KR101564342B1

KR101564342B1 - 발광 다이오드 제조방법

Info

Publication number: KR101564342B1
Application number: KR1020090027628A
Authority: KR
Inventors: 김창연; 이준희
Original assignee: 서울바이오시스 주식회사
Priority date: 2009-03-31
Filing date: 2009-03-31
Publication date: 2015-10-29
Also published as: KR20100109167A

Abstract

발광 다이오드 제조방법이 개시된다. 이 방법은 희생 기판 상에 제1 도전형 화합물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 화합물 반도체층을 포함하는 화합물 반도체층들을 형성하는 것을 포함한다. 그 후, 화합물 반도체층들 측에 제1 지지기판 및 제2 지지기판이 본딩된다. 제1 지지기판이 희생기판과 제2 지지기판 사이에 위치한다. 한편, 제2 지지기판과 희생기판 사이의 열팽창 계수 차이는 제1 지지기판과 희생기판 사이의 열팽창 계수 차이보다 작다. 그 후, 화합물 반도체층들로부터 희생 기판을 분리하여 제1 도전형 화합물 반도체층이 노출된다. 제1 지지기판과 다른 열팽창 계수를 갖는 제2 지지기판을 채택함으로써, 지지기판과 희생기판 사이의 열팽창 계수 차이에 따른 휨 현상을 방지할 수 있어 기판 분리 공정을 안정화시킬 수 있다.

발광 다이오드, 기판 분리, 레이저 리프트 오프, 희생기판, 지지기판

Description

발광 다이오드 제조방법{FABRICATION METHOD OF LIGHT EMITTING DIODE}

본 발명은 발광 다이오드 제조방법에 관한 것으로, 특히 기판 분리 공정을 사용하는 발광 다이오드 제조 방법에서 희생기판과 지지기판 사이의 열팽창 계수 차이에 의해 발생되는 웨이퍼 휨 또는 크랙 등을 방지하여 제조 공정을 안정화시킬 수 있는 발광 다이오드 제조방법 및 그것에 의해 제조된 발광 다이오드에 관한 것이다.

일반적으로 질화갈륨(GaN), 질화알루미늄(AlN) 등과 같은 Ⅲ족 원소의 질화물은 열적 안정성이 우수하고 직접 천이형의 에너지 밴드(band) 구조를 갖고 있어, 최근 가시광선 및 자외선 영역의 발광소자용 물질로 많은 각광을 받고 있다. 특히, 질화갈륨(GaN)을 이용한 청색 및 녹색 발광 소자는 대규모 천연색 평판 표시 장치, 신호등, 실내 조명, 고밀도광원, 고해상도 출력 시스템과 광통신 등 다양한 응용 분야에 활용되고 있다.

이러한 III족 원소의 질화물 반도체층, 특히 GaN은 그것을 성장시킬 수 있는 동종의 기판을 제작하는 것이 어려워, 유사한 결정 구조를 갖는 이종 기판에서 금속유기화학기상증착법(MOCVD) 또는 분자선 증착법(molecular beam epitaxy; MBE) 등의 공정을 통해 성장된다. 이종기판으로는 육방 정계의 구조를 갖는 사파이어(Sapphire) 기판이 주로 사용된다. 그러나, 사파이어는 전기적으로 부도체이므로, 발광 다이오드 구조를 제한하며, 기계적 화학적으로 매우 안정하여 절단 및 형상화(shaping) 등의 가공이 어렵다. 이에 따라, 최근에는 사파이어와 같은 이종기판 상에 질화물 반도체층들을 성장시킨 후, 이종기판을 분리하여 수직형 구조의 발광 다이오드를 제조하는 기술이 연구되고 있다.

도 1은 종래기술에 따른 수직형 발광 다이오드 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.

도 1 (a)를 참조하면, 사파이어 기판과 같은 희생기판(11) 상에 질화갈륨 계열의 화합물 반도체층들이 차례로 성장된다. 상기 화합물 반도체층들은 제1 도전형 반도체층(15), 활성층(17) 및 제2 도전형 반도체층(19)을 포함한다. 또한, 상기 제1 도전형 반도체층(15)과 희생기판(11) 사이에 일반적으로 버퍼층(13)이 개재된다.

도 1 (b)를 참조하면, 상기 화합물 반도체층들 상에 지지기판(21)이 부착된다. 상기 지지기판(21)은 일반적으로 접합층(23)에 의해 상기 화합물 반도체층들 상에 부착된다. 한편, 지지기판(21)과 화합물 반도체층들 사이에 반사층(도시하지 않음)이 또한 개재될 수 있다.

도 1 (c)를 참조하면, 상기 화합물 반도체층들로부터 희생기판(11)이 분리된다. 이때, 버퍼층(13)도 함께 제거되고, 제1 도전형 화합물 반도체층(15)이 노출된다. 상기 희생기판(11)은 주로 레이저 리프트 오프(laser lift-off) 공정을 사용하여 화합물 반도체층들로부터 분리될 수 있다. 그 후, 노출된 제1 도전형 화합물 반 도체층(15) 상에 전극 패드(17)가 형성되고, 지지기판(21)을 절단함으로써 개별 발광 다이오드 칩들이 완성된다.

종래기술에 따르면, 열방출 성능 및 전기 전도성이 우수한 지지기판(21), 예컨대 실리콘 또는 메탈을 채택함으로써, 발광 다이오드의 발광 효율을 개선할 수 있으며, 수직형 구조의 발광 다이오드를 제공할 수 있다. 그러나, 지지기판(21)은 일반적으로 희생기판(11)과 다른 열팽창 계수를 갖기 때문에, 접합층(23)을 사용하여 지지기판(21)을 예를 들어 250℃~300℃의 온도에서 본딩하면, 희생기판(11)과 지지기판(21) 사이의 열팽창 계수 차이에 의해 상온에서 웨이퍼가 휘어지는 현상이 발생한다. 이러한 휨 현상은 희생기판(11)과 지지기판(21) 사이의 열팽창 계수 차이에 따른 것으로, 지지기판(21)을 본딩한 상태에서 희생기판에 상당한 응력(stress)이 작용하기 때문이다.

이러한 상태에서 기판분리공정, 예컨대 레이저 리프트 오프 공정을 실시할 경우, 레이저를 정밀하게 포커싱하는 것이 어려울 뿐만 아니라, 공정 중에 응력 완화가 급격히 일어나면서 희생기판(11) 및 화합물 반도체층들에 크랙이 발생하고 따라서 공정 불량이 초래될 수 있다.

상기 휨 현상은 지지기판의 열팽창 계수를 조절함으로써 어느 정도 해결할 수 있으나, 지지기판의 열팽창 계수를 조절하는 것이 어렵고, 또한 지지기판의 재료를 다양하게 선택할 수 없게 된다.

한편, 지지기판의 두께를 두껍게 함으로써 상기 휨 형상을 제어하는 것을 고려할 수 있다. 그러나 성장기판과 비교하여 상대적으로 열팽창 계수 차이가 큰 지 지기판을 두껍게 할 경우, 지지기판을 본딩한 후, 성장기판에 인가되는 응력이 과도하게 증가하여 성장기판에 크랙이 발생하기 쉽다.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 기판 분리 공정을 사용하는 발광 다이오드 제조 방법에서 기판 분리 공정을 안정화시켜 공정 불량을 감소시킬 수 있는 발광 다이오드 제조방법을 제공하는 것이다.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 기판 분리 공정을 사용하는 발광 다이오드 제조 방법에서 지지기판과 희생기판이 본딩된 상태에서 지지기판과 희생기판의 열팽창 계수 차이에 의해 희생기판의 휨이 발생하는 것을 억제할 수 있는 발광 다이오드 제조방법을 제공하는 것이다.

본 발명이 이루고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 지지기판 재료를 다양하게 선택할 수 있는 발광 다이오드 제조 방법을 제공하는 것이다.

상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 따른 발광 다이오드 제조방법은, 희생 기판 상에 제1 도전형 화합물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 화합물 반도체층을 포함하는 화합물 반도체층들을 형성하는 것을 포함한다. 그 후, 상기 화합물 반도체층들 측에 제1 지지기판 및 제2 지지기판이 본딩된다. 상기 제1 지지기판이 상기 희생기판과 상기 제2 지지기판 사이에 위치한다. 한편, 상기 제2 지지기판과 상기 희생기판 사이의 열팽창 계수 차이는 상기 제1 지지기판과 상기 희생기판 사이의 열팽창 계수 차이보다 작다. 그 후, 상기 화합물 반도체층들로부터 상기 희생 기판을 분리하여 제1 도전형 화합물 반도체층이 노출된다.

본 발명의 실시예들에 따르면, 제1 지지기판과 다른 열팽창 계수를 갖는 제2 지지기판을 채택함으로써, 지지기판과 희생기판 사이의 열팽창 계수 차이에 따른 휨 현상을 방지할 수 있어 기판 분리 공정을 안정화시킬 수 있다. 또한, 지지기판과 희생기판 사이의 열팽창 계수 차이를 완화하여 희생기판에 크랙이 발생하는 것을 방지할 수 있다.

특히, 상기 제2 지지기판의 열팽창 계수는 상기 희생기판의 열팽창 계수와의 차이가 희생기판의 열팽창 계수의 30%를 초과하지 않는 것이 바람직하며, 상기 희생기판과 동일한 재료의 기판일 수 있다.

또한, 상기 제2 지지기판은 열 전도율이 높은 재료로 형성되며, 예컨대, 금속, 합금, Si, SiC 또는 AlN 기판일 수 있다.

한편, 상기 제1 지지기판 및 상기 제2 지지기판은 동일 공정에 의해 상기 화합물 반도체층들 측에 함께 본딩될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 지지기판과 상기 화합물 반도체층들 사이 및 상기 제1 지지기판과 상기 제2 지지기판 사이에 본딩 금속층을 형성하여 이들을 동시에 본딩할 수 있다.

상기 희생기판은 상기 제1 지지기판에 비해 상대적으로 큰 열팽창 계수를 가질 수 있으며, 이때, 상기 제2 지지기판은 상기 제1 지지기판에 비해 상대적으로 큰 열팽창 계수를 갖는다. 예컨대, 상기 희생기판은 사파이어 기판이고, 상기 제1 지지기판은 Si 기판일 수 있다. 또한, 상기 제2 지지기판은 사파이어 기판일 수 있다.

한편, 상기 제1 및 제2 지지기판들을 본딩하기 전에, 상기 화합물 반도체층 들 상의 셀 분리 영역들에 식각 방지 패턴들이 형성될 수 있다. 식각 방지 패턴들은 상기 화합물 반도체층들을 패터닝하여 셀들을 분리할 경우, 식각 공정에 의한 금속 부산물의 발생을 방지하기 위해 채택된다.

또한, 상기 셀 분리 영역들로 둘러싸인 영역들 내에 반사층이 형성될 수 있으며, 상기 반사층을 덮는 금속 장벽층이 형성될 수 있다.

한편, 상기 화합물 반도체층들은 상기 희생기판이 분리된 후 패터닝되어, 셀 영역들로 분리된다. 이때, 상기 셀들 사이에서 상기 식각 방지 패턴들이 노출된다.

한편, 상기 노출된 식각 방지 패턴들을 관통하는 개구들이 형성될 수 있으며, 상기 개구들에 전극 패드들이 형성될 수 있다.

상기 제2 지지기판은 상기 제1 지지기판으로부터 제거되며, 그 후, 상기 제1 지지기판을 절단하여 개별 발광 다이오드들이 완성된다.

본 발명에 따르면, 열팽창 계수가 서로 다른 제1 및 제2 지지기판들을 화합물 반도체층들 상에 본딩함으로써, 기판 본딩 후에 발생되는 휨 현상을 방지할 수 있고, 또한 기판 분리 공정 중 희생기판의 크랙 등의 발생을 방지할 수 있다. 따라서, 기판 분리 공정을 안정화시킬 수 있어 공정 불량을 감소시킬 수 있다. 한편, 제1 및 제2 지지기판을 채택하여 지지기판 전체의 열팽창 계수를 조절할 수 있으므로, 제1 지지기판 재료를 다양하게 선택할 수 있다.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.

도 2 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.

도 2를 참조하면, 희생기판(51) 상에 화합물 반도체층들이 형성된다. 상기 희생기판(51)은 일반적으로 사파이어 기판이나, 다른 이종기판일 수 있다. 한편, 상기 화합물 반도체층들은 제1 도전형 화합물 반도체층(55), 활성층(57) 및 제2 도전형 화합물 반도체층(59)을 포함한다. 상기 화합물 반도체층들은 III-N 계열의 화합물 반도체층들로, 금속유기화학기상증착법(MOCVD) 또는 분자선 증찹법(molecular beam epitaxy; MBE) 등의 공정에 의해 성장될 수 있다. 상기 제1 도전형 및 제2 도전형은 N형 및 P형, 또는 P형 및 N형을 나타낸다.

한편, 상기 화합물 반도체층들을 형성하기 전, 버퍼층(53)이 형성될 수 있다. 버퍼층(53)은 희생기판(51)과 화합물 반도체층들의 격자 부정합을 완화하기 위해 채택되며, 일반적으로 질화갈륨 계열의 단일 또는 다중 물질층일 수 있다.

도 3을 참조하면, 상기 화합물 반도체층들 상에 식각 방지 패턴들(61), 반사층(63) 및 금속 장벽층(65)이 형성될 수 있다.

상기 식각 방지 패턴들(61)은 향후 상기 반도체층들을 패터닝하여 개별 셀들 로 분리할 때 금속 물질이 식각되는 것을 방지하기 위해 형성된다. 따라서, 식각 방지 패턴들(61)은 셀 분리 영역들에 형성되며, 각 패턴들은 셀 영역을 둘러싼다.

상기 각 식각 방지 패턴에 의해 둘러싸인 화합물 반도체층들의 영역 상에 반사층(63)이 형성된다. 상기 반사층(63)은 반사율이 큰 금속물질, 예컨대 은(Ag) 또는 알루미늄(Al), 로디움(Rh), 백금(Pt) 또는 이들의 합금으로 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 반사층(63)은 굴절률이 다른 층들의 다층 구조, 예컨대 분포 브래그 반사(DBR) 구조로 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 반사층(63)은 관통공들을 가질 수 있으며, 보호 금속층(65)이 관통공들을 통해 화합물 반도체층(59)에 접속될 수 있다. 상기 반사층(63)은 반도체층(59)에 직접 콘택될 수 있으나, 다른 오믹 콘택층이 반사층과 반도체층(59) 사이에 개재될 수도 있다.

상기 반사층들(63)은 식각 방지 패턴들(61)을 형성한 후에 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 반사층들을 먼저 형성하고 식각방지 패턴들(61)을 형성할 수도 있다.

상기 반사층들(63) 상에 보호 금속층(65)이 형성된다. 보호 금속층(65)은 상기 반사층들을 덮어 반사층(63)이 외부에 노출되는 것을 방지한다. 또한, 보호 금속층(65)은 그 위에 형성되는 본딩 금속층(73)으로부터 금속 재료가 반사층(63)으로 확산되는 것을 방지한다. 보호 금속층은 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있으며, 예를 들어 Ni, Ti, Ta, Pt, W, Cr, Pd 등으로 형성될 수 있다. 또한, 보호 금속층(65)은 식각 방지 패턴들(61)을 덮을 수 있다.

도 4를 참조하면, 상기 보호 금속층(65) 상에 제1 지지기판(71)이 본딩되고, 상기 제1 지지기판(71) 상에 제2 지지기판(81)이 본딩된다. 상기 제1 지지기판(71)은 본딩 금속층(73)을 통해 보호 금속층(65) 상에 본딩되고, 제2 지지기판(81)은 본딩 금속층(83)을 통해 제1 지지기판(71) 상에 본딩될 수 있다. 상기 본딩 금속층(83)은 예컨대 Au/Sn으로 형성될 수 있다. 상기 제1 지지기판(71)과 제2 지지기판(81)은 동일한 공정을 통해 예컨대, 250~300℃의 온도에서 동시에 화합물 반도체층들 상에 본딩될 수 있다.

한편, 제1 지지기판(71)은 열 전도율이 높은 기판이 선택되며, 또한 전기 전도율이 높은 기판이 선택될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 지지기판(71)은 금속, 합금, Si, SiC 또는 AlN 기판일 수 있다. 이러한 제1 지지기판(71)은, 일반적으로 희생기판(51)과 다른 열팽창 계수를 갖는다. 상기 제2 지지기판(81)은 희생기판(51)과 제1 지지기판의 열팽창 계수 차이에 비해 제2 지지기판(81)과 희생기판(51) 사이의 열팽창 계수 차이가 더 작도록 선택된다. 또한, 상기 제2 지지기판(81)은 그것과 상기 희생기판의 열팽창 계수 차이가 희생기판의 열팽창 계수의 30%를 초과하지 않도록 선택되는 것이 바람직하며, 특히, 상기 희생기판과 동일한 열팽창 계수를 갖는 것 또는 동일한 재료의 기판인 것이 바람직하다.

제1 지지기판(71)만이 본딩되는 종래 기술에서는, 제1 지지기판과 희생기판(51) 사이의 열팽창 계수 차이에 의해 본딩 공정 완료 후 휨 현상이 발생된다. 그러나, 본 발명에서는 제2 지지기판(81)이 제1 지지기판(71)에 본딩되기 때문에, 지지기판 전체의 열팽창 계수를 낮출 수 있으며, 따라서 휨 현상을 완화 또는 제거할 수 있다.

도 5를 참조하면, 희생기판(51)이 상기 화합물 반도체층들로부터 분리된다. 희생기판(51)은 레이저 리프트 오프(LLO) 기술 또는 다른 기계적 방법이나 화학적 방법에 의해 분리될 수 있다. 이때, 상기 버퍼층(53)도 함께 제거되어 제1 도전형 화합물 반도체층(55)이 노출된다. 희생기판(51)의 휨 현상이 억제되기 때문에, 레이저 리프트 오프 공정 동안 레이저의 포커싱이 용이하고 또한 희생기판(51)의 크랙 발생을 방지할 수 있다.

도 6을 참조하면, 상기 화합물 반도체층들을 패터닝하여 셀 영역들이 분리된다. 화합물 반도체층들(55, 57, 59)은 사진 및 식각 공정을 통해 패터닝될 수 있으며, 상기 패터닝에 의해 셀 분리 영역들에 형성된 식각 방지 패턴들(61)이 노출된다. 상기 식각 방지 패턴들(61)에 의해 보호금속층(65)이 노출되는 것이 방지되며, 따라서, 식각 공정에 의한 금속 식각 부산물들의 발생이 방지된다. 금속 식각 부산물은 셀들 내의 제1 도전형 반도체층(55)과 제2 도전형 반도체층(59)을 전기적으로 단락시시켜 제품 불량을 초래할 수 있으나, 상기 식각 방지 패턴들(61)에 의해 금속 식각 부산물에 의한 문제를 해결할 수 있다.

도 7을 참조하면, 전극패드들(95)이 각 셀 영역들 상에 형성된다. 상기 전극 패드들(95)은 제1 도전형 반도체층(55) 상에 형성되어 그것에 오믹 콘택된다. 한편, 전극 패드들(95)을 형성하기 전 또는 후에 제1 도전형 화합물 반도체층(55)에 거칠어진 면(R)이 형성될 수도 있다.

상기 전극 패드들(95)은 셀 영역들의 일측 가장자리 또는 모서리에 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 셀 영역들의 중앙에 형성될 수도 있다.

도 8을 참조하면, 제2 지지기판(81)이 제1 지지기판(71)으로부터 제거된다. 제2 지지기판(81)은 연마, 식각 등 다양한 기술에 의해 제1 지지기판(71)으로부터 제거될 수 있다. 또한, 상기 본딩 금속층(83) 또한 제거될 수 있으며, 상기 제1 지지기판(71)의 일부도 연마 등에 의해 제거될 수 있다.

도 9를 참조하면, 상기 제2 지지기판(81)이 제거된 후, 셀 분리 영역들, 예컨대 스크라이빙 라인들을 따라 제1 지지기판(71)이 절단되어 개별 발광 다이오드들로 분리된다. 이때, 상기 셀 분리 영역들에 형성된 식각 방지 패턴들(61)도 함께 절단된다.

본 실시예에 따르면, 최종 발광 다이오드의 지지기판으로 사용되는 제1 지지기판(71)과 함께 제2 지지기판(81)을 본딩함으로써 기판 분리 공정을 안정화시킬 수 있다. 또한, 식각 방지 패턴들(61)을 형성함으로써, 셀 분리 공정 동안 금속 식각 부산물이 발생되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제1 지지기판(61)을 특정한 열팽창 계수를 갖는 재료의 기판에 한정되지 않고 다양하게 선택할 수 있다.

한편, 본 실시예에 있어서, 식각 방지 패턴들(61)을 형성하는 것으로 설명하였지만, 식각 방지 패턴들(61)을 형성하는 것은 생략될 수도 있다. 또한, 반사층들(63)이 각 셀 영역들 내에 한정되는 것으로 설명하였지만, 화합물 반도체층들의 전 영역에 걸쳐 형성될 수도 있다.

도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.

도 10을 참조하면, 앞서 설명한 실시예의 발광 다이오드 제조방법과 대체로 유사하나, 식각 방지 패턴(61)에 개구가 형성되고, 상기 개구에 전극 패드(97)가 형성된 것에 차이가 있다. 즉, 본 실시예에 있어서는, 앞의 실시예의 전극 패드(95)에 더하여 보호 금속층(65)에 접속하는 전극 패드(97)가 더 형성된다.

상기 전극 패드(97)를 형성하기 위해 노출된 식각 방지 패턴(61)을 관통하는 개구가 형성된다. 상기 개구는 예컨대 건식 또는 습식 식각을 이용하여 형성될 수 있다. 그 후, 상기 전극 패드(95)와 함께 또는 별개의 공정으로 전극 패드(97)가 형성된다.

본 실시예에 따르면, 상기 제1 지지기판(71)이 전기적으로 절연 기판인 경우에도 전극 패드들(95, 97)을 이용하여 셀 영역에 전력을 공급할 수 있다.

도 1은 종래 기술에 따른 수직형 발광 다이오드 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.

도 2 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.

도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.

Claims

희생 기판 상에 제1 도전형 화합물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 화합물 반도체층을 포함하는 화합물 반도체층들을 형성하고,

상기 화합물 반도체층들 측에 제1 지지기판 및 제2 지지기판을 본딩하되, 상기 제1 지지기판이 상기 희생기판과 상기 제2 지지기판 사이에 위치하고, 상기 제2 지지기판과 상기 희생기판 사이의 열팽창 계수 차이는 상기 제1 지지기판과 상기 희생기판 사이의 열팽창 계수 차이보다 작고,

상기 화합물 반도체층들로부터 상기 희생 기판을 분리하여 제1 도전형 화합물 반도체층을 노출시키는 것을 포함하고,

상기 제1 및 제2 지지기판들을 본딩하기 전에, 상기 화합물 반도체층들 상의 셀 분리 영역들에 식각 방지 패턴들을 형성하는 것을 더 포함하는 발광 다이오드 제조방법.
청구항 1에 있어서,

상기 제1 지지기판 및 상기 제2 지지기판은 동일 공정에 의해 상기 화합물 반도체층들 측에 함께 본딩되는 발광 다이오드 제조방법.
청구항 1에 있어서,

상기 희생기판은 상기 제1 지지기판에 비해 상대적으로 큰 열팽창 계수를 갖는 발광 다이오드 제조방법.
청구항 3에 있어서,

상기 제2 지지기판은 상기 희생기판과 동일 재료로 제조된 발광 다이오드 제조방법.
삭제
청구항 1에 있어서,

상기 셀 분리 영역들로 둘러싸인 영역들 내에 반사층을 형성하고,

상기 반사층을 덮는 보호 금속층을 형성하는 것을 더 포함하는 발광 다이오드 제조방법.
청구항 1에 있어서,

상기 희생기판을 제거한 후, 상기 화합물 반도체층들을 패터닝하여 셀 영역들을 분리하는 것을 더 포함하되,

상기 셀 영역들 사이에서 상기 식각 방지 패턴들이 노출되는 발광 다이오드 제조방법.
청구항 7에 있어서,

상기 식각 방지 패턴들을 관통하는 개구들을 형성하고,

상기 개구들에 전극 패드들을 형성하는 것을 더 포함하는 발광 다이오드 제조방법.
청구항 1에 있어서,

상기 제2 지지기판을 상기 제1 지지기판으로부터 분리하는 것을 더 포함하는 발광 다이오드 제조방법.