TW201926398A - 一種多個反應腔室之間製程結果的匹配方法和裝置 - Google Patents

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Abstract

本揭露提供了一種多個反應腔室之間製程結果的匹配方法和裝置，該方法包括：選取至少一個影響製程結果的因素；分別為各個反應腔室對應的因素設定一調節因數，該調節因數使因素在其對應的反應腔室製程時的真實值與目標值的差值在預設精度範圍內；基於因素的目標值與各個反應腔室對應的調節因數獲得因素的輸入值分別輸入各個反應腔室，並使多個反應腔室運行同一製程。本揭露提供的多個反應腔室之間製程結果的匹配方法，其藉由對能夠影響製程結果的因素進行調節，來改善反應腔室的匹配效果。

Description

一種多個反應腔室之間製程結果的匹配方法和裝置
本揭露涉及半導體製造技術領域，尤其涉及一種多個反應腔室之間製程結果的匹配方法和裝置。
在集簇式半導體裝置中，一個機台通常配置多個（2到6個）反應腔室。這些反應腔室的硬體結構相同，且使用同一傳輸平臺進行矽片傳輸，並使用相同軟體進行控制，以運行不同或相同製程。
在生產程序中，為了保證產品的品質，需要多個腔室在運行相同製程的情況下，生產出的產品具有相同的結果。但是，由於多個腔室的硬體結構及硬體安裝會存在細微的差別，這些差別會導致多個腔室之間的匹配調節變得比較複雜困難。
在實際裝機調整程序中，參見第1圖所示，多個腔室之間的匹配調節均是藉由調節硬體結構及硬體裝置參數、運行相同的製程和查看製程結果的程序，並藉由多次進行上述程序來實現多次測試和調整製程結果，使腔室之間大致匹配。
申請人在實現本揭露的程序中，發現現有技術存在如下缺陷： 1、半導體裝置對精度要求非常高，調整多個腔室硬體結構，對硬體的要求非常高，並且因為硬體部分非常多，硬體組裝的誤差也會比較複雜，導致不同硬體之間存在差異性在所難免，因此藉由調整硬體結構的方法來實現多個腔室之間的匹配比較困難。 2、藉由使用製程測試片運行製程，調節製程結果的方法，會花費較多的時間及人力物力。而且在變換製程時，經常會需要重新調試多個腔室的匹配。
根據本揭露的一個方面，提供了一種多個反應腔室之間製程結果的匹配方法，包括： 選取至少一個影響製程結果的因素； 分別為各個該反應腔室對應的該因素設定一調節因數，該調節因數使該因素在其對應的反應腔室製程時的真實值與目標值的差值在預設精度範圍內； 基於該因素的目標值與各個該反應腔室對應的該調節因數獲得該因素的輸入值分別輸入各個該反應腔室，並使多個該反應腔室運行同一製程。
在本揭露的一些實施例中，在該基於該因素的目標值與各個該反應腔室對應的該調節因數獲得該因素的輸入值分別輸入各個該反應腔室，並使多個該反應腔室運行同一製程的步驟中，將該因素的目標值與各個該反應腔室對應的該調節因數的乘積、商、差或者和作為該因素的輸入值。
在本揭露的一些實施例中，該因素包括射頻功率、製程氣體流量或者腔室溫度。
在本揭露的一些實施例中，該分別為各個該反應腔室對應的該因素設定一調節因數，該調節因數使該因素在其對應的反應腔室製程時的真實值與目標值的差值在預設精度範圍內的步驟，包括： 設定該因素在其對應的反應腔室製程時的目標值； 將該因素的目標值作為該因素的輸入值分別輸入各個該反應腔室，並使多個該反應腔室運行同一製程； 檢測並記錄該因素在其對應的反應腔室製程時的真實值； 根據該目標值與真實值之間的差值，藉由擬合的方式獲取該調節因數。
在本揭露的一些實施例中，該擬合為線性擬合或曲線擬合。
在本揭露的一些實施例中，在該基於該因素的目標值與各個該反應腔室對應的該調節因數獲得該因素的輸入值分別輸入各個該反應腔室，並使多個該反應腔室運行同一製程的步驟之後，還包括： 判斷多個該反應腔室對應的該因素的真實值是否匹配； 如果匹配，則保存該調節因數； 如果不匹配，則返回執行該分別為各個該反應腔室對應的該因素設定一調節因數，該調節因數使該因素在其對應的反應腔室製程時的真實值與目標值的差值在預設精度範圍內的步驟，並調整該調節因數。
在本揭露的一些實施例中，在該分別為各個該反應腔室對應的該因素設定一調節因數，該調節因數使該因素在其對應的反應腔室製程時的真實值與目標值的差值在預設精度範圍內的步驟之前，還包括： 調整該反應腔室的硬體結構和硬體配置參數。
在本揭露的一些實施例中，多個該反應腔室對應的該因素的目標值相同。
根據本揭露的另一方面，提供了一種多個反應腔室之間製程結果的匹配裝置，包括： 選取模組，用於選取至少一個影響製程結果的因素； 設定模組，用於分別為各個該反應腔室對應的該因素設定一調節因數，該調節因數使該因素在其對應的反應腔室製程時的真實值與目標值的差值在預設精度範圍內； 匹配模組，用於基於該因素的目標值與各個該反應腔室對應的該調節因數獲得該因素的輸入值分別輸入各個該反應腔室，並使多個該反應腔室運行同一製程。
在本揭露的一些實施例中，該匹配模組用於將該因素的目標值與各個該反應腔室對應的該調節因數的乘積、商、差或者和作為該因素的輸入值分別輸入各個該反應腔室，並使多個該反應腔室運行同一製程。
在本揭露的一些實施例中，該因素包括射頻功率、製程氣體流量和腔室溫度。
在本揭露的一些實施例中，該設定模組包括： 設定單元，用於設定該因素在其對應的反應腔室製程時的目標值； 測試單元，用於將該因素的目標值作為該因素的輸入值分別輸入各個該反應腔室，並使多個該反應腔室運行同一製程； 檢測單元，用於檢測並記錄該因素在其對應的反應腔室製程時的真實值； 擬合單元，用於根據該目標值與真實值之間的差值，藉由擬合的方式獲取該調節因數。
在本揭露的一些實施例中，該擬合為線性擬合或曲線擬合。
在本揭露的一些實施例中，還包括： 判斷模組，用於判斷多個該反應腔室對應的該因素的真實值是否匹配，若是，則觸發保存模組，否則觸發迴圈執行模組； 保存模組，用於保存該調節因數； 迴圈執行模組，用於觸發該設定模組，用以調整該調節因數。
在本揭露的一些實施例中，還包括：調整模組，用於調整反應腔室的硬體結構和硬體配置參數。
為使本揭露的目的、技術方案和優點更加清楚明白，以下結合具體實施例，並參照附圖，對本揭露進一步詳細說明。但是應該理解，這些描述只是示例性的，而並非要限制本揭露的範圍。此外，在以下說明中，省略了對公知結構和技術的描述，以避免不必要地混淆本揭露的概念。
集簇式半導體裝置通常帶多個（2到6個）硬體結構相同的反應腔室，在集簇式半導體裝置的控制裝置的控制下，傳輸裝置在各個反應腔室之間傳輸待加工工件，各個反應腔室可以運行相同或不同的製程，這些製程包括預清洗、蝕刻、沉積等製程，從而完成各種製程任務。
對於同樣的反應腔室，這些反應腔室的硬體結構理論上應完全相同。但實際上，由於反應腔室的零部件數量和種類眾多，這些零部件結構之間存在細微差別，安裝零部件的程序也會帶來誤差，使得各個反應腔室的硬體結構會存在細微的差別，這些差別會導致多個腔室之間的匹配調節變得比較複雜困難。為瞭解決該問題，本揭露提供了一種多個反應腔室之間製程結果的匹配方法，其藉由對能夠影響製程結果的因素進行調節，來改善反應腔室的匹配效果。對於半導體領域的蝕刻、沉積等製程，都是以nm為單位的，對精度要求非常高，影響製程結果的因素非常多，如RF（射頻）功率、製程氣體流量、腔室溫度等。
請參閱第2圖，本揭露第一實施例提供了一種多個反應腔室之間製程結果的匹配方法，包括： 步驟S101：選取至少一個影響製程結果的因素。
所謂因素是指反應腔室在製程程序中的製程參數，且藉由調節這些製程參數，可以對製程結果造成影響。
在實際應用中，由於多個反應腔室的硬體結構之間存在製造誤差及硬體結構安裝誤差等，導致設定的反應腔室的製程參數值（以下稱目標值）與反應腔室中真實的製程參數值（以下稱真實值）之間存在差異，從而造成多個腔室之間不匹配。
在本實施例中，因素例如可以是射頻功率、製程氣體流量或者腔室溫度等製程參數，並且，在上述步驟S102中，可以選取諸如射頻功率、製程氣體流量和腔室溫度等的多種因素中的至少一種。射頻功率可以包括下電極施加於待加工工件的射頻功率、激發製程氣體的射頻功率和/或上電極施加於靶材的射頻功率等，只要對製程結果有影響的都包括在內。製程氣體可以是氬氣等氣體。這些製程參數構成了反應腔室的製程運行條件，製程運行條件表示如下：S= P1+P2+P3+…+Pn，其中S為反應腔室的製程運行條件，P1、P2、P3、Pn為影響製程結果的因素。
步驟S102：分別為各個反應腔室對應的因素設定一調節因數，該調節因數使因素在其對應的反應腔室製程時的真實值與目標值的差值在預設精度範圍內。
該步驟S102進一步包括： 子步驟S102a：設定因素在其對應的反應腔室製程時的目標值。
可選的，多個反應腔室對應的因素的目標值相同。
子步驟S102b：將因素的目標值作為該因素的輸入值分別輸入各個反應腔室，並使多個反應腔室運行同一製程。
在該步驟中，藉由將因素的目標值作為該因素的輸入值分別輸入各個反應腔室，在製程時，可以使各個反應腔室達到與上述目標值對應的製程運行條件。
子步驟S102c：檢測並記錄因素在其對應的反應腔室製程時的真實值。
具體來說，對於射頻功率這一因素，設定其在各個反應腔室的目標值，在進行製程時，各個反應腔室接收到目標值後，其射頻功率組件向反應腔室提供大小為該目標值的射頻功率，並檢測各個反應腔室內射頻功率的真實值。
對於製程氣體流量這一因素，設定其在各個反應腔室的目標值，在進行製程時，各個反應腔室接收到目標值後，其氣源向反應腔室提供大小為該目標值的流量的製程氣體，檢測各個反應腔室內氣體壓力變化，由此計算出製程氣體流量的真實值。對於其他因素，該程序與此類似。可以藉由在反應腔室內設置對應的感測器對各個因素進行檢測。
子步驟S301d：根據目標值與真實值之間的差值，藉由擬合的方式獲取調節因數。
在該步驟中，擬合方式可以是線性擬合，該調節因數為一調節係數。例如，對於射頻功率，假設其目標值為P1，真實值為P1’，則調節係數K1為P1/P1’。例如，射頻功率的目標值為100w，真實值為90w，則K1= 100/90，調節係數K1為1.11。類似地，對於製程氣體流量，可以藉由線性擬合的方式計算出調節係數K2。對於其他因素也是如此，從而得到所有因素的調節因數K1、K2、…、Kn，基於此，反應腔室調節後的製程運行條件表示為：S= K1P1+K2P2+K3P3+…+KnPn。
在一些複雜的情況下，目標值與真實值不是線性擬合關係，而是例如拋物線等複雜函數關係。此時可以使用非線性擬合方法，例如曲線擬合，擬合出函數關係作為調節因數。
另外，由於反應腔室間硬體結構及硬體安裝誤差的影響，即使對各個反應腔室的因素設定相同的目標值，同一因素在各個反應腔室製程時的調節因數也會有所不同。
藉由利用調節因數調節對應反應腔室的因素，可以使各個反應腔室的真實值相同、或者至少非常接近，即，因素在各個反應腔室的真實值與目標值的差值達到預設精度範圍。該預設精度範圍更多地取決於擬合精度，不同因素的預設精度範圍也會有所不同，預設精度範圍可以是小於0.5，較佳小於0.1。
這裡，對各個反應腔室的因素可以設定相同的目標值，或者也可以設定不同的目標值，只要能夠最終達到因素在各個反應腔室的真實值與目標值的差值達到預設精度範圍目的即可。
步驟S103：基於因素的目標值與各個反應腔室對應的調節因數獲得因素的輸入值分別輸入各個反應腔室，並使多個反應腔室運行同一製程。
可選的，將因素的目標值與各個反應腔室對應的調節因數的乘積、商、差或者和作為因素的輸入值分別輸入各個反應腔室。
以將因素的目標值與各個反應腔室對應的調節因數的乘積為例，對於射頻功率，若調節係數K1為1.11，目標值為100w，正常製程時，控制裝置調用調節係數K1，將目標值100w乘以調節係數K1，得到111w作為輸入值輸入給反應腔室。藉由計算可知反應腔室內的射頻功率的真實值為99.9w，基本達到目標值100w，從而使真實值與目標值的差值在預設精度範圍內，保證了各個反應腔室製程結果的一致性。
請參閱第3圖，在上述步驟S103之後，還包括： 步驟S104：判斷多個反應腔室對應的因素的真實值是否匹配； 如果匹配，則進行步驟S105，即，保存調節因數； 如果不匹配，則返回上述步驟102，並在該步驟102中對調節因數進行調整，直至多個反應腔室的製程結果匹配。
請參閱第4圖，本揭露第二實施例提供了一種多個反應腔室之間製程結果的匹配方法，包括： 步驟S201：選取至少一個影響製程結果的因素。
步驟S202：調整反應腔室的硬體結構和硬體配置參數。
步驟S203：分別為各個反應腔室對應的因素設定一調節因數，該調節因數使因素在其對應的反應腔室製程時的真實值與目標值的差值在預設精度範圍內。
步驟S204：基於因素的目標值與各個反應腔室對應的調節因數獲得因素的輸入值分別輸入各個反應腔室，並使多個反應腔室運行同一製程。
本實施例與上述第二實施例相比，其區別僅在於：在步驟S203之前增設了調整各個反應腔室的硬體結構和硬體配置參數的步驟。本實施例採用的其他步驟均與上述第一實施例相同，在此不再贅述。
反應腔室的硬體結構為本領域技術人員所熟知，包括但不限於腔室本體、下電極結構、上電極結構等反應腔室的各個組成部分。調整硬體結構通常包括調整硬體的裝配位置，以使硬體的位置精度達到要求。調整硬體配置參數包括調節硬體的輸入和輸出，以滿足製程條件要求。
藉由調整硬體結構和硬體配置參數提高反應腔室硬體結構的一致性，可以儘量減小硬體結構及硬體結構安裝誤差對製程結果的影響，有利於各個反應腔室製程結果的一致性。
請參閱第5圖，本揭露第三實施例提供了一種多個反應腔室之間製程結果的匹配裝置，包括：選取模組1、設定模組2和匹配模組3，其中， 選取模組1用於選取至少一個影響製程結果的因素。
設定模組2用於分別為各個反應腔室對應的因素設定一調節因數，該調節因數使因素在其對應的反應腔室製程時的真實值與目標值的差值在預設精度範圍內。
匹配模組3用於將基於因素的目標值與各個反應腔室對應的調節因數獲得因素的輸入值分別輸入各個反應腔室，並使多個反應腔室運行同一製程。
可選的，匹配模組3用於將因素的目標值與各個反應腔室對應的調節因數的乘積作為因素的輸入值分別輸入各個反應腔室，並使多個反應腔室運行同一製程。
可選的，上述因素包括射頻功率、製程氣體流量或者腔室溫度等等。
在本實施例中，請參閱第6圖，設定模組2包括：設定單元21、測試單元22、檢測單元23和擬合單元24。其中，設定單元21用於設定因素在其對應的反應腔室製程時的目標值；測試單元22用於將因素的目標值作為因素的輸入值分別輸入各個反應腔室，並使多個反應腔室運行同一製程；檢測單元23用於檢測並記錄因素在其對應的反應腔室製程時的真實值；擬合單元24用於根據目標值與真實值之間的差值，藉由擬合的方式獲取調節因數。
可選的，擬合為線性擬合或曲線擬合。
在本實施例中，請參閱第7圖，匹配裝置還包括：判斷模組5、保存模組6和迴圈執行模組4。其中，判斷模組5用於判斷判斷多個反應腔室對應的因素的真實值是否匹配，若是，則觸發保存模組6，否則觸發迴圈執行模組4。保存模組6用於保存調節因數。迴圈執行模組4用於觸發設定模組2，用以調整調節因數，直至多個反應腔室的製程結果匹配。
請參閱第8圖，本揭露第四實施例還提供一種多個反應腔室之間製程結果的匹配裝置，其同樣包括選取模組1、設定模組2和匹配模組3。這些模組的功能與上述第三實施例中的各模組的功能相同，在此不再贅述。下面僅對本實施例與上述第三實施例的區別進行詳細描述。
具體地，本實施例提供的匹配裝置還包括調整模組7，用於調整反應腔室的硬體結構和硬體配置參數。
其中，上述調整模組7包括結構調整子模組和參數調整子模組。其中，結構調整子模組用於調整硬體的裝配位置，以使硬體的位置精度達到要求。參數調整子模組用於調節硬體的輸入和輸出，以滿足製程條件要求。
由此可見，本實施例多個反應腔室之間製程結果的匹配方式由直接調整製程結果，變為首先調整影響製程結果的因素。在調整硬體結構及硬體裝置配置參數基礎上，藉由設置調節因數，調整因素的目標值與真實值。因素及其調節因數相關聯，並作為反應腔室配置參數保存，在反應腔室運行製程時，根據因素及其調節因數設置製程參數，實現各個反應腔室製程結果的一致性。
本實施例的多個反應腔室之間製程結果的匹配方法和裝置，藉由影響製程結果的因素進行調整，來實現多個腔室之間的匹配，調整效果更精確；並且，這種調整方式相對於現有技術更簡單高效；藉由對各個因素施加調節因數，可以減少硬體調整的工作量；通用性好，調節因數適用於各種製程，在運行不同製程時，不需再重新調整。
以上所述的具體實施例，對本揭露的目的、技術方案和有益效果進行了進一步詳細說明，所應理解的是，以上所述僅為本揭露的具體實施例而已，並不用於限制本揭露，凡在本揭露的精神和原則之內，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本揭露的保護範圍之內。
還需要說明的是，實施例中提到的方向用語，例如“上”、“下”、“前”、“後”、“左”、“右”等，僅是參考附圖的方向，並非用來限制本揭露的保護範圍。貫穿附圖，相同的元素由相同或相近的附圖標記來表示。在可能導致對本揭露的理解造成混淆時，將省略常規結構或構造。
除非有所知名為相反之意，本說明書及所附申請專利範圍中的數值參數是近似值，能夠根據藉由本揭露的內容所得的所需特性改變。具體而言，所有使用於說明書及申請專利範圍中表示組成的含量、反應條件等等的數字，應理解為在所有情況中是受到「約」的用語所修飾。一般情況下，其表達的含義是指包含由特定數量在一些實施例中±10%的變化、在一些實施例中±5%的變化、在一些實施例中±1%的變化、在一些實施例中±0.5%的變化。
再者，單詞“包含”不排除存在未列在申請專利範圍中的元件或步驟。位於元件之前的單詞“一”或“一個”不排除存在多個這樣的元件。
說明書與申請專利範圍中所使用的序數例如“第一”、“第二”、“第三”等的用詞，以修飾相應的元件，其本身並不意含及代表該元件有任何的序數，也不代表某一元件與另一元件的順序、或是製造方法上的順序，該些序數的使用僅用來使具有某命名的一元件得以和另一具有相同命名的元件能做出清楚區分。
類似地，應當理解，為了精簡本揭露並幫助理解各個揭露方面中的一個或多個，在上面對本揭露的示例性實施例的描述中，本揭露的各個特徵有時被一起分組到單個實施例、圖、或者對其的描述中。然而，並不應將該揭露的方法解釋成反映如下意圖：即所要求保護的本揭露要求比在每個申請專利範圍中所明確記載的特徵更多的特徵。更確切地說，如下面的申請專利範圍所反映的那樣，揭露方面在於少於前面揭露的單個實施例的所有特徵。因此，遵循具體實施方式的申請專利範圍由此明確地併入該具體實施方式，其中每個申請專利範圍本身都作為本揭露的單獨實施例。
1‧‧‧選取模組
2‧‧‧設定模組
3‧‧‧匹配模組
4‧‧‧迴圈執行模組
5‧‧‧判斷模組
6‧‧‧保存模組
7‧‧‧調整模組
21‧‧‧設定單元
22‧‧‧測試單元
23‧‧‧檢測單元
24‧‧‧擬合單元
S101、S102、S103、S104、S105、S201、S202、S203、S204‧‧‧步驟
藉由以下參照附圖對本揭露實施例的描述，本揭露的上述以及其他目的、特徵和優點將更為清楚，在附圖中： 第1圖是現有技術的反應腔室匹配調節方法流程圖。 第2圖是本揭露第一實施例提供的多個反應腔室之間製程結果的一種匹配方法流程圖。 第3圖是本揭露第一實施例提供的多個反應腔室之間製程結果的另一種匹配方法流程圖。 第2圖是本揭露第二實施例提供的多個反應腔室之間製程結果的匹配方法流程圖。 第5圖是本揭露三實施例提供的多個反應腔室之間製程結果的匹配裝置的一種原理框圖。 第6圖是本揭露三實施例採用的設定模組的原理框圖。 第7圖是第5圖是本揭露三實施例提供的多個反應腔室之間製程結果的匹配裝置的另一種原理框圖。 第8圖是本揭露四實施例提供的多個反應腔室之間製程結果的匹配裝置的原理框圖。

Claims (15)

  1. 一種多個反應腔室之間製程結果的匹配方法，其中，包括： 選取至少一個影響製程結果的一因素； 分別為各個該反應腔室對應的該因素設定一調節因數，該調節因數使該因素在其對應的反應腔室製程時的真實值與目標值的差值在預設精度範圍內； 基於該因素的目標值與各個該反應腔室對應的該調節因數獲得該因素的輸入值分別輸入各個該反應腔室，並使多個該反應腔室運行同一製程。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的匹配方法，其中，在該基於該因素的目標值與各個該反應腔室對應的該調節因數獲得該因素的輸入值分別輸入各個該反應腔室，並使多個該反應腔室運行同一製程的步驟中，將該因素的目標值與各個該反應腔室對應的該調節因數的乘積、商、差或者和作為該因素的輸入值。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的匹配方法，其中，該因素包括一射頻功率、一製程氣體流量或者一腔室溫度。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的匹配方法，其中，該分別為各個該反應腔室對應的該因素設定一調節因數，該調節因數使該因素在其對應的反應腔室製程時的真實值與目標值的差值在預設精度範圍內的步驟，包括： 設定該因素在其對應的反應腔室製程時的一目標值； 將該因素的目標值作為該因素的輸入值分別輸入各個該反應腔室，並使多個該反應腔室運行同一製程； 檢測並記錄該因素在其對應的反應腔室製程時的一真實值； 根據該目標值與該真實值之間的差值，藉由擬合的方式獲取該調節因數。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的匹配方法，其中，該擬合為線性擬合或曲線擬合。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的匹配方法，其中，在該基於該因素的目標值與各個該反應腔室對應的該調節因數獲得該因素的輸入值分別輸入各個該反應腔室，並使多個該反應腔室運行同一製程的步驟之後，還包括： 判斷多個該反應腔室對應的該因素的真實值是否匹配； 如果匹配，則保存該調節因數； 如果不匹配，則返回執行該分別為各個該反應腔室對應的該因素設定一調節因數，該調節因數使該因素在其對應的反應腔室製程時的真實值與目標值的差值在預設精度範圍內的步驟，並調整該調節因數。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的匹配方法，其中，在該分別為各個該反應腔室對應的該因素設定一調節因數，該調節因數使該因素在其對應的反應腔室製程時的真實值與目標值的差值在預設精度範圍內的步驟之前，還包括： 調整該反應腔室的硬體結構和硬體配置參數。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的匹配方法，其中，多個該反應腔室對應的該因素的目標值相同。
  9. 一種多個反應腔室之間製程結果的匹配裝置，其中，包括： 一選取模組，用於選取至少一個影響製程結果的因素； 一設定模組，用於分別為各個該反應腔室對應的該因素設定一調節因數，該調節因數使該因素在其對應的反應腔室製程時的真實值與目標值的差值在預設精度範圍內； 一匹配模組，用於基於該因素的目標值與各個該反應腔室對應的該調節因數獲得該因素的輸入值分別輸入各個該反應腔室，並使多個該反應腔室運行同一製程。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的匹配裝置，其中，該匹配模組用於將該因素的目標值與各個該反應腔室對應的該調節因數的乘積、商、差或者和作為該因素的輸入值分別輸入各個該反應腔室，並使多個該反應腔室運行同一製程。
  11. 如申請專利範圍第9項所述的匹配裝置，其中，該因素包括一射頻功率、一製程氣體流量或者一腔室溫度。
  12. 如申請專利範圍第9項所述的匹配裝置，其中，該設定模組包括： 一設定單元，用於設定該因素在其對應的反應腔室製程時的一目標值； 一測試單元，用於將該因素的目標值作為該因素的輸入值分別輸入各個該反應腔室，並使多個該反應腔室運行同一製程； 一檢測單元，用於檢測並記錄該因素在其對應的反應腔室製程時的一真實值； 一擬合單元，用於根據該目標值與該真實值之間的差值，藉由擬合的方式獲取該調節因數。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的匹配裝置，其中，該擬合為線性擬合或曲線擬合。
  14. 如申請專利範圍第9項所述的匹配裝置，其中，還包括： 一判斷模組，用於判斷多個該反應腔室對應的該因素的真實值是否匹配，若是，則觸發保存模組，否則觸發迴圈執行模組； 一保存模組，用於保存該調節因數； 一迴圈執行模組，用於觸發該設定模組，用以調整該調節因數。
  15. 如申請專利範圍第9項所述的匹配裝置，其中，還包括：一調整模組，用於調整反應腔室的硬體結構和硬體配置參數。
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