JP2010008299A - インプリント用金型又はインプリント基板の検査装置及び検査方法 - Google Patents
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Abstract
本発明は、被検査体全面において短時間で不良領域を検出でき、かつ検出結果を検査工程以降の工程に反映することのできる検査装置及び検査方法を提供することを課題とする。
【解決手段】
本発明は、基体の表面に微細な凹凸パターンを形成した被検査体に放射波を照射する照射機構と、被検査体を透過した放射波を検出する検出機構を備えた検査装置、検査方法において、前記照射機構は前記被検査体の表面または裏面のいずれか一方に配置され、前記検出機構は被検査体を介して照射機構とは相対する面に配置されており、検出機構で得られた被検査体の面内の透過率分布から凹凸パターンの不良領域を検出することを特徴とする。
【選択図】図1
Description
いる。しかしながら、一括図形照射法を使用する電子線描画装置は大型化するとともに、マスクの位置をより高精度に制御する機構がさらに必要となって装置自体のコストが高くなるという問題がある。
次に、本発明の第1実施形態について説明する。図1(a)と(b)は、本実施形態に係る検査装置の構成説明図である。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。図2は、本実施形態に係る検査機構を有する微細構造転写装置の構成説明図、図3は、本設備を用いたインプリント工程を説明する図である。
微細構造転写装置202の外部に検査機構を配置してもよい。この場合、スタンパ201を検査機構まで移動させる。
樹脂材料は熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂等のその他の被加工材料を使用してもよい。この場合、被転写体202に樹脂材料を塗布したのち、被転写体202を樹脂材料のガラス転移温度以上に加熱し、スタンパ201を押し当てる。そして、ガラス転移温度以下に冷却したのち、スタンパ201を剥離する。
本実施例では、図1に示す検査装置を使用する被検査体の検査方法について説明する。
本実施例では、実施例1とは異なり、偏波による検査方法を説明する。
本実施例では、実施例1とは異なる検査方法を説明する。
本実施例では、図2に示す検査装置を使用する被検査体の検査方法について説明する。
本実施例では、実施例4に記載したインプリント方法で、凹凸パターンが転写された被転車体202を検査する実施例を説明する。
本実施例では、実施例4に記載した微細構造転写装置を使用して、反射光抑制デバイスを作製する方法について説明する。
2 放射源
3 検出器
201 スタンパ
202 被転写体
206 放射源
301 光硬化性樹脂
Claims (18)
- 基体の表面に微細な凹凸パターンを形成した被検査体に放射波を照射する照射機構と、被検査体を透過した透過波を検出する検出機構を備えた検査装置において、
前記照射機構は前記被検査体のパターン形成面またはその反対面のいずれか一方に配置され、前記検出機構は被検査体を介して照射機構とは相対する面に配置されており、検出機構で得られた被検査体の面内の透過率分布から凹凸パターンの不良領域を検出することを特徴とする検査装置。 - 前記検査装置において、前記照射機構の放射面は前記被検査体の凹凸パターン形成領域と同じ又は広く形成されていることを特徴とする請求項1に記載の検査装置。
- 前記検査装置において、前記検出機構の検出面は前記被検査体の凹凸パターン形成領域と同じ又は広く形成されていることを特徴とする請求項1に記載の検査装置。
- 前記検査装置において、前記照射機構又は検出機構のいずれか一方に、波長選択機能を有していることを特徴とする請求項1に記載の検査装置。
- 前記検査装置において、波長が異なる少なくとも2波長で透過率分布を測定することを特徴とする請求項4に記載の検査装置。
- 前記検査装置において、前記照射機構又は検出機構のいずれか一方に、偏波選択機能を有していることを特徴とする請求項1に記載の検査装置。
- 前記検査装置において、偏波が異なる少なくとも2偏波で透過率分布を測定することを特徴とする請求項6に記載の検査装置。
- 前記検査装置において、被検査体の面内を複数の区画に分け、各区画内の平均透過率を評価することを特徴とする請求項1に記載の検査装置。
- 前記検査装置において、被検査体または検査する区画の最大幅をw、検出する波長をλとした場合、前記検出機構を被検査体の表面からλ/(2π)以上かつw2/λ以下の範囲に設定することを特徴とする請求項1に記載の検査装置。
- 基体の表面に微細な凹凸パターンを形成した被検査体に放射波を照射する照射機構と、被検査体を透過した透過波を検出する検査方法において、
前記照射機構は前記被検査体のパターン形成面またはその反対面のいずれか一方に配置し、前記検出機構は被検査体を介して照射機構とは相対する面に配置することで、検出機構で得られた被検査体の面内の透過率分布から凹凸パターンの不良領域を検出することを特徴とする検査方法。 - 前記検査方法において、被検査体を透過させて検出する放射波が、少なくとも2つの異なる波長であることを特徴とする請求項10に記載の検査方法。
- 前記検査装置において、被検査体を透過させて検出する放射波が、少なくとも2つの異なる偏向方向であることを特徴とする請求項10に記載の検査方法。
- 前記検査装置において、被検査体の面内を複数の区画に分け、各区画内の平均透過率を評価することを特徴とする請求項10に記載の検査方法。
- 前記検査装置において、被検査体または区画の最大幅をw、検出する波長をλとした場合、被検査体を透過した放射波を被検査体の表面からλ/(2π)以上かつw2/λ以下の範囲で検出することを特徴とする請求項10に記載の検査装置。
- 微細パターンが形成されたスタンパを被転写体に接触させて、前記被転写体の表面に前記スタンパの微細パターンを転写する微細構造転写装置において、
スタンパに放射波を照射する照射機構と、スタンパを透過した放射波を検出する検出機構を備えた検査機構を備えており、
前記照射機構は前記スタンパのパターン形成面またはその反対面のいずれか一方に配置され、前記検出機構はスタンパを介して照射機構とは相対する面に配置されており、検出機構で得られたスタンパの面内の透過率分布を測定する検査装置が備え付けられていることを特徴とする微細構造転写装置。 - 前記微細構造転写装置において、前記被転写体表面に微細パターンを転写するための樹脂を塗布する機構を備えており、該樹脂の塗布量を、前記検査機構で得られたスタンパの透過率分布を反映して設定する機構を有していることを特徴とする請求項15に記載の微細構造転写装置。
- 微細パターンが形成されたスタンパを被転写体に接触させて、前記被転写体の表面に前記スタンパの微細パターンを転写する微細構造転写装置において、
被転写体に放射波を照射する照射機構と、被転写体を透過した放射波を検出する検出機構を備えた検査機構を備えており、
前記照射機構は前記被転写体のパターン転写面またはその反対面のいずれか一方に配置され、前記検出機構は被転写体を介して照射機構とは相対する面に配置されており、検出機構で得られた被転写体の面内の透過率分布を測定する検査装置が備え付けられていることを特徴とする微細構造転写装置。 - 前記微細構造転写装置において、前記被転写体表面に微細パターンを転写するための樹脂を塗布する機構を備えており、該樹脂の塗布量を、前記検査機構で得られた被転写体の透過率分布を反映して設定する機構を有していることを特徴とする請求項17に記載の微細構造転写装置。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013117433A (ja) * | 2011-12-02 | 2013-06-13 | Bridgestone Corp | 多層フィルムの均質性の検査方法 |
JP2013543649A (ja) * | 2010-08-16 | 2013-12-05 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | インプリントリソグラフィのための検査方法及びそのための装置 |
JP2014132336A (ja) * | 2012-12-06 | 2014-07-17 | Dainippon Printing Co Ltd | 賦型用金型の修正方法、賦型用金型、反射防止物品、画像表示装置及びショーケース |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01307645A (ja) * | 1988-06-03 | 1989-12-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 試料の検査方法 |
JPH04269610A (ja) * | 1991-02-25 | 1992-09-25 | Toshiba Corp | 周期性パターンの検査方法 |
JPH06308046A (ja) * | 1993-04-28 | 1994-11-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 周期性パターン検査装置 |
JPH0831324A (ja) * | 1994-07-15 | 1996-02-02 | Mitsubishi Electric Corp | シャドウマスク検査装置及び検査方法 |
JPH09210850A (ja) * | 1996-01-31 | 1997-08-15 | Kobe Steel Ltd | 周期性パターン検査装置 |
JP2000292311A (ja) * | 1999-04-09 | 2000-10-20 | Dainippon Printing Co Ltd | 周期性パターンのムラ検査方法及び装置 |
JP2001318112A (ja) * | 2000-05-10 | 2001-11-16 | Hitachi Ltd | 電磁界測定装置または電磁界測定方法およびそれを用いた電子部品または電子装置の製造方法 |
WO2004107415A1 (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-09 | Nikon Corporation | 位置情報計測方法及び装置、並びに露光方法及び装置 |
JP2006018054A (ja) * | 2004-07-02 | 2006-01-19 | Sony Corp | マスク検査装置およびマスク検査方法 |
JP2008012844A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-01-24 | Hitachi High-Technologies Corp | 微細構造転写装置および微細構造転写方法 |
-
2008
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01307645A (ja) * | 1988-06-03 | 1989-12-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 試料の検査方法 |
JPH04269610A (ja) * | 1991-02-25 | 1992-09-25 | Toshiba Corp | 周期性パターンの検査方法 |
JPH06308046A (ja) * | 1993-04-28 | 1994-11-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 周期性パターン検査装置 |
JPH0831324A (ja) * | 1994-07-15 | 1996-02-02 | Mitsubishi Electric Corp | シャドウマスク検査装置及び検査方法 |
JPH09210850A (ja) * | 1996-01-31 | 1997-08-15 | Kobe Steel Ltd | 周期性パターン検査装置 |
JP2000292311A (ja) * | 1999-04-09 | 2000-10-20 | Dainippon Printing Co Ltd | 周期性パターンのムラ検査方法及び装置 |
JP2001318112A (ja) * | 2000-05-10 | 2001-11-16 | Hitachi Ltd | 電磁界測定装置または電磁界測定方法およびそれを用いた電子部品または電子装置の製造方法 |
WO2004107415A1 (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-09 | Nikon Corporation | 位置情報計測方法及び装置、並びに露光方法及び装置 |
JP2006018054A (ja) * | 2004-07-02 | 2006-01-19 | Sony Corp | マスク検査装置およびマスク検査方法 |
JP2008012844A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-01-24 | Hitachi High-Technologies Corp | 微細構造転写装置および微細構造転写方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013543649A (ja) * | 2010-08-16 | 2013-12-05 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | インプリントリソグラフィのための検査方法及びそのための装置 |
US9274441B2 (en) | 2010-08-16 | 2016-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Inspection method for imprint lithography and apparatus therefor |
JP2013117433A (ja) * | 2011-12-02 | 2013-06-13 | Bridgestone Corp | 多層フィルムの均質性の検査方法 |
JP2014132336A (ja) * | 2012-12-06 | 2014-07-17 | Dainippon Printing Co Ltd | 賦型用金型の修正方法、賦型用金型、反射防止物品、画像表示装置及びショーケース |
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Publication number | Publication date |
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