 고출력 발광 다이오드 및 그것을 갖는 발광 모듈 | |
JP2011086910A (ja) | 半導体発光素子 | |
US8530919B2 (en) | Semi-conductor light-emitting device | |
KR100999800B1 (ko) | 발광 소자 패키지 및 그 제조방법 | |
EP2219235B1 (en) | Light emitting device package | |
WO2015141166A1 (ja) | 半導体発光装置とその製造方法 | |
KR100986963B1 (ko) | 발광 소자 및 그 제조방법 | |
EP2492975B1 (en) | Manufacturing method of nitride semiconductor light emitting elements | |
US8587017B2 (en) | Light emitting device and method of fabricating a light emitting device | |
KR101945791B1 (ko) | 반도체 발광소자의 제조방법 | |
KR100987986B1 (ko) | 발광 소자 및 그 제조방법 | |
KR101564342B1 (ko) | 발광 다이오드 제조방법 | |
JP5682427B2 (ja) | 発光素子 | |
JP2010109127A (ja) | 発光素子 | |
TWI764528B (zh) | 發光元件及其製造方法 | |
TWI799231B (zh) | 發光元件及其製造方法 | |
KR101158077B1 (ko) | 고효율 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 | |
KR101093116B1 (ko) | 수직형 발광 소자 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120201 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130522 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130528 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130828 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131029 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131121 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5421001 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |