JP2010021326A - 貼り合わせウェーハの製造方法 - Google Patents
貼り合わせウェーハの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010021326A JP2010021326A JP2008179967A JP2008179967A JP2010021326A JP 2010021326 A JP2010021326 A JP 2010021326A JP 2008179967 A JP2008179967 A JP 2008179967A JP 2008179967 A JP2008179967 A JP 2008179967A JP 2010021326 A JP2010021326 A JP 2010021326A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- bonded
- bonding
- wafers
- stage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
Abstract
【課題】本発明の目的は、特に貼り合わせウェーハ外周部の、貼り合わせ界面におけるボイドの発生を、有効かつ容易に抑制することができる貼り合わせウェーハの製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明による貼り合わせウェーハの製造方法は、活性層用ウェーハ又は支持基板用ウェーハのいずれか一方のウェーハ10を、ステージ40上に載置した状態で、所定の圧力雰囲気まで減圧した後、前記一方のウェーハ10上に他方のウェーハ20を、直接又は間接的に重ね合わせ、その後、重ね合わせた両ウェーハ30を、前記所定圧力まで減圧した状態で、貼り合わせを行うことを特徴とする。
【選択図】図1
【解決手段】本発明による貼り合わせウェーハの製造方法は、活性層用ウェーハ又は支持基板用ウェーハのいずれか一方のウェーハ10を、ステージ40上に載置した状態で、所定の圧力雰囲気まで減圧した後、前記一方のウェーハ10上に他方のウェーハ20を、直接又は間接的に重ね合わせ、その後、重ね合わせた両ウェーハ30を、前記所定圧力まで減圧した状態で、貼り合わせを行うことを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、2枚のウェーハの貼り合わせ進行時に、ウェーハ外周部に連続的に発生するボイドを低減することができる貼り合わせウェーハの製造方法に関するものである。
貼り合わせウェーハとは、通常、貼り合わせSOI(Silicon On Insulator)ウェーハのことをいい、例えば、非特許文献1に示すように、酸化していない支持基板用ウェーハと、酸化した活性層用ウェーハを貼り合わせた後、活性層用ウェーハ表面に研削研磨を施し、要求される厚さに薄膜化することにより製造される貼り合わせウェーハや、特許文献1に示すように、活性層用ウェーハに、水素またはヘリウム等の軽元素イオンを所定の深さ位置に注入してイオン注入層を形成する工程と、前記活性層用ウェーハを絶縁膜を介して支持基板用ウェーハに貼り合わせる工程と、前記イオン注入層で剥離する工程と、剥離により露出する活性層部分を薄膜化して、所定膜厚の活性層を形成する工程とを有する、いわゆるイオン注入分離法により製造された貼り合わせウェーハ等が挙げられる。
ここで、前記活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハの貼り合わせ、つまり、2枚のウェーハの貼り合わせる方法としては、例えば特許文献2に開示されているように、少なく友を一方の半導体ウェーハの研磨面を、中央部が凸型となるようにして他方の半導体ウェーハの研磨面に接触させて2枚の半導体ウェーハの研磨面同士を接着することを特徴とする貼り合わせ方法が挙げられる。
また、別の貼り合わせ方法としては、例えば特許文献3に開示されているように、貼付け面が凸状球面に形成され前記貼付け面に半導体ウェーハを吸着して凸状球面状に保持する一対の貼付け部材を備え、前記貼付け部材の貼付け面に、複数の独立した吸引部を当該貼付け面の中央部から周辺部に順次設け、前記各吸引部に真空ポンプ、前記連通部材にエアーポンプを接続させ、前記吸着保持された双方の半導体ウェーハの中央部から周辺部へ向けて貼り合わせる装置を用いた半導体ウェーハの貼り合わせ方法が挙げられる。
しかしながら、特許文献2及び3に記載の貼り合わせ装置はいずれも、サイズの小さなウェーハ(例えば、直径150mm以下のウェーハ)の貼り合わせには有効であるものの、直径が200mmを超えるようなサイズの大きなウェーハを貼り合せる場合には、前記ステージとウェーハとの吸着の制御が困難であるため、貼り合わせウェーハの外周付近において部分的に貼り合わせが不十分になり、貼り合わせ界面にボイドが発生するという問題がある。また、ウェーハ形状を曲面状にした状態で貼り合わせを行ったとしても、外周部に連続的に発生するボイドを完全に抑制することができないことが確認されている。
そして、前記ボイドの発生は、その後のウェーハ加工(研削・研磨)時の剥がれや、欠陥の原因となり、デバイス特性の劣化を引き起こすことから、ボイドの発生を抑制できる貼り合わせウェーハの製造装置の開発が望まれている。
上記課題を解決すべく、近年、減圧下において、中心部が凸状の曲面で構成されるステージの載置面上に一方のウェーハを載せた後、この一方のウェーハの上に他方のウェーハを重ね、この重ねた前記他方のウェーハの自重によって貼り合わせを行うという貼り合わせウェーハの製造方法が開発されている。しかしながら、上記貼り合わせ方法を用いた場合、減圧によって貼り合わせ界面の空気を除去できるため、ある程度のボイド抑制効果は発揮できるものの、単に減圧雰囲気にするだけでは、安定した効果が出にくく、減圧にするタイミングによっては、外周にボイドが発生するという恐れがあった。特に、上記方法のようにウェーハの自重を利用した貼り合わせでは、減圧と貼り合わせの進行との調整が難しく、貼り合わせが進行した時点で完全には減圧状態になっていないために、、外周部にボイドが発生する可能性があることから、さらなる改良が望まれている。
UCS半導体基盤技術研究会編集、「シリコンの科学」、株式会社リアライズ社、1996年6月28日、p459−462 特開平5−211128号公報
特開昭61−145839号公報
特開平7−66093号公報
UCS半導体基盤技術研究会編集、「シリコンの科学」、株式会社リアライズ社、1996年6月28日、p459−462
本発明の目的は、特に貼り合わせウェーハ外周部の、貼り合わせ界面におけるボイドの発生を、有効かつ容易に抑制することができる貼り合わせウェーハの製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明の要旨構成は以下の通りである。
(1)活性層用ウェーハ又は支持基板用ウェーハのいずれか一方のウェーハを、ステージ上に載置した状態で、所定の圧力雰囲気まで減圧した後、前記一方のウェーハ上に他方のウェーハを、直接又は間接的に重ね合わせ、その後、重ね合わせた両ウェーハを、前記所定圧力まで減圧した状態で、貼り合わせを行うことを特徴とする貼り合わせウェーハの製造方法。
(1)活性層用ウェーハ又は支持基板用ウェーハのいずれか一方のウェーハを、ステージ上に載置した状態で、所定の圧力雰囲気まで減圧した後、前記一方のウェーハ上に他方のウェーハを、直接又は間接的に重ね合わせ、その後、重ね合わせた両ウェーハを、前記所定圧力まで減圧した状態で、貼り合わせを行うことを特徴とする貼り合わせウェーハの製造方法。
(2)前記重ね合わせた両ウェーハは、前記一方のウェーハと前記他方のウェーハとの間に爪状手段を介挿して、間接的に重ね合わせてなる上記(1)記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
(3)前記所定圧力は、70kPa以下である上記(1)又は(2)記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
(4)前記貼り合わせは、前記重ね合わせた両ウェーハの中央部のみを、上方から所定荷重を加えることにより行う上記(1)、(2)又は(3)記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
(5)前記ステージの載置面は、その中心位置と外周位置の高低差(h)が100μm以下の微小凸面で構成される上記(1)〜(4)のいずれか1項記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
この発明によれば、特に貼り合わせウェーハ外周部の、貼り合わせ界面におけるボイドの発生を、有効かつ容易に抑制することができる貼り合わせウェーハの製造方法を提供することが可能になった。
本発明に従うウェーハ貼り合わせウェーハの製造方法について図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明に従う貼り合わせウェーハの製造方法に用いられる装置の断面を示した概略図である。
図1は、本発明に従う貼り合わせウェーハの製造方法に用いられる装置の断面を示した概略図である。
本発明による貼り合わせウェーハの製造方法は、図1に示すように、活性層用ウェーハ又は支持基板用ウェーハのいずれか一方のウェーハ10を、ステージ40上に載置した状態で、所定の圧力雰囲気まで減圧した後、前記一方のウェーハ10上に他方のウェーハ20を、直接又は間接的に重ね合わせ、その後、重ね合わせた両ウェーハ30を、前記所定圧力まで減圧した状態で、貼り合わせを行うことを特徴とする。
従来の貼り合わせウェーハの製造方法では、直径が200mm以上の大きなサイズのウェーハを貼り合せる場合、貼り合わせウェーハの外周付近において部分的に貼り合わせが不十分になり、貼り合わせ界面にボイドが発生しやすくなるという問題があった。
なお、図2(a)は、従来の方法によって製造した貼り合わせウェーハの外周付近にボイドが発生した状態を模式的に示した図であり、図2(b)は、ボイドが発生した貼り合わせウェーハの外周部の一部を超音波ボイド検査装置を用いて観察したときの状態を示したものである。超音波ボイド検査装置によって観察した結果、図2(b)に示すように、貼り合わせウェーハの外周部に連続的にボイドが発生していることがわかる。
なお、図2(a)は、従来の方法によって製造した貼り合わせウェーハの外周付近にボイドが発生した状態を模式的に示した図であり、図2(b)は、ボイドが発生した貼り合わせウェーハの外周部の一部を超音波ボイド検査装置を用いて観察したときの状態を示したものである。超音波ボイド検査装置によって観察した結果、図2(b)に示すように、貼り合わせウェーハの外周部に連続的にボイドが発生していることがわかる。
本発明者らは、上記問題は、ステージとウェーハとの吸着の制御が困難であるため、貼り合わせの進行に不具合が発生すること、及び、両ウェーハを貼り合わせる際の減圧が十分にできていないことが原因で貼り合わせウェーハの外周部に発生するボイドを十分に抑制することができないと考え、その解決方法について鋭意研究を行った。
その結果、活性層用ウェーハ又は支持基板用ウェーハのいずれか一方のウェーハ10を、ステージ40上に載置した状態で、所定の圧力雰囲気まで減圧した後、前記一方のウェーハ10上に他方のウェーハ20を重ね合わせ、減圧下で貼り合わせを進行させることにより、減圧によって前記貼り合わせウェーハ30の貼り合わせ界面に残存する空気を除去することができることに加え、ウェーハ同士10、20を重ね合わせる前に、すでに減圧状態になっているため、従来の減圧下での貼り合わせに比べ、さらに安定してボイドの発生を抑制できることを見出し、本発明を完成させるに至ったのである。
その結果、活性層用ウェーハ又は支持基板用ウェーハのいずれか一方のウェーハ10を、ステージ40上に載置した状態で、所定の圧力雰囲気まで減圧した後、前記一方のウェーハ10上に他方のウェーハ20を重ね合わせ、減圧下で貼り合わせを進行させることにより、減圧によって前記貼り合わせウェーハ30の貼り合わせ界面に残存する空気を除去することができることに加え、ウェーハ同士10、20を重ね合わせる前に、すでに減圧状態になっているため、従来の減圧下での貼り合わせに比べ、さらに安定してボイドの発生を抑制できることを見出し、本発明を完成させるに至ったのである。
次に、本発明に従う貼り合わせウェーハの製造方法の各条件について以下に説明する。
本発明のステージ40は、図1(a)に示すように、ウェーハ10、20を載せるための部材であり、載置面40aを有する。また、該ステージ40の載置面40aの材質は、特に限定されないが、ステージ40の少なくとも表層部分(例えば、載置面40aから厚さ1mm以上の部分)の材質が、テフロン(登録商標)等の樹脂系材料であることが好ましく、加工時の変形が少ないことや、接触によるキズ・汚染等を抑制できる点から耐熱性及び耐摩耗性を有するピーク材(ポリエーテルエーテルケトン)を用いることがより好適である。
本発明のステージ40は、図1(a)に示すように、ウェーハ10、20を載せるための部材であり、載置面40aを有する。また、該ステージ40の載置面40aの材質は、特に限定されないが、ステージ40の少なくとも表層部分(例えば、載置面40aから厚さ1mm以上の部分)の材質が、テフロン(登録商標)等の樹脂系材料であることが好ましく、加工時の変形が少ないことや、接触によるキズ・汚染等を抑制できる点から耐熱性及び耐摩耗性を有するピーク材(ポリエーテルエーテルケトン)を用いることがより好適である。
また、本発明のステージ40の載置面40aは、図3に示すように、その中心位置41と外周位置42の高低差(h)が100μm以下の微小凸面で構成されることが好ましく、さらに好ましくは、50μm以下とすることで、より安定した効果が得られる。このように、前記載置面40aの中心部41が微小凸面で構成されることで、凸部に加重を付加した場合、ウェーハ10、20を均一に貼り合わせることが可能となる。なお、載置面40aの「中心部」とは、載置面40aの中心部41を中心とする半径1mmの円で囲まれた領域をいう。なお、図3は、前記高低差hを正確に図示すると、従来のフラットな載置面と区別できないため、説明の便宜上、前記ステージ40の高低差hを誇張して示している。
なお、前記ステージ40は、その中心部41と外周部42の高低差(h)が100μm以下としたのは、2枚のウェーハを爪状手段を用いず直接重ねた場合に於いて、ウェーハの自重により貼り合わせが進行しない条件とし、目標の減圧値に至る前に貼り合わせが進行するのを防止するためである。また、爪状手段を用いる場合に於いては、100μm以上の高低差のあるステージを用いても、同様の効果が期待できるが、目標の減圧値まで到達した後、爪状手段を退避させ、ウェーハを接触させる。
また、本発明の製造方法は、ウェーハ10、20を、ステージ40上に載置した状態で、所定の圧力雰囲気まで減圧することを特徴とする。前記圧力雰囲気は、大気圧に比べて減圧されていれば、特に限定はされないが、70kPa以下とすることが好ましい。70kPa超えでは、減圧が十分でないため、貼り合わせ界面に残存する空気の除去が不十分となり、ボイドが発生する恐れがあるためである。さらに、貼り合わせ後に大気圧まで戻すための待ち時間を考慮すると、前記所定の圧力は、50〜70kPaであることがより好適である。
また、前記所定の圧力雰囲気にするための手段としては、特に限定はされないが、例えば、チャンバー70内に、ウェーハ10、20を入れた後、減圧手段(図示せず)を用いて所定の圧力雰囲気まで減圧する方法が挙げられる。前記減圧手段は、前記チャンバー70内を所定の圧力まで減圧することができる装置等であればよく、特に限定する必要はないが、例えば、減圧用ポンプ等を用いることができる。
なお、本発明による貼り合わせの方法は、重ね合わせた両ウェーハ30を、前記所定圧力まで減圧した状態で貼り合わせを行えば特に限定はされない。例えば、図3に示すように、前記他方のウェーハ20の自重によって貼り合わせる方法でよいし(この場合はステージの高低差としては、100μm以上が必要である)、図1(a)及び(b)に示すように、荷重付加手段60を用いて荷重を加えることによって、貼り合わせを進行させることも可能である。
また、前記重ね合わせた両ウェーハ30は、前記一方のウェーハ10と前記他方のウェーハ20との間に爪状手段50を介挿して、間接的に重ね合わせてなることが好ましい。図1(a)に示すように、爪状手段50を介挿した状態で減圧を行い、所定の減圧雰囲気になった後、図1(b)に示すように、前記爪状手段50を抜き取るとともに、前記荷重負荷手段60によって荷重を付加することにより、ウェーハ10、20同士の均一な貼り合わせが可能となり、ボイドの発生が抑制できるからである。
さらに、ウェーハ10、20の貼り合わせを行う前に、それぞれのウェーハ10、20の貼り合わせ面に、窒素、酸素、水素又はこれらの混合ガス等、所定のガス雰囲気にてプラズマ処理を施すことが好ましい。このプラズマ処理を行うことで、貼り合わせ界面の貼り合わせ強度を大きくすることができるからである。ただし、プラズマ処理を施したウェーハ10、20同士の貼り合わせは、貼り合わせの進行速度が速く、貼り合わせ界面に空気が残存しやすいため、前記チャンバー70内の圧力をより減圧、好適には5kPa以下とすることがより好適である。
さらにまた、前記貼り合わせは、前記重ね合わせた両ウェーハ30の中央部31のみを、上方から所定荷重を加えることにより行うことが好ましい。中央部31のみに荷重を加えることで、外周までの貼り合わせの進行時間が同心円状となり、ウェーハ外周領域での異様な進行分布を抑制することができる。また、中心加重により貼り合わせ進行時間も短縮することができ、生産能力を向上させることも可能である。また、前記所定荷重は、ステージ40の形状や減圧雰囲気によっても変化するため特に限定はされないが、有効に貼り合わせができる点から50gf以上であり、ウェーハ10、20に強い衝撃が加わらないように200gf以下であることが好ましい。
なお、本発明による貼り合わせウェーハの製造方法では、前記一方のウェーハ10及び他方のウェーハ20を前記ステージ40まで搬送するため、ウェーハ搬送手段(図示せず)を用いることができる。前記ウェーハ搬送手段を用いれば、ウェーハ10、20を傷つけることや、パーティクルの付着を抑制することができ、さらに、前記ステージ40へウェーハ10、20を正確に搬送することが可能となるからである。また、前記ウェーハ搬送手段は、ウェーハ10、20の傷つきやパーティクルの付着を抑制できるものであればよく、特に限定されないが、ロボットハンドや、空気圧によって搬送する搬送手段を用いることが効果的である。加えて、前記ウェーハ10、20の貼り合わせ時には、貼り合わせの進行状態を確認することができるようにするため、チャンバー70の上方位置に赤外線照射装置(図示せず)を設置することも可能である。
また、前記ウェーハ10、20を貼り合わせ後、貼り合わせたウェーハ30を薄膜化する方法としては、特に限定がなく、例えば、研削・研磨による薄膜化や、イオン注入分離法による薄膜化による方法が挙げられる。
なお、上述したところは、この発明の実施形態の一例を示したにすぎず、請求の範囲において種々の変更を加えることができる。
(実施例1)
実施例1は、2枚の200mmシリコンウェーハの一方に1μmの酸化膜を形成させたのち、活性層用ウェーハ10とした。
その後、図2に示すように、活性層用ウェーハ10を、チャンバー内のステージ40の載置面40a上に載置し、爪状手段50を介挿して、その上に支持基板用ウェーハ20を載置した後、チャンバー内を70kPaまで減圧し、前記爪状手段50を抜き取った後、荷重付加手段60によって荷重を付加しながら、貼り合わせを行い、サンプルとなる貼り合わせウェーハ30を得た。なお、チャンバー内の70kPaの減圧雰囲気は、貼り合わせが完了するまで行い、チャンバー内の圧力推移については、図4(a)に示す。
実施例1は、2枚の200mmシリコンウェーハの一方に1μmの酸化膜を形成させたのち、活性層用ウェーハ10とした。
その後、図2に示すように、活性層用ウェーハ10を、チャンバー内のステージ40の載置面40a上に載置し、爪状手段50を介挿して、その上に支持基板用ウェーハ20を載置した後、チャンバー内を70kPaまで減圧し、前記爪状手段50を抜き取った後、荷重付加手段60によって荷重を付加しながら、貼り合わせを行い、サンプルとなる貼り合わせウェーハ30を得た。なお、チャンバー内の70kPaの減圧雰囲気は、貼り合わせが完了するまで行い、チャンバー内の圧力推移については、図4(a)に示す。
(実施例2)
実施例2は、図3に示すように、載置面40aが微小凸面で構成される形状であり、その高低差hが50μmであるステージ40を用いて貼り合わせを行い、爪状手段を用いない条件以外は、実施例1と同様の条件でサンプルとなる貼り合わせウェーハを得た。なお、チャンバー内の圧力推移については、図4(a)に示す。
実施例2は、図3に示すように、載置面40aが微小凸面で構成される形状であり、その高低差hが50μmであるステージ40を用いて貼り合わせを行い、爪状手段を用いない条件以外は、実施例1と同様の条件でサンプルとなる貼り合わせウェーハを得た。なお、チャンバー内の圧力推移については、図4(a)に示す。
(実施例3)
実施例3は、載置面40aが微小凸面で構成される形状であり、そのステージ中央部41とステージ外周部42との高低差hが100μmであるステージ40を用いて、荷重付加手段60によって荷重を付加することなく、前記爪状手段50を抜き取ることで、前記支持基板用ウェーハ20の自重の作用によって貼り合わせを行ったこと以外は、実施例1と同様の条件でサンプルとなる貼り合わせウェーハを得た。なお、チャンバー内の圧力推移については、図4(a)に示す。
実施例3は、載置面40aが微小凸面で構成される形状であり、そのステージ中央部41とステージ外周部42との高低差hが100μmであるステージ40を用いて、荷重付加手段60によって荷重を付加することなく、前記爪状手段50を抜き取ることで、前記支持基板用ウェーハ20の自重の作用によって貼り合わせを行ったこと以外は、実施例1と同様の条件でサンプルとなる貼り合わせウェーハを得た。なお、チャンバー内の圧力推移については、図4(a)に示す。
(比較例1)
比較例1は、チャンバー内を減圧することなく通常の圧力(100kPa)で貼り合わせを行い、爪状手段を用いないこと以外は、図1に示すような形で、実施例1と同様の条件によりサンプルとなる貼り合わせウェーハを得た。なお、チャンバー内の圧力推移については、図4(b)に示す。
比較例1は、チャンバー内を減圧することなく通常の圧力(100kPa)で貼り合わせを行い、爪状手段を用いないこと以外は、図1に示すような形で、実施例1と同様の条件によりサンプルとなる貼り合わせウェーハを得た。なお、チャンバー内の圧力推移については、図4(b)に示す。
(比較例2)
比較例2は、従来の減圧雰囲気での貼り合わせ方法のように、チャンバー内にある、載置面40aが微小凸面で構成される形状で、そのステージ中央部41とステージ外周部42との高低差hが100μmであるステージ40の上に、前記活性層用ウェーハ10を載置した後、直接、前記支持基板用ウェーハ20を重ね合わせ、(爪状手段を用いない)その後、減圧を行うことによって貼り合わせを進行させたこと以外は、実施例3と同様の条件でサンプルとなる貼り合わせウェーハを得た。なお、チャンバー内の圧力推移については、図4(b)に示す。
比較例2は、従来の減圧雰囲気での貼り合わせ方法のように、チャンバー内にある、載置面40aが微小凸面で構成される形状で、そのステージ中央部41とステージ外周部42との高低差hが100μmであるステージ40の上に、前記活性層用ウェーハ10を載置した後、直接、前記支持基板用ウェーハ20を重ね合わせ、(爪状手段を用いない)その後、減圧を行うことによって貼り合わせを進行させたこと以外は、実施例3と同様の条件でサンプルとなる貼り合わせウェーハを得た。なお、チャンバー内の圧力推移については、図4(b)に示す。
(評価方法)
上記実施例1〜3並びに比較例1及び2で得られた貼り合わせウェーハのサンプルについて、一般的な超音波ボイド検査装置により、貼り合わせ界面のボイド(特にウェーハ外周部に発生するボイド)の個数を計測し、それぞれの結果を以下の評価基準に従って評価した。計測結果及び評価結果を表1に示す。
○:ボイドの発生なし
×:ボイドの発生あり
上記実施例1〜3並びに比較例1及び2で得られた貼り合わせウェーハのサンプルについて、一般的な超音波ボイド検査装置により、貼り合わせ界面のボイド(特にウェーハ外周部に発生するボイド)の個数を計測し、それぞれの結果を以下の評価基準に従って評価した。計測結果及び評価結果を表1に示す。
○:ボイドの発生なし
×:ボイドの発生あり
表1の結果から、実施例1〜3のサンプルは、ボイドが観察されず、ボイドの発生を有効に抑制できていることがわかった。一方、比較例1及び2のサンプルは、貼り合わせの際に十分に減圧が行われていないことから、サンプルの外周部にボイドが発生していることがわかった。
この発明によれば、特に貼り合わせウェーハ外周部の、貼り合わせ界面におけるボイドの発生を、有効かつ容易に抑制することができる貼り合わせウェーハの製造方法を提供することが可能になった。
10、20 ウェーハ
30 貼り合わせたウェーハ
40 ステージ
40a 載置面
41 ステージ中央部
50 爪状手段
60 荷重手段
70 チャンバー
30 貼り合わせたウェーハ
40 ステージ
40a 載置面
41 ステージ中央部
50 爪状手段
60 荷重手段
70 チャンバー
Claims (5)
- 活性層用ウェーハ又は支持基板用ウェーハのいずれか一方のウェーハを、ステージ上に載置した状態で、所定の圧力雰囲気まで減圧した後、前記一方のウェーハ上に他方のウェーハを、直接又は間接的に重ね合わせ、その後、重ね合わせた両ウェーハを、前記所定圧力まで減圧した状態で、貼り合わせを行うことを特徴とする貼り合わせウェーハの製造方法。
- 前記重ね合わせた両ウェーハは、前記一方のウェーハと前記他方のウェーハとの間に爪状手段を介挿して、間接的に重ね合わせてなる請求項1記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
- 前記所定圧力は、70kPa以下である請求項1又は2記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
- 前記貼り合わせは、前記重ね合わせた両ウェーハの中央部のみを、上方から所定荷重を加えることにより行う請求項1、2又は3記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
- 前記ステージの載置面は、その中心位置と外周位置の高低差(h)が100μm以下の微小凸面で構成される請求項1〜4のいずれか1項記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008179967A JP2010021326A (ja) | 2008-07-10 | 2008-07-10 | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008179967A JP2010021326A (ja) | 2008-07-10 | 2008-07-10 | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010021326A true JP2010021326A (ja) | 2010-01-28 |
Family
ID=41705940
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008179967A Withdrawn JP2010021326A (ja) | 2008-07-10 | 2008-07-10 | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010021326A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012039095A (ja) * | 2010-08-11 | 2012-02-23 | Soytec | 低圧での分子接着接合方法 |
JP2018506841A (ja) * | 2014-12-23 | 2018-03-08 | エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー | 基板を仮固定するための方法と装置 |
-
2008
- 2008-07-10 JP JP2008179967A patent/JP2010021326A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012039095A (ja) * | 2010-08-11 | 2012-02-23 | Soytec | 低圧での分子接着接合方法 |
CN102376623A (zh) * | 2010-08-11 | 2012-03-14 | S.O.I.Tec绝缘体上硅技术公司 | 低压下的分子粘附键合方法 |
JP2018506841A (ja) * | 2014-12-23 | 2018-03-08 | エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー | 基板を仮固定するための方法と装置 |
US10340161B2 (en) | 2014-12-23 | 2019-07-02 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Device for prefixing of substrates |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI627658B (zh) | 貼合式soi晶圓的製造方法 | |
JP5065748B2 (ja) | 貼り合わせウエーハの製造方法 | |
JP2008300571A (ja) | Soiウェーハの製造方法 | |
JP5433567B2 (ja) | Soi基板の製造方法 | |
WO2014017369A1 (ja) | ハイブリッド基板の製造方法及びハイブリッド基板 | |
US9793154B2 (en) | Method for manufacturing bonded SOI wafer | |
JP2015032690A (ja) | 積層ウェーハの加工方法 | |
EP2887383A1 (en) | Soi wafer manufacturing method | |
US9548202B2 (en) | Method for bonding by means of molecular adhesion | |
JP7206465B2 (ja) | イオン注入ステップ中のドナー基板の縁部におけるゾーンのマスキング | |
JP5668275B2 (ja) | Soiウェーハの製造方法及び貼り合わせ装置 | |
JP2007318102A (ja) | Soiウエーハの製造方法 | |
JP2007317878A (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
JP5303883B2 (ja) | 貼り合わせウェーハの製造装置及び製造方法 | |
JP6056516B2 (ja) | Soiウェーハの製造方法及びsoiウェーハ | |
JP4869622B2 (ja) | 貼り合わせウエーハの製造方法及びそれに用いる剥離用治具 | |
JP2010021326A (ja) | 貼り合わせウェーハの製造方法 | |
TW200300575A (en) | Manufacturing method of bonding wafer | |
JP2016201454A (ja) | Soiウェーハの製造方法 | |
CN104051317A (zh) | 晶片到晶片的熔接结合卡盘 | |
JP2017168473A (ja) | 接合装置および接合システム | |
JP5135713B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
JP2010287718A (ja) | 貼り合わせ基板及び貼り合わせ基板の製造方法 | |
US7811901B1 (en) | Method and edge region structure using co-implanted particles for layer transfer processes | |
JP4730645B2 (ja) | Soiウェーハの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20111004 |