JP2009519679A - 位相ロックループ内でのキャパシタンス乗算のための方法および装置 - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は一般的にキャパシタンス乗算に関し、より特定的には2つのチャージポンプを用いるキャパシタンス乗算に関する。
電子回路網のさまざまな適用例には、集積回路(IC)の使用が含まれる。ICは、たとえば、非常に多くの回路素子を非常に小さい領域に組込む能力を促進する。ICは、トランジスタおよびダイオードのようなアクティブコンポーネントが特定の設計を実現するのに必要とされる場合に特に有用である。今日の半導体技術を用いると、たとえば、何億、さらには何十億ものアクティブ装置が単一のICの中に組込まれ得る。
先行技術での制限を克服するとともに、本明細書を読み理解すると明らかになるであろうその他の制限を克服するよう、この発明のさまざまな実施例は、半導体ダイの中に統合されるキャパシタを実現するのに必要とされる半導体領域を最小限にしつつ、当該キャパシタのキャパシタンスの大きさを効果的に乗算する装置および方法を開示する。
一般的に、この発明のさまざまな実施例はキャパシタンス乗算技術に適用される。このようなキャパシタンス乗算技術は個別素子の使用を通じて用いられてもよく、または逆に
、キャパシタンス乗算技術は集積回路(IC)の中で用いられてもよい。ICの中でキャパシタンス乗算技術を用いることは多くの理由から魅力的であり、そのどれもが完全にモノリシックシリコンチップまたはICの範囲内の相対的に大きいキャパシタンス値の実現を含む。たとえば、IC内でキャパシタンス乗算を用いると、外部のキャパシタの必要性がなくなり得る。なぜならば、キャパシタンス乗算により達成される大きいキャパシタンス値は、外部のキャパシタが必要でなくなるほど十分大きくなり得るからである。
必要であるかもしれない。なお、MGT112の送信機106および受信機108のために単一のPLLが用いられてもよい。
よび218の大きさも増加し得る。逆に、信号DNのパルス幅が増加すると、電流信号216および218の大きさも減少し得る。なお、電流信号I216およびI218の符号は極性が反対であるため、アップパルスの場合、I216はループフィルタ210に流れ込む一方、I218がループフィルタ210から離れるように流れる。ダウンパルスの場合は逆のことが当てはまり、電流I216はループフィルタ210から流れ出る一方、I218がループフィルタ210に流れ込む。
ついての実際のキャパシタンス値を求めるよう操作され得る。
たとえば、式(8)においてA=1を設定することにより、基準ノイズ伝達関数の3−dBコーナー周波数は、ゲイン設定A=100を用いた場合の基準ノイズ伝達関数の3−dBコーナー周波数と比較すると、係数が10で減少する。したがって、CPLL116の出力での全体の基準ノイズ寄与は、ループフィルタ210における増幅器312のゲインの減少により減少する。
る。一方では、基準ノイズが問題の場合、増幅器312のゲインAは、CPLL116の出力での基準ノイズ寄与が減少し得るように減少され得る。他方では、VCOノイズが問題の場合、増幅器312のゲインAは、CPLL116の出力でのVCOノイズ寄与が減少され得るように増加され得る。
208のための電流制御信号は、電流信号I218とI216との間で符号が異なるのを達成するよう、チャージポンプ♯1 206のための電流制御信号に対してそれぞれ切換えられる。
される。
Claims (7)
- 電流信号を提供するようにされる第1のチャージポンプと、
前記第1のチャージポンプに結合される第1の導体と第1のノードに結合される第2の導体とを有する抵抗器とを含み、前記抵抗器は前記電流信号を前記第1のノードに伝えるようにされ、さらに、
前記第1のノードに結合されるとともに、前記第1のノードからの前記電流信号の第1の部分を伝えるようにされるキャパシタと、
前記第1のノードに結合されるとともに、前記第1のノードからの前記電流信号の第2の部分を伝えるようにされる電流ミラーとを含み、前記電流信号の前記第2の部分は前記電流信号の前記第1の部分に対して大きさが比例し、さらに、
前記第1のノードに結合されるとともに、前記第1のノードからの前記電流信号の第3の部分を伝えるようにされる第2のチャージポンプを含み、前記電流信号の前記第2および第3の部分は、前記抵抗器によって伝えられている前記電流信号の大きさに対して前記電流信号の前記第1の部分の大きさを減少させるよう伝えられる、キャパシタンス乗算回路。 - 前記電流ミラーは、
前記第1のノードに結合される第1の導体と第2のノードに結合される制御端子とを有する第1のトランジスタと、
前記第1のノードに結合される第1の導体と第3のノードに結合される制御端子とを有する第2のトランジスタと、
前記第2のノードに結合される第1の導体と前記第3のノードに結合される制御端子とを有する第3のトランジスタとを含み、前記第3のトランジスタは前記第2のトランジスタに幾何学的に比例する、請求項1に記載のキャパシタンス乗算回路。 - 前記電流ミラーは、第1の導体と、前記第2のノードに結合される制御端子とを有する第4のトランジスタをさらに含み、前記第4のトランジスタは前記第1のトランジスタに対して幾何学的に比例する、請求項2に記載のキャパシタンス乗算回路。
- 前記電流ミラーは、第1の導体と、前記第3のノードに結合される制御端子とを有する第5のトランジスタをさらに含む、請求項3に記載のキャパシタンス乗算回路。
- 前記電流ミラーは、前記第3のノードに結合される電流源をさらに含む、請求項4に記載のキャパシタンス乗算回路。
- 前記第2のチャージポンプは、
前記第1のノードに結合される第1の導体と、電流制御信号を受取るよう結合される制御端子とを有する第6のトランジスタと、
前記第1のノードに結合される第1の導体と、前記電流制御信号を受取るよう結合される制御端子とを有する第7のトランジスタとを含む、請求項1に記載のキャパシタンス乗算回路。 - 前記第2のチャージポンプは、
前記第6のトランジスタの第2の導体に結合される第1の導体を有する第8のトランジスタと、
前記第7のトランジスタの第2の導体に結合される第1の導体を有する第9のトランジスタとをさらに含む、請求項6に記載のキャパシタンス乗算回路。
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