JP2009533789A - プログラマブルセル - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (20)
- 方法であって、
プログラムモード中に第1のノードにおいてプログラム電圧を受け取るステップと、
読取りモード中に前記第1のノードにおいて前記プログラム電圧とは異なる読取り電圧を受け取るステップと、
前記読取りモード中に、前記第1のノードと、ビットセルの第1のトランジスタの第1の電流電極との間の第1の電圧を分圧して第2のノードにおいて第1の分圧電圧を生成するステップとを備え、前記第1のトランジスタの前記第1の電流電極と第2の電流電極とは、電圧基準ノードと前記第2のノードの間に直列に接続され、プログラマブルヒューズが前記第1のノードと前記第2のノードとの間に直列に接続されている、方法。 - 前記第1の分圧電圧に基づいて前記第1のトランジスタの前記第2の電流電極における第1の論理値をラッチするステップをさらに備える、請求項1に記載の方法。
- 前記読取りモード中に、前記第1のノードと、前記ビットセルの第2のトランジスタの第1の電流電極との間の第2の電圧を分圧して第3のノードにおいて第2の分圧電圧を生成するステップをさらに備え、前記第2のトランジスタの前記第1の電流電極と第2の電流電極とは前記電圧基準ノードと前記第3のノードとの間に直列に接続され、基準抵抗が前記第1のノードと前記第3のノードの間に直列に接続されている、請求項2に記載の方法。
- 前記第2の分圧電圧に基づいて前記第2のトランジスタの前記第2の電流電極における第2の論理値をラッチするステップをさらに備え、前記第1の論理値と前記第2の論理値は相補値である、請求項3に記載の方法。
- 前記第2の分圧電圧は前記第2の論理値の電圧よりも実質的に小さい、請求項4に記載の方法。
- 前記読取りモード中に、前記第1のノードと、前記ビットセルの第2のトランジスタの第1の電流電極との間の第2の電圧を分圧して第3のノードにおいて第2の分圧電圧を生成するステップをさらに備え、前記第2のトランジスタの前記第1の電流電極と第2の電流電極とは前記電圧基準ノードと前記第3のノードの間に直列に接続され、基準抵抗が前記第1のノードと前記第3のノードの間に直列に接続されている、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の電圧を分圧するステップは前記第1のトランジスタ両端の前記第1の電圧の第1の部分、前記プログラマブルヒューズ両端の前記第1の電圧の第2の部分、および第1のパスゲート両端の前記第1の電圧の第3の部分を提供するステップを備え、前記第1のパスゲートの第1の電流電極と前記第1のパスゲートの第2の電流電極とは、前記第2のノードと、前記プログラマブルヒューズの第1の電極との間に直列に接続され、前記第1のトランジスタ両端の前記第1の電圧の前記第1の部分、前記プログラマブルヒューズ両端の前記第1の電圧の第2の部分、および前記第1のパスゲート両端の前記第1の電圧の前記第3の部分の和は、前記第1の電圧に実質的に等しい、請求項6に記載の方法。
- 前記読取りモード中に、前記第1の電圧を分圧して第3のノードにおいて第2の分圧電圧を生成するステップをさらに備え、前記ビットセルの第2のトランジスタの第1の電流電極と第2の電流電極とは、前記第3のノードと、前記第1のトランジスタの前記第1の電流電極との間に直列に接続され、基準抵抗が前記第1のノードと前記第3のノードとの間に直列に接続されている、請求項1に記載の方法。
- 前記プログラムモード中に、前記プログラマブルヒューズにプログラム電流を供給することによって前記プログラマブルヒューズをプログラムするステップをさらに備え、前記プログラム電流は前記プログラム電圧にほぼ比例する、請求項1に記載の方法。
- 前記プログラムするステップは前記プログラム電流を前記プログラマブルヒューズに供給するとき前記第2のノードを前記第1のノードから電気的に絶縁するステップをさらに備える、請求項9に記載の方法。
- 前記電気的に絶縁するステップは前記第2のノードを前記第1のノードからパスゲートを介して電気的に絶縁するステップを備える、請求項10に記載の方法。
- 前記パスゲートのトランジスタが前記ビットセルの第2のトランジスタの第2の最大ゲート電圧よりも大きい第1の最大ゲート電圧を備え、前記第2のトランジスタと前記パスゲートの前記トランジスタとは共通の導電型である、請求項11に記載の方法。
- 前記読取り電圧はグランドにほぼ等しい、請求項1に記載の方法。
- 装置であって、
ビットセルであって、
第1の電流電極と、第2の電流電極と、制御電極とを備える第1のトランジスタを備え、前記第2の電流電極のデータをラッチするように動作するラッチング装置と、
前記第1のトランジスタの前記第2の電流電極に接続された第1の電流電極、第2の電流電極、および制御電極を備えるパスゲートと、
を備えるビットセルと、
前記パスゲートの前記第2の電極に接続された第1の電極と、第2の電極とを備えるプログラマブルヒューズと、
電圧基準ノードに接続された第1の電極、前記プログラマブルヒューズの前記第1の電極に接続された第2の電極、および制御電極を備え、前記プログラマブルヒューズをプログラムするようにイネーブルされる第2のトランジスタと、
前記プログラマブルヒューズをプログラムするときに前記電圧基準ノードの電圧に比例する第1の電圧を供給し、前記ヒューズの状態を読み取るときに前記電圧基準ノードの電圧に比例する第2の電圧を供給するために、前記プログラマブルヒューズの前記第2の電極に接続された第1の出力を備えた第1の制御モジュールと、
を備える装置。 - 前記プログラマブルヒューズのプログラム状態を判定するときに前記パスゲートをアクティブにし、前記プログラマブルヒューズをプログラムするときに前記パスゲートを非アクティブにするために、前記パスゲートの前記制御電極に接続された第1の出力を備える第2の制御モジュールをさらに備える、請求項14に記載の装置。
- 前記ラッチング装置は前記第1のトランジスタの前記第2の電極に接続された第1の電極を備える第2のトランジスタを備え、前記第2のトランジスタと前記パスゲートのトランジスタは共通の導電型を有し、前記パスゲートの前記トランジスタのゲート誘電体は前記第2のトランジスタのゲート誘電体よりも実質的に厚い、請求項14に記載の装置。
- 前記ビットセルは、
前記第1のトランジスタの前記制御ゲートに接続された第1の電流電極、第2の電流電極、および前記パスゲートの前記制御ゲートに接続された制御ゲートを備える第2のパスゲートと、
前記第2のパスゲートの前記第2の電極に接続された第1の電極、および第2の電極を備える抵抗器と、
をさらに備える、請求項14に記載の装置。 - 前記抵抗器の前記第2の電極は前記プログラマブルヒューズの前記第2の電極にさらに接続される、請求項17に記載の装置。
- 前記ラッチング装置は、
前記第1のトランジスタの前記第2の電流電極に接続された第1の電流電極、第2の電流電極、および前記第1のトランジスタの前記制御電極に接続された制御電極を備える第3のトランジスタと、
前記第3のトランジスタの第2の電極に接続された第1の電流電極、第2の電極、および前記第1のトランジスタの前記第2の電流電極のデータをラッチする信号を受け取るように接続された制御電極を備える第4のトランジスタと、
をさらに備える、請求項14に記載の装置。 - 前記ビットセルはメモリアレイの複数のビットセルの1つであり、前記メモリアレイの各ビットセルは対応するプログラマブルヒューズを備える、請求項14に記載の装置。
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