JP2009528810A - 動作電圧を自動的に検出する方法 - Google Patents
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Abstract
Description
・小さいヒステリシスを有するCMOSのシュミットトリガーが使用される。これによって、識別回路の寄生振動が排除される。
・評価閾値に対する一定な切替点が、常に印加されている供給(補助)電圧vrefによって保証される;このことは、シュミットトリガー及び以下のレベル比較器の双方に対して成立する。
・レベル比較器は、実際にはRSフリップフロップから構成される。このRSフリップフロップの状態が、専らnMOS型トランジスタによって使用され得る。その結果、閾値が、電圧にしたがう動作条件に左右されない;したがってnMOSの閾電圧が、この閾値に対して重要である。RSフリップフロップが、相反する制御ポテンシャルをpMOS型トランジスタP1及びP2のゲートに対して提供する。この場合、このフリップフロップの供給によって、pMOS型トランジスタの井戸型ポテンシャルから、これらのpMOS型トランジスタの交互する確実な遮断が常に保証されている。
・シュミットトリガーが、入力側に切り替え可能なプルダウントランジスタを有する。このプルダウントランジスタは、VDDIOの非通電時に一義的な入力レベルLOWをセットする。VDDIOに対する入力電圧が、閾値より高く印加される場合、横軸電流を阻止するため、この状態が、回路によって認識された後に、プルダウントランジスタが、RSフリップフロップの反転出力によって不活性化する。
・両入力電圧VDDA若しくはVDDIOのうちの1つの入力電圧又は両入力電圧VDDA若しくはVDDIOの動作電圧が上昇する間の振動を阻止するため及びシュミットトリガーと関連して任意の緩やかな上昇速度時の振動も阻止するため、コンデンサが使用される。その容量が、ボンディングパッドに起因して必ず存在する寄生容量より遥かに下にあることが、この容量の値に対して想定される。したがって実際には、このコンデンサは、独立したデバイスとして場合によっては省略され得る。
・持続して印加されている外部電圧VDDAから導き出された電圧VDDregから
・又は、印加されている外部電圧VDDIOから
内部供給電圧vddを供給することにある。
・閾値より大きい値で印加でき
・又は、外部電圧VDDIOを供給するためのピンが、アースGNDにボンディングでき
・又は、ピンが、VDDIOに接続されていない。
図2に対する注釈:
許される技術的に限定された動作条件の範囲内では、横軸電流が、静的な状況で流れることなしに、レベル変換器の両供給電圧Vsup_1及びVsup_2が、互いに任意の関係にあってもよい。
図3に対する注釈:
「レベル変換器のフリップフロップ」の切替時間が同期する構成によって、入力電圧が、時間最小に転送される。すなわち、P1及びP2による決定の間の横軸電流も、可能な限り短期間に低減される。
P1 pMOS型トランジスタ
P2 pMOS型トランジスタ
D1 ダイオード
D2 ダイオード
Claims (3)
- 動作電圧を自動的に検出する方法にあって、この方法の場合、1つの内部供給電圧が、少なくとも2つの異なる外部供給電圧から選択され、この場合、第1外部供給電圧が持続的に印加する方法において、
基準電圧Vref及び電圧VDDregが、第1外部供給電圧VDDAから生成され、この基準電圧Vrefと第2外部供給電圧VDDIOとが比較され、この比較に応じて、前記第1外部供給電圧VDDAから生成された前記電圧VDDreg又は前記第2外部供給電圧VDDIOが、内部供給電圧vddとして出力されることを特徴とする方法。 - 前記第2外部供給電圧VDDIOは、前記基準電圧Vrefより大きい値を有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第2外部供給電圧VDDIOは、前記基準電圧Vrefより小さい値を有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
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