CN113903642B - 功率源输出功率的控制方法、控制装置及半导体加工设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种功率源输出功率的控制方法、控制装置及半导体加工设备，其包括：获取到达匹配器前端的预设输入功率值；根据到达匹配器前端的预设输入功率值和预先拟合出的函数关系查找与该预设输入功率值相对应的功率源的输出功率校准值；其中，函数关系为非线性函数，用于表示到达匹配器前端的输入功率与功率源的输出功率的对应关系；将功率源的输出功率调节至功率源的输出功率校准值，以使到达匹配器前端的实际输入功率值与前述预设输入功率值相对应。本发明提供的功率源输出功率的控制方法、控制装置及半导体加工设备，能够降低馈入至工艺腔室中的射频功率与射频源的实际输出功率之间的误差，从而能够提高工艺腔室中进行的工艺精度。

Description

功率源输出功率的控制方法、控制装置及半导体加工设备
技术领域
本发明涉及半导体加工领域，具体地，涉及一种功率源输出功率的控制方法、控制装置及半导体加工设备。
背景技术
工艺腔室作为半导体设备电感耦合等离子体(Inductive Coupled Plasma，以下简称ICP)是一种通过随时间变化的磁场电磁感应产生电流作为能量来源的等离子体源，其具有高选择性、高各向异性及高刻蚀速率等优点，被广泛应用于半导体加工领域，例如在原子层刻蚀领域中。图1示出了一种典型的ICP工艺腔室的结构，其通常包括腔体1、位于工艺腔室1中的静电卡盘2和位于腔体1上方的电感耦合线圈3；其中，静电卡盘2与下匹配器4和下射频源5电连接；电感耦合线圈3与上匹配器6和上射频源7电连接。在工艺中，ICP工艺腔室中的上射频源7和下射频源5会输出射频功率，射频功率会分别通过上匹配器6和下匹配器4馈入至腔体1中，从而对腔体1内部的等离子体进行点火，并形成相应强度的电场来驱动等离子体进行刻蚀或者沉积等工艺。由此可见，馈入至ICP工艺腔室中的射频功率的精度对于工艺结果而言是至关重要的。
但在实际工艺中，用于连接射频源和匹配器的铜轴线缆会消耗部分射频功率，而且不同长度的铜轴电缆，消耗功率的量也不同，这就造成了实际上馈入至工艺腔室中的射频功率与射频源的实际输出功率之间存在较大误差。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种功率源输出功率的控制方法、控制装置及半导体加工设备，其能够降低馈入至工艺腔室中的射频功率与射频源的实际输出功率之间的误差，从而能够提高工艺腔室中进行的工艺精度。
为实现本发明的目的而提供一种功率源输出功率的控制方法
一种功率源输出功率的控制方法，所述功率源用于经匹配器向半导体工艺腔室供电，其特征在于，包括：
获取到达所述匹配器前端的预设输入功率值；
根据到达所述匹配器前端的预设输入功率值和预先拟合出的函数关系查找与所述预设输入功率值相对应的功率源的输出功率校准值；其中，所述函数关系为非线性函数，用于表示到达所述匹配器前端的输入功率与所述功率源的输出功率的对应关系；
将所述功率源的输出功率调节至所述功率源的输出功率校准值，以使到达所述匹配器前端的实际输入功率值与到达所述匹配器前端的预设输入功率值相对应。
可选的，还包括获得所述函数关系的方法，其包括：
控制所述功率源向所述匹配器输出p个不同的所述功率源的输出功率值；其中，p为大于2的整数；
在每次所述功率源向所述匹配器输出功率时，检测并记录与每个所述功率源的输出功率值相对应的到达所述匹配器前端的输入功率值；
根据p个所述功率源的输出功率值和p个到达所述匹配器前端的输入功率值拟合出所述函数关系，以表示到达所述匹配器前端的所述输入功率与所述功率源的输出功率的对应关系。
可选的，所述函数关系满足以下等式：
Y＝aXn+bXn-1+…+cX+d
其中，Y为到达所述匹配器前端的输入功率，X为所述射频源的输出功率，a、b和c分别为第n次方项的系数、第n-1次方项的系数和最低次方项的系数，d为常数。
可选的，p个所述功率源的输出功率值为一个等差数列，且该等差数列的首项和末项分别接近或等于所述功率源的输出功率额定范围内的最小值和最大值。
可选的，采用最小二乘法拟合出所述功率源的输出功率和到达所述匹配器前端的输入功率的所述函数关系。
可选的，p的取值范围为10～30个。
可选的，所述功率源为射频功率源或者微波功率源或者直流功率源。
作为另一种技术方案，本发明实施例还提供一种功率源输出功率的控制装置，所述功率源用于经匹配器向半导体工艺腔室供电，其特征在于，所述控制装置包括获取单元、查找单元和调节单元；其中，
所述获取单元用于获取到达所述匹配器前端的预设输入功率值；
所述查找单元用于根据到达所述匹配器前端的预设输入功率值和预先拟合出的函数关系查找与到达所述匹配器前端的预设输入功率值相对应的功率源的输出功率校准值；其中，所述函数关系为非线性函数，用于表示到达所述匹配器前端的输入功率值和所述功率源的输出功率值的对应关系；
所述调节单元用于将所述功率源的输出功率调节至所述功率源的输出功率校准值，以使到达所述匹配器前端的实际输入功率值与到达所述匹配器前端的预设输入功率值相对应。
可选的，所述控制装置还包括检测单元和计算单元，
所述调节单元还用于控制所述功率源向所述匹配器输出p个不同的输出功率值；其中，p为大于2的整数；
所述检测单元与所述匹配器的前端连接，用于在每次所述功率源向所述匹配器输出功率时，检测到达所述匹配器前端的实际输入功率值，并将到达所述匹配器前端的实际输入功率值发送至所述计算单元；
所述计算单元用于根据p个所述功率源的输出功率值和p个所述到达所述匹配器前端的输入功率值拟合并存储所述函数关系，以表示到达所述匹配器前端的输入功率值和所述功率源的输出功率值的对应关系。
作为另一种技术方案，本发明实施例还提供一种半导体加工设备，其特征在于，包括半导体工艺腔室、射频源和控制装置；其中，所述射频源用于为所述半导体工艺腔室供电；
所述控制装置用于控制所述射频源的输出功率，所述控制装置采用上述实施例所述的控制装置。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的功率源输出功率的控制方法，通过根据预先拟合出的非线性函数和进行工艺时实际所需的到达匹配器前端的预设输入功率值对功率源的输出功率值进行调节，以使到达匹配器前端的实际输入功率较为接近工艺所需的预设输入功率值，从而能够通过直接调整功率源的输出功率值，来补偿用于连接射频源和匹配器的铜轴线缆消耗的部分射频功率，进而降低馈入至工艺腔室中的射频功率值与射频源的实际输出功率值之间的误差，以提高工艺腔室中进行的工艺精准度。
本发明提供的用于控制功率源输出功率的控制装置，其包括用于获取工艺期望的到达匹配器前端的预设输入功率值的获取单元、用于根据上述实施例所述的函数关系查找功率源的输出功率校准值的查找单元以及用于将功率源的实际输出功率值调节至功率源的输出功率校准值的调节单元，从而能够根据工艺期望的到达匹配器前端的预设输入功率值和函数关系，查找与该预设输入功率值对应的功率源的输出功率校准值，并将功率源的实际输出功率值调节至功率源的输出功率校准值，从而降低馈入至工艺腔室中的射频功率与射频源的实际输出功率之间的误差，以提高工艺腔室中进行的工艺的精度。
本发明提供的半导体加工设备，其包括上述实施例提供的控制装置，以通过调节所述半导体工艺腔室供电的射频源的输出功率，来使实际馈入至工艺腔室中的射频功率尽可能地接近工艺期望值，从而提高工艺腔室中进行的工艺的精度。
附图说明
图1为与本发明实施例相关的半导体设备结构简图；
图2为本发明实施例提供的功率源输出功率的控制方法的流程图；
图3为本发明实施例提供的控制装置的结构简图；
图4为采用本实施例提出的控制方法控制射频源输出1000W射频功率以及采用现有控制方法控制射频源输出1000W的射频功率时进行刻蚀多次工艺结果的曲线图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的功率源输出功率的控制方法、控制装置及半导体加工设备进行详细描述。
在半导体工艺中，半导体设备(例如刻蚀机)在工艺量产过程中通常会涉及到多道工艺，而不同的工艺所需的射频功率通常是不同的，而且用于进行工艺的射频功率往往直接决定工艺的结果。但在实际工艺中，如图1所示，半导体设备的下匹配器4的前端41和下射频源5的输出端之间、上匹配器6的前端61和上射频源7的输出端之间均由铜轴线缆10连接，其中，铜轴线缆10会消耗部分射频功率，而且不同长度、不同直径的铜轴电缆10，消耗的射频功率也不同，这就造成了实际上馈入至工艺腔室中的射频功率值与射频源的实际输出功率值之间存在较大误差，进而影响半导体工艺的精度，甚至造成工艺失败。
为了解决上述技术问题，本实施例提供一种功率源输出功率的控制方法，具体的，功率源的输出端与匹配器前端电连接，匹配器后端与工艺腔室的输入端电连接，从而使功率源能够经匹配器向半导体工艺腔室供电，例如将射频功率馈入工艺腔室。其中，功率源例如为射频功率源，或者为微波功率源，或者为直流功率源，而且适用于不同频率的功率源，例如频率为400K、2MHz、13.56MHz、40MHz或60MHz的射频源。
如图2所示，本实施例提供的功率源输出功率的控制方法具体包括以下步骤：
S1：获取到达匹配器前端的预设输入功率值；
具体的，上述步骤S1中的“预设输入功率值”应当为工艺期望的到达匹配器前端的输入功率值；而且，其中获取方式例如为由工作人员输入或者从数据组中调用等方式；
S2：根据到达匹配器前端的预设输入功率值和预先拟合出的函数关系查找与该预设输入功率值相对应的功率源的输出功率校准值；其中，函数关系为非线性函数，用于表示到达匹配器前端的输入功率与功率源的输出功率的对应关系；
具体的，上述函数关系的拟合过程通常在工艺腔室正式开始工艺之前进行；
S3：将功率源的输出功率调节至功率源的输出功率校准值，以使到达匹配器前端的实际输入功率值与到达匹配器前端的预设输入功率值相对应。
需要说明的是，在实际生产环境中存在着多种会对功率传输造成影响的因素，因此，到达匹配器前端的实际输入功率值与工艺期望的到达匹配器前端的预设输入功率值之间不可避免地会存在微小误差，基于此，上文中的“相对应”是指到达匹配器前端的实际输入功率值尽可能地趋近于与工艺期望的到达匹配器前端的预设输入功率值相等。
现有技术方案通常采用单点线性校准方法来对到达匹配器前端的输入功率和功率源的输出功率的对应关系函数进行拟合，具体的，单点线性校准方法是指在射频源的输出功率额定范围中任意选取一个输出功率值，一般选取输出功率额定范围中的最大值，将其与射频源的0功率输出点(0，0)进行线性拟合。利用单点线性校准方法拟合出的函数为线性的一元一次函数，其可以由以下函数关系表示：
Y＝kX，
其中Y为到达匹配器前端的输入功率值，X为射频源的输出功率值，k为系数。以输出功率额定范围为30W～3000W的射频源为例，采用现有的单点线性校准方法对到达匹配器前端的输入功率和功率源的输出功率的对应关系函数进行拟合时，通常选取射频源的最大输出功率(3000W)作为射频源的输出功率，假设到达匹配器前端的功率为2800W,那么拟合出的函数关系则为Y＝(2800/3000)X。请参考下表1，发明人根据该函数关系式，控制射频源以不同的功率值，向匹配器输出了17次的射频功率，并在每次输出时检测到达匹配器前端的输入功率，从而获得了对应的17个到达匹配器前端的实际输入功率值。
表1一种应用上述函数关系的实际测试结果
由上表1所示的数据可见，在选取的校准点为射频源的最大输出值3000w,则校准后的射频源输出的功率只有在接近3000w时的精度要好，而低功率下500w以下输出的功率精度较差。现有的单点线性校准方法拟合出的函数关系只有在接近射频源的最大输出功率值时的精度较高，而在远离射频源的最大输出功率值时的精度较低。由此可见，现有的单点线性校准方法较为简单，容易实施，但其拟合出的函数关系为线性函数，并不符合到达匹配器前端的输入功率和功率源的输出功率的实际对应关系，因此这一方法仅适用于功率消耗量较小的线宽较大的铜轴电缆，例如线宽为55纳米以上的铜轴电缆，这是因为采用这种大线宽铜轴电缆的工艺对输入功率精度要求较低。然而对于采用小线宽的铜轴电缆的工艺来说，其对输入功率精度要求较高，因此现有的单点线性校准方法则无法满足工艺精度要求。
发明人经过多次试验和验证，发现实际上到达匹配器前端的输入功率和功率源的输出功率的对应关系接近非线性函数。因此，通过根据预先拟合出的非线性函数和进行工艺时实际所需的到达匹配器前端的预设输入功率值，对功率源的实际输出功率进行调节，能够使功率源的实际输出功率较为接近工艺期望的到达匹配器前端的预设输入功率，从而能够通过直接调整功率源的实际输出功率，来补偿用于连接功率源和匹配器的铜轴线缆消耗的部分功率，进而能够大大降低馈入至工艺腔室中的功率与功率源的实际输出功率之间的误差，以提高工艺腔室中进行的工艺精度。换言之，相较于现有的单点线性控制方法，本实施例利用非线性函数进行控制的方法，可以提高射频源输出功率额定范围内(全输出范围内)的功率输出精度。
本实施例提供的功率源输出功率的控制方法还包括获得前述函数关系的步骤，该获取得函数关系的步骤在工艺腔室正式开始工艺之前进行，其包括以下步骤：
S21：控制功率源向匹配器输出p个不同的所述功率源的输出功率值；其中，p为大于2的整数；
S22：在每次功率源向匹配器输出功率时，检测并记录与每个功率源的输出功率值相对应的到达匹配器前端的输入功率值，即，对应记录p个到达匹配器前端的实际输入功率值；
S23：根据p个功率源的输出功率值和p个到达匹配器前端的输入功率值拟合出函数关系，以表示到达匹配器前端的输入功率与功率源的输出功率的对应关系。通过对多个功率源的输出功率值和到达匹配器前端的多个输入功率值进行拟合，能够较为准确地得出功率源的输出功率值和到达匹配器前端的输入功率值之间的函数对应关系。
到达匹配器前端的输入功率和功率源的输出功率的函数关系为多项式函数，例如在一些实施例中，前述函数关系满足以下等式：
Y＝aXn+bXn-1+…+cX+d
其中，Y为到达匹配器前端的输入功率，X为射频源的输出功率，a、b和c分别为第n次方项的系数、第n-1次方项的系数和最低次方项的系数，d为常数。
在一些实施例中，为了提高前述函数关系的准确度，在进行拟合函数关系的步骤时，p个功率源的输出功率值为一个在功率源的输出功率额定范围内的等差数列，且这个等差数列的首项和末项分别接近或等于功率源的输出功率额定范围最小值和最大值，从而使p个功率源的输出功率在功率源的输出功率额定范围内均匀分布。
在一些实施例中，前述拟合步骤中，采用最小二乘法拟合出功率源的输出功率和到达匹配器前端的输入功率的函数关系。
但本发明实施例并不仅限于此，前述函数关系的拟合方式，还可以为：先预设一个一元多次函数式，例如为Y＝aX3+bX2+cX+d，然后通过求解方程组的方式求出函数中的多个系数，从而拟合出前述函数关系。
容易理解的是，在前述拟合函数关系的步骤中，选取的功率源的输出功率值和相应到达匹配器前端的输入功率值的组数越多，则最终拟合出的函数关系越接近实际功率源的输出功率值和到达匹配器前端的输入功率值的实际关系，从而使在实际工艺中的馈入至工艺腔室的功率精度越高。但若选取的功率源的输出功率值和相应的到达匹配器前端的输入功率值的组数过多，则会升高控制精度成本，而且容易得到对于函数拟合无意义的冗余数据。在一些实施例中，p的取值范围为10～30个时，拟合出的函数关系较为准确，而且也不会升高射频源输出精度的控制成本，从而能够兼具较高的准确度和较低的控制成本。
不过本实施例不限于此，若工艺腔室实际进行工艺中所需的预设输入功率个数较少，例如预清洗工艺，还可以在进行工艺之前，控制功率源向匹配器输出多个的输出功率值，检测并记录与每个功率源的输出功率值相对应的到达匹配器前端的输入功率值，并以数据表的形式存储多个到达匹配器前端的输入功率和多个功率源的输出功率的对应关系，从而可以根据该数据表查找出与工艺期望的到达匹配器前端的预设输入功率值相对应的功率源的输出功率校准值，并将功率源的实际输出功率值调节至功率源的输出功率校准值。
本实施例提供的功率源输出功率的控制方法，通过根据预先拟合出的非线性函数和进行工艺时实际所需的到达匹配器前端的预设输入功率值对功率源的输出功率值进行调节，以使到达匹配器前端的实际输入功率较为接近工艺所需的预设输入功率值，从而能够通过直接调整功率源的输出功率值，来补偿用于连接射频源和匹配器的铜轴线缆消耗的部分射频功率，进而降低馈入至工艺腔室中的射频功率值与射频源的实际输出功率值之间的误差，以提高工艺腔室中进行的工艺精准度。
作为另一种方案，本实施例还提供一种用于控制功率源的输出功率的控制装置8，如图3所示，控制装置8包括获取单元81、查找单元82和调节单元83。其中，获取单元81用于获取到达匹配器前端的预设输入功率值，即用于执行上述控制方法的步骤S1；查找单元82用于根据到达匹配器前端的预设输入功率值和预先拟合出的函数关系查找与到达匹配器前端的预设输入功率值相对应的功率源的输出功率校准值，即用于执行上述控制方法的步骤S2，具体的，函数关系为上述实施例的函数关系；调节单元83用于将功率源的输出功率调节至功率源的输出功率校准值，以使到达匹配器前端的实际输入功率值与工艺期望到达匹配器前端的预设输入功率值相对应，即用于执行上述控制方法的步骤S3。
在一些实施例中，控制装置8还包括检测单元85和计算单元84。其中，调节单元83还用于控制功率源向匹配器输出p个不同的输出功率值，即用于执行上述控制方法的步骤S21；其中，p为大于2的整数；检测单元85与匹配器的前端(41,61)连接，用于在每次功率源向匹配器输出功率时，检测到达匹配器前端的实际输入功率值，并将到达匹配器前端的实际输入功率值发送至计算单元84，即用于执行上述控制方法的步骤S22；计算单元84用于根据p个到达功率源前端的输出功率值和p个到达匹配器前端的输入功率值拟合并存储函数关系，以表示到达匹配器前端的输入功率值和功率源的输出功率值的对应关系，即用于执行上述控制方法的步骤S23。
在一些实施例中，控制装置8还可以配合交互模块9使用，交互模块9用于供操作人员输入工艺期望到达匹配器前端的预设输入功率值，并将该预设输入功率值发送至控制装置8的获取单元81。在一些实施例中，控制装置8可以采用PLC等微控制器，交互模块9可以采用触控板等输入设备，而且交互模块9和控制装置8可以集成在一起。
为了更好地描述本发明，本实施例还提供一种采用上述控制方法校准射频源的输出功率进行调试的过程。如下表2所示，射频源在拟合函数关系的步骤中，向匹配器输出了21个不同的射频源设定输出功率(即，由控制模块8向射频源输入的工艺期望的到达匹配器前端的预设输入功率值)，并在每次输出时由检测单元85检测相应的到达匹配器前端的输入功率，从而获得了对应的21个到达匹配器前端的实际输入功率。
表2一种函数拟合过程的数据采集结果
根据上述21组数据拟合出的函数关系为Y＝(-6×10-10)X3+(5×10-6)X2+0.931X-1.239。然后，在工艺开始之前，根据工艺期望的到达匹配器前端的预设输入功率值和前述函数关系得到射频源应当输出的输出功率，例如，若工艺实际所需的匹配器的预设输入功率值为1000W，则将Y＝1000代入前述函数，并求出X＝1061，即功率源的输出功率校准值为1061W，从而使实际到达匹配器前端的实际输入功率为1000W。
另外，为了使最终拟合出的函数关系尽可能地接近实际功率源的输出功率值和到达匹配器前端的输入功率值的实际关系，可根据函数关系中的最高次项的系数的大小对项数进行调整。以拟合出的结果为一元三次函数为例，若其三次项的系数较大时，则可以选择更高次方函数进行重新拟合，例如一元四次函数。但是，若最高次项的系数小于10-10，由于其已经趋近于0，所以可以将该最高次项忽略不计。
在得出上述函数关系之后，发明人还根据该函数关系在实际应用中对射频源的输出功率进行了多次测试，如下表3所示，发明人根据上述函数关系，控制射频源向匹配器输出了21次不同的射频功率，并在每次输出时检测到达匹配器前端的输入功率，从而获得了对应的21个到达匹配器前端的实际输入功率值。
表3一种应用上述函数关系的实际测试数据结果
由上表3可见，实际到达匹配器前端的输入功率值较为接近射频源的设定输出功率值(即，工艺期望的到达匹配器前端的预设输入功率值)，而且与上表1所示的测试数据结果相比，误差率也明显下降。
请参考图4，其示出了采用本实施例提出的控制方法控制射频源输出1000W射频功率以及采用现有控制方法控制射频源输出1000W的射频功率下进行刻蚀多次工艺的结果，可以明显看出，相较于现有技术方案，采用本实施例提出的控制方法控制射频源输出1000W能够一定程度上提高刻蚀速率，而且能够得到更稳定的刻蚀效果。
本实施例提供的用于控制功率源的输出功率的控制装置，其包括用于获取工艺期望的到达匹配器前端的预设输入功率值的获取单元、用于根据上述实施例所述的函数关系查找功率源的输出功率校准值的查找单元以及用于将功率源的实际输出功率值调节至功率源的输出功率校准值的调节单元，从而能够根据工艺期望的到达匹配器前端的预设输入功率值和函数关系，查找与该预设输入功率值对应的功率源的输出功率校准值，并将功率源的实际输出功率值调节至功率源的输出功率校准值，从而降低馈入至工艺腔室中的射频功率与射频源的实际输出功率之间的误差，以提高工艺腔室中进行的工艺的精度。
作为另一种技术方案，本实施例还提供一种半导体加工设备，其包括半导体工艺腔室、射频源和控制装置。其中，射频源用于为半导体工艺腔室供电；控制装置用于控制射频源的输出功率，控制装置采用上述实施例所述的控制装置。
本实施例提供的半导体加工设备，其包括上述实施例提供的控制装置，以通过调节所述半导体工艺腔室供电的射频源的输出功率，来使实际馈入至工艺腔室中的射频功率尽可能地接近工艺期望值，从而提高工艺腔室中进行的工艺的精度。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种功率源输出功率的控制方法，所述功率源用于经匹配器向半导体工艺腔室供电，其特征在于，包括：
获取到达所述匹配器前端的预设输入功率值；
根据到达所述匹配器前端的预设输入功率值和预先拟合出的函数关系查找与所述预设输入功率值相对应的功率源的输出功率校准值；其中，所述函数关系为非线性函数，用于表示到达所述匹配器前端的输入功率与所述功率源的输出功率的对应关系；所述函数关系满足以下等式：
Y＝aXn+bXn-1+…+cX+d
其中，Y为到达所述匹配器前端的输入功率，X为所述射频源的输出功率，a、b和c分别为第n次方项的系数、第n-1次方项的系数和最低次方项的系数，d为常数；
将所述功率源的输出功率调节至所述功率源的输出功率校准值，以使到达所述匹配器前端的实际输入功率值与到达所述匹配器前端的预设输入功率值相对应。
2.根据权利要求1所述的功率源输出功率的控制方法，其特征在于，还包括获得所述函数关系的方法，其包括：
控制所述功率源向所述匹配器输出p个不同的所述功率源的输出功率值；其中，p为大于2的整数；
在每次所述功率源向所述匹配器输出功率时，检测并记录与每个所述功率源的输出功率值相对应的到达所述匹配器前端的输入功率值；
根据p个所述功率源的输出功率值和p个到达所述匹配器前端的输入功率值拟合出所述函数关系，以表示到达所述匹配器前端的所述输入功率与所述功率源的输出功率的对应关系。
3.根据权利要求2所述的功率源输出功率的控制方法，其特征在于，p个所述功率源的输出功率值为一个等差数列，且该等差数列的首项和末项分别接近或等于所述功率源的输出功率额定范围内的最小值和最大值。
4.根据权利要求1所述的功率源输出功率的控制方法，其特征在于，采用最小二乘法拟合出所述功率源的输出功率和到达所述匹配器前端的输入功率的所述函数关系。
5.根据权利要求2所述的功率源输出功率的控制方法，其特征在于，p的取值范围为10～30个。
6.根据权利要求1所述的功率源输出功率的控制方法，其特征在于，所述功率源为射频功率源或者微波功率源或者直流功率源。
7.一种功率源输出功率的控制装置，所述功率源用于经匹配器向半导体工艺腔室供电，其特征在于，所述控制装置包括获取单元、查找单元和调节单元；其中，
所述获取单元用于获取到达所述匹配器前端的预设输入功率值；
所述查找单元用于根据到达所述匹配器前端的预设输入功率值和预先拟合出的函数关系查找与到达所述匹配器前端的预设输入功率值相对应的功率源的输出功率校准值；其中，所述函数关系为非线性函数，用于表示到达所述匹配器前端的输入功率值和所述功率源的输出功率值的对应关系；
所述调节单元用于将所述功率源的输出功率调节至所述功率源的输出功率校准值，以使到达所述匹配器前端的实际输入功率值与到达所述匹配器前端的预设输入功率值相对应。
8.据权利要求7所述的控制装置，其特征在于，所述控制装置还包括检测单元和计算单元，
所述调节单元还用于控制所述功率源向所述匹配器输出p个不同的输出功率值；其中，p为大于2的整数；
所述检测单元与所述匹配器的前端连接，用于在每次所述功率源向所述匹配器输出功率时，检测到达所述匹配器前端的实际输入功率值，并将到达所述匹配器前端的实际输入功率值发送至所述计算单元；
所述计算单元用于根据p个所述功率源的输出功率值和p个所述到达所述匹配器前端的输入功率值拟合并存储所述函数关系，以表示到达所述匹配器前端的输入功率值和所述功率源的输出功率值的对应关系。
9.一种半导体加工设备，其特征在于，包括半导体工艺腔室、射频源和控制装置；其中，所述射频源用于为所述半导体工艺腔室供电；
所述控制装置用于控制所述射频源的输出功率，所述控制装置采用权利要求7或权利要求8所述的控制装置。
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