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  1. 植え込み可能な医療機器であって、
    強磁性のインダクタ磁心を備えるインダクタを持つ誘導スイッチングレギュレータ(105)と、
    を備え、前記医療機器はさらに
    磁場の存在を示す、前記誘導スイッチングレギュレータの前記インダクタ磁心の飽和を検知するための磁心飽和検知器(106)と、
    磁心飽和が検知されたときに、前記機器の動作を変更する回路と、
    を有することを特徴とする、医療機器。
  2. 心臓の電気的な活動を反映する電位図信号を受け取るための、感知回路と、
    電気刺激を心臓へ送達するための、治療回路と、
    通常の動作モードにおいて、心臓への前記電気刺激の送達を制御するための、回路とをさらに含み、
    前記回路は、磁心飽和検知の間、前記機器を非感知MRIモードに入らせて、前記機器の動作を変更することを特徴とする、
    請求項1の機器。
  3. 前記MRIモードが心臓への前記電気刺激の送達の停止を含む、請求項2の機器。
  4. 前記MRIモードが定率徐脈ペーシングを含む、請求項2の機器。
  5. 前記MRIモードが、前記治療回路による、頻脈性不整脈治療の送達の無効化を含む、請求項2の機器。
  6. 前記誘導スイッチングレギュレータが、二相電力変換周期において、インダクタにエネルギーの充電と放電を交互に行い、前記電力変換周期を、それぞれ、フィル期、およびダンプ期とすると、前記フィル期の間に、前記インダクタ電流が所定のピーク電流値に到達するまで増加し、かつ、前記ダンプ期の間に、前記インダクタ電流がゼロ、もしくは他の所定の値まで減少するようにし、
    電力変換周期の間の前記フィル期の継続時間を測定するための回路とをさらに含み、
    前記磁心飽和検知器が、前記フィル期の前記継続時間が指定の閾値を上回った場合に、磁心飽和を検知する
    ことを特徴とする、
    請求項1の機器。
  7. 前記誘導スイッチングレギュレータが、二相電力変換周期において、インダクタにエネルギーの充電と放電を交互に行い、前記電力変換周期を、それぞれ、フィル期、およびダンプ期とすると、前記フィル期の間に、前記インダクタ電流が所定のピーク電流値に到達するまで増加し、かつ、前記ダンプ期の間に、前記インダクタ電流がゼロ、もしくは他の所定の値まで減少するようにし、
    電力変換周期の間の前記ダンプ期の継続時間を測定するための回路をさらに含み、
    前記磁心飽和検知器が、前記ダンプ期の前記継続時間が指定の閾値を上回った場合に、磁心飽和を検知する
    ことを特徴とする、請求項1の機器。
  8. 前記誘導スイッチングレギュレータが、二相電力変換周期において、インダクタにエネルギーの充電と放電を交互に行い、前記電力変換周期を、それぞれ、フィル期、およびダンプ期とすると、前記フィル期の間に、前記インダクタ電流が所定のピーク電流値に到達するまで増加し、かつ、前記ダンプ期の間に、前記インダクタ電流がゼロ、もしくは他の所定の値まで減少するようにし、
    電力変換周期の継続時間を測定するための回路をさらに含み、
    前記磁心飽和検知器が、前記電力変換周期の前記継続時間が指定の閾値を上回った場合に、磁心飽和を検知する
    ことを特徴とする、請求項1の機器。
  9. 前記誘導スイッチングレギュレータが、クロック周波数変調制御モード、もしくはパルス幅変調制御モードで動作し、
    電力変換周期の間にピークインダクタ電流を測定するための回路をさらに含み、
    前記磁心飽和検知器が、前記ピークインダクタ電流が、指定の閾値を上回った場合に、磁心飽和を検知する
    ことを特徴とする、請求項1の機器。
  10. 前記機器が、磁心飽和がもはや検知されなくなったときに、前記通常の動作モードに戻るように構成された、請求項2の機器。
  11. 強磁性のインダクタ磁心を備えたインダクタを持つ誘導スイッチングレギュレータを組み込んだ埋め込み可能な医療機器を操作する方法であって、
    磁場の存在を示す前記誘導スイッチングレギュレータの前記インダクタ磁心の飽和を検知するステップと、
    磁心飽和を検知したときに、前記機器の動作を変更するステップと、
    を含む方法。
  12. 前記誘導スイッチングレギュレータが、二相電力変換周期において、インダクタにエネルギーの充電と放電を交互に行い、前記電力変換周期を、それぞれ、フィル期、およびダンプ期とすると、前記フィル期の間に、前記インダクタ電流が所定のピーク電流値に到達するまで増加し、ならびに、前記ダンプ期の間に、前記インダクタ電流がゼロ、もしくは他の所定の値まで減少するようにし、
    電力変換周期の間の前記フィル期の継続時間を測定するステップと
    前記フィル期の前記継続時間が指定の閾値を上回った場合に、磁心飽和を検知するステップと、
    を、さらに含む請求項11の方法。
  13. 前記誘導スイッチングレギュレータが、二相電力変換周期において、インダクタにエネルギーの充電と放電を交互に行い、前記電力変換周期を、それぞれ、フィル期、およびダンプ期とすると、前記フィル期の間に、前記インダクタ電流が所定のピーク電流値に到達するまで増加し、ならびに、前記ダンプ期の間に、前記インダクタ電流がゼロ、もしくは他の所定の値まで減少するようにし、
    電力変換周期の間の前記ダンプ期の継続時間を測定するステップと
    前記ダンプ期の前記継続時間が指定の閾値を上回った場合に、磁心飽和を検知する
    ステップと、
    を、さらに含む請求項11の方法。
  14. 前記誘導スイッチングレギュレータが、二相電力変換周期において、インダクタにエネルギーの充電と放電を交互に行い、前記電力変換周期を、それぞれ、フィル期、およびダンプ期とすると、前記フィル期の間に、前記インダクタ電流が所定のピーク電流値に到達するまで増加し、ならびに、前記ダンプ期の間に、前記インダクタ電流がゼロ、もしくは他の所定の値まで減少するようにし、
    電力変換周期の継続時間を測定するステップと
    前記電力変換周期の前記継続時間が指定の閾値を上回った場合に、磁心飽和を検知するステップと、
    を、さらに含む請求項11の方法。
  15. 前記誘導スイッチングレギュレータが、クロック周波数変調制御モード、もしくはパルス幅変調制御モードで動作し、
    電力変換周期の間にピークインダクタ電流を測定するステップと、
    前記ピークインダクタ電流が指定の閾値を上回った場合に、磁心飽和を検知するステップと、
    をさらに含む、請求項11の方法。
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