JP2010002323A - 赤外線センサ及び二酸化炭素センサ - Google Patents
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- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 52
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 26
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 18
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N Sulphur dioxide Chemical compound O=S=O RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
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- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
【解決手段】赤外線センサ10を、シリコン基板1と、シリコン基板1の片側面に形成されたサーモパイル2とで構成する。サーモパイル2はシリコン基板1側に平面部21を有し、この平面部21に接触するシリコン基板1の部分に構造体層11を形成する。構造体層11はサーモパイル2の平面部21側に窪んだ凹部11aと、平面部21と反対側に出っ張った凸部11bとを交互に形成したものとす。凹部11aと凸部11bは溝と畝を交互に並べたものとし、凹部11aと凸部11bの断面形状は矩形波状とする。一組の凹部11a及び凸部11aの1周期の長さを、特定の赤外線の波長とする。凹部11aと凸部11bの1周期の長さを4.3μmとした赤外線センサ10と。赤外線光源とを、窓部を有するケース内に収容して二酸化炭素センサとする。
【選択図】図1
Description
11 構造体層
11a 凹部
11b 凸部
2 サーモパイル
21 平面部
10 赤外線センサ
20 赤外線光源
30 ケース
100 二酸化炭素センサ
Claims (2)
- 特定波長の赤外線を検出する赤外線センサであって、
当該赤外線センサの前記赤外線を受ける側に平面部を有する感温層と、該感温層の前記平面部側に形成された構造体層とを備え、
前記構造体層は、前記平面と平行な方向に凹凸が周期的に形成され、該凹凸の形状が該平面部と直角な面での断面形状が矩形波状で、かつ該凹凸の1周期の長さが前記特定の赤外線の波長と同程度としたことを特徴とする赤外線センサ。 - 前記構造体層の前記凹凸の1周期の長さが二酸化炭素の吸収波長域である請求項1に記載の赤外線センサと、
前記赤外線センサの前記構造体層に対して赤外線を含む光を照射する赤外線光源と、
前記赤外線センサと前記赤外線光源との間に雰囲気が導入される空間を形成するケース体と、
を備えたことを特徴とする二酸化炭素センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2008161881A JP5336114B2 (ja) | 2008-06-20 | 2008-06-20 | 赤外線センサ及び二酸化炭素センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008161881A JP5336114B2 (ja) | 2008-06-20 | 2008-06-20 | 赤外線センサ及び二酸化炭素センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010002323A true JP2010002323A (ja) | 2010-01-07 |
| JP5336114B2 JP5336114B2 (ja) | 2013-11-06 |
Family
ID=41584170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008161881A Expired - Fee Related JP5336114B2 (ja) | 2008-06-20 | 2008-06-20 | 赤外線センサ及び二酸化炭素センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5336114B2 (ja) |
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| JP5336114B2 (ja) | 2013-11-06 |
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Legal Events
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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