JP2010016170A - 成形ビームのオフセット偏向量取得方法及び描画装置 - Google Patents
成形ビームのオフセット偏向量取得方法及び描画装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010016170A JP2010016170A JP2008174617A JP2008174617A JP2010016170A JP 2010016170 A JP2010016170 A JP 2010016170A JP 2008174617 A JP2008174617 A JP 2008174617A JP 2008174617 A JP2008174617 A JP 2008174617A JP 2010016170 A JP2010016170 A JP 2010016170A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- convolution
- reference image
- image
- mark
- shaped beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 61
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 66
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 44
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 32
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 22
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 21
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 10
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract description 46
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 8
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 abstract description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 25
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 19
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 4
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/22—Optical, image processing or photographic arrangements associated with the tube
- H01J37/222—Image processing arrangements associated with the tube
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/09—Diaphragms; Shields associated with electron or ion-optical arrangements; Compensation of disturbing fields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
- H01J37/1472—Deflecting along given lines
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
- H01J37/3045—Object or beam position registration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/045—Diaphragms
- H01J2237/0455—Diaphragms with variable aperture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/083—Beam forming
- H01J2237/0835—Variable cross-section or shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/22—Treatment of data
- H01J2237/221—Image processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/22—Treatment of data
- H01J2237/226—Image reconstruction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
【構成】成形ビームのオフセット偏向量取得方法は、マークの参照画像と第1の図形の参照画像との第1のコンボリューション参照画像と、マークの参照画像と第2の図形の参照画像との第2のコンボリューション参照画像とを作成し、電子ビームでマーク上を走査して、第1と第2の図形の光学画像を取得し、第1のコンボリューション参照画像と第1の図形の光学画像との第1のコンボリューション合成画像と、第2のコンボリューション参照画像と第2の図形の光学画像との第2のコンボリューション合成画像とを作成し、第1と第2のコンボリューション合成画像の重心位置を演算し、第1と第2のコンボリューション合成画像の重心位置を基に、第1と第2の図形の基準位置が一致するように第2の図形に成形された電子ビームのオフセット偏向量を演算し、結果を出力することを特徴とする。
【選択図】図4
Description
可変成形型電子線(EB:Electron beam)描画装置は、以下のように動作する。第1のアパーチャ410には、電子線330を成形するための矩形例えば長方形の開口411が形成されている。また、第2のアパーチャ420には、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口421が形成されている。荷電粒子ソース430から照射され、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330は、偏向器により偏向され、第2のアパーチャ420の可変成形開口421の一部を通過して、所定の一方向(例えば、X方向とする)に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340に照射される。すなわち、第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過できる矩形形状が、X方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340の描画領域に描画される(例えば、特許文献1参照)。第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式という。
描画装置に搭載される第1と第2のアパーチャによって成形可能な第1と第2の図形の参照画像を作成する工程と、
マークの設計データからマークの参照画像を作成する工程と、
マークの参照画像と第1の図形の参照画像とのコンボリューション演算により得られる第1のコンボリューション参照画像と、マークの参照画像と第2の図形の参照画像とのコンボリューション演算により得られる第2のコンボリューション参照画像とを作成する工程と、
第1と第2のアパーチャを用いて第1と第2の図形に成形された荷電粒子ビームでマーク上を走査して、第1と第2の図形の光学画像を取得する工程と、
第1のコンボリューション参照画像と第1の図形の光学画像とのコンボリューション演算により得られる第1のコンボリューション合成画像と、第2のコンボリューション参照画像と前記第2の図形の光学画像とのコンボリューション演算により得られる第2のコンボリューション合成画像とを作成する工程と、
第1と第2のコンボリューション合成画像の重心位置を演算する工程と、
第1と第2のコンボリューション合成画像の重心位置を基に、第1と第2の図形の基準位置が一致するように第2の図形に成形された荷電粒子ビームのオフセット偏向量を演算し、結果を出力する工程と、
を備えたことを特徴とする。
第1のコンボリューション参照画像の重心位置と第2のコンボリューション参照画像の重心位置とのずれ量を演算する工程と、
をさらに備え、
オフセット偏向量を演算する際に、第1と第2のコンボリューション合成画像の重心位置の差についてずれ量分を補正すると好適である。
次回の第2の図形の光学画像を取得する際に、第2の図形に成形された荷電粒子ビームを前回演算されたオフセット偏向量で偏向した上で、マーク上を走査すると好適である。
荷電粒子ビームを放出する放出部と、
荷電粒子ビームを第1と第2の図形に成形する第1と第2の成形アパーチャと、
マークを配置するステージと、
第1と第2の図形の参照画像を作成する第1の作成部と、
マークの設計データからマークの参照画像を作成する第2の作成部と、
マークの参照画像と第1の図形の参照画像とのコンボリューション演算により得られる第1のコンボリューション参照画像と、マークの参照画像と第2の図形の参照画像とのコンボリューション演算により得られる第2のコンボリューション参照画像とを作成する第3の作成部と、
第1と第2の図形に成形された荷電粒子ビームを用いて、マーク上を走査する偏向器と、
マークからの反射電子を検出する検出器と、
検出器の出力値を用いて、第1と第2の図形の光学画像を取得する光学画像取得部と、
第1のコンボリューション参照画像と第1の図形の光学画像とのコンボリューション演算により得られる第1のコンボリューション合成画像と、第2のコンボリューション参照画像と第2の図形の光学画像とのコンボリューション演算により得られる第2のコンボリューション合成画像とを作成する第4の作成部と、
第1と第2のコンボリューション合成画像の重心位置を演算する第1の演算部と、
第1と第2のコンボリューション合成画像の重心位置を基に、第1と第2の図形の基準位置が一致するように第2の図形に成形された荷電粒子ビームのオフセット偏向量を演算する第2の演算部と、
を備えたことを特徴とする。
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。描画装置100は、試料101に所定のパターンを描画する。描画部150は、描画室103と描画室103の上部に配置された電子鏡筒102を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、第1のアパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2のアパーチャ206、対物レンズ207、偏向器208、及び検出器212を有している。そして、描画室103内には、XYステージ105が配置され、XYステージ105上にマーク106が配置される。描画する際には、XYステージ105上に描画対象となる試料が配置される。試料として、例えば、半導体装置が形成されるウェハにパターンを転写する露光用のマスクが含まれる。また、このマスクは、例えば、まだ何もパターンが形成されていないマスクブランクスが含まれる。制御部160は、磁気ディスク装置109、制御計算機110、メモリ111、偏向制御回路140、デジタル・アナログ変換(DAC)アンプ142,144、及び測定アンプ146を有している。制御計算機110内には、図形参照画像作成部112、マーク参照画像作成部114、コンボリューション参照画像作成部116,118、重心位置演算部120、オフセット量演算部122、光学画像取得部124、コンボリューション合成画像作成部126、重心位置演算部128、オフセット偏向量演算部130、及び判定部132が配置されている。図形参照画像作成部112、マーク参照画像作成部114、コンボリューション参照画像作成部116,118、重心位置演算部120、オフセット量演算部122、光学画像取得部124、コンボリューション合成画像作成部126、重心位置演算部128、オフセット偏向量演算部130、及び判定部132といった機能は、ソフトウェアによりCPU等の計算機で実行される構成してもよい。或いは、電気的な回路によるハードウェアにより構成してもよい。或いは、電気的な回路によるハードウェアとソフトウェアとの組合せにより実施させても構わない。或いは、かかるハードウェアとファームウェアとの組合せでも構わない。また、ソフトウェアにより、或いはソフトウェアとの組合せにより実施させる場合には、処理を実行する計算機に入力される情報或いは演算処理中及び処理後の各情報はその都度メモリ111に記憶される。磁気ディスク装置109、制御計算機110、メモリ111、偏向制御回路140、及び測定アンプ146は、図示しないバスにより互いに接続されている。偏向制御回路140には、DACアンプ142,144が接続される。図1では、本実施の形態1を説明する上で必要な構成部分以外については記載を省略している。描画装置100にとって、通常、必要なその他の構成が含まれても構わない。
図6は、実施の形態1におけるマークが配置されたステージの上面図の一例を示す図である。図6において、XYステージ105上には、描画される試料が配置される領域108の外側に複数のマーク106が配置されている。マーク106は、例えば、シリコン(Si)部材(基板)上にSiとは反射率の異なる材料で形成される。マーク106は、正方形或いは長方形に形成されると好適である。マーク106の材料として、例えば、タングステン(W)等が好適である。マーク106のサイズは、成形ビームより大きくても小さくてもよいし、或いは、成形ビームと同程度の寸法でも構わない。
20,22,24,26,28 第1のアパーチャ像
30,32 コンボリューション参照画像
40 四角形
42 三角形
50 開口部
52 最大値
54 反射電子
100 描画装置
101,340 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
106 マーク
108 領域
109 磁気ディスク装置
110 制御計算機
111 メモリ
112 図形参照画像作成部
114 マーク参照画像作成部
116,118 コンボリューション参照画像作成部
120,128 重心位置演算部
122 オフセット量演算部
124 光学画像取得部
126 コンボリューション合成画像作成部
130 オフセット偏向量演算部
132 判定部
140 偏向制御回路
142,144 DACアンプ
146 測定アンプ
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203,410 第1のアパーチャ
204 投影レンズ
205 偏向器
206,420 第2のアパーチャ
207 対物レンズ
208 偏向器
212 検出器
330 電子線
411 開口
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
Claims (5)
- 描画装置に搭載される第1と第2のアパーチャによって成形可能な第1と第2の図形の参照画像を作成する工程と、
マークの設計データから前記マークの参照画像を作成する工程と、
前記マークの参照画像と前記第1の図形の参照画像とのコンボリューション演算により得られる第1のコンボリューション参照画像と、前記マークの参照画像と前記第2の図形の参照画像とのコンボリューション演算により得られる第2のコンボリューション参照画像とを作成する工程と、
前記第1と第2のアパーチャを用いて前記第1と第2の図形に成形された荷電粒子ビームで前記マーク上を走査して、前記第1と第2の図形の光学画像を取得する工程と、
前記第1のコンボリューション参照画像と前記第1の図形の光学画像とのコンボリューション演算により得られる第1のコンボリューション合成画像と、前記第2のコンボリューション参照画像と前記第2の図形の光学画像とのコンボリューション演算により得られる第2のコンボリューション合成画像とを作成する工程と、
前記第1と第2のコンボリューション合成画像の重心位置を演算する工程と、
前記第1と第2のコンボリューション合成画像の重心位置を基に、前記第1と第2の図形の基準位置が一致するように前記第2の図形に成形された荷電粒子ビームのオフセット偏向量を演算し、結果を出力する工程と、
を備えたことを特徴とする成形ビームのオフセット偏向量取得方法。 - 前記第1の図形は四角形が用いられ、前記第2の図形は直角三角形が用いられることを特徴とする請求項1記載の成形ビームのオフセット偏向量取得方法。
- 前記第1と第2のコンボリューション参照画像の重心位置を演算する工程と、
前記第1のコンボリューション参照画像の重心位置と前記第2のコンボリューション参照画像の重心位置とのずれ量を演算する工程と、
をさらに備え、
前記オフセット偏向量を演算する際に、前記第1と第2のコンボリューション合成画像の重心位置の差について前記ずれ量分を補正することを特徴とする請求項1又は2記載の成形ビームのオフセット偏向量取得方法。 - 前記第1と第2の図形の光学画像の取得と、前記第1と第2のコンボリューション合成画像の作成と、前記第1と第2のコンボリューション合成画像の重心位置の演算と、前記オフセット偏向量の演算とが、繰り返し行なわれ、
次回の前記第2の図形の光学画像を取得する際に、前記第2の図形に成形された荷電粒子ビームを前回演算された偏向量で偏向した上で、前記マーク上を走査することを特徴とする請求項1〜3いずれか記載の成形ビームのオフセット偏向量取得方法。 - 荷電粒子ビームを放出する放出部と、
前記荷電粒子ビームを第1と第2の図形に成形する第1と第2の成形アパーチャと、
マークを配置するステージと、
前記第1と第2の図形の参照画像を作成する第1の作成部と、
前記マークの設計データから前記マークの参照画像を作成する第2の作成部と、
前記マークの参照画像と前記第1の図形の参照画像とのコンボリューション演算により得られる第1のコンボリューション参照画像と、前記マークの参照画像と前記第2の図形の参照画像とのコンボリューション演算により得られる第2のコンボリューション参照画像とを作成する第3の作成部と、
前記第1と第2の図形に成形された荷電粒子ビームを用いて、前記マーク上を走査する偏向器と、
前記マークからの反射電子を検出する検出器と、
前記検出器の出力値を用いて、前記第1と第2の図形の光学画像を取得する光学画像取得部と、
前記第1のコンボリューション参照画像と前記第1の図形の光学画像とのコンボリューション演算により得られる第1のコンボリューション合成画像と、前記第2のコンボリューション参照画像と前記第2の図形の光学画像とのコンボリューション演算により得られる第2のコンボリューション合成画像とを作成する第4の作成部と、
前記第1と第2のコンボリューション合成画像の重心位置を演算する第1の演算部と、
前記第1と第2のコンボリューション合成画像の重心位置を基に、前記第1と第2の図形の基準位置が一致するように前記第2の図形に成形された荷電粒子ビームのオフセット偏向量を演算する第2の演算部と、
を備えたことを特徴とする描画装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008174617A JP5199756B2 (ja) | 2008-07-03 | 2008-07-03 | 成形ビームのオフセット偏向量取得方法及び描画装置 |
US12/495,050 US8008631B2 (en) | 2008-07-03 | 2009-06-30 | Method of acquiring offset deflection amount for shaped beam and lithography apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008174617A JP5199756B2 (ja) | 2008-07-03 | 2008-07-03 | 成形ビームのオフセット偏向量取得方法及び描画装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010016170A true JP2010016170A (ja) | 2010-01-21 |
JP5199756B2 JP5199756B2 (ja) | 2013-05-15 |
Family
ID=41463639
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008174617A Active JP5199756B2 (ja) | 2008-07-03 | 2008-07-03 | 成形ビームのオフセット偏向量取得方法及び描画装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8008631B2 (ja) |
JP (1) | JP5199756B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015050329A (ja) * | 2013-09-02 | 2015-03-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP2016129133A (ja) * | 2014-12-22 | 2016-07-14 | カール ツァイス マイクロスコーピー エルエルシー | 荷電粒子ビームシステム及び方法 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5792813B2 (ja) * | 2010-07-30 | 2015-10-14 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 真空熱処理装置用の熱処理容器 |
JP6349944B2 (ja) * | 2014-05-13 | 2018-07-04 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法 |
EP3010031B1 (en) * | 2014-10-16 | 2017-03-22 | Fei Company | Charged Particle Microscope with special aperture plate |
US10437157B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-10-08 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for image analysis |
US10607334B2 (en) * | 2014-12-09 | 2020-03-31 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for image analysis |
KR20180016423A (ko) * | 2015-06-08 | 2018-02-14 | 가부시키가이샤 니콘 | 하전 입자 빔 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6361905A (ja) * | 1986-09-03 | 1988-03-18 | Canon Inc | アライメントマ−ク検出装置 |
JPH02262326A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-25 | Toshiba Corp | 荷電ビーム描画方法 |
JPH06124883A (ja) * | 1992-08-31 | 1994-05-06 | Toshiba Corp | 荷電ビーム補正方法及びマーク検出方法 |
JPH10270337A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-09 | Toshiba Corp | 荷電ビーム描画装置におけるビーム調整方法 |
JPH11162390A (ja) * | 1997-11-28 | 1999-06-18 | Hitachi Ltd | 電子線描画装置 |
JP2001085303A (ja) * | 1999-09-10 | 2001-03-30 | Toshiba Corp | 荷電ビーム露光装置及び荷電ビーム露光方法 |
JP2005072469A (ja) * | 2003-08-27 | 2005-03-17 | Toshiba Corp | 荷電ビーム描画方法と荷電ビーム描画装置 |
JP2006100591A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Toshiba Corp | 荷電ビーム描画装置および荷電ビーム描画方法 |
JP2006114599A (ja) * | 2004-10-13 | 2006-04-27 | Toshiba Corp | 補正装置、補正方法、補正プログラム及び半導体装置の製造方法 |
JP2008521221A (ja) * | 2004-11-17 | 2008-06-19 | イーエムエス ナノファブリカツィオン アーゲー | 粒子ビーム露光装置のためのパターンロック装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5124927A (en) * | 1990-03-02 | 1992-06-23 | International Business Machines Corp. | Latent-image control of lithography tools |
JPH0935057A (ja) | 1995-07-21 | 1997-02-07 | Hitachi Ltd | マーク検出方法および電子ビーム描画装置 |
JP4870437B2 (ja) * | 2006-01-11 | 2012-02-08 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 偏向収差補正電圧の演算方法及び荷電粒子ビーム描画方法 |
US8078995B2 (en) * | 2009-01-06 | 2011-12-13 | International Business Machines Corporation | Efficient isotropic modeling approach to incorporate electromagnetic effects into lithographic process simulations |
-
2008
- 2008-07-03 JP JP2008174617A patent/JP5199756B2/ja active Active
-
2009
- 2009-06-30 US US12/495,050 patent/US8008631B2/en active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6361905A (ja) * | 1986-09-03 | 1988-03-18 | Canon Inc | アライメントマ−ク検出装置 |
JPH02262326A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-25 | Toshiba Corp | 荷電ビーム描画方法 |
JPH06124883A (ja) * | 1992-08-31 | 1994-05-06 | Toshiba Corp | 荷電ビーム補正方法及びマーク検出方法 |
JPH10270337A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-09 | Toshiba Corp | 荷電ビーム描画装置におけるビーム調整方法 |
JPH11162390A (ja) * | 1997-11-28 | 1999-06-18 | Hitachi Ltd | 電子線描画装置 |
JP2001085303A (ja) * | 1999-09-10 | 2001-03-30 | Toshiba Corp | 荷電ビーム露光装置及び荷電ビーム露光方法 |
JP2005072469A (ja) * | 2003-08-27 | 2005-03-17 | Toshiba Corp | 荷電ビーム描画方法と荷電ビーム描画装置 |
JP2006100591A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Toshiba Corp | 荷電ビーム描画装置および荷電ビーム描画方法 |
JP2006114599A (ja) * | 2004-10-13 | 2006-04-27 | Toshiba Corp | 補正装置、補正方法、補正プログラム及び半導体装置の製造方法 |
JP2008521221A (ja) * | 2004-11-17 | 2008-06-19 | イーエムエス ナノファブリカツィオン アーゲー | 粒子ビーム露光装置のためのパターンロック装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015050329A (ja) * | 2013-09-02 | 2015-03-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP2016129133A (ja) * | 2014-12-22 | 2016-07-14 | カール ツァイス マイクロスコーピー エルエルシー | 荷電粒子ビームシステム及び方法 |
US10410828B2 (en) | 2014-12-22 | 2019-09-10 | Carl Zeiss Microscopy, Llc | Charged particle beam system and methods |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8008631B2 (en) | 2011-08-30 |
US20100001203A1 (en) | 2010-01-07 |
JP5199756B2 (ja) | 2013-05-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5199756B2 (ja) | 成形ビームのオフセット偏向量取得方法及び描画装置 | |
JP2008085120A (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置の位置補正係数算出方法及び荷電粒子ビーム描画装置の位置補正係数更新方法 | |
JP5688308B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
KR101495684B1 (ko) | 하전 입자빔의 편향 형상 오차 취득 방법 및 하전 입자빔 묘화 방법 | |
JP2016225357A (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP7180515B2 (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 | |
KR20190044508A (ko) | 하전 입자 빔 묘화 장치 및 하전 입자 빔 묘화 방법 | |
JP2011066054A (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP4987554B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP6322011B2 (ja) | 荷電粒子ビームのドリフト補正方法及び荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP2008021435A (ja) | 荷電粒子ビームのビーム分解能測定方法及び荷電粒子ビーム装置 | |
TWI697744B (zh) | 帶電粒子束描繪裝置及帶電粒子束描繪方法 | |
JP5461878B2 (ja) | ドリフト測定方法、荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP6937125B2 (ja) | ステージ機構の位置補正方法及び荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP2011171510A (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP6861543B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP2006339404A (ja) | 電子ビーム描画装置 | |
JP2018073978A (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP2010010170A (ja) | 描画装置及び荷電粒子ビームの焦点合わせ方法 | |
JP2011066236A (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP5010513B2 (ja) | アライメントマーク判定装置、アライメントマーク生成装置、描画装置及び描画方法 | |
JP2010147066A (ja) | 座標計測装置及び荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP6754481B2 (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP2008042173A (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法、荷電粒子ビーム描画装置及びプログラム | |
JP2017228650A (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110511 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121114 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130122 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130208 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160215 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5199756 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |