JP2009535814A5 - - Google Patents
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Claims (18)
- 振子型のイオン注入装置において、半導体材料中の不均一イオン注入を軽減する方法であって、
イオンビームの前方で、第１の弓状走査軌道に沿って上記半導体材料を振動させる工程と、
第２の走査軌道に沿って上記半導体材料を移動させる工程と、
上記半導体材料の全体に及ぶイオン注入の不均一性に関するデータを取得し、第２の走査軌道に沿った移動が、上記半導体材料中の上記不均一イオン注入を軽減するために、動的調節される工程とを包含することを特徴とする方法。 - 第２の走査軌道に沿った上記半導体材料のための動的調節は、不均一イオン注入関数によって行なうことを特徴とする請求項１に記載の方法。
- 第２の走査軌道に沿った上記半導体材料の移動を調節するために、第２の走査軌道に沿った上記半導体材料の元の移動又は予定された移動を、不均一イオン注入に対応する関数で除する工程をさらに包含することを特徴とする請求項１に記載の方法。
- 上記不均一イオン注入に対応する関数を測定する工程をさらに包含することを特徴とする請求項３に記載の方法。
- 上記不均一イオン注入に対応する関数を測定する工程では、曲線の調整方法を実施することを特徴とする請求項４に記載の方法。
- 上記不均一イオン注入に対応する関数を測定する工程では、上記半導体材料の全体に及ぶイオンドーズの座標を作成することを特徴とする請求項４に記載の方法。
- 上記不均一イオン注入に対応する関数を測定する工程では、曲線の調整方法を実施することを特徴とする請求項６に記載の方法。
- 上記不均一イオン注入に対応する関数を測定する工程では、測定部材を上記半導体材料の代わりに使用することを特徴とする請求項４に記載の方法。
- 上記不均一イオン注入に対応する関数を測定する工程では、イオン注入をモデル化（modeling）することを特徴とする請求項４に記載の方法。
- 上記イオン注入は、上記イオンビームに対する上記半導体材料の方向性、上記半導体材料の角振動数、フォトレジストが発生させるガス、ビーム電流の変動、圧力の変動、及び第１の弓状走査軌道に沿った移動における誤差のうち、少なくとも１つに基づいてモデル化されることを特徴とする請求項９に記載の方法。
- 上記半導体材料の全体に及ぶイオン注入の不均一性に関するデータは、上記半導体材料の代わりに、イオン感受性測定部材を代用することによって取得されることを特徴とする請求項１〜１０の何れか１項に記載の方法。
- 振子型のイオン注入装置において、半導体材料中の不均一イオン注入を軽減する方法であって、
上記半導体材料の代わりに測定部材を用い、モデル化を経ることによってイオン注入データを取得する工程と、
上記イオン注入データを使用して、上記不均一イオン注入に対応する関数を測定する工程と、
第１の弓状走査軌道に沿って上記半導体材料を動かすこと、及び弓状ではない第２の走査軌道に沿って上記半導体材料を動かすことによって、イオンビームを通る上記半導体材料の移動を制御する工程とを包含しており、
第２の走査軌道に沿った移動は、上記不均一イオン注入を軽減するために、第２の走査軌道に沿った上記半導体材料の元の移動又は予定された移動を上記不均一イオン注入に対応する関数で除することによって調節されることを特徴とする方法。 - 上記不均一イオン注入に対応する関数を測定する工程では、曲線の調整法を実施することを特徴とする請求項１２に記載の方法。
- 上記不均一イオン注入に対応する関数を測定する工程では、上記半導体材料の全体に及ぶイオンドーズの座標を作成することを特徴とする請求項１２に記載の方法。
- 上記不均一イオン注入に対応する関数を測定する工程では、曲線の調整法を実施することを特徴とする請求項１４に記載の方法。
- 上記モデル化は、上記イオンビームに対する上記半導体材料の方向性、上記半導体材料の角振動数、フォトレジストが発生させるガス、ビーム電流の変動、圧力の変動、及び第１の弓状走査軌道に沿った移動における誤差のうち、少なくとも１つを考慮することを特徴とする請求項１２に記載の方法。
- 上記イオン注入データは複数の上記不均一イオン注入に対応するデータを含んでおり、
上記不均一イオン注入に対応する複数の不均一注入関数を測定する工程と、
上記不均一イオン注入を軽減するために、第２の走査軌道に沿った上記半導体材料の元の移動又は予定された移動を、上記不均一イオン注入に対応する関数によって除する工程とをさらに包含することを特徴とする請求項１２に記載の方法。 - 上記不均一イオン注入は、第１の弓状走査軌道に沿った移動に対応することを特徴とする請求項１７に記載の方法。
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|---|---|---|---|---|
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| US4736107A (en) * | 1986-09-24 | 1988-04-05 | Eaton Corporation | Ion beam implanter scan control system |
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| JPH02160354A (ja) * | 1988-12-12 | 1990-06-20 | Fuji Electric Co Ltd | イオン注入制御装置 |
| US5311028A (en) * | 1990-08-29 | 1994-05-10 | Nissin Electric Co., Ltd. | System and method for producing oscillating magnetic fields in working gaps useful for irradiating a surface with atomic and molecular ions |
| US5160846A (en) * | 1990-10-03 | 1992-11-03 | Eaton Corporation | Method and apparatus for reducing tilt angle variations in an ion implanter |
| US5293216A (en) * | 1990-12-31 | 1994-03-08 | Texas Instruments Incorporated | Sensor for semiconductor device manufacturing process control |
| US5270222A (en) * | 1990-12-31 | 1993-12-14 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for semiconductor device fabrication diagnosis and prognosis |
| US5177366A (en) * | 1992-03-06 | 1993-01-05 | Eaton Corporation | Ion beam implanter for providing cross plane focusing |
| US5432352A (en) * | 1993-09-20 | 1995-07-11 | Eaton Corporation | Ion beam scan control |
| US5481116A (en) * | 1994-06-10 | 1996-01-02 | Ibis Technology Corporation | Magnetic system and method for uniformly scanning heavy ion beams |
| JP3729604B2 (ja) * | 1997-06-16 | 2005-12-21 | 住友イートンノバ株式会社 | イオン注入装置 |
| US6137112A (en) * | 1998-09-10 | 2000-10-24 | Eaton Corporation | Time of flight energy measurement apparatus for an ion beam implanter |
| JP3976455B2 (ja) * | 1999-09-17 | 2007-09-19 | 株式会社日立製作所 | イオン注入装置 |
| US6521895B1 (en) * | 1999-10-22 | 2003-02-18 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Wide dynamic range ion beam scanners |
| US6414329B1 (en) * | 2000-07-25 | 2002-07-02 | Axcelis Technologies, Inc. | Method and system for microwave excitation of plasma in an ion beam guide |
| US6534775B1 (en) * | 2000-09-01 | 2003-03-18 | Axcelis Technologies, Inc. | Electrostatic trap for particles entrained in an ion beam |
| US6908836B2 (en) * | 2002-09-23 | 2005-06-21 | Applied Materials, Inc. | Method of implanting a substrate and an ion implanter for performing the method |
| US20030197133A1 (en) * | 2002-04-23 | 2003-10-23 | Turner Norman L. | Method and apparatus for scanning a workpiece in a vacuum chamber |
| US6924215B2 (en) * | 2002-05-29 | 2005-08-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Method of monitoring high tilt angle of medium current implant |
| KR20040060401A (ko) * | 2002-12-30 | 2004-07-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 트랜지스터 형성 방법 |
| US6777696B1 (en) * | 2003-02-21 | 2004-08-17 | Axcelis Technologies, Inc. | Deflecting acceleration/deceleration gap |
| US6881966B2 (en) * | 2003-05-15 | 2005-04-19 | Axcelis Technologies, Inc. | Hybrid magnetic/electrostatic deflector for ion implantation systems |
| US6972236B2 (en) * | 2004-01-30 | 2005-12-06 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Semiconductor device layout and channeling implant process |
| CN101006545B (zh) * | 2004-04-05 | 2010-09-08 | 艾克塞利斯技术公司 | 用于使工件往复经过离子束的方法 |
| US7323695B2 (en) * | 2004-04-05 | 2008-01-29 | Axcelis Technologies, Inc. | Reciprocating drive for scanning a workpiece |
| US7119343B2 (en) * | 2004-05-06 | 2006-10-10 | Axcelis Technologies, Inc. | Mechanical oscillator for wafer scan with spot beam |
| US7462843B2 (en) * | 2004-05-18 | 2008-12-09 | Advanced Ion Bean Technology Inc. | Apparatus and methods for ion beam implantation |
| US6992310B1 (en) * | 2004-08-13 | 2006-01-31 | Axcelis Technologies, Inc. | Scanning systems and methods for providing ions from an ion beam to a workpiece |
| US6953942B1 (en) * | 2004-09-20 | 2005-10-11 | Axcelis Technologies, Inc. | Ion beam utilization during scanned ion implantation |
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