JP2009516382A - 導電層をパターニングするための方法および装置ならびにそれによって製造されるデバイス - Google Patents
導電層をパターニングするための方法および装置ならびにそれによって製造されるデバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009516382A JP2009516382A JP2008540722A JP2008540722A JP2009516382A JP 2009516382 A JP2009516382 A JP 2009516382A JP 2008540722 A JP2008540722 A JP 2008540722A JP 2008540722 A JP2008540722 A JP 2008540722A JP 2009516382 A JP2009516382 A JP 2009516382A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- stack
- conductive layer
- compressible
- conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 115
- 238000000059 patterning Methods 0.000 title claims description 29
- 238000004049 embossing Methods 0.000 claims abstract description 49
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 245
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 42
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 31
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 25
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 19
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 19
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 15
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 11
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 10
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 10
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 10
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 9
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 9
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 6
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 4
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 3
- 229920001684 low density polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000004702 low-density polyethylene Substances 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 3
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N N-Vinyl-2-pyrrolidone Chemical compound C=CN1CCCC1=O WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004965 Silica aerogel Substances 0.000 description 2
- XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N acrylonitrile butadiene styrene Chemical compound C=CC=C.C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 description 2
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001593 boehmite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAHBNUUHRFUEAI-UHFFFAOYSA-M hydroxidooxidoaluminium Chemical compound O[Al]=O FAHBNUUHRFUEAI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000760 Hardened steel Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 1
- 229920008285 Poly(ether ketone) PEK Polymers 0.000 description 1
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N [60]pcbm Chemical compound C123C(C4=C5C6=C7C8=C9C%10=C%11C%12=C%13C%14=C%15C%16=C%17C%18=C(C=%19C=%20C%18=C%18C%16=C%13C%13=C%11C9=C9C7=C(C=%20C9=C%13%18)C(C7=%19)=C96)C6=C%11C%17=C%15C%13=C%15C%14=C%12C%12=C%10C%10=C85)=C9C7=C6C2=C%11C%13=C2C%15=C%12C%10=C4C23C1(CCCC(=O)OC)C1=CC=CC=C1 MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000002322 conducting polymer Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011982 device technology Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000010017 direct printing Methods 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- UHPJWJRERDJHOJ-UHFFFAOYSA-N ethene;naphthalene-1-carboxylic acid Chemical compound C=C.C1=CC=C2C(C(=O)O)=CC=CC2=C1 UHPJWJRERDJHOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 229920005570 flexible polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000013335 mesoporous material Substances 0.000 description 1
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 1
- 239000011234 nano-particulate material Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000007783 nanoporous material Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000012994 photoredox catalyst Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920002959 polymer blend Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
- H10K71/211—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by selective transformation of an existing layer
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/821—Patterning of a layer by embossing, e.g. stamping to form trenches in an insulating layer
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
- H10K85/344—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising ruthenium
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
Description
本発明は、概して、有機デバイスの製造に関し、より詳細には、例えば、有機光放出デバイス(OLED)、有機電界効果トランジスタ(OFET)または有機フォトセルといった有機デバイスで使用する導電層のパターニングに関する。
有機デバイステクノロジーの急速な発展に伴い、所望の層を堆積させると共に、層、特に導電層をパターニングするための高速かつ安価でありながら信頼性の高い方法の必要性が増加する。大きい領域を製造するための方法が必要とされる。高分子基材によるロールツーロールプロセスが有望な手法である。有機半導電性および導電性材料は、酸素および水に対する安定性が低いため、ほとんどの用途において、基材の良好なバリア特性が必要とされる。そのため、多くの場合、有機デバイスの層を堆積させる前に、バリアコーティングを高分子基材上に堆積させる。これらのバリア特性を保つため、パターニングプロセスを適切な様式で実行する必要がある。特に、基材の永久変形を避ける必要がある。これまでのところ、先に既述したすべての点に対処するパターニング方法が欠如している。
有機デバイスの層または層スタックをパターニングするため、いくつかの技術が利用可能である。金属または透明導電酸化物層のエッチングがその一つである。まず、パターニングする層の上に保護層、いわゆるレジストを堆積させる。その後、例えばフォトリソグラフィ、続いて現像工程により、所望のパターンをレジスト層に生成する。非保護領域を除去するウェットまたはドライエッチング工程により、パターニングする層にパターンを転写することができる。エッチング工程の後、残留レジストを除去する必要がある。この技術の重要な効果は、プロセスの高い解像度である(最小で65nm)。他方、このプロセスは、多数の工程があるために非常に遅く、費用が高い。さらに、エッチングの化学的性質またはドライエッチングプロセスのプラズマは、多くの有機材料ならびに高分子基材およびその上部のバリアコーティングにとって重大である。したがって、この技術は、ロールツーロール製造にとってよく適しない。
本発明の目的は、従来技術の欠点の少なくとも一部を解消することである。
有機デバイスに好適な基材(1)は、ガラス、ポリマー、特に高分子箔、紙または金属である。可撓性基材がロールツーロールプロセスによく適する。基材は、例として、アクリロニトリルブタジエンスチレンABS、ポリカーボネートPC、ポリエチレンPE、ポリエーテルイミドPEI、ポリエーテルケトンPEK、ポリ(エチレンナフタレート)PEN、ポリ(エチレンテレフタレート)PET、ポリイミドPI、ポリ(メチルメタクリレート)PMMA、ポリオキシメチレンPOM、一軸延伸ポリプロピレンMOPP、ポリスチレンPS、ポリ塩化ビニルPVC等といった可撓性ポリマー箔であることができる。紙(面積当たり重量が20〜500g/m2、好ましくは40〜200g/m2)、金属箔(例として、Al箔、Au箔、Cu箔、Fe箔、Ni箔、Sn箔、鋼箔など)といった他の材料、特に表面改質され、ラッカーまたはポリマーでコーティングされたものも好適である。基材をバリア層(4)またはバリア層スタック(5)でコーティングし、バリア特性を増加させることができる(J.LangeおよびY.Wyser、「Recent Innovations in Barrier Technologies for Plastic Packaging-a Review」、Packag. Technol. and Sci.16、2003年、p.149-158)。例えば、SiO2、Si3N4、SiOxNy、Al2O3、AlOxNy等といった無機材料が多くの場合に使用される。これらは、例えば、蒸着、スパッタリングまたは化学気相堆積CVD、特にプラズマ強化CVD(PECVD)といった真空プロセスで堆積させることができる。他の好適な材料は、ゾル−ゲルプロセスで堆積させる、有機材料と無機材料との混合物である。このような材料は、例えば、グラビア印刷といったウェットコーティングプロセスでも堆積させることができる。現在のところ、最良のバリア特性は、国際公開公報第03/094256A2号に記載されている有機および無機材料の多層コーティングによって得られる。以下では、基材という用語は、バリアコーティングの有無を問わない基材を意味する。
圧縮性層(2)に好適な材料は、例えば、密度が約0.92g/ccの低密度ポリエチレン(LDPE)といった低密度ポリマーである。ほとんどの隔離および導電性ポリマーは、>1.0g/ccの密度を有する。例えば、ポリ(メチルメタクリレート)PMMAの密度が1.19g/ccであり、ポリ(スチレン)PSの密度が1.05g/ccであり、ポリ(カーボネート)PCの密度が1.2g/ccであり、ポリ(エチレンテレフタレート)PETの密度が1.3〜1.4g/ccである。金属およびTCOの密度は、明らかにより高い。例えば、アルミニウム(Al)の密度が2.7g/ccであり、銅(Cu)の密度が8.96g/ccであり、銀(Ag)の密度が10.5g/ccであり、金(Au)の密度が19.3g/ccであり、スズでドーピングしたインジウム酸化物(ITO)の密度が7.14g/ccである。したがって、低密度ポリマーは、有機デバイス中のすべての材料のなかでもっとも低い密度を有する。エンボス加工時には、このような圧縮性スペーサ層が圧縮され、層厚さの減少と組み合わせて密度が増加する。メソまたはナノ多孔性材料の使用により、スペーサ層について大幅により良好な圧縮率が得られる。例えば、Tsutsuiら(「Doubling Coupling-Out Efficiency in Organic Light-Emitting Devices Using a Thin Silica Aerogel Layer」、Adv. Mater. 13、2001年、p.1149-1152)によって記載されているゾル−ゲルでプロセスされたシリカエアロゲルは、層の体積の大半が空気またはガスである場合にのみ可能である1.03という低い屈折率を有する。この空気またはガスが充填された体積により、エンボス加工時に材料が詰められる。このような多孔性層は、他の技術でも製造することができる。無機酸化物、例えばシリカまたはベーマイトは、例えばポリ(ビニルアルコール)PVAまたはポリ(ビニルピロリドン)PVPといった結合材との混合物において、米国特許第2005/0003179 A1号、欧州特許第1464511 A2号および欧州特許第0614771 A1号に記載されている、多孔率が高く、したがって密度が低い層を形成することができる。既述の文献では、多孔性層は、インク吸収層として機能する。導電性層または少なくとも一つの導電性層を含む層スタックがスペーサ層(スタック)の上部にコーティングされるので、平坦な表面が有利である。ほとんどの場合、圧縮性メソまたはナノ多孔性層の多孔性により、粗い表面となる。この問題を解決するため、導電性層または層スタックの前に、均一で平坦な薄層を多孔性層の上部にコーティングすることができる。この均一な層は、SiO2、Al2O3等といった無機誘電体またはPMMA、PSもしくはPVAといった、ただしこれらに制限されることのないポリマーで作ることができる。スペーサ層スタックの層の好適および好ましい厚さの範囲は次のとおりである。
導電層(3)は、多くの場合、例えばAl、Cu、AgまたはAuといった金属で作られる。金属層は、半透明(十分の数ナノメーターから最大50nmまでの厚さで、金属に依存する)または不透明(>50nmの厚さ)であることができる。他の好適な材料は、例えば、ITO、アルミニウムでドーピングした亜鉛酸化物(AZO)またはガリウムでドーピングした亜鉛酸化物(GZO)といった透明導電酸化物(TCO)である。このようなTCO層の通常の厚さは、50nmから最大150nmの範囲にある。おおよそ200nmの厚さを超える無機層では応力が明らかに増加するため(堆積方法およびパラメータに依存する)、導電性層の通常の値は、その閾値未満である。有機導電性層は、例えば、ポリ(スチレンスルホン酸)でドーピングしたポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)PEDOT/PPS、ポリ(アニリン)PANIまたはポリピロールといったポリマーで作られる。導電性ポリマー層は、TCO層と同一の通常の厚さ範囲を有する。上記の層の組み合わせは、導電層、例えば、ポリマーでコーティングされたITO層として役立つことができ、エンボス加工プロセス中にポリマーが注入層として働くと共に緩衝層として働き、ITOの亀裂を避けるか、または少なくともITO粒子を結合させる。
エンボス加工工具(10)は、エンボス加工される層よりも硬い材料で作る必要がある。例えば、いわゆるニッケルシムが好適である。それらは従来技術であり、ホログラム作製産業およびCD/DVD製造で広く使用されている。必要であれば、エンボス加工される構造サイズを十分の数ナノメーターまで下げることができる。このようなシムは、板または平面物体をエンボス加工するために平坦であることができる。
圧縮性スペーサ層またはスペーサ層スタックの堆積は、いくつかのコーティング技術によって行うことができる。低密度ポリマーは、例として、スピンコーティング、印刷、特にフレキソ印刷、グラビア印刷、インクジェット印刷もしくはスクリーン印刷、カーテンもしくはディップコーティングまたは溶射により、ウェットコーティングすることができる。多孔性スペーサ層を、ウェットまたは真空コーティングすることができる。例えば、CVDプロセスは、妥当なコーティングパラメータが選択される場合、多孔性シリカ層を形成することができる。他の手法では、スピン、カーテンまたはカスケードコーティングを使用し、多孔性層を堆積させる。後者の二つの技術は、ロールツーロールプロセスであり、したがって大きい領域を製造することができる。シリカおよびベーマイトといった無機酸化物の多孔性層の堆積の例が、欧州特許第1464511 A2号および欧州特許第0614771 A1号に記載されている。
図1は、本発明を具体化するパターニング方法の模式図を示す。基材(1)(例えばPET)の上部においてdcompの厚さを持つ圧縮性スペーサ層(2)(例えばLDPE)の上部にある導電性層(1)(例えばITO)を、高さがhpattであるパターン(100)を含むエンボス加工工具(10)でエンボス加工する。エンボス加工の後、エンボス加工工具の突出桟(protruding bars)の領域でスペーサ層を圧縮する。
以下の実施例は、本発明を例示するものである。本発明がこれらの実施例に制限されることはない。
図4の記載における説明と同じように、厚さ100nmのITOアノードを圧縮性スペーサ層スタック上にパターニングする。スピンコート層の堆積の前に、試料を空気プラズマで2分間にわたって処理した(Harrick Plasma Cleaner PDC-002)。トリス(2,2’−ビピリジル)ルテニウム(II)ヘキサフルオロホスフェート([Ru(bpy)3](PF6))および分子重量が120000g/molであるポリ(メチルメタクリレート)(PMMA)をアセトロニトリル(acetronitrile)に溶解させた溶液を準備する。40mg/mlの([Ru(bpy)3](PF6))および25mg/mlのPMMAの二つの溶液を3:1の体積比率で混合する。1500rpmのスピンコーティングで膜を準備し、膜厚さをおよそ120〜200nmとする。デバイスを窒素雰囲気下で100度のホットプレート上で一時間にわたって乾燥させる。空気に暴露することなく、デバイスをベース圧力が10−7mbarよりも低い真空室内に配置する。厚さ200nmのAg電極をデバイス上部で蒸着させ、シャドーマスクを通してパターニングする。デバイスの特性化のため、約2.5〜5Vの電圧を底部および上部電極に適用する。図6に示すように、底部電極および上部電極の重複により、光放出領域が規定される。
圧縮性層スタックの上部にスパッタ堆積させた50nmのAuからなるソースおよびドレイン電極を、図4の記載における方法と同じようにパターニングする。通常のチャネル長さおよび幅は、それぞれ50μmおよび500μmである。上部ゲート構造では、半導電性ポリマー、例えばP3HTを、エンボス加工された構造の上部にスピンオンさせる。後に、絶縁層、例えばPMMAをゲート誘電体としてスピンコーティングする。図7に示すように、上部金属ゲート接触を、この構造の上部に蒸着し、シャドーマスクを通してパターニングする。
OLEDの製作についての記載と同一の底部ITO電極パターンおよび方法(図6を参照されたい)を使用し、有機太陽電池またはフォトダイオードを製作する。この場合、このパターニングされた基材の上部に多層を製作する。第一に、PEDOT/PSSを基材上にスピンコーティングし、約60nmの層とする。この層を200℃のホットプレート上で15分間にわたって乾燥させる。ジクロロベンゼンに1:3の比率で溶解させたP3HTおよびC60派生物(PCBM)からなるポリマーブレンドを上部にスピンコーティングする。この層の層厚さは、50〜250nmの範囲にある。このデバイスを乾燥窒素下で120度のホットプレート上で30分間にわたって乾燥させる。OLEDの製作について上述したのと同じように、この構造の上部にカソードを蒸着する。太陽電池の照射時には、二つの電極を接続する配線において電流を測定することができる。
Claims (28)
- 導電層または少なくとも一つの導電層を含む導電層スタックをパターニングするための方法であって:
コーティングされた基材を形成するための
圧縮性層または少なくとも一つの圧縮性層を含む圧縮性層スタックを基材上に形成する工程;及び
導電層またはスタックを圧縮性層またはスタック上に形成する工程;並びに
コーティングされた基材をエンボス加工工具に接触させ、エンボス加工領域において、圧縮性層またはスタックを圧縮し、導電層またはスタックを圧縮性層またはスタックに埋め込み、導電層またはスタックに所定のパターンを形成する工程
を含む方法。 - エンボス加工領域の導電層が、隣接する非エンボス加工領域の導電層から切離される、請求項1記載の方法。
- 圧縮性層またはスタックが、コーティングされた基材の他の層よりも圧縮性である、請求項1または2記載の方法。
- 圧縮性層またはスタックが、好ましくは1.0g.cm-3よりも小さい密度の低密度ポリマーを含む、請求項1〜3のいずれか1項記載の方法。
- 圧縮性層またはスタックが、多孔性材料を含む、請求項1〜4のいずれか1項記載の方法。
- 導電層またはスタックの形成の前に、平坦な層が圧縮性層またはスタック上に形成される、請求項1〜5のいずれか1項記載の方法。
- 圧縮性層またはスタックの厚さが、200nm〜50μmである、請求項1〜6のいずれか1項記載の方法。
- 圧縮性層またはスタックの厚さが、1μm〜20μmである、請求項1〜7のいずれか1項記載の方法。
- エンボス加工された導電性層またはスタックの残留物または端部が、実質的に、圧縮性層またはスタックの隣接する壁部に接着または付着しない、請求項1〜8のいずれか1項記載の方法。
- 導電性層またはスタックが、金属を含む、請求項1〜9のいずれか1項記載の方法。
- 導電性層またはスタックが、有機導体を含む、請求項1〜10のいずれか1項記載の方法。
- 導電性層またはスタックが、無機導体を含む、請求項1〜11のいずれか1項記載の方法。
- エンボス加工工具のパターニングされた部分の高さが、25μmよりも小さく、好ましくは9μmよりも小さい、請求項1〜12のいずれか1項記載の方法。
- エンボス加工の工程が、工程毎の機械またはロールツーロール機械で実行される、請求項1〜13のいずれか1項記載の方法。
- エンボス加工工程が、昇温で行われる、請求項1〜14のいずれか1項記載の方法。
- エンボス加工後の処理、例えばエッチング、コーティングまたはプラズマ加工を実行する工程をさらに含む、請求項1〜15のいずれか1項記載の方法。
- 例としてトランジスタを製作するため、導電層またはスタックのエンボス加工領域に導電性材料を堆積する工程をさらに含む、請求項1〜16のいずれか1項記載の方法。
- 例として、有機光放出ダイオード(OLED)を製作するため、導電層またはスタックのエンボス加工領域に有機層を堆積する工程をさらに含む、請求項1〜17のいずれか1項記載の方法。
- 例として、太陽電池、フォトダイオードまたは他の光起電デバイスを製作するため、導電層またはスタックのエンボス加工領域に多層を堆積する工程をさらに含む、請求項1〜18のいずれか1項記載の方法。
- 導電層または少なくとも一つの導電層を含む層スタックをパターニングするための方法であって;
− 圧縮性スペーサ層または少なくとも一つの圧縮性層を含むスペーサ層スタックで、基材をコーティングする工程と;
− スペーサ層またはスペーサ層スタックの上部に、導電層または少なくとも一つの導電層を含む層スタックをコーティングする工程と;
− コーティングされた基材とエンボス加工工具との接触をもたらし、エンボス加工領域において、スペーサ層またはスペーサ層スタックを圧縮し、導電層または少なくとも一つの導電層を含む層スタックをスペーサ層またはスペーサ層スタックに埋め込み、導電層に所望のパターンを形成する工程と
を含む方法。 - 請求項1〜20のいずれか1項に規定する方法を使用して製作されるデバイス。
- 請求項1〜20のいずれか1項に規定する方法を使用して製作される有機デバイス、トランジスタ、光放出デバイスまたは光起電デバイス。
- 導電層またはスタックが、圧縮性層またはスタック上に形成され、導電層の少なくとも一つの領域が、圧縮性層またはスタックの圧縮された領域に埋め込まれる、デバイス。
- 導電層またはスタックが、圧縮性層またはスタック上に形成され、導電層の少なくとも一つの領域が、圧縮性層またはスタックの圧縮された領域に埋め込まれる、有機デバイス、トランジスタ、光放出デバイスまたは光起電デバイス。
- 請求項1〜20のいずれか1項に規定する方法で使用するためのエンボス加工工具。
- 実質的に、図面を参照しつつ本明細書に記載されるデバイスを製作するための方法。
- 実質的に、図面を参照しつつ本明細書に記載されるデバイス、例えば有機デバイス、トランジスタ、光放出デバイスまたは光起電デバイス。
- 実質的に、図面を参照しつつ本明細書に記載されるエンボス加工工具。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GBGB0523163.4A GB0523163D0 (en) | 2005-11-14 | 2005-11-14 | Patterning of conductive layers with underlying compressible spacer layer or spacer layer stack |
PCT/IB2006/003995 WO2007074404A2 (en) | 2005-11-14 | 2006-11-14 | Method and apparatus for patterning a conductive layer, and a device produced thereby |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009516382A true JP2009516382A (ja) | 2009-04-16 |
JP2009516382A5 JP2009516382A5 (ja) | 2010-01-07 |
Family
ID=35516877
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008540722A Pending JP2009516382A (ja) | 2005-11-14 | 2006-11-14 | 導電層をパターニングするための方法および装置ならびにそれによって製造されるデバイス |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090038683A1 (ja) |
EP (1) | EP1949469A2 (ja) |
JP (1) | JP2009516382A (ja) |
KR (1) | KR20080073331A (ja) |
CN (2) | CN101331624A (ja) |
GB (1) | GB0523163D0 (ja) |
WO (1) | WO2007074404A2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007149679A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Seiko Epson Corp | 電気化学電池およびその製造方法 |
WO2011013275A1 (ja) * | 2009-07-28 | 2011-02-03 | シャープ株式会社 | 有機素子及びそれを備えた有機デバイス |
JP2018510389A (ja) * | 2015-01-12 | 2018-04-12 | ドルビー ラボラトリーズ ライセンシング コーポレイション | 画素タイル構造およびレイアウト |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2432721B (en) * | 2005-11-25 | 2011-06-22 | Seiko Epson Corp | Electrochemical cell structure and method of fabrication |
GB2432723B (en) * | 2005-11-25 | 2010-12-08 | Seiko Epson Corp | Electrochemical cell and method of manufacture |
US8343779B2 (en) * | 2007-04-19 | 2013-01-01 | Basf Se | Method for forming a pattern on a substrate and electronic device formed thereby |
US20090283137A1 (en) * | 2008-05-15 | 2009-11-19 | Steven Thomas Croft | Solar-cell module with in-laminate diodes and external-connection mechanisms mounted to respective edge regions |
GB2462693B (en) * | 2008-07-31 | 2013-06-19 | Pragmatic Printing Ltd | Forming electrically insulative regions |
FR2934714B1 (fr) * | 2008-07-31 | 2010-12-17 | Commissariat Energie Atomique | Transistor organique et procede de fabrication d'une couche dielectrique d'un tel transistor. |
GB2467316B (en) | 2009-01-28 | 2014-04-09 | Pragmatic Printing Ltd | Electronic devices, circuits and their manufacture |
US8232136B2 (en) * | 2008-08-07 | 2012-07-31 | Massachusetts Institute Of Technology | Method and apparatus for simultaneous lateral and vertical patterning of molecular organic films |
US8586857B2 (en) * | 2008-11-04 | 2013-11-19 | Miasole | Combined diode, lead assembly incorporating an expansion joint |
US9059351B2 (en) | 2008-11-04 | 2015-06-16 | Apollo Precision (Fujian) Limited | Integrated diode assemblies for photovoltaic modules |
WO2010061035A1 (en) * | 2008-11-27 | 2010-06-03 | Upm-Kymmene Corporation | Embossing of electronic thin-film components |
JP2010237375A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Mitsui Chemicals Inc | 微細構造体およびそれを用いた光学素子 |
US20100319765A1 (en) * | 2009-06-17 | 2010-12-23 | Korea University Research And Business Foundation | Photovoltaic devices |
US8153528B1 (en) * | 2009-11-20 | 2012-04-10 | Integrated Photovoltaic, Inc. | Surface characteristics of graphite and graphite foils |
US20110146778A1 (en) * | 2009-12-22 | 2011-06-23 | Miasole | Shielding of interior diode assemblies from compression forces in thin-film photovoltaic modules |
US9139093B2 (en) * | 2010-12-02 | 2015-09-22 | Seiko Epson Corporation | Printed matter manufacturing method, printed matter manufacturing device, and printed matter |
US20120305892A1 (en) * | 2010-12-08 | 2012-12-06 | Martin Thornton | Electronic device, method of manufacturing a device and apparatus for manufacturing a device |
WO2012106433A2 (en) | 2011-02-01 | 2012-08-09 | University Of South Florida | A partially-sprayed layer organic solar photovoltaic cell using a self-assembled monolayer and method of manufacture |
KR101412896B1 (ko) | 2012-05-09 | 2014-06-26 | 주식회사 엘지화학 | 유기 전기화학 장치 및 이의 제조방법 |
US9496458B2 (en) * | 2012-06-08 | 2016-11-15 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting diodes with crack-tolerant barrier structures and methods of fabricating the same |
WO2014145609A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | University Of South Florida | Mask-stack-shift method to fabricate organic solar array by spray |
CN104681743B (zh) * | 2013-11-29 | 2017-02-15 | 清华大学 | 有机发光二极管的制备方法 |
KR101474977B1 (ko) * | 2014-02-13 | 2014-12-22 | 한국기계연구원 | 가열 롤 임프린팅 방법 및 이 방법으로 제조된 금속 그리드 메쉬 플라스틱 기판 |
KR101474980B1 (ko) * | 2014-02-13 | 2014-12-22 | 한국기계연구원 | 가열 롤 임프린팅 방법 및 이 방법으로 제조된 금속 그리드 메쉬 플라스틱 기판 |
GB2526316B (en) * | 2014-05-20 | 2018-10-31 | Flexenable Ltd | Production of transistor arrays |
KR102224824B1 (ko) * | 2014-05-30 | 2021-03-08 | 삼성전자 주식회사 | Ito 전극패턴을 포함하는 전자장치 및 그 전자장치의 제조방법 |
US10023971B2 (en) * | 2015-03-03 | 2018-07-17 | The Trustees Of Boston College | Aluminum nanowire arrays and methods of preparation and use thereof |
US20170179201A1 (en) * | 2015-12-16 | 2017-06-22 | General Electric Company | Processes for fabricating organic photodetectors and related photodetectors and systems |
KR102660202B1 (ko) * | 2016-11-30 | 2024-04-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 윈도우 기판 및 이를 구비하는 표시 장치 |
US11190868B2 (en) | 2017-04-18 | 2021-11-30 | Massachusetts Institute Of Technology | Electrostatic acoustic transducer utilized in a headphone device or an earbud |
CN113745366B (zh) * | 2020-05-14 | 2024-03-12 | 杭州纤纳光电科技有限公司 | 一种钙钛矿与晶硅的三结叠层太阳能电池及其制备方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003504821A (ja) * | 1999-07-09 | 2003-02-04 | インスティチュート オブ マテリアルズ リサーチ アンド エンジニアリング | デバイス層の機械的パターン化 |
WO2004032257A2 (de) * | 2002-10-02 | 2004-04-15 | Leonhard Kurz Gmbh & Co. Kg | Folie mit organischen halbleitern |
WO2004055920A2 (en) * | 2002-12-14 | 2004-07-01 | Plastic Logic Limited | Electronic devices |
JP2004319762A (ja) * | 2003-04-16 | 2004-11-11 | Canon Inc | ナノ構造体の製造方法及びナノ構造体 |
JP2004314238A (ja) * | 2003-04-16 | 2004-11-11 | Canon Inc | ナノ構造体の製造方法及びナノ構造体 |
WO2004111729A1 (en) * | 2003-06-19 | 2004-12-23 | Avantone Oy | A method and an apparatus for manufacturing an electronic thin-film component and an electronic thin-film component |
WO2005004194A2 (en) * | 2003-07-02 | 2005-01-13 | Plastic Logic Limited | Organic rectifying diodes |
WO2005031855A1 (en) * | 2003-09-29 | 2005-04-07 | International Business Machines Corporation | Fabrication method |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3628243A (en) * | 1969-11-14 | 1971-12-21 | Bell Telephone Labor Inc | Fabrication of printed circuit |
DE19652818A1 (de) * | 1996-12-18 | 1998-07-02 | Priesemuth W | Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle sowie Solarzelle |
US6294398B1 (en) * | 1999-11-23 | 2001-09-25 | The Trustees Of Princeton University | Method for patterning devices |
GB0024294D0 (en) * | 2000-10-04 | 2000-11-15 | Univ Cambridge Tech | Solid state embossing of polymer devices |
WO2005116521A1 (en) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Tir Systems Ltd. | Luminance enhancement apparatus and method |
GB2416428A (en) * | 2004-07-19 | 2006-01-25 | Seiko Epson Corp | Method for fabricating a semiconductor element from a dispersion of semiconductor particles |
DE102005013125B4 (de) * | 2005-03-18 | 2008-12-18 | O-Flexx Technologies Gmbh | Verfahren zur Herstellung von elektronischen Einheiten in einer mehrlagigen Ausgangsstruktur sowie Verwendung dieser Ausgangstruktur im Verfahren |
DE102005022000B8 (de) * | 2005-05-09 | 2010-08-12 | O-Flexx Technologies Gmbh | Verfahren zur Herstellung von elektronischen Einheiten aus zwei mehrlagigen Ausgangsstrukturen und deren Verwendung |
-
2005
- 2005-11-14 GB GBGB0523163.4A patent/GB0523163D0/en not_active Ceased
-
2006
- 2006-11-14 KR KR1020087014313A patent/KR20080073331A/ko not_active Application Discontinuation
- 2006-11-14 JP JP2008540722A patent/JP2009516382A/ja active Pending
- 2006-11-14 CN CNA2006800424695A patent/CN101331624A/zh active Pending
- 2006-11-14 US US12/084,749 patent/US20090038683A1/en not_active Abandoned
- 2006-11-14 CN CN2013100775890A patent/CN103199196A/zh active Pending
- 2006-11-14 EP EP06848961A patent/EP1949469A2/en not_active Withdrawn
- 2006-11-14 WO PCT/IB2006/003995 patent/WO2007074404A2/en active Application Filing
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003504821A (ja) * | 1999-07-09 | 2003-02-04 | インスティチュート オブ マテリアルズ リサーチ アンド エンジニアリング | デバイス層の機械的パターン化 |
WO2004032257A2 (de) * | 2002-10-02 | 2004-04-15 | Leonhard Kurz Gmbh & Co. Kg | Folie mit organischen halbleitern |
WO2004055920A2 (en) * | 2002-12-14 | 2004-07-01 | Plastic Logic Limited | Electronic devices |
JP2006510210A (ja) * | 2002-12-14 | 2006-03-23 | プラスティック ロジック リミテッド | 電子装置 |
JP2004319762A (ja) * | 2003-04-16 | 2004-11-11 | Canon Inc | ナノ構造体の製造方法及びナノ構造体 |
JP2004314238A (ja) * | 2003-04-16 | 2004-11-11 | Canon Inc | ナノ構造体の製造方法及びナノ構造体 |
WO2004111729A1 (en) * | 2003-06-19 | 2004-12-23 | Avantone Oy | A method and an apparatus for manufacturing an electronic thin-film component and an electronic thin-film component |
JP2007527106A (ja) * | 2003-06-19 | 2007-09-20 | アバントネ オイ | 薄膜電子部品の製造方法および製造装置ならびに薄膜電子部品 |
WO2005004194A2 (en) * | 2003-07-02 | 2005-01-13 | Plastic Logic Limited | Organic rectifying diodes |
WO2005031855A1 (en) * | 2003-09-29 | 2005-04-07 | International Business Machines Corporation | Fabrication method |
JP2007507860A (ja) * | 2003-09-29 | 2007-03-29 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 製造方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007149679A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Seiko Epson Corp | 電気化学電池およびその製造方法 |
US8951601B2 (en) | 2005-11-25 | 2015-02-10 | Seiko Epson Corporation | Electrochemical cell structure and method of fabrication |
WO2011013275A1 (ja) * | 2009-07-28 | 2011-02-03 | シャープ株式会社 | 有機素子及びそれを備えた有機デバイス |
US8853664B2 (en) | 2009-07-28 | 2014-10-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic element and organic device including the same |
JP2018510389A (ja) * | 2015-01-12 | 2018-04-12 | ドルビー ラボラトリーズ ライセンシング コーポレイション | 画素タイル構造およびレイアウト |
US10700052B2 (en) | 2015-01-12 | 2020-06-30 | Dolby Laboratories Licensing Corporation | Pixel tile structures and layouts |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101331624A (zh) | 2008-12-24 |
CN103199196A (zh) | 2013-07-10 |
EP1949469A2 (en) | 2008-07-30 |
WO2007074404A2 (en) | 2007-07-05 |
US20090038683A1 (en) | 2009-02-12 |
WO2007074404A3 (en) | 2007-11-15 |
GB0523163D0 (en) | 2005-12-21 |
KR20080073331A (ko) | 2008-08-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2009516382A (ja) | 導電層をパターニングするための方法および装置ならびにそれによって製造されるデバイス | |
Lian et al. | Highly conductive silver nanowire transparent electrode by selective welding for organic light emitting diode | |
US8951601B2 (en) | Electrochemical cell structure and method of fabrication | |
JP6352906B2 (ja) | 第1の電極、活性層、および第2の電極を含むタイプのスタックを構成する方法 | |
JP5560281B2 (ja) | 有機デバイスの電気コンタクトを形成するための溶液処理方法 | |
US20080012151A1 (en) | Method and an Apparatus for Manufacturing an Electronic Thin-Film Component and an Electronic Thin-Film Component | |
US20110180127A1 (en) | Solar cell fabrication by nanoimprint lithography | |
WO2006078321A1 (en) | Tapered masks for deposition of materiel for organic electronic devices | |
JP2010517809A (ja) | 有機層堆積 | |
WO2004051756A2 (de) | Photovoltaisches bauelement und herstellungsverfahren dazu | |
KR102629662B1 (ko) | 제 1 전극/활성층/제 2 전극 적층체의 제조 방법 | |
EP3214655A1 (en) | Thin-film transistor and method for producing same | |
KR101170919B1 (ko) | 표면 플라즈몬 공명 현상을 이용한 태양전지 | |
Takakuwa et al. | Micropatterning of electrodes by microcontact printing method and application to thin film transistor devices | |
KR101353888B1 (ko) | 나노 패턴이 형성된 정공 추출층을 포함한 플렉서블 유기태양전지 제조방법 및 이에 의해 제조된 플렉서블 유기태양전지 | |
Piliego et al. | Organic light emitting diodes with highly conductive micropatterned polymer anodes | |
NL2006756C2 (en) | Method for forming an electrode layer with a low work function, and electrode layer. | |
KR20090069947A (ko) | 유연한 유기 태양전지 및 그 제조방법 | |
JP2020506532A (ja) | 積層体を形成するための方法および積層体 | |
KR20130107036A (ko) | 유연성을 갖는 투명전극을 구비한 유기태양전지 및 이의 제조방법 | |
KR20150068293A (ko) | 미세 구조체를 갖는 기판, 및 그 제조 방법 | |
Koidis et al. | Optimization of active nanomaterials and transparent electrodes using printing and vacuum processes | |
Park | Nanostructured Organic Solar Cells: Toward High Efficiency, Large Scale and Versatility. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091112 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091112 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120823 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120828 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20121031 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20121107 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130204 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130903 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140408 |