JP2009538456A - Stripper composition for photoresist - Google Patents

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Abstract

【課題】
【解決手段】
本発明はフォトレジスト用ストリッパー組成物に関するものである。本発明に係るフォトレジスト用ストリッパー組成物は、一般的なフォトレジスト剥離方式だけでなく、リフト−オフ（Ｌｉｆｔ−ｏｆｆ）方式においても苛酷な写真エッチング工程によって変質されたフォトレジスト膜を低温で短い時間内にきれいに剥離することができ、中間洗浄液であるイソプロパノールを用いることなく、水で洗浄してもフォトレジスト下部の導電性膜または絶縁膜に損傷を与えず、フォトレジスト下部の導電性金属膜または絶縁膜に対する腐食防止力に優れる。
【選択図】図２【Task】
[Solution]
The present invention relates to a stripper composition for photoresist. The stripper composition for photoresist according to the present invention is not only a general photoresist stripping method, but also a photoresist film modified by a severe photo etching process in a lift-off method at a low temperature. The conductive metal film under the photoresist can be peeled off in time without damaging the conductive film or insulating film below the photoresist even if it is washed with water without using isopropanol as an intermediate cleaning solution. Or, it has excellent anti-corrosion power for insulating films.
[Selection] Figure 2

Description

本発明はフォトレジストストリッパー組成物に関するものである。   The present invention relates to a photoresist stripper composition.

本出願は２００６年５月２６日に韓国特許庁に提出された韓国特許出願第１０−２００６−００４７６６８号の出願日の利益を主張し、その内容の全ては本明細書に含まれる。   This application claims the benefit of the filing date of Korean Patent Application No. 10-2006-0047668 filed with the Korean Patent Office on May 26, 2006, the entire contents of which are included in this specification.

半導体集積回路または液晶表示素子の微細回路製造工程は、基板上に形成されたアルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金などの導電性金属膜、またはシリコン酸化膜、シリコン窒化膜などの絶縁膜にフォトレジストを均一に塗布し、それを選択的に露光、現像処理してフォトレジストパターンを形成した後、パターン化されたフォトレジスト膜をマスクとし、前記導電性金属膜や絶縁膜を湿式または乾式でエッチングして微細回路パターンをフォトレジスト下部層に転写した後、不要となったフォトレジスト層をストリッパー（剥離液）で除去する工程で行われる。   A fine circuit manufacturing process of a semiconductor integrated circuit or a liquid crystal display element is performed by using a conductive metal film such as aluminum, aluminum alloy, copper or copper alloy formed on a substrate, or an insulating film such as a silicon oxide film or a silicon nitride film. After a resist is uniformly applied and selectively exposed and developed to form a photoresist pattern, the conductive metal film and the insulating film are wet or dry using the patterned photoresist film as a mask. After the etching and the fine circuit pattern is transferred to the lower layer of the photoresist, the unnecessary photoresist layer is removed by a stripper (stripping solution).

前記半導体素子および液晶表示素子製造用フォトレジストを除去するためのストリッパーが備えなければならない基本特性は次の通りである。   The basic characteristics that a stripper for removing the photoresist for manufacturing the semiconductor device and the liquid crystal display device must have as follows.

先ず、低温で短時間内にフォトレジストを剥離すべきであり、洗浄後、基板上にフォトレジスト残留物を残してはいけない優れた剥離能力を有すべきである。また、フォトレジスト下部層の金属膜や絶縁膜を損傷してはいけない低腐食性を有すべきである。また、ストリッパーをなす溶剤間に相互反応が起これば、ストリッパーの保管安定性が問題となり、ストリッパー製造時の混合順に応じて他の物性を示し得るため、混合溶剤間の無反応性および高温安定性を有すべきである。また、作業者の安全や廃棄処理時の環境問題を考慮して低毒性でなければならない。また、高温工程においてフォトレジスト剥離が進行される場合、揮発が多く起きれば構成成分比が速く変わってストリッパーの工程安定性や作業再現性が低下するために低揮発性でなければならない。また、一定ストリッパー量で処理できる基板数が多いべきであり、ストリッパーを構成する成分の入手が容易で且つ低価で、廃ストリッパーの再処理を通じたリサイクルが可能で、経済性があるべきである。   First, the photoresist should be stripped within a short time at a low temperature and should have an excellent stripping capability that should not leave a photoresist residue on the substrate after cleaning. Also, it should have low corrosiveness that should not damage the metal film or insulating film of the lower layer of the photoresist. In addition, if a reaction occurs between the solvents forming the stripper, the storage stability of the stripper becomes a problem, and other physical properties may be exhibited according to the mixing order at the time of stripper production. Should have sex. In addition, it must be low toxic in consideration of worker safety and environmental issues during disposal. Further, when photoresist stripping proceeds in a high-temperature process, if a large amount of volatilization occurs, the component ratio changes rapidly, and the process stability and work reproducibility of the stripper are lowered, so that it must be low-volatile. In addition, the number of substrates that can be processed with a certain amount of stripper should be large, the components constituting the stripper should be easy to obtain, low in price, recyclable through reprocessing of the waste stripper, and economical. .

このような条件を充足させるために様々なフォトレジスト用ストリッパー組成物が開発されており、具体的な例としては次のようなものがある。   In order to satisfy such conditions, various stripper compositions for photoresists have been developed. Specific examples include the following.

初期に開発されたフォトレジストストリッパー組成物の例として、日本特開昭５１−７２５０３号（特許文献１）には炭素数１０〜２０のアルキルベンゼンスルホン酸と沸点１５０℃以上の非ハロゲン化芳香族炭化水素を含むストリッパー組成物が記載されている。日本特開昭５７−８４４５６号（特許文献２）にはジメチルスルホキシドまたはジエチルスルホキシド、および有機スルホン化合物からなるストリッパー組成物が記載されている。また、米国特許第４，２５６，２９４号（特許文献３）にはアルキルアリールスルホン酸、炭素数６〜９の親水性芳香族スルホン酸および沸点１５０℃以上の非ハロゲン化芳香族炭化水素からなるストリッパー組成物が記載されている。しかし、前記組成物はアルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金などの導電性金属膜に対する腐食が激しく、強毒性および環境汚染問題などのためにその使用に困るものであった。   As an example of an initially developed photoresist stripper composition, Japanese Patent Application Laid-Open No. 51-72503 (Patent Document 1) discloses an alkylbenzenesulfonic acid having 10 to 20 carbon atoms and a non-halogenated aromatic carbonization having a boiling point of 150 ° C. or higher. A stripper composition containing hydrogen is described. Japanese Unexamined Patent Publication No. 57-84456 (Patent Document 2) describes a stripper composition comprising dimethyl sulfoxide or diethyl sulfoxide and an organic sulfone compound. US Pat. No. 4,256,294 (Patent Document 3) comprises an alkylaryl sulfonic acid, a hydrophilic aromatic sulfonic acid having 6 to 9 carbon atoms, and a non-halogenated aromatic hydrocarbon having a boiling point of 150 ° C. or higher. A stripper composition is described. However, the composition is severely corroded with respect to conductive metal films such as aluminum, aluminum alloy, copper and copper alloy, and is difficult to use due to strong toxicity and environmental pollution problems.

このような問題点を解決するために、水溶性アルカノールアミンを必須成分とし、色々な有機溶剤を混合して製造したストリッパー組成物が提案されており、その例としては次のようなものがある。   In order to solve such problems, a stripper composition produced by mixing water-soluble alkanolamine as an essential component and mixing various organic solvents has been proposed. Examples thereof include the following. .

米国特許第４，６１７，２５１号（特許文献４）にはモノエタノールアミン（ＭＥＡ）、２−（２−アミノエトキシ）−１−エタノール（ＡＥＥ）などの有機アミン化合物；およびジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ−メチルピロリジノン（ＮＭＰ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、カルビトールアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）などの極性溶剤からなる２成分系ストリッパー組成物が記載されている。米国特許第４，７７０，７１３号（特許文献５）には有機アミン化合物；およびＮ−メチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ−メチル−Ｎ−エチルプロピオンアミド、ジエチルアセトアミド（ＤＥＡｃ）、ジプロピルアセトアミド（ＤＰＡｃ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルブチルアミドなどのアミド溶剤からなる２成分系ストリッパー組成物が記載されている。日本特開昭６２−４９３５５号（特許文献６）にはアルカノールアミンおよびエチレンジアミンにエチレンオキシドを導入したアルキレンポリアミンスルホン化合物とグリコールモノアルキルエーテルとからなるストリッパー組成物が記載されている。日本特開昭６３−２０８０４３号（特許文献７）には水溶性アルカノールアミンと１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）を含有したストリッパー組成物が記載されている。日本特開昭６３−２３１３４３号（特許文献８）にはアミン化合物、極性溶剤類および界面活性剤からなるポジ型フォトレジスト用ストリッパー組成物が記載されている。日本特開昭６４−４２６５３号（特許文献９）にはジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）５０重量％以上、ジエチレングリコールモノアルキルエーテル、ジエチレングリコールジアルキルエーテル、γ−ブチロラクトンおよび１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）から選択された１種以上の溶剤１〜５０重量％、およびモノエタノールアミン（ＭＥＡ）などの含窒素有機ヒドロキシ化合物からなるストリッパー組成物が記載されている。日本特開平４−１２４６６８号（特許文献１０）は有機アミン２０〜９０重量％、リン酸エステル界面活性剤０．１〜２０重量％、２−ブチン−１，４−ジオール０．１〜２０重量％、ジエチレングリコールジアルキルエーテルと非プロトン性極性溶剤類からなるストリッパー組成物を開示している。ここで、２−ブチン−１，４−ジオールおよびリン酸エステル界面活性剤は剥離特性を減少させない範囲内で金属層が腐食されることを防止するために添加された。しかし、このようなフォトレジストストリップ用組成物はアルミニウムおよびアルミニウム合金膜に対する腐食防止力が弱いためにストリップ工程中に深刻な腐食をもたらし、後工程であるゲート絶縁膜の蒸着時に不良をもたらす問題がある。   U.S. Pat. No. 4,617,251 discloses an organic amine compound such as monoethanolamine (MEA), 2- (2-aminoethoxy) -1-ethanol (AEE); and dimethylformamide (DMF). , A two-component stripper composition comprising a polar solvent such as dimethylacetamide (DMAc), N-methylpyrrolidinone (NMP), dimethylsulfoxide (DMSO), carbitol acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) . U.S. Pat. No. 4,770,713 discloses an organic amine compound; and N-methylacetamide, dimethylformamide (DMF), dimethylacetamide (DMAc), N-methyl-N-ethylpropionamide, diethylacetamide Two-component stripper compositions comprising amide solvents such as (DEAc), dipropylacetamide (DPAc), N, N-dimethylpropionamide, N, N-dimethylbutyramide and the like are described. Japanese Unexamined Patent Publication No. 62-49355 (Patent Document 6) describes a stripper composition comprising an alkylene polyamine sulfone compound in which ethylene oxide is introduced into alkanolamine and ethylenediamine and a glycol monoalkyl ether. Japanese Unexamined Patent Publication No. 63-208043 (Patent Document 7) describes a stripper composition containing a water-soluble alkanolamine and 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone (DMI). Japanese Unexamined Patent Publication No. Sho 63-231343 (Patent Document 8) describes a stripper composition for positive photoresist comprising an amine compound, polar solvents and a surfactant. Japanese Patent Application Laid-Open No. 64-42653 (Patent Document 9) describes dimethyl sulfoxide (DMSO) 50% by weight or more, diethylene glycol monoalkyl ether, diethylene glycol dialkyl ether, γ-butyrolactone and 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone ( A stripper composition comprising 1 to 50% by weight of one or more solvents selected from DMI) and nitrogen-containing organic hydroxy compounds such as monoethanolamine (MEA) is described. Japanese Patent Laid-Open No. 4-124668 (Patent Document 10) discloses an organic amine of 20 to 90% by weight, a phosphate ester surfactant of 0.1 to 20% by weight, and 2-butyne-1,4-diol of 0.1 to 20% by weight. %, A stripper composition comprising diethylene glycol dialkyl ether and aprotic polar solvents. Here, 2-butyne-1,4-diol and a phosphate ester surfactant were added in order to prevent the metal layer from being corroded within a range that does not decrease the peeling properties. However, since such a photoresist strip composition has a weak anticorrosion ability against aluminum and aluminum alloy films, it causes serious corrosion during the strip process and causes a problem when depositing a gate insulating film as a subsequent process. is there.

また、日本特開平４−３５０６６０号（特許文献１１）には１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、水溶性有機アミンからなるストリッパー組成物が記載されており、日本特開平５−２８１７５３号（特許文献１２）にはアルカノールアミン、スルホン化合物またはスルホキシド化合物、（Ｃ6Ｈ6）n（ＯＨ）n（この時、ｎは１、２または３の整数）のヒドロキシ化合物を含むストリッパー組成物が記載されている。日本特開平８−８７１１８号（特許文献１３）にはＮ−アルキルアルカノールアミン５０〜９０重量％、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）またはジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）５０〜１０重量％を含むストリッパー組成物が記載されている。しかし、最近の液晶表示素子および半導体素子製造工程では、ガラス基板とシリコンウェハー基板を１２０℃以上の高温で処理するなどの工程条件が厳しくなるにつれて、フォトレジストが高温でポストベーク（ｐｏｓｔｂａｋｅ）される場合が多く、このために変質硬化の程度が酷くなって、前述したストリッパー組成物によっては完全に除去できない問題がある。 Japanese Unexamined Patent Publication No. 4-350660 (Patent Document 11) describes a stripper composition comprising 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone (DMI), dimethyl sulfoxide (DMSO), and a water-soluble organic amine. In Japanese Patent Laid-Open No. 5-281653 (Patent Document 12), alkanolamine, sulfone compound or sulfoxide compound, (C 6 H 6 ) n (OH) n (where n is an integer of 1, 2 or 3) Stripper compositions containing the hydroxy compounds of are described. Japanese Unexamined Patent Publication No. 8-87118 (Patent Document 13) describes a stripper composition containing 50 to 90% by weight of N-alkylalkanolamine and 50 to 10% by weight of dimethyl sulfoxide (DMSO) or dimethylformamide (DMF). Yes. However, in recent liquid crystal display element and semiconductor element manufacturing processes, photoresists are post-baked at high temperatures as process conditions such as processing glass substrates and silicon wafer substrates at high temperatures of 120 ° C. or more become severe. In many cases, the degree of alteration hardening becomes severe, and there is a problem that the stripper composition described above cannot be completely removed.

前記高温工程を経て硬化されたフォトレジストを完全に除去するための組成物として、水および／またはヒドロキシルアミン化合物を含むフォトレジストストリッパー組成物が提案されたことがある。その例を紹介すれば、日本特開平４−２８９８６６号（特許文献１４）にはヒドロキシルアミン類、アルカノールアミン類および水からなるストリッパー組成物が記載されており、日本特開平６−２６６１１９号（特許文献１５）にはヒドロキシルアミン類、アルカノールアミン類、水および防食剤からなるストリッパー組成物が記載されている。また、日本特開平７−６９６１８号（特許文献１６）にはγ−ブチロラクトン（ＧＢＬ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ−メチルピロリジノン（ＮＭＰ）などの非プロトン性極性溶剤、２−メチルアミノエタノール（Ｎ−ＭＡＥ）を含むアミノアルコールおよび水を一定比率で含有するストリッパー組成物が記載されている。また、日本特開平８−１２３０４３号（特許文献１７）にはアミノアルコール、水およびジエチレングリコールモノブチルエーテル（ＢＤＧ）などのグリコールアルキルエーテルからなるストリッパー組成物が記載されている。日本特開平８−２６２７４６号（特許文献１８）にはアルカノールアミン類、アルコキシアルキルアミン類、グリコールモノアルキルエーテル、糖化合物、第４級アンモニウム水酸化物および水からなるストリッパー組成物が記載されており、日本特開平９−１５２７２１号（特許文献１９）にはアルカノールアミン、ヒドロキシルアミン、ジエチレングリコールモノアルキルエーテル、防食剤としてソルビトールなどの糖化合物および水を含有したストリッパー組成物が記載されている。日本特開平９−９６９１１号（特許文献２０）にはヒドロキシルアミン類、水、酸解離定数（ｐＫａ）が７．５〜１３であるアミン類、水溶性極性有機溶剤および防食剤からなるストリッパー組成物が記載されている。しかし、前記ストリッパー組成物は苛酷な高温工程、乾式エッチング、エッチングおよびイオン注入工程によって変質し、架橋硬化されたフォトレジスト膜とエッチング工程において金属性副産物と反応して生成されるフォトレジストエッチング残留物に対する剥離力およびフォトレジストの導電性下部膜であるアルミニウムおよびアルミニウム合金膜の腐食防止性能面で充分ではない問題がある。また、高温条件でヒドロキシルアミン化合物は不安定であり、時間が経つにつれて分解される問題点がある。   A photoresist stripper composition containing water and / or a hydroxylamine compound has been proposed as a composition for completely removing the photoresist cured through the high temperature process. For example, Japanese Unexamined Patent Publication No. 4-289866 (Patent Document 14) describes a stripper composition comprising hydroxylamines, alkanolamines and water. Document 15) describes a stripper composition comprising hydroxylamines, alkanolamines, water and an anticorrosive agent. In addition, JP-A-7-69618 (Patent Document 16) discloses aprotic polar solvents such as γ-butyrolactone (GBL), dimethylformamide (DMF), dimethylacetamide (DMAc), N-methylpyrrolidinone (NMP), A stripper composition is described that contains amino alcohol, including 2-methylaminoethanol (N-MAE), and water in a fixed ratio. Japanese Unexamined Patent Publication No. 8-123043 (Patent Document 17) describes a stripper composition comprising amino alcohol, water and glycol alkyl ether such as diethylene glycol monobutyl ether (BDG). Japanese Unexamined Patent Publication No. 8-262746 (Patent Document 18) describes a stripper composition comprising an alkanolamine, an alkoxyalkylamine, a glycol monoalkyl ether, a sugar compound, a quaternary ammonium hydroxide and water. JP-A-9-152721 (Patent Document 19) describes a stripper composition containing alkanolamine, hydroxylamine, diethylene glycol monoalkyl ether, a sugar compound such as sorbitol as an anticorrosive and water. Japanese Unexamined Patent Publication No. 9-96911 (Patent Document 20) discloses a stripper composition comprising hydroxylamines, water, amines having an acid dissociation constant (pKa) of 7.5 to 13, a water-soluble polar organic solvent and an anticorrosive agent. Is described. However, the stripper composition is altered by severe high-temperature process, dry etching, etching and ion implantation process, and photoresist etching residue generated by reacting with cross-linked photoresist film and metallic by-product in the etching process. There is a problem that the peeling strength against the film and the corrosion prevention performance of the aluminum and aluminum alloy films as the conductive lower film of the photoresist are not sufficient. In addition, hydroxylamine compounds are unstable under high temperature conditions, and there is a problem that they are decomposed over time.

前記のような様々なストリッパー組成物は、構成成分と成分間の含量比に応じ、フォトレジスト剥離性、金属腐食性、剥離後の洗浄工程の多様性、作業再現性および保管安定性、経済性の面で顕著に違いがあり、様々な工程条件に対して最適性能を有する経済的なストリッパー組成物の開発が相変わらずに求められている。   Various stripper compositions as described above have photoresist stripping property, metal corrosiveness, variety of cleaning process after stripping, work reproducibility and storage stability, economical efficiency, depending on the content ratio between components. However, there is still a need for the development of an economical stripper composition having optimum performance for various process conditions.

一方、液晶表示装置が大型化し大量生産がなされることにより、ストリッパーの使用量が多い浸漬（ｄｉｐｐｉｎｇ）方式よりも、１枚ずつ処理する枚葉式（ｓｉｎｇｌｅ ｗａｆｅｒ ｔｒｅａｔｍｅｎｔ ｍｅｔｈｏｄ）設備を用いたフォトレジストの剥離が一般化しており、該設備に適したストリッパー組成物が紹介されている。   On the other hand, a liquid crystal display device is enlarged and mass-produced, so that a photoresist using a single wafer treatment method for processing one sheet at a time rather than a dipping method in which a large amount of stripper is used. Stripping compositions suitable for the equipment have been introduced.

例えば、大韓民国特許公開第２０００−８１０３号（特許文献２１）には５〜１５重量％のアルカノールアミン、３５〜５５重量％のスルホキシドまたはスルホン化合物および３５〜５５重量％のグリコールエーテルを含むストリッパー組成物が記載されている。大韓民国特許公開第２０００−８５５３号（特許文献２２）には１０〜３０重量％の水溶性アミン化合物、ジエチレングリコールモノアルキルエーテルとＮ−アルキルピロリジノン、またはヒドロキシアルキルピロリジノンの総含量が７０〜９０重量％であることを特徴とするストリッパー組成物が記載されている。しかし、前記組成物は金属腐食性は低いものの低温剥離力が多少弱い短所がある。   For example, Korean Patent Publication No. 2000-8103 (Patent Document 21) discloses a stripper composition containing 5 to 15 wt% alkanolamine, 35 to 55 wt% sulfoxide or sulfone compound and 35 to 55 wt% glycol ether. Is described. In Korean Patent Publication No. 2000-8553 (Patent Document 22), the total content of water-soluble amine compound, diethylene glycol monoalkyl ether and N-alkylpyrrolidinone, or hydroxyalkylpyrrolidinone is 70 to 90% by weight. A stripper composition is described which is characterized in that it is. However, although the composition has low metal corrosivity, it has a disadvantage that the low-temperature peeling force is somewhat weak.

一方、リフト−オフ方式はフォトレジストを全面塗布した後に所望のパターニングをした後、その上に金属膜またはシリコン酸化膜やシリコン窒化膜などの絶縁膜を蒸着した後にフォトレジストを除去する方法をいう。よって、薄膜をパターニングするエッチング工程が１つ減る長所がある。しかし、最も大きい問題はフォトレジストが全面に露出されていないためにフォトレジスト剥離工程に多くの時間がかかる。
特開昭５１−７２５０３号公報 特開昭５７−８４４５６号公報 米国特許第４，２５６，２９４号明細書 米国特許第４，６１７，２５１号明細書 米国特許第４，７７０，７１３号明細書 特開昭６２−４９３５５号公報 特開昭６３−２０８０４３号公報 特開昭６３−２３１３４３号公報 特開昭６４−４２６５３号公報 特開平４−１２４６６８号公報 特開平４−３５０６６０号公報 特開平５−２８１７５３号公報 特開平８−８７１１８号公報 特開平４−２８９８６６号公報 特開平６−２６６１１９号公報 特開平７−６９６１８号公報 特開平８−１２３０４３号公報 特開平８−２６２７４６号公報 特開平９−１５２７２１号公報 特開平９−９６９１１号公報 大韓民国特許公開第２０００−８１０３号公報 大韓民国特許公開第２０００−８５５３号公報 On the other hand, the lift-off method is a method in which a photoresist is applied on the entire surface, and then desired patterning is performed, and then a metal film or an insulating film such as a silicon oxide film or a silicon nitride film is deposited thereon, and then the photoresist is removed. . Therefore, there is an advantage that the etching process for patterning the thin film is reduced by one. However, the biggest problem is that the photoresist stripping process takes a lot of time because the photoresist is not exposed on the entire surface.
JP 51-72503 A JP-A-57-84456 US Pat. No. 4,256,294 US Pat. No. 4,617,251 US Pat. No. 4,770,713 JP 62-49355 A JP-A-63-208043 JP 63-231343 A JP-A 64-42653 JP-A-4-124668 JP-A-4-350660 Japanese Patent Laid-Open No. 5-281653 JP-A-8-87118 JP-A-4-289866 JP-A-6-266119 JP-A-7-69618 JP-A-8-123043 JP-A-8-262746 JP-A-9-152721 JP-A-9-96911 Korean Patent Publication No. 2000-8103 Korean Patent Publication No. 2000-8553

また、前記で列挙した全ての組成物はリフト−オフ方式においてフォトレジスト剥離時間が１０分以上であり、その適用配線がアルミニウム配線、または銅配線から腐食が発生する短所がある。   In addition, all the compositions listed above have a disadvantage that the photoresist stripping time is 10 minutes or more in the lift-off method, and the applicable wiring is corroded from aluminum wiring or copper wiring.

本発明者らは、一般的なフォトレジスト剥離方式だけでなく、リフト−オフ方式においてもフォトレジスト剥離時間が短く、金属膜または絶縁膜に対する腐食性が低いフォトレジスト用ストリッパー組成物について研究している間、水溶性有機アミン化合物および腐食防止剤が特定比率で含まれたフォトレジスト用ストリッパー組成物が、リフト−オフ方式においても苛酷な写真エッチング工程によって変質されたフォトレジスト膜を低温で短い時間内にきれいに剥離することができ、中間洗浄液であるイソプロパノールを用いることなく、水で洗浄してもフォトレジスト下部の導電性膜および絶縁膜に損傷を与えず、フォトレジスト下部の導電性金属膜または絶縁膜に対する腐食防止力に優れていることを確認して本発明を完成した。   The present inventors have studied a stripper composition for a photoresist that has a short photoresist stripping time and a low corrosiveness to a metal film or an insulating film not only in a general photoresist stripping method but also in a lift-off method. While the photoresist stripper composition containing the water-soluble organic amine compound and the corrosion inhibitor at a specific ratio is used in the lift-off method, the photoresist film modified by a severe photo-etching process is reduced at a low temperature for a short time. It can be peeled cleanly inside, and without using isopropanol as an intermediate cleaning solution, even if it is washed with water, it does not damage the conductive film and insulating film under the photoresist, and the conductive metal film under the photoresist or The present invention was completed after confirming that the insulating film was excellent in corrosion resistance.

そこで、本発明は、フォトレジストの剥離力に優れ、導電性膜および絶縁膜に対する損傷または腐食防止力に優れたフォトレジスト用ストリッパー組成物を提供しようとする。   Therefore, the present invention seeks to provide a stripper composition for a photoresist that is excellent in the peeling strength of a photoresist and excellent in the ability to damage or corrode a conductive film and an insulating film.

また、本発明は、前記フォトレジスト用ストリッパー組成物を用いるフォトレジストの剥離方法を提供しようとする。   The present invention also provides a method for removing a photoresist using the stripper composition for photoresist.

また、本発明は、前記フォトレジストの剥離方法を含んで製造される液晶表示装置の製造方法または半導体素子の製造方法を提供しようとする。   The present invention is also intended to provide a method for manufacturing a liquid crystal display device or a method for manufacturing a semiconductor element, including the method for stripping a photoresist.

本発明は、
１）下記化学式１、化学式２、および化学式３で示される化合物からなる群から１種以上選択される腐食防止剤と、
２）前記１）腐食防止剤の重量対比２〜５０倍の水溶性有機アミン化合物と、
３）極性溶媒と、
を含むアルミニウム、銅、またはアルミニウムおよび銅を含む基板用フォトレジストストリッパー組成物を提供する： The present invention
1) a corrosion inhibitor selected from the group consisting of compounds represented by the following chemical formula 1, chemical formula 2, and chemical formula 3,
2) 1) a water-soluble organic amine compound 2 to 50 times the weight of the corrosion inhibitor;
3) a polar solvent;
Provided is a photoresist stripper composition for a substrate comprising aluminum, copper, or a substrate comprising aluminum and copper:

Figure 2009538456
Figure 2009538456

前記化学式１において、
Ｒ１およびＲ２は互いに同じでも異なっていてもよく、各々独立して水素またはヒドロキシ基であり、
Ｒ３は水素、ｔ−ブチル基、カルボン酸基（−ＣＯＯＨ）、メチルエステル基（−ＣＯＯＣＨ3）、エチルエステル基（−ＣＯＯＣ2Ｈ5）またはプロピルエステル基（−ＣＯＯＣ3Ｈ7）であり、 In Formula 1,
R1 and R2 may be the same or different from each other, and each independently represents a hydrogen atom or a hydroxy group;
R3 is hydrogen, t-butyl group, carboxylic acid group (—COOH), methyl ester group (—COOCH 3 ), ethyl ester group (—COOC 2 H 5 ) or propyl ester group (—COOC 3 H 7 ),

Figure 2009538456
Figure 2009538456

前記化学式２において、
Ｒ４は水素または炭素数１〜４のアルキル基であり、
Ｒ５およびＲ６は互いに同じでも異なっていてもよく、各々独立して炭素数１〜４のヒドロキシアルキル基である。 In Formula 2,
R4 is hydrogen or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms,
R5 and R6 may be the same as or different from each other, and each independently represents a hydroxyalkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

Figure 2009538456
Figure 2009538456

また、本発明に係るストリッパー組成物は水溶性非イオン性界面活性剤をさらに含んでもよい。   The stripper composition according to the present invention may further contain a water-soluble nonionic surfactant.

また、本発明に係る前記フォトレジスト用ストリッパー組成物は非極性溶媒をさらに含んでもよい。   The photoresist stripper composition according to the present invention may further include a nonpolar solvent.

本発明に係るフォトレジスト用ストリッパー組成物は、一般的なフォトレジスト剥離方式だけでなく、リフト−オフ方式においても苛酷な写真エッチング工程によって変質されたフォトレジスト膜を低温で短い時間内にきれいに剥離することができ、中間洗浄液であるイソプロパノールを用いることがなくても、フォトレジスト下部のアルミニウムまたはアルミニウム合金のような導電性膜および絶縁膜に損傷を与えず、フォトレジスト下部の銅、銅合金膜などの導電性金属膜または絶縁膜に対する腐食防止力に優れた効果があり、アルミニウム、銅、またはアルミニウムおよび銅を含む基板上に対するそれぞれのフォトレジスト工程に区分なく適用することができる。   The stripper composition for a photoresist according to the present invention is a clean stripping of a photoresist film modified by a severe photo etching process in a short time at a low temperature not only in a general photoresist stripping method but also in a lift-off method. Even without using isopropanol as an intermediate cleaning solution, the conductive film and the insulating film such as aluminum or aluminum alloy under the photoresist are not damaged, and the copper or copper alloy film under the photoresist is not damaged. Therefore, the present invention can be applied to the respective photoresist processes on aluminum, copper, or a substrate containing aluminum and copper without distinction.

以下、本発明に係るフォトレジスト用ストリッパー組成物の構成成分について詳細に説明する。   Hereinafter, the constituent components of the stripper composition for photoresists according to the present invention will be described in detail.

本発明に係るフォトレジスト用ストリッパー組成物において、前記１）腐食防止剤としては、フォトレジスト下部層の導電性金属膜または絶縁膜が損傷しないようにする化合物を用いることが好ましい。本発明の腐食防止剤は、中間洗浄液であるイソプロパノールを用いることなく、水で洗浄してもアルミニウムまたはアルミニウム合金膜のような導電性膜または絶縁膜の腐食を防止する。   In the photoresist stripper composition according to the present invention, it is preferable to use a compound that prevents the conductive metal film or the insulating film of the photoresist lower layer from being damaged as the 1) corrosion inhibitor. The corrosion inhibitor of the present invention prevents corrosion of a conductive film or an insulating film such as an aluminum or aluminum alloy film even when washed with water without using isopropanol as an intermediate cleaning liquid.

一般的に中間洗浄液であるイソプロパノールを用いることなく直に水で洗浄すると、ストリッパー内のアミン成分が水と混合し、腐食性の強いアルカリのヒドロキシドイオンができて金属腐食を促進する。しかし、本発明では、腐食防止剤を用いることにより、アルカリ状態においてもアルミニウムと錯化合物を形成し、アルミニウムの表面に吸着し保護膜を形成して、ヒドロキシドイオンによる腐食を防止することができる。   In general, when water is washed directly without using isopropanol as an intermediate washing solution, the amine component in the stripper is mixed with water, and a highly corrosive alkali hydroxide ion is formed to promote metal corrosion. However, in the present invention, by using a corrosion inhibitor, a complex compound with aluminum can be formed even in an alkaline state, adsorbed on the surface of aluminum to form a protective film, and corrosion due to hydroxide ions can be prevented. .

本発明に係るフォトレジスト用ストリッパー組成物において、前記化学式１、化学式２または化学式３で示される腐食防止剤は、既に銅膜の腐食防止剤として広く用いられたベンゾトリアゾール、トリルトリアゾールなどに比べて腐食防止性能が画期的に改善され、少量を添加してもフォトレジスト下部層の銅または銅合金膜などの導電性膜の腐食を起こさないだけでなく、硬化されたフォトレジストの残留物を除去するにも非常に効果的に作用する。   In the stripper composition for a photoresist according to the present invention, the corrosion inhibitor represented by the chemical formula 1, the chemical formula 2 or the chemical formula 3 is compared with benzotriazole, tolyltriazole, etc., which are already widely used as corrosion inhibitors for copper films. Corrosion prevention performance has been dramatically improved, and adding a small amount will not only cause corrosion of conductive film such as copper or copper alloy film in the lower layer of the photoresist, but also remove the cured photoresist residue. It works very effectively to remove.

また、前記化学式１、化学式２または化学式３で示される腐食防止剤の腐食防止メカニズムは次の通りである。前記化学式１で示される腐食防止剤の場合、ベンゼン環に直接置換されたヒドロキシ基がアルミニウムと吸着して塩基性溶液による金属腐食を制御する。前記化学式２または化学式３で示される腐食防止剤の場合、トリアゾール環に存在する豊富な窒素原子の非共有電子対が銅と電子的結合をして金属腐食を制御する。   Further, the corrosion prevention mechanism of the corrosion inhibitor represented by Chemical Formula 1, Chemical Formula 2 or Chemical Formula 3 is as follows. In the case of the corrosion inhibitor represented by the chemical formula 1, the hydroxy group directly substituted on the benzene ring is adsorbed with aluminum to control the metal corrosion by the basic solution. In the case of the corrosion inhibitor represented by the chemical formula 2 or the chemical formula 3, the unshared electron pairs of abundant nitrogen atoms existing in the triazole ring form an electronic bond with copper to control metal corrosion.

本発明に係るフォトレジスト用ストリッパー組成物において、前記腐食防止剤は前記化学式１で示される化合物、および前記化学式２または化学式３で示される化合物の混合物を用いることもできる。   In the photoresist stripper composition according to the present invention, the corrosion inhibitor may be a compound represented by the chemical formula 1 and a mixture of the chemical formula 2 or the chemical formula 3.

本発明に係るフォトレジスト用ストリッパー組成物において、前記腐食防止剤の含量は、全体組成物総重量に対し０．０１〜５重量％であることが好ましく、０．１〜１重量％であることがより好ましい。前記腐食防止剤の含量が０．０１重量％未満である場合には、剥離しようとする基板が長時間剥離液と接触する時に金属配線に部分的な腐食現象が起こり得るし、５重量％を超過する場合には、粘度が増加して剥離力を減少させ得、組成物の価格が上昇して価格対比性能面で非効率的である。   In the stripper composition for a photoresist according to the present invention, the content of the corrosion inhibitor is preferably 0.01 to 5% by weight, and preferably 0.1 to 1% by weight with respect to the total weight of the entire composition. Is more preferable. When the content of the corrosion inhibitor is less than 0.01% by weight, a partial corrosion phenomenon may occur in the metal wiring when the substrate to be peeled is in contact with the stripping solution for a long time. In the case of exceeding, the viscosity may increase and the peeling force may be decreased, and the price of the composition increases, which is inefficient in terms of performance as compared with the price.

本発明に係るフォトレジスト用ストリッパー組成物において、前記２）水溶性有機アミン化合物は第１級アミノアルコール類化合物、第２級アミノアルコール類化合物および第３級アミノアルコール類化合物からなる群から１種以上選択されることが好ましい。   In the photoresist stripper composition according to the present invention, the 2) water-soluble organic amine compound is one selected from the group consisting of a primary amino alcohol compound, a secondary amino alcohol compound and a tertiary amino alcohol compound. It is preferable that the above is selected.

前記アミノアルコール類化合物の具体的な例としては、モノエタノールアミン（ＭＥＡ）、１−アミノイソプロパノール（ＡＩＰ）、２−アミノ−１−プロパノール、Ｎ−メチルアミノエタノール（Ｎ−ＭＡＥ）、３−アミノ−１−プロパノール、４−アミノ−１−ブタノール、２−（２−アミノエトキシ）−１−エタノール（ＡＥＥ）、２−（２−アミノエチルアミノ）−１−エタノール、ジエタノールアミン（ＤＥＡ）、トリエタノールアミン（ＴＥＡ）およびヒドロキシエチルピペラジン（ＨＥＰ）からなる群から１種以上選択されることが好ましく、２−（２−アミノエトキシ）−１−エタノール（ＡＥＥ）が剥離性能、腐食防止力および経済性の面に優れているためにより好ましい。   Specific examples of the amino alcohol compounds include monoethanolamine (MEA), 1-aminoisopropanol (AIP), 2-amino-1-propanol, N-methylaminoethanol (N-MAE), 3-amino. -1-propanol, 4-amino-1-butanol, 2- (2-aminoethoxy) -1-ethanol (AEE), 2- (2-aminoethylamino) -1-ethanol, diethanolamine (DEA), triethanol It is preferable that at least one selected from the group consisting of amine (TEA) and hydroxyethylpiperazine (HEP), and 2- (2-aminoethoxy) -1-ethanol (AEE) is a peeling performance, a corrosion inhibiting power and an economical efficiency. It is more preferable because it is excellent in terms of the above.

前記水溶性有機アミン化合物は、その含量が前記腐食防止剤の重量対比２〜５０倍のものを用いることができ、全体組成物総重量に対し１〜６０重量％であることが好ましく、３〜３０重量％であることがより好ましい。前記水溶性有機アミン化合物の含量が１重量％未満である場合には、変性されたフォトレジストに対する剥離力が充分ではなく、６０重量％を超過する場合には、粘度値が増加して、リフト−オフ方式においてフォトレジスト浸透力が低くて剥離時間が増加し、また、フォトレジスト下部層の導電性金属膜に対する腐食性が大きくなる問題点がある。   The water-soluble organic amine compound can be used in an amount of 2 to 50 times the weight of the corrosion inhibitor, preferably 1 to 60% by weight based on the total weight of the total composition, More preferably, it is 30% by weight. When the content of the water-soluble organic amine compound is less than 1% by weight, the peel strength with respect to the modified photoresist is not sufficient, and when it exceeds 60% by weight, the viscosity value increases and lifts. -In the off system, there is a problem that the photoresist penetration force is low, the peeling time is increased, and the corrosiveness of the lower layer of the photoresist to the conductive metal film is increased.

本発明に係るフォトレジスト用ストリッパー組成物において、前記１）腐食防止剤が２種以上の混合物である場合、前記２）水溶性有機アミン化合物は第１級アミノアルコール類化合物であることが好ましく、２−（２−アミノエトキシ）−１−エタノール（ＡＥＥ）であることがより好ましい。   In the photoresist stripper composition according to the present invention, when the 1) the corrosion inhibitor is a mixture of two or more, the 2) the water-soluble organic amine compound is preferably a primary amino alcohol compound, 2- (2-Aminoethoxy) -1-ethanol (AEE) is more preferable.

本発明に係るフォトレジスト用ストリッパー組成物において、前記３）極性溶媒は水と有機化合物との相溶性に優れ、フォトレジストを溶解させる溶剤の役割をする。また、ストリッパーの表面張力を低下させ、フォトレジスト膜に対する湿潤性（ｗｅｔｔｉｎｇ ｐｒｏｐｅｒｔｙ）を向上させる。   In the stripper composition for a photoresist according to the present invention, the 3) polar solvent is excellent in compatibility between water and an organic compound and serves as a solvent for dissolving the photoresist. In addition, the surface tension of the stripper is reduced, and the wettability with respect to the photoresist film is improved.

前記極性溶媒は、粘度が１ｃＰ以下であり、沸点が１５０℃以上であるものが好ましく、その具体的な例としては、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ−メチルホルムアミド（ＮＭＦ）、テトラメチレンスルホン、またはこれらの混合物などが挙げられる。   The polar solvent preferably has a viscosity of 1 cP or less and a boiling point of 150 ° C. or more. Specific examples thereof include N-methylpyrrolidone (NMP) and 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone. (DMI), dimethyl sulfoxide (DMSO), dimethylacetamide (DMAc), dimethylformamide (DMF), N-methylformamide (NMF), tetramethylene sulfone, or a mixture thereof.

前記極性溶媒の含量は、全体組成物総重量に対し１〜９５重量％であることが好ましく、３５〜９５重量％であることがより好ましく、５０〜９５重量％であることが最も好ましい。非プロトン性極性溶媒の含量が１重量％以下であれば、ストリッパーの粘度が上昇してストリッパーの剥離力が低下する短所があり、可能な限り重量範囲を増加させることが好ましい。   The content of the polar solvent is preferably 1 to 95% by weight, more preferably 35 to 95% by weight, and most preferably 50 to 95% by weight based on the total weight of the entire composition. If the content of the aprotic polar solvent is 1% by weight or less, there is a disadvantage that the stripper viscosity increases and the stripper peel strength decreases, and it is preferable to increase the weight range as much as possible.

また、本発明に係るフォトレジスト用ストリッパー組成物は水溶性非イオン性界面活性剤をさらに含んでもよい。   The photoresist stripper composition according to the present invention may further contain a water-soluble nonionic surfactant.

また、本発明に係るフォトレジスト用ストリッパー組成物は非極性溶媒をさらに含んでもよい。   The photoresist stripper composition according to the present invention may further contain a nonpolar solvent.

前記非極性溶媒の例としてはＢＤＧ（ブチルジグリコール）、ＥＤＧ（エチルジグリコール）、ＭＤＧ（メチルジグリコール）、ＴＥＧ（トリエチレングリコール）、ＤＥＭ（ジエチレングリコールモノエチルエーテル）などが挙げられる。    Examples of the nonpolar solvent include BDG (butyl diglycol), EDG (ethyl diglycol), MDG (methyl diglycol), TEG (triethylene glycol), DEM (diethylene glycol monoethyl ether), and the like.

前記非極性溶媒の含量は、全体組成物総重量に対し０超過４０重量％未満の範囲であることが好ましい。前記非極性溶媒の含量は少なければ少ないほど好ましく、非極性溶媒が増加する時には剥離力が落ちて異物が発生し、フォトレジストの処理枚数量が増加するほど生産収率が減少する短所がある。   The content of the nonpolar solvent is preferably in the range of more than 0 and less than 40% by weight based on the total weight of the entire composition. The content of the non-polar solvent is preferably as small as possible. When the non-polar solvent is increased, the peeling force is reduced and foreign matter is generated, and the production yield decreases as the amount of processed photoresist is increased.

本発明に係るフォトレジスト用ストリッパー組成物は、フォトレジスト下部の導電性膜および絶縁膜に損傷を与えず、フォトレジスト下部の導電性金属膜または絶縁膜に対する腐食防止力に優れる。   The stripper composition for a photoresist according to the present invention does not damage the conductive film and the insulating film under the photoresist, and is excellent in corrosion resistance to the conductive metal film or the insulating film under the photoresist.

前記導電性金属膜または絶縁膜は、アルミニウム、銅またはこれらの合金を含む単一膜、または２層以上の多層膜であってもよく、アルミニウム、銅またはこれらの合金とネオジム、モリブデンまたはこれらの合金を含む単一膜、または２層以上の多層膜であってもよい。   The conductive metal film or the insulating film may be a single film including aluminum, copper, or an alloy thereof, or a multilayer film including two or more layers. Aluminum, copper, or an alloy thereof and neodymium, molybdenum, or an alloy thereof. A single film containing an alloy or a multilayer film having two or more layers may be used.

一般的に半導体素子および液晶表示素子の製造工程では１以上のフォトレジスト工程が行われる。また、基板上に形成される導電性金属膜または絶縁膜は、前述したようにアルミニウムおよび／または銅を含む単一膜であってもよく、２層以上の多層膜であってもよいが、従来にはアルミニウムを含む導電性金属膜または絶縁膜が形成された基板に対するフォトレジスト工程と、銅を含む導電性金属膜または絶縁膜が形成された基板に対するフォトレジスト工程に、各々相異なるフォトレジスト用ストリッパーを用いた。   Generally, one or more photoresist processes are performed in the manufacturing process of a semiconductor element and a liquid crystal display element. The conductive metal film or insulating film formed on the substrate may be a single film containing aluminum and / or copper as described above, or may be a multilayer film of two or more layers. Conventionally, there are different photoresist processes for a photoresist process for a substrate on which a conductive metal film or insulating film containing aluminum is formed and a photoresist process for a substrate on which a conductive metal film or insulating film containing copper is formed. A stripper was used.

しかし、本発明に係るフォトレジスト用ストリッパー組成物は、アルミニウム、銅、またはアルミニウムおよび銅を含む導電性金属膜または絶縁膜が形成された基板に対して剥離力および腐食力に優れた特徴を有している。すなわち、本発明に係るフォトレジスト用ストリッパー組成物は、水溶性有機アミン化合物および腐食防止剤を特定比率で含むことにより、アルミニウムおよび／または銅を含む基板上に全て適用できる統合用フォトレジスト用ストリッパー組成物であることを特徴とする。   However, the stripper composition for photoresists according to the present invention has characteristics that are excellent in peeling force and corrosive force with respect to a substrate on which a conductive metal film or insulating film containing aluminum, copper, or aluminum and copper is formed. is doing. That is, the photoresist stripper composition according to the present invention includes a water-soluble organic amine compound and a corrosion inhibitor in a specific ratio, so that the photoresist stripper composition can be applied to all on a substrate containing aluminum and / or copper. It is a composition.

また、本発明は、
１）基板上に形成された導電性金属膜または絶縁膜にフォトレジストを塗布するステップと、
２）前記基板にフォトレジストパターンを形成するステップと、
３）前記パターン化されたフォトレジスト膜をマスクとし、前記導電性金属膜または絶縁膜をエッチングするステップと、
４）本発明のフォトレジスト用ストリッパー組成物を用いてフォトレジスト層を剥離するステップと、
を含む、アルミニウム、銅、またはアルミニウムおよび銅を含む基板からのフォトレジストの剥離方法を提供する。 The present invention also provides:
1) applying a photoresist to a conductive metal film or insulating film formed on a substrate;
2) forming a photoresist pattern on the substrate;
3) etching the conductive metal film or insulating film using the patterned photoresist film as a mask;
4) stripping the photoresist layer using the photoresist stripper composition of the present invention;
A method for stripping a photoresist from a substrate containing aluminum, copper, or a substrate containing aluminum and copper is provided.

また、本発明は、
１）基板上にフォトレジストを全面塗布するステップと、
２）前記基板にフォトレジストパターンを形成するステップと、
３）前記パターン化された基板に導電性金属膜または絶縁膜を蒸着するステップと、
４）本発明のフォトレジスト用ストリッパー組成物を用いてフォトレジストを剥離するステップと、
を含む、アルミニウム、銅、またはアルミニウムおよび銅を含む基板からのフォトレジストの剥離方法を提供する。 The present invention also provides:
1) applying a photoresist on the entire surface of the substrate;
2) forming a photoresist pattern on the substrate;
3) depositing a conductive metal film or an insulating film on the patterned substrate;
4) Stripping the photoresist using the photoresist stripper composition of the present invention;
A method for stripping a photoresist from a substrate containing aluminum, copper, or a substrate containing aluminum and copper is provided.

前記フォトレジストの剥離方法において、前記導電性金属膜または絶縁膜はアルミニウム、銅、またはこれらの合金を含む単一膜、または２層以上の多層膜であってもよく、アルミニウム、銅またはこれらの合金とネオジム、モリブデンまたはこれらの合金を含む単一膜、または２層以上の多層膜であってもよい。具体的にはＡｌ−Ｎｄ／Ｍｏ二重膜、Ｃｕ／ＭｏＸなどが好ましい。   In the photoresist stripping method, the conductive metal film or insulating film may be a single film containing aluminum, copper, or an alloy thereof, or a multilayer film of two or more layers, such as aluminum, copper, or these. It may be a single film containing an alloy and neodymium, molybdenum, or an alloy thereof, or a multilayer film having two or more layers. Specifically, an Al—Nd / Mo double film, Cu / MoX, or the like is preferable.

本発明のフォトレジスト用ストリッパー組成物を用いて微細回路パターンが形成された基板からフォトレジストを剥離する方法としては、多量のストリッパー液に剥離しようとする基板を同時に多枚を浸漬（ｄｉｐｐｉｎｇ）する浸漬式と１枚ずつ剥離液を基板にスプレーしてフォトレジストを除去する枚葉式の両方を使うことができる。   As a method for stripping a photoresist from a substrate on which a fine circuit pattern is formed using the stripper composition for photoresist of the present invention, a plurality of substrates to be stripped are stripped simultaneously in a large amount of stripper solution. Both the immersion type and the single wafer type in which the stripper is sprayed onto the substrate one by one to remove the photoresist can be used.

本発明のフォトレジスト用ストリッパー組成物を用いて剥離できるフォトレジストの種類としては、ポジ型フォトレジスト、ネガ型フォトレジスト、ポジ型／ネガ型の兼用フォトレジスト（ｄｕａｌ ｔｏｎｅ ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ）が挙げられ、構成成分に制約はないが、特に効果的に適用されるフォトレジストはノボラック系フェノール樹脂とジアゾナフトキノンを根幹とする光活性化合物からなるフォトレジストである。   Examples of photoresists that can be stripped using the photoresist stripper composition of the present invention include positive photoresists, negative photoresists, and positive / negative photoresists (dual tone photoresists). Although there are no restrictions on the components, a particularly effective photoresist is a photoresist made of a photoactive compound based on a novolac phenolic resin and diazonaphthoquinone.

また、本発明は、前記フォトレジストの剥離方法を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法または半導体素子の製造方法を提供する。   In addition, the present invention provides a method for manufacturing a liquid crystal display device or a method for manufacturing a semiconductor element, including the method for stripping a photoresist.

本発明に係る製造方法によって製造された液晶表示装置および半導体素子は、フォトレジスト剥離時に微細パターンを有する基板が腐食または損傷せず、残留フォトレジストが少ない。   In the liquid crystal display device and the semiconductor element manufactured by the manufacturing method according to the present invention, the substrate having a fine pattern is not corroded or damaged when the photoresist is peeled, and the residual photoresist is small.

このように、本発明によれば、写真エッチング工程中に変性されたフォトレジスト膜を高温および低温においても短い時間内に容易に除去することができ、中間洗浄液であるイソプロパノールを用いることなく、水で洗浄する場合にもフォトレジスト下部のアルミニウムまたはアルミニウム合金、銅または銅合金のような導電性膜および絶縁膜に対する腐食が少ないフォトレジスト用ストリッパー組成物を提供することができる。   Thus, according to the present invention, the photoresist film modified during the photographic etching process can be easily removed within a short time even at high and low temperatures, and without using isopropanol as an intermediate cleaning solution, The stripper composition for a photoresist can be provided with less corrosion to the conductive film and the insulating film such as aluminum or aluminum alloy, copper or copper alloy below the photoresist even when the substrate is cleaned with the above method.

特に、本発明は、リフト−オフ方式のフォトレジスト剥離方式において、苛酷な写真エッチング工程によって変質されたフォトレジスト膜を低温で短い時間内にきれいに剥離することができる。   In particular, according to the present invention, in a lift-off type photoresist stripping method, a photoresist film modified by a severe photo etching process can be stripped cleanly at a low temperature within a short time.

以下、本発明の理解を助けるために好ましい実施例を提示する。しかし、下記の実施例は本発明をより容易に理解するために提供されるためのものであって、これらによって本発明の内容が限定されるものではない。下記の実施例および比較例において別に言及しない限り組成物の成分比は重量比である。   Hereinafter, preferred examples will be presented to help understanding of the present invention. However, the following examples are provided for easier understanding of the present invention, and do not limit the contents of the present invention. Unless stated otherwise in the examples and comparative examples below, the compositional ratios of the compositions are weight ratios.

＜実施例１〜３３＞
下記表１に記載されている成分と組成比を用い、常温で２時間攪拌した後に０．１μｍで濾過してストリッパー溶液を製造した。 <Examples 1-33>
Using the components and composition ratios shown in Table 1 below, the mixture was stirred at room temperature for 2 hours and then filtered through 0.1 μm to produce a stripper solution.

＜比較例１〜６＞
下記表１に記載されている成分と組成比を用い、前記実施例１と同じ方法によってストリッパー溶液を製造した。 <Comparative Examples 1-6>
A stripper solution was prepared in the same manner as in Example 1 using the components and composition ratios described in Table 1 below.

Figure 2009538456
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※ＡＥＥ：２−（２−アミノエトキシ）−１−エタノール、
ＮＭＦ：Ｎ−メチルホルムアミド、
ＮＭＰ：Ｎ−メチルピロリドン、
ＤＭＡｃ：ジメチルアセトアミド、
ＭＥＡ：モノエタノールアミン、
ＮＭＡＥ：Ｎ−メチルアミノエタノール、
ＢＤＧ：ジエチレングリコールモノブチルエーテル、
ＥＤＧ：ジエチレングリコールモノエチルエーテル、
ＭＤＧ：メチルジグリコール、
Ｃ１：下記化学式５の化合物、 * AEE: 2- (2-aminoethoxy) -1-ethanol,
NMF: N-methylformamide,
NMP: N-methylpyrrolidone,
DMAc: dimethylacetamide,
MEA: monoethanolamine,
NMAE: N-methylaminoethanol,
BDG: diethylene glycol monobutyl ether,
EDG: Diethylene glycol monoethyl ether,
MDG: methyl diglycol,
C1: a compound of the following chemical formula 5;

Figure 2009538456
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Ｃ２：下記化学式６の化合物、   C2: a compound of the following chemical formula 6,

Figure 2009538456
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＜実験例＞リフト−オフ用剥離力および腐食特性の評価
前記実施例１〜３３および比較例１〜６において製造したストリッパー組成物の剥離力および腐食特性を下記のような方法によって評価した。 <Experimental Example> Evaluation of Lift-off Peeling Force and Corrosion Characteristics The peeling force and corrosion characteristics of the stripper compositions produced in Examples 1-33 and Comparative Examples 1-6 were evaluated by the following methods.

この時、実験に用いた試片は、ＬＣＤのＴＦＴ回路製作においてリフト−オフ方式で製作された画素レイヤガラス（ｐｉｘｅｌ ｌａｙｅｒ ｇｌａｓｓ）とゲート工程を経たガラス上にＡｌ−Ｎｄ層２，０００Åおよび上部にＭｏ層２００Åを形成した後、ノボラック樹脂とＰＡＣとからなるポジ型フォトレジストを塗布して乾燥した後、フォトリソグラフィによってパターンを形成し、湿式エッチングまで完了した状態の試片と、同じくゲート工程を経たガラス基板であって、ガラス上にモリブデン合金３００Åおよび上部にＣｕ層２，０００Åを形成した後、ノボラック樹脂とＰＡＣとからなるポジ型フォトレジストを塗布して乾燥した後、フォトリソグラフィによってパターンを形成し、湿式エッチングまで完了した試片の２種類である。   At this time, the specimen used in the experiment was a pixel layer glass manufactured by a lift-off method in the TFT circuit manufacturing of LCD and an Al-Nd layer of 2,000 mm and the upper part on the glass after the gate process. After forming the Mo layer 200 に on the substrate, a positive photoresist composed of a novolak resin and PAC is applied and dried, a pattern is formed by photolithography, and a test piece in a state where the wet etching is completed is also performed in the same gate process. After forming a molybdenum alloy 300 に on the glass and a Cu layer 2,000 に on the glass, a positive photoresist composed of a novolac resin and PAC is applied and dried, and then patterned by photolithography. Two types of specimens that have been formed up to wet etching The

１．剥離力評価
前記試片を７０℃、５０℃に維持した前記ストリッパー溶液に１分間沈積した後、超純水で３０秒間洗浄した後に窒素で乾燥した。乾燥完了後、試片を１，０００倍率の光学顕微鏡と５，０００〜１０，０００倍率の電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）によってフォトレジストの剥離程度を観察した。剥離性能評価は下記のような基準で評価した。 1. Peeling force evaluation The specimen was deposited in the stripper solution maintained at 70 ° C. and 50 ° C. for 1 minute, washed with ultrapure water for 30 seconds, and then dried with nitrogen. After completion of drying, the specimen was observed for the degree of peeling of the photoresist with an optical microscope with a magnification of 1,000 and an electron microscope with a magnification of 5,000 to 10,000 (FE-SEM). The peel performance was evaluated according to the following criteria.

※◎：剥離性能に優れる、
○：剥離性能が良好、
△：剥離性能が良好ではない、
×：剥離性能が不良。 * ◎: Excellent peeling performance.
○: Good peeling performance
Δ: Peeling performance is not good
X: Peeling performance is poor.

２．第１腐食評価
第１腐食評価はストリップ完了後超純水で洗浄する工程で腐食有無を評価するためのものであり、評価用試片は前記試片を４０℃に維持したアセトン溶液に１０分間沈積した後、イソプロパノールで３０秒、超純水で３０秒間洗浄して製造した。前記評価用試片を前記ストリッパー溶液５０ｇと水９５０ｇの混合液に常温で３分間沈積した後、超純水で３０秒間洗浄した後に窒素で乾燥した。５０，０００〜１００，０００倍率の電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）によって試片の表面、側面および断面の腐食程度を観察した。 2. 1st corrosion evaluation 1st corrosion evaluation is for evaluating the presence or absence of corrosion in the process of washing with ultrapure water after strip completion, and the test piece for evaluation is 10 minutes in an acetone solution maintained at 40 ° C. After the deposition, it was produced by washing with isopropanol for 30 seconds and with ultrapure water for 30 seconds. The evaluation specimen was deposited in a mixed solution of 50 g of the stripper solution and 950 g of water at room temperature for 3 minutes, washed with ultrapure water for 30 seconds, and then dried with nitrogen. The degree of corrosion of the surface, side surface and cross section of the specimen was observed with an electron microscope (FE-SEM) at a magnification of 50,000 to 100,000.

腐食性能評価は下記のような基準で評価した。   Corrosion performance was evaluated according to the following criteria.

※◎：Ａｌ−Ｎｄ、Ｍｏ配線の表面と側面に腐食がない場合、
○：Ａｌ−Ｎｄ、Ｍｏ配線の表面と側面に若干の腐食がある場合、
△：Ａｌ−Ｎｄ、Ｍｏ配線の表面と側面に部分的な腐食がある場合、
×：Ａｌ−Ｎｄ、Ｍｏ配線の表面と側面に全体的に酷い腐食がある場合。 * ◎: When there is no corrosion on the surface and side of the Al-Nd, Mo wiring,
○: When there is some corrosion on the surface and side of the Al-Nd, Mo wiring,
Δ: When there is partial corrosion on the surface and side of the Al—Nd, Mo wiring,
X: When there is severe corrosion on the entire surface and side surfaces of the Al—Nd and Mo wiring.

３．第２腐食評価
前記試片を７０℃に維持した前記ストリッパー溶液に１０分間沈積した後、超純水で３０秒間洗浄した後に窒素で乾燥した。本ストリップ実験を３回連続して実施した後、５０，０００〜１００，０００倍率の電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）によって試片の表面、側面および断面の腐食程度を観察した。腐食性能評価は下記のような基準で評価した。 3. Second Corrosion Evaluation After the specimen was deposited in the stripper solution maintained at 70 ° C. for 10 minutes, it was washed with ultrapure water for 30 seconds and then dried with nitrogen. After performing this strip experiment three times in succession, the degree of corrosion of the surface, side surface and cross section of the specimen was observed with an electron microscope (FE-SEM) at a magnification of 50,000 to 100,000. Corrosion performance was evaluated according to the following criteria.

※◎：Ｃｕ配線の表面と側面に腐食がない場合、
○：Ｃｕ配線の表面と側面に若干の腐食がある場合、
△：Ｃｕ配線の表面と側面に部分的な腐食がある場合、
×：Ｃｕ配線の表面と側面に全体的に酷い腐食がある場合。 * ◎: When there is no corrosion on the surface and side of the Cu wiring,
○: When there is some corrosion on the surface and side of the Cu wiring,
Δ: When there is partial corrosion on the surface and side of the Cu wiring,
X: When there is severe corrosion on the entire surface and side surface of the Cu wiring.

剥離力と腐食評価の結果は下記表２に示す。   The results of peel strength and corrosion evaluation are shown in Table 2 below.

Figure 2009538456
Figure 2009538456
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上記の表２に示すように、本発明に係るストリッパー組成物は剥離力および腐食力の全てに優れていることが分かる。   As shown in Table 2 above, it can be seen that the stripper composition according to the present invention is excellent in all of peeling force and corrosive force.

液晶表示装置のフォトレジスト剥離工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the photoresist peeling process of a liquid crystal display device. リフト−オフ（Ｌｉｆｔ−ｏｆｆ）方式のフォトレジスト剥離工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the photoresist peeling process of a lift-off (Lift-off) system.

Claims (22)

１）下記化学式１、化学式２、および化学式３で示される化合物からなる群から１種以上選択される腐食防止剤と、
２）前記１）腐食防止剤の重量対比２〜５０倍の水溶性有機アミン化合物と、
３）極性溶媒と、
を含む、アルミニウム、銅、またはアルミニウムおよび銅を含む基板用フォトレジストストリッパー組成物：
Figure 2009538456
 前記化学式１において、
Ｒ１およびＲ２は互いに同じでも異なっていてもよく、各々独立して水素またはヒドロキシ基であり、
Ｒ３は水素、ｔ−ブチル基、カルボン酸基（−ＣＯＯＨ）、メチルエステル基（−ＣＯＯＣＨ3）、エチルエステル基（−ＣＯＯＣ2Ｈ5）またはプロピルエステル基（−ＣＯＯＣ3Ｈ7）であり、
Figure 2009538456
 前記化学式２において、
Ｒ４は水素または炭素数１〜４のアルキル基であり、
Ｒ５およびＲ６は互いに同じでも異なっていてもよく、各々独立して炭素数１〜４のヒドロキシアルキル基である。
Figure 2009538456
 1) a corrosion inhibitor selected from the group consisting of compounds represented by the following chemical formula 1, chemical formula 2, and chemical formula 3,
2) 1) a water-soluble organic amine compound 2 to 50 times the weight of the corrosion inhibitor;
3) a polar solvent;
A photoresist stripper composition for substrates comprising aluminum, copper, or aluminum and copper, comprising:
Figure 2009538456
 In Formula 1,
R1 and R2 may be the same or different from each other, and each independently represents a hydrogen atom or a hydroxy group;
R3 is hydrogen, t-butyl group, carboxylic acid group (—COOH), methyl ester group (—COOCH 3 ), ethyl ester group (—COOC 2 H 5 ) or propyl ester group (—COOC 3 H 7 ),
Figure 2009538456
 In Formula 2,
R4 is hydrogen or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms,
R5 and R6 may be the same as or different from each other, and each independently represents a hydroxyalkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
Figure 2009538456
 前記１）腐食防止剤は、前記化学式１で示される化合物、および前記化学式２または化学式３で示される化合物の混合物であることを特徴とする、請求項１に記載のアルミニウム、銅、またはアルミニウムおよび銅を含む基板用フォトレジストストリッパー組成物。   2. The aluminum, copper, or aluminum according to claim 1, wherein the 1) corrosion inhibitor is a mixture of the compound represented by the chemical formula 1 and the compound represented by the chemical formula 2 or the chemical formula 3 A photoresist stripper composition for a substrate comprising copper. 前記１）腐食防止剤は、組成物総重量に対し０．０１〜５重量％であることを特徴とする、請求項１に記載のアルミニウム、銅、またはアルミニウムおよび銅を含む基板用フォトレジストストリッパー組成物。   The photoresist stripper for a substrate comprising aluminum, copper, or aluminum and copper according to claim 1, wherein the 1) corrosion inhibitor is 0.01 to 5% by weight based on the total weight of the composition. Composition. ２）水溶性有機アミン化合物は、第１級アミノアルコール類化合物、第２級アミノアルコール類化合物および第３級アミノアルコール類化合物からなる群から１種以上選択されることを特徴とする、請求項１に記載のアルミニウム、銅、またはアルミニウムおよび銅を含む基板用フォトレジストストリッパー組成物。   2) The water-soluble organic amine compound is selected from the group consisting of a primary amino alcohol compound, a secondary amino alcohol compound and a tertiary amino alcohol compound, A photoresist stripper composition for a substrate comprising aluminum, copper, or aluminum and copper according to 1. 前記２）水溶性有機アミン化合物は、モノエタノールアミン（ＭＥＡ）、１−アミノイソプロパノール（ＡＩＰ）、２−アミノ−１−プロパノール、Ｎ−メチルアミノエタノール（Ｎ−ＭＡＥ）、３−アミノ−１−プロパノール、４−アミノ−１−ブタノール、２−（２−アミノエトキシ）−１−エタノール（ＡＥＥ）、２−（２−アミノエチルアミノ）−１−エタノール、ジエタノールアミン（ＤＥＡ）、トリエタノールアミン（ＴＥＡ）およびヒドロキシエチルピペラジン（ＨＥＰ）からなる群から１種以上選択されることを特徴とする、請求項１に記載のアルミニウム、銅、またはアルミニウムおよび銅を含む基板用フォトレジストストリッパー組成物。   2) Water-soluble organic amine compounds are monoethanolamine (MEA), 1-aminoisopropanol (AIP), 2-amino-1-propanol, N-methylaminoethanol (N-MAE), 3-amino-1- Propanol, 4-amino-1-butanol, 2- (2-aminoethoxy) -1-ethanol (AEE), 2- (2-aminoethylamino) -1-ethanol, diethanolamine (DEA), triethanolamine (TEA) And at least one selected from the group consisting of hydroxyethylpiperazine (HEP). The photoresist stripper composition for a substrate comprising aluminum, copper, or aluminum and copper according to claim 1. 前記２）水溶性有機アミン化合物の含量は、組成物総重量に対し１〜６０重量％であることを特徴とする、請求項１に記載のアルミニウム、銅、またはアルミニウムおよび銅を含む基板用フォトレジストストリッパー組成物。   2. The photo for a substrate containing aluminum, copper, or aluminum and copper according to claim 1, wherein the content of the water-soluble organic amine compound is 1 to 60% by weight based on the total weight of the composition. Resist stripper composition. 前記１）腐食防止剤は前記化学式１で示される化合物、および前記化学式２または化学式３で示される化合物の混合物であり、前記２）水溶性有機アミン化合物は２−（２−アミノエトキシ）−１−エタノール（ＡＥＥ）であることを特徴とする、請求項１に記載のアルミニウム、銅、またはアルミニウムおよび銅を含む基板用フォトレジストストリッパー組成物。   The 1) corrosion inhibitor is a mixture of the compound represented by Chemical Formula 1 and the compound represented by Chemical Formula 2 or 3; and 2) the water-soluble organic amine compound is 2- (2-aminoethoxy) -1 A photoresist stripper composition for a substrate comprising aluminum, copper, or aluminum and copper according to claim 1, characterized in that it is ethanol (AEE). 前記３）極性溶媒は、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ−メチルホルムアミド（ＮＭＦ）、およびテトラメチレンスルホンからなる群から１種以上選択されることを特徴とする、請求項１に記載のアルミニウム、銅、またはアルミニウムおよび銅を含む基板用フォトレジストストリッパー組成物。   The 3) polar solvent is N-methylpyrrolidone (NMP), 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone (DMI), dimethyl sulfoxide (DMSO), dimethylacetamide (DMAc), dimethylformamide (DMF), N- 2. The photoresist stripper composition for a substrate containing aluminum, copper, or aluminum and copper according to claim 1, wherein the photoresist stripper composition is selected from the group consisting of methylformamide (NMF) and tetramethylene sulfone. 前記３）極性溶媒の含量は、全体組成物総重量に対し１〜９５重量％であることを特徴とする、請求項１に記載のアルミニウム、銅、またはアルミニウムおよび銅を含む基板用フォトレジストストリッパー組成物。   [3] The photoresist stripper for a substrate comprising aluminum, copper, or aluminum and copper according to claim 1, wherein the content of the 3) polar solvent is 1 to 95% by weight based on the total weight of the entire composition. Composition. 前記３）極性溶媒の含量は全体組成物総重量に対し５０〜９５重量％であることを特徴とする、請求項１に記載のアルミニウム、銅、またはアルミニウムおよび銅を含む基板用フォトレジストストリッパー組成物。   The photoresist stripper composition for a substrate containing aluminum, copper, or aluminum and copper according to claim 1, wherein the content of the 3) polar solvent is 50 to 95% by weight based on the total weight of the entire composition. object. 前記フォトレジストストリッパー組成物は、水溶性非イオン性界面活性剤をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載のアルミニウム、銅、またはアルミニウムおよび銅を含む基板用フォトレジストストリッパー組成物。   The photoresist stripper composition for a substrate comprising aluminum, copper, or aluminum and copper according to claim 1, wherein the photoresist stripper composition further comprises a water-soluble nonionic surfactant. 前記フォトレジストストリッパー組成物は、非極性溶媒をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載のアルミニウム、銅、またはアルミニウムおよび銅を含む基板用フォトレジストストリッパー組成物。   The photoresist stripper composition for a substrate comprising aluminum, copper, or aluminum and copper according to claim 1, wherein the photoresist stripper composition further comprises a nonpolar solvent. 前記非極性溶媒は、 ＢＤＧ（ブチルジグリコール）、ＥＤＧ（エチルジグリコール）、ＭＤＧ（メチルジグリコール）、ＴＥＧ（トリエチレングリコール）、およびＤＥＭ（ジエチレングリコールモノエチルエーテル）からなる群から１種以上選択されることを特徴とする、請求項１２に記載のアルミニウム、銅、またはアルミニウムおよび銅を含む基板用フォトレジストストリッパー組成物。   The nonpolar solvent is selected from the group consisting of BDG (butyl diglycol), EDG (ethyl diglycol), MDG (methyl diglycol), TEG (triethylene glycol), and DEM (diethylene glycol monoethyl ether). The photoresist stripper composition for a substrate comprising aluminum, copper, or aluminum and copper according to claim 12. 前記非極性溶媒の含量は、組成物総重量に対し０超過４０重量％未満であることを特徴とする、請求項１２に記載のアルミニウム、銅、またはアルミニウムおよび銅を含む基板用フォトレジストストリッパー組成物。   The photoresist stripper composition for aluminum, copper, or a substrate containing aluminum and copper according to claim 12, wherein the content of the nonpolar solvent is more than 0 and less than 40% by weight based on the total weight of the composition. object. １）基板上に形成された導電性金属膜または絶縁膜にフォトレジストを塗布するステップと、
２）前記基板にフォトレジストパターンを形成するステップと、
３）前記パターン化されたフォトレジスト膜をマスクとし、前記導電性金属膜または絶縁膜をエッチングするステップと、
４）請求項１〜１４のうちのいずれか１つのフォトレジストストリッパー組成物を用いてフォトレジスト層を剥離するステップと、
を含む、アルミニウム、銅、またはアルミニウムおよび銅を含む基板からのフォトレジストの剥離方法。 1) applying a photoresist to a conductive metal film or insulating film formed on a substrate;
2) forming a photoresist pattern on the substrate;
3) etching the conductive metal film or insulating film using the patterned photoresist film as a mask;
4) stripping the photoresist layer using the photoresist stripper composition of any one of claims 1-14;
A method for stripping a photoresist from aluminum, copper, or a substrate containing aluminum and copper. 前記導電性膜または絶縁膜は、アルミニウム、 銅またはアルミニウムと銅の合金を含む単一膜、または２層以上の多層膜であるか、アルミニウム、銅またはアルミニウムと銅の合金とネオジム、モリブデンまたはネオジムとモリブデンの合金を含む単一膜、または２層以上の多層膜であることを特徴とする、請求項１５に記載のアルミニウム、銅、またはアルミニウムおよび銅を含む基板からのフォトレジストの剥離方法。   The conductive film or the insulating film is aluminum, copper or a single film containing an alloy of aluminum and copper, or a multilayer film of two or more layers, or aluminum, copper or an alloy of aluminum and copper and neodymium, molybdenum or neodymium. The method for peeling a photoresist from aluminum, copper, or a substrate containing aluminum and copper according to claim 15, which is a single film containing an alloy of molybdenum and molybdenum, or a multilayer film of two or more layers. 請求項１５の剥離方法を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。   A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising the peeling method according to claim 15. 請求項１５の剥離方法を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。   A method for manufacturing a semiconductor device, comprising the peeling method according to claim 15. １）基板上にフォトレジストを全面塗布するステップと、
２）前記基板にフォトレジストパターンを形成するステップと、
３）前記パターン化された基板に導電性金属膜または絶縁膜を蒸着するステップと、
４）請求項１〜１４のうちのいずれか１つのフォトレジストストリッパー組成物を用いてフォトレジスト層を剥離するステップと、
を含む、アルミニウム、銅、またはアルミニウムおよび銅を含む基板からのフォトレジストの剥離方法。 1) applying a photoresist on the entire surface of the substrate;
2) forming a photoresist pattern on the substrate;
3) depositing a conductive metal film or an insulating film on the patterned substrate;
4) stripping the photoresist layer using the photoresist stripper composition of any one of claims 1-14;
A method for stripping a photoresist from aluminum, copper, or a substrate containing aluminum and copper. 前記導電性膜または絶縁膜は、アルミニウム、銅またはアルミニウムと銅の合金を含む単一膜、または２層以上の多層膜であるか、アルミニウム、銅またはアルミニウムと銅の合金とネオジム、モリブデンまたはネオジムとモリブデンの合金を含む単一膜、または２層以上の多層膜であることを特徴とする、請求項１９に記載のアルミニウム、銅、またはアルミニウムおよび銅を含む基板からのフォトレジストの剥離方法。    The conductive film or insulating film is aluminum, copper or a single film containing an alloy of aluminum and copper, or a multilayer film of two or more layers, or aluminum, copper or an alloy of aluminum and copper and neodymium, molybdenum or neodymium. The method for peeling a photoresist from aluminum, copper, or a substrate containing aluminum and copper according to claim 19, wherein the photoresist is a single film containing an alloy of molybdenum and molybdenum, or a multilayer film of two or more layers. 請求項１９の剥離方法を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。   A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising the peeling method according to claim 19. 請求項１９の剥離方法を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。   A method for manufacturing a semiconductor device, comprising the peeling method according to claim 19.
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