JP2010011033A - 光電変換装置及び放射線検出装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光を電荷として蓄積する電荷蓄積部を有する画素11を2次元的に配列した光電変換パネル2と、該光電変換パネル2の電荷蓄積部に蓄積された電荷を読出信号ライン単位で読出す読出制御部6と、前記読出信号ライン5に接続されて前記電荷蓄積部の残留電荷を前記読出信号ライン単位で放電するリセット部9とを備え、前記読出制御部6とリセット部9とを、前記光電変換パネル2の異なる端部に配設した構成を有する。
【選択図】図1
Description
このようなFPDは、70〜200umの分解能を持ちながら大面積等倍露光が可能という利点から、一般投資撮影装置やCT装置や案義尾装置と言った比較的大きなシステムに組込まれた固定型と、X線源とともにFPDを患者のいる場所に持ち歩いて設置することができる可搬型の2タイプがある。
ノイズ信号は、配線抵抗に起因するサーマルノイズや寄生容量、読出されるイメージ信号の増幅回路系(積分回路、相間二重サンプリング(CDS:Correlated Double Sampling)回路、マルチプレクサ回路など)の各要素固定バラツキ、TFTアクティブスイッチの特性バラツキなどに起因することが知られており、さまざまなノイズ低減、ノイズキャンセルの手法・工夫がなされている。
このアクティブピクセル方式では、図8(a)で示すように、各ピクセルに設けた例えばPINフォトダイオードでなる光電変換素子100で発生した電荷を光電変換素子の寄生容量もしくは、ダイナミックレンジ改善のために別途設ける補助容量101に蓄積し、このときの容量変化によって生じた僅かな電位量を各ピクセルに設けた増幅用トランジスタ102で増幅し、スイッチングトランジスタ103で信号線104に読出すことで、信号読出しの際の各ピクセルから読出ドライバまでの経路で発生するノイズ成分よりも大きな信号成分として読出ドライバに取出すことができる。なお、図8(a)において、105はスイッチングトランジスタのゲートを駆動する走査線、106はリセットトランジスタ、107はリセット線である。
一方、アクティブピクセル方式を採用する場合には、画素内に多くのトランジスタを配置する必要があり、CMOS−LSIプロセスのような微細加工が成熟したもので且つ読取ドライバICも内蔵した小型で画素ピッチも小さなイメージセンサの作成でこそ可能であるとともに大きいに意味がある。しかし、画素トランジスタとして電子移動度が0.1〜0.8cm2/Vs程度のa−SiTFTを用いる第面積のFPDの場合、各TFTのWを小さくできないために画素レイアウトには必然的に制約が生じるとともに、大パネルで配線本数も増加するため、これによるノイズの増加、また歩留り的観点からこのようなアクティブピクセル方式を大型FPDに用いるのは容易でない。a−SiTFTの代わりにLTPSを用いることも考えられるが、結晶化過程に用いられる線状エキシマレーザービームの長尺幅の制約や、プリカーサa−Si膜へのレーザー照射エネルギバラツキなどによるTFT特性(閾値電圧Vthやオン電流、オフ電流、S値、電子移動度)バラツキが平面的に見てミクロ的にもマクロ的にも発生するため、大面積アクティブマトリックス基板を面内均一にLTPSで製造することは現実には容易ではない。また、工程数も多く、維持管理も含めて特殊な設備が必要なLTPSでは製造コスト的にも不利であり、安価なFPDを提供しづらくなるという未解決の課題がある。
そこで、本発明は、上記従来例の未解決の課題に着目してなされたものであり、光電変換部を簡易な構成としながら残留電荷のリセットを確実に行うことができる光電変換装置及び放射線検出装置を提供することを目的としている。
この光電変換装置では、光電変換パネルの読出制御部を接続する読出信号ラインにリセット部を接続し、読出制御部とリセット部とを光電変換パネルの異なる端部に配設したので、リセット部によって電荷蓄積部の残留電荷を読出信号ライン単位で確実に除去することができる。また、読出制御部とリセット部とが離れた位置に配置されるので、リセット部でのリセット時のノイズが読出制御部に影響することを確実に防止することができる。
この光電変換装置では、リセット部と読出制御部が光電変換パネルを介して対向配置されているので、両者間の距離を長くすることができ、リセット部で発生するノイズが読出制御部に与える影響をより小さくすることができる。
また、本発明に係る光電変換装置は、光を電荷として蓄積する電荷蓄積部を有する光検出部を2次元的に配列した光電変換パネルと、該光電変換パネルの電荷蓄積部に蓄積された電荷を読出信号ライン単位で読出す読出制御部と、前記読出信号ラインに接続されて前記電荷蓄積部の残留電荷を前記読出信号ライン単位で放電するリセット部とを備え、前記読出制御部と前記リセット部とを異なる回路構成とした。
また、本発明に係る光電変換装置は、前記リセット部を、前記光電変換パネルに内蔵させた構成を有する。
この光電変換装置では、リセット部を光電変換パネルに内蔵させたので、この分全体の回路構成を簡易化することができる。
この光電変換装置では、光検出部をパッシブピクセル方式の構成とすることで、光検出部の構成を簡易化して、全体の構成を小型化することができる。
また、本発明の光電変換装置は、前記リセット部は、前記読出信号ライン及びリセット電源との間に個別に介挿されたスイッチを有し、リセット時に各スイッチを同時にオン状態に制御する構成とした。
この光電変換装置では、リセット部が読出信号ライン及びリセット電源との間に個別にスイッチを介挿し、リセット時に各スイッチを同時にオン状態とするので、光電変換パネルの各光検出部における電荷蓄積部の残留電荷を短時間でリセットすることができる。
この光電変換装置では、バイアス電源とリセット電源を共通化することができ、全体の回路構成を簡易化することができる。
また、本発明の光電変換装置は、前記バイアス電源の電位を前記リセット電源の電位より大きい電位に設定した構成を有する。
この光電変換装置では、バイアス電位をリセット電位より大きく設定することにより、光検出素子に順方向バイアスを与えて、電荷蓄積素子の残留電荷を速やかに吐き出させることができる。
この光電変換装置は、PIN素子及びMIS素子を光検出素子として適用するので、照射される可視光を確実に電気信号に変換することができる。
また、本発明の放射線撮像装置は、請求項1乃至9の何れか1項に記載の光電変換装置と、該光電変換装置の前記光電変換パネルの光検出面上に放射線を可視光に変換するシンチレータを配設した構成を有する。
この放射線撮像装置では、放射線をシンチレータで可視光に変換し、変換された可視光を光電変換装置の光電変換パネルで光電変換して蓄積電荷部に放射線画像に対応した電荷を蓄積することができ、この電荷蓄積部の電荷を読出制御部で読出すことにより、放射線撮像データを得ることができる。また、蓄積電荷部の残留電荷をリセット部で確実に除去することができ、前回の放射線撮像イメージが残留することを確実に防止することができる。
この放射線撮像装置では、放射線検出パネルの2次元的に配列された放射線検出部で曝射された放射線量に応じた電荷を電荷蓄積部に蓄積し、蓄積した電荷を読出制御部で読み出すことより、放射線画像データを読出すことができ、リセット部で電荷蓄積部の残留電荷を確実に除去することができる。このとき、リセット部で発生するノイズが読出制御部に影響することを確実に防止することができ、前回の放射線撮像イメージが残留することを確実に防止することができる。
この放射線撮像装置では、リセット部を光電変換パネルに内蔵させたので、この分全体の回路構成を簡易化することができる。
また、本発明の放射線撮像装置は、前記放射線検出部は、放射線検出素子と電荷蓄積素子とが並列に接続された並列回路を有し、該並列回路は一端にバイアス電位が印加され、他端がスイッチング素子を介して前記読出信号ラインに接続された構成を有する。
この放射線撮像装置は、光検出部をパッシブピクセル方式の構成とすることで、光検出部の構成を簡易化して、全体の構成を小型化することができる。
図1は、本発明を放射線撮像装置に適用した場合の一実施形態を示す平面図、図2は図1の回路構成を示すブロック図、図3は放射線撮像装置を収容する携帯型ケースの正面図である。
図1において、放射線撮像装置1は、光電変換パネル2と、この光電変換パネル2の上面に形成された光電変換領域3を覆う曝射される放射線(X線)を可視光に変換するシンチレータ4とを備えている。
光電変換パネル2に形成された読出信号ライン5には読出制御部としての読出ドライバIC6が接続され、光電変換パネル2に形成された行選択信号ライン7には行選択信号を出力する例えばシフトレジスタで構成されるゲートドライバIC8が接続されている。
光電変換パネル2は、図2に示すように、光電変換領域3内に、パッシブピクセル方式の画素11が2次元的にマトリックス状に配設されている。各画素11は、PINフォトダイオードPDと電荷を蓄積する電荷蓄積部としてのコンデンサCとが並列に接続された並列回路12を有する。この並列回路12は、その一端にバイアス電源13から所定のバイアス電位Vbがバイアスライン15を介して印加され、他端がTFTで構成されるスイッチングトランジスタ14を介して読出信号ライン5に接続されている。スイッチングトランジスタ14のゲートが行選択信号ライン7を介してゲートドライバIC8に接続されている。
この放射線撮像装置1は、図3に示すように把手80を有する携帯型ケース81内にシンチレータ4を透明保護シート82に対向させて収納されている。
今、図4に示すように、ベッド41に仰向けで寝ている被検査人42の例えば背中の下側に放射線撮像装置1を配置し、この放射線撮像装置1に対向する上方位置に放射線源43を配置し、放射線撮像装置1及び放射線源43をコントローラ44で制御する。
このとき、コントローラ44によって放射線源43をオフ状態に制御し、放射線撮像装置1のシンチレータ4に放射線が曝射されていない状態では、コントローラ44によって放射線撮像装置1のタイミングジェネレータ10に対して撮影待機信号を出力する。このため、放射線撮像装置1のタイミングジェネレータ10では、読出ドライバICの各読出スイッチ21がオフ状態に制御するととともに、リセット回路9のリセットスイッチ31をオフ状態に制御する。さらに、ゲートドライバIC8から出力される行選択信号の出力を停止させる。
この結果、全ての画素11のスイッチングトランジスタ14がオン状態に制御されることにより、リセット電源32が各リセットスイッチ31、各読出信号ライン5を介し、全ての画素11のスイッチングトランジスタ14を介してPINフォトダイオードPDのカソード及びコンデンサCの一端に接続される。
この結果、全ての画素のPINダイオードPDの寄生容量及びコンデンサCの残留蓄積電荷の状態が同じなるため、読出しきれない残留電荷のある画素に起因するランダムなアーチファクトの発生を確実に防止することができる。このとき、読出信号ライン5の配線抵抗による電圧降下の影響により、リセット回路9から遠い画素11と近い画素とでリセット状態の電位が微小変化を生じることになるが、その影響は固定パターンノイズとなるので、画像処理などの手段により容易にキャンセルすることができる。
また、バイアス電位Vbとリセット電位Vrとを同一電位としてバイアス電源13及びリセット電源32を共通化する場合には、バイアス電源13から各画素11のPINフォトダイオードPD及びコンデンサCの並列回路12までのバイアスライン15の長さと、リセット電源32から各画素11の並列回路12までの信号線長さとを等しくすることが好ましい。
このとき、被検査人42を透過した放射線がシンチレータ4に曝射されることになり、このシンチレータ4で、曝射された放射線量に対応した可視光量に変換され、光電変換領域3の画素11に照射される。
このように、上記実施形態によれば、各画素11の読出信号ライン5にリセット回路9が接続され、このリセット回路9が読出ドライバIC6とは光電変換領域3を挟んで反対側に配設されている。このため、リセット回路9のリセットスイッチ31をオン・オフする際に生じるノイズの影響が読出ドライバIC6に影響することを確実に防止することができる。しかも、読出ドライバIC6とリセット回路9とが互いに分離された回路構成とされているので、リセット回路9のリセットスイッチ31をオン・オフする際に生じるノイズの影響が読出ドライバIC6に影響することをより確実に防止することができる。
また、上記実施形態においては、リセット回路9を読出ドライバIC6とは光電変換パネル2を介して反対側に配置する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、図5に示すように光電変換パネル2の例えばゲートドライバIC8とは反対側の端部に配置するようにしてもよい。
さらに、上記実施形態においては、光検出素子としてPINフォトダイオードPDを適用した場合について説明したが、これに限定されるものではなく、MIS素子を適用するようにしてもよい。
なおさらに、上記実施形態においては、X線を可視光線に変換するシンチレータ4を適用した場合について説明したが、これに限定されるものではなく、X線以外の放射線を光電変換装置が検知できる光に変換するシンチレータを用いることにより、放射線撮像装置以外の任意の撮像装置に適用することができる。
さらに、上記実施形態においては、読出ドライバIC6とリセット回路9とを個別に設けた場合について説明したが、これに限定されるものではなく、光電変換領域3を挟んで両側に読出ドライバICを形成する場合には、これらの何れか一方をリセット回路専用として使用するようにしてもよい。
Claims (15)
- 光を電荷として蓄積する電荷蓄積部を有する光検出部を2次元的に配列した光電変換パネルと、該光電変換パネルの電荷蓄積部に蓄積された電荷を読出信号ライン単位で読出す読出制御部と、前記読出信号ラインに接続されて前記電荷蓄積部の残留電荷を前記読出信号ライン単位で放電するリセット部とを備え、前記読出制御部とリセット部とを、前記光電変換パネルの異なる端部に配設したことを特徴とする光電変換装置。
- 前記リセット部を、前記読出制御部に対して前記光電変換パネルを挟んで反対側に配設したことを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。
- 光を電荷として蓄積する電荷蓄積部を有する光検出部を2次元的に配列した光電変換パネルと、該光電変換パネルの電荷蓄積部に蓄積された電荷を読出信号ライン単位で読出す読出制御部と、前記読出信号ラインに接続されて前記電荷蓄積部の残留電荷を前記読出信号ライン単位で放電するリセット部とを備え、前記読出制御部と前記リセット部とを異なる回路構成としたことを特徴とする光電変換装置。
- 前記リセット部を、前記光電変換パネルに内蔵させたことを特徴とする請求項3に記載の光電変換装置。
- 前記光検出部は、光検出素子と電荷蓄積素子とが並列に接続された並列回路を有し、該並列回路は一端にバイアス電位が印加され、他端がスイッチング素子を介して前記読出信号ラインに接続されていることを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載の光電変換装置。
- 前記リセット部は、前記読出信号ライン及びリセット電源との間に個別に介挿されたスイッチを有し、リセット時に各スイッチを同時にオン状態に制御することを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載の光電変換装置。
- 前記バイアス電源及び前記リセット電源を共通化し、前記バイアス線及び読出信号ラインの長さを一致させたことを特徴とする請求項6に記載の光電変換装置。
- 前記バイアス電源の電位を前記リセット電源の電位より大きい電位に設定したことを特徴とする請求項6に記載の光電変換装置。
- 前記光検出素子はPIN素子及びMIS素子の何れかで構成されていることを特徴とする請求項1乃至8の何れか1項に記載の光電変換装置。
- 請求項1乃至9の何れか1項に記載の光電変換装置と、該光電変換装置の前記光電変換パネルの光検出面上に放射線を可視光に変換するシンチレータを配設したことを特徴とする放射線撮像装置。
- 放射線を電荷として蓄積する電荷蓄積部を有する放射線検出部を2次元的に配列した放射線検出パネルと、該放射線検出パネルの電荷蓄積素子に蓄積された電荷を読出信号ライン単位で読出す読出制御部と、前記読出信号ラインに接続されて前記電荷蓄積素子の残留電荷を前記読出信号ライン単位で放電するリセット部とを備え、前記読出制御部及びリセット部は、前記放射線変換パネルの異なる端部に配設されていることを特徴とする光電変換装置。
- 前記リセット部を、前記読出制御部に対して前記放射線検出パネルを挟んで反対側に配設したことを特徴とする請求項11に記載の光電変換装置。
- 電荷蓄積素子及び放射線検出素子を有する放射線検出部を2次元的に配列した放射線検出パネルと、該放射線検出パネルの電荷蓄積素子に蓄積された電荷を読出信号ライン単位で読出す読出制御部と、前記読出信号ラインに接続されて前記電荷蓄積素子の残留電荷を前記読出信号ライン単位で放電するリセット部とを備え、前記読出制御部と前記リセット部とを異なる回路構成としたことを特徴とする放射線検出装置。
- 前記リセット部を、前記放射線検出パネルに内蔵させたことを特徴とする請求項13に記載の放射線検出装置。
- 前記放射線検出部は、放射線検出素子と電荷蓄積素子とが並列に接続された並列回路を有し、該並列回路は一端にバイアス電位が印加され、他端がスイッチング素子を介して前記読出信号ラインに接続されていることを特徴とする請求項11乃至14の何れか1項に記載の放射線検出装置。
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