KR101474977B1 - 가열 롤 임프린팅 방법 및 이 방법으로 제조된 금속 그리드 메쉬 플라스틱 기판 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 목적은 금속 전극용 박막에서 선택된 패턴 박막을 임프린팅 할 수 있게 하여, 패턴 박막을 임프린팅한 후, 플라스틱 기판에서 금속 전극물질 또는 금속 박막을 닦아내는 공정을 제거하는 가열 롤 임프린팅 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 가열 롤 임프린팅 방법은, 1차 기판 위에 금속 전극용 박막을 형성하는 제1단계, 양각의 스탬프 몰드를 구비한 가열 롤로 상기 금속 전극용 박막을 압축 분리하여 선택된 패턴 박막을 상기 스탬프 몰드에 옮기는 제2단계, 및 상기 스탬프 몰드로 2차 플라스틱 기판을 임프린팅하여, 음각 패턴을 형성하면서 상기 음각 패턴에 상기 패턴 박막을 눌러 고착하는 제3단계를 포함한다.

Description

가열 롤 임프린팅 방법 및 이 방법으로 제조된 금속 그리드 메쉬 플라스틱 기판 {THERMAL ROLL IMPRINTING METHOD AND METAL GRID MESH PLASTIC SUBSTRATE MANUFACTURED THEREBY}
본 발명은 1차 기판에 형성한 금속 전극용 박막을 가열 롤의 스탬프 몰드로 압축 분리하여 옮기고 스탬프 몰드에 선택된 패턴 박막을 2차 플라스틱 기판에 임프린팅 전사하는 가열 롤 임프린팅 방법 및 이 방법으로 제조되는 금속 그리드 메쉬 플라스틱 기판에 관한 것이다.
알려진 바에 따르면, 가열 롤 임프린팅 방법은 플라스틱 기판에 음각 패턴을 형성시키고, 음각 패턴 안에 금속 전극용 금속 패이스트(예를 들면, 은 패이스트)를 스퀴지로 도포하고, 음각 패턴 이외의 부분에 잔류하는 금속 패이스트를 닦아냄으로써 금속 그리드 메쉬 플라스틱 기판을 제조할 수 있다.
이와 같이 플라스틱 기판에 도포된 금속 패이스트를 닦아내면, 헝겊이나 금속 입자에 의하여 플라스틱 기판의 표면에 흠집이 발생할 수 있다. 이러한 흠집에 의하여 거칠기가 수십 나노미터(nm)에서 수 마이크로 미터(㎛)에 이를 수 있다.
또한, 헝겊이나 실험용 티슈 등으로 닦아내어 금속 전극 그리드 메쉬를 플라스틱 기판의 표면과 동일 높이로 평탄하게 하기 때문에 금속 전극 그리드 메쉬가 벗겨지거나 플라스틱 기판의 표면 위로 올라와 거칠기가 더 커질 수 있다.
이러한 거칠기는 수백 nm에서 수 ㎛에 이를 수 있다. 유기반도체소자는 보통 100~200nm 정도의 두께로 코팅되어야 하므로 유기반도체소자의 제조에 가열 롤 임프린팅 방법을 적용하는 경우, 수백 nm에서 수 ㎛에 이르는 큰 거칠기는 해소되어야 할 문제점이다.
본 발명의 목적은 금속 전극용 박막에서 선택된 패턴 박막을 임프린팅 할 수 있게 하여, 패턴 박막을 임프린팅한 후, 플라스틱 기판에 잔류하는 금속 전극물질 또는 금속 박막을 닦아내는 공정을 제거하는 가열 롤 임프린팅 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 목적은 1차 기판에 형성한 금속 전극용 박막을 가열 롤의 스탬프 몰드로 압축 분리하여 스탬프 몰드에 선택적으로 옮기고, 선택된 패턴 박막을 2차 플라스틱 기판에 임프린팅 전사하는 가열 롤 임프린팅 방법을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 상기 가열 롤 임프린팅 방법으로 제조되는 금속 그리드 메쉬 플라스틱 기판을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 가열 롤 임프린팅 방법은, 1차 기판 위에 금속 전극용 박막을 형성하는 제1단계, 양각의 스탬프 몰드를 구비한 가열 롤로 상기 금속 전극용 박막을 압축 분리하여 선택된 패턴 박막을 상기 스탬프 몰드에 옮기는 제2단계, 및 상기 스탬프 몰드로 2차 플라스틱 기판을 임프린팅하여, 음각 패턴을 형성하면서 상기 음각 패턴에 상기 패턴 박막을 눌러 고착하는 제3단계를 포함한다.
상기 1차 기판과 상기 금속 전극용 박막의 제1접착력(adhesive force), 상기 스탬프 몰드와 상기 패턴 박막의 제2접착력, 및 상기 2차 플라스틱 기판과 상기 패턴 박박의 제3접착력은 순차적으로 증가할 수 있다.
상기 제1단계는 용액 공정으로 상기 1차 기판에 금속 전극물질을 코팅하여 상기 금속 전극용 박막을 형성할 수 있다.
상기 제1단계는 상기 1차 기판 위에 상기 금속 전극용 박막을 반건조 상태로 유지할 수 있다.
상기 금속 전극용 물질은 Ag, Al, Au 및 Cu 중 어느 하나일 수 있다.
상기 제1단계는 상기 1차 기판에 친수성 물질층을 형성하고, 상기 금속 전극용 박막을 형성할 수 있다.
상기 제2단계는 상기 1차 기판의 표면에 소수성 물질층을 형성한 후, 상기 소수성 물질층 위에 상기 친수성 물질층을 형성할 수 있다.
상기 제3단계는 상기 2차 플라스틱 기판에 접착력 강화 물질층을 형성하고, 상기 2차 플라스틱 기판을 임프린팅하여 상기 음각 패턴에 상기 패턴 박막을 눌러 고착할 수 있다.
상기 제3단계는 상기 2차 플라스틱 기판의 표면에 친수성 물질층을 형성한 후, 상기 친수성 물질층 위에 상기 접착력 강화 물질층을 형성할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 금속 그리드 메쉬 플라스틱 기판은 상기의 가열 롤 임프린팅 방법으로 제조될 수 있다.
이와 같이 본 발명의 일 실시예는, 1차 기판에 형성한 금속 전극용 박막을 가열 롤의 스탬프 몰드로 압축 분리하여 옮기고 스탬프 몰드에 선택된 패턴 박막을 2차 플라스틱 기판에 임프린팅 전사함으로써, 패턴 박막을 임프린팅한 후, 2차 플라스틱 기판에서 금속 전극물질 또는 금속 박막을 닦아내는 공정을 제거할 수 있다.
따라서 본 발명의 일 실시예에 따른 금속 그리드 메쉬 플라스틱 기판에서 금속 전극물질 또는 금속 박막을 닦아내는 공정이 제거되고, 이에 따른 흠집으로 인한 거칠기의 증가가 발생되지 않는다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 가열 롤 임프린팅 방법의 순서도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 제조되고 선택된 패턴 박막이 완전하게 전사된 금속 그리드 메쉬 플라스틱 기판의 상세도이다.
도 3은 선택된 패턴 박막이 불완전하게 전사된 금속 그리드 메쉬 플라스틱 기판의 상세도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 가열 롤 임프린팅 방법의 순서도이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 붙였다.
편의상, 이하에서, 가열 롤 임프린팅 방법과 이 방법으로 제조되는 금속 그리드 메쉬 플라스틱 기판에 대하여 같이 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 가열 롤 임프린팅 방법의 순서도이다. 도 1을 참조하면, 제1 실시예에 따른 가열 롤 임프린팅 방법은 1차 기판(1) 위에 금속 전극용 박막(2)을 형성하는 제1단계(ST1), 양각의 스탬프 몰드(3)를 구비한 가열 롤(4)로 금속 전극용 박막(2)을 압축 분리하여 선택된 패턴 박막(5)을 스탬프 몰드(3)에 옮기는 제2단계(ST2), 및 스탬프 몰드(3)로 2차 플라스틱 기판(6)을 임프린팅하여, 2차 플라스틱 기판(6)에 음각 패턴(P1)을 형성하면서 음각 패턴(P1)에 패턴 박막(5)을 눌러 고착하는 제3단계(ST3)를 포함한다.
이와 같이, 금속 전극용 박막(2)에서 선택되는 패턴 박막(5)이 1차 기판(1)에서 스탬프 몰드(3)를 거쳐서 2차 플라스틱 기판(6)으로 임프린팅 및 전사될 수 있도록, 패턴 박막(5)과 접착되는 대상의 접착력은 순차적으로 증가한다.
예를 들면, 1차 기판(1)과 금속 전극용 박막(2) 사이에 설정되는 접착력을 제1접착력(adhesive force)이라 하고, 금속 전극용 박막(2)에서 선택되어 분리되는 패턴 박막(5)과 스탬프 몰드(3) 사이에 설정되는 접착력을 제2접착력이라 하며, 패턴 박막(5)과 2차 플라스틱 기판(6) 사이에 설정되는 접착력을 제3접착력이라 한다.
이때, 제1접착력 보다 제2접착력이 더 크고, 제2접착력보다 제3접착력이 더 크다. 따라서 패턴 박막(5)은 1차 기판(1)에서 스탬프 몰드(3)를 경유하여 2차 플라스틱 기판(6)에 원활히 임프린팅 전사되어 고착될 수 있다. 패턴 박막(5)의 전사를 위하여, 제1, 제2, 제3접착력(adhesive force)의 조정 및 설정이 중요하다.
예를 들면, 제1단계(ST1)는 용액 공정으로 1차 기판(1)에 금속 전극물질을 코팅하여 금속 전극용 박막(2)을 형성할 수 있다. 이 경우, 제1단계(ST1)는 건조 공정을 통하여 1차 기판(1) 위에 코팅된 금속 전극용 박막(2)을 반건조 상태로 유지할 수 있다. 예를 들면, 금속 전극용 물질은 Ag, Al, Au 또는 Cu일 수 있다. 즉 금속 전극용 박막(2)은 Ag, Al, Au 또는 Cu로 형성될 수 있다.
용액 공정을 통하여 금속 전극용 박막을 형성하고 금속 전극용 박막을 완전히 건조하였거나, 증착 공정으로 금속 전극용 박막을 형성하고, 스탬프 몰드로 1차 기판을 압축하는 경우, 금속 전극용 박막에서 선택된 패턴 박막이 1차 기판으로부터 분리되지 않을 수 있다.
따라서 제1단계(ST1)는 1차 기판(1)에 금속 전극물질을 코팅하기 전에, 금속 전극물질과의 제1접착력이 낮은 기판을 1차 기판(1)으로 선택한다. 따라서 스탬프 몰드(3)로 1차 기판(1) 위의 금속 전극용 박막(2)을 압축하면, 선택된 패턴 박막(5)은 1차 기판(1) 및 금속 전극용 박막(2)으로부터 분리되어 스탬프 몰드(3)로 쉽게 이동될 수 있다.
제2단계(ST2)는 양각의 스탬프 몰드(3)를 구비한 가열 롤(4)을 1차 기판(1) 위로 가압 진행시킨다. 이때, 스탬프 몰드(3)는 1차 기판(1) 상의 금속 전극용 박막(2)을 압축하면서 선택된 패턴 박막(5)을 금속 전극용 박막(2)으로부터 분리한다. 즉 패턴 박막(5)은 1차 기판(1)에서 스탬프 몰드(3)로 이동된다.
제3단계(ST3)는 패턴 박막(5)을 부착하고 있는 스탬프 몰드(3)로 2차 플라스틱 기판(6)을 임프린팅한다(a, b). 이때, 스탬프 몰드(3)는 2차 플라스틱 기판(6)에 음각 패턴(P1)을 형성하면서 음각 패턴(P1)에 패턴 박막(5)을 눌러 고착한다(b, c). 따라서 2차 플라스틱 기판(6) 및 음각 패턴(P1) 및 패턴 박막(5)이 금속 그리드 메쉬 플라스틱 기판(7)을 완성한다(c).
이때, 음각 패턴(P1) 내에 배치되는 패턴 박막(5)의 표면은 2차 플라스틱 기판(6)의 표면보다 낮은 높이 차이(H)를 가진다. 이러한 패턴 박막(5)은 유기태양전지(organic photovoltaic cell; OPV) 등의 소자를 제작할 때, 아랫면에 구비되어도, 적어도 높이 차이(H)만큼 윗면 전극(미도시)과 더 멀어진 상태로 배치되므로 분로(shunt)나 단락(short-circuit)을 일으키지 않게 된다.
또한, 2차 플라스틱 기판(6)의 표면에는 금속 전극물질 또는 금속 박막이 잔류하지 않는다. 따라서 금속 그리드 메쉬 플라스틱 기판(7)을 제조함에 있어서, 2차 플라스틱 기판(6)으로부터 금속 전극물질 또는 금속 박막을 닦아내는 공정이 제거된다. 즉 금속 그리드 메쉬 플라스틱 기판(7)은 잔류하는 금속 전극물질 또는 금속 박막을 닦아내면서 발생할 수 있는 흠집이나 표면의 오염을 막을 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 제조되고 선택된 패턴 박막이 완전하게 전사된 금속 그리드 메쉬 플라스틱 기판(7)의 상세도이고, 도 3은 선택된 패턴 박막이 불완전하게 전사된 금속 그리드 메쉬 플라스틱 기판(8)의 상세도이다.
도 2 및 도 3는 동일한 금속 전극용 물질인 은(Ag)을 사용하여, 은 그리드 메쉬 플라스틱 기판(7, 8)을 제조하여 형성된 은 그리드 메쉬(P4, P5)에 대한 공초점 현미경 이미지(confocal microscopy image)이다.
도 2의 완전 전사된 은 그리드 메쉬(P4)에 비해, 도 3의 불완전 전사된 은 그리드 메쉬(P5)의 패턴은 끊어지고 벗겨져 있는 것을 시각적으로 확인할 수 있다.
패턴 박막(5), 즉 은 그리드 메쉬(P4)의 표면은 음각 패턴(P1)이 형성된 2차 플라스틱 기판(6)의 표면 보다 낮은 높이 차이(H)을 가진다. 따라서 2차 플라스틱 기판(6)의 표면에 다른 전극(미도시)을 더 형성하는 경우에도 다른 전극과 은 그리드 메쉬(P5)의 상호 단락이 효과적으로 방지될 수 있다.
표 1은 종래기술과 제1 실시예의 방법으로 제조된 은 그리드 메쉬 플라스틱 기판(7)의 투과도(%, @550nm)와 면저항(ohm/sq)을 나타낸다.
투과도
(%, @550 nm)		 면저항(ohm/sq)
금속 그리드 메쉬 제조방법 600 메쉬 800 메쉬 1000 메쉬 1200 메쉬 600-1200 메쉬
종래기술 83.8 85.8 89.5 90.0 4.8~7.8
제1 실시예 84.6 87.4 88.3 90.8 4.3~6.8
투과도와 면저항은 종래기술과 제1 실시예에서 큰 차이를 가지지 않는다. 가열 롤 임프린팅 방법으로 제조되는 금속 그리드 메쉬 플라스틱 기판은 그리드 메쉬의 폭 차이에 따라 투과도의 차이를 가진다.
종래기술은 임프린팅 된 은 그리드 메쉬(P5)의 폭이 가장 작은 600메쉬에서 83.8(%, @550nm)의 낮은 투과도를 가지고, 임프린팅 된 은 그리드 메쉬(P5)의 폭이 가장 큰 1200메쉬에서 90.0(%, @550nm)의 높은 투과도를 가진다. 종래기술에서 은 그리드 메쉬(P5)의 폭(간격)이 가장 작은 600메쉬에서 가장 큰 1200메쉬에 대하여 면저항이 4.8~7.8(ohm/sq)로 나타난다.
제1 실시예는 코팅된 은 그리드 메쉬(P4)의 폭이 가장 작은 600메쉬에서 84.6(%, @550nm)의 낮은 투과도를 가지고, 코팅된 은 그리드 메쉬(P5)의 폭이 가장 큰 1200메쉬에서 90.8(%, @550nm)의 높은 투과도를 가진다. 제1 실시예에서 은 그리드 메쉬(P4)의 폭(간격)이 가장 작은 600메쉬에서 가장 큰 1200메쉬에 대하여 면저항이 4.3~6.8(ohm/sq)로 나타난다.
이하 제2 실시예에 대하여 설명한다. 편의상 제1 실시예와 동일한 구성에 대하여 생략하고 서로 다른 구성에 대하여 설명한다
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 가열 롤 임프린팅 방법의 순서도이다. 도 4를 참조하면, 제1단계(S21)는 1차 기판(1)의 표면에 소수성 물질층(12)을 형성하고, 소수성 물질층(12) 위에 친수성 물질층(11)을 형성하여, 금속 전극용 박막(2)을 형성할 수 있다. 이때, 소수성 물질층(12)은 친수성 물질층(11) 및 이에 형성된 금속 전극용 박막(2)이 1차 기판(1)으로부터 원활히 분리될 수 있게 한다.
1차 기판(1) 위에 처리된 접착력이 낮은 소수성 물질층(12)의 표면은 수계의 금속 전극 용액을 사용할 경우, 코팅이 되지 않을 수 있다. 이때, 친수성 물질층(11)은 1차 기판(1)에 코팅된 소수성 물질층 표면에 친수성을 부여하므로 금속 전극용 박막(2)의 원활한 형성을 가능하게 한다.
예를 들면, 제1단계(S21)는 금속 전극용 박막(2)을 형성하기 위하여, 금속 패이스트인 수계용 은 패이스트를 이소프로필알콜(IPA; isopropyl alcohol)로 묽게 만든 용액을 사용할 수 있다.
제1단계(S21)는 접착력이 낮은 기판이나 또는 표면에서 금속 전극용 박막(2)이 잘 분리될 수 있도록 처리한 기판을 1차 기판(1)으로 선택하고, 은 패이스트를 바코터(bar-coater)로 코팅한 뒤에 금속 전극용 박막(2)을 손으로 만져 은 패이스트가 묻지 않을 정도로 반건조한다.
제2단계(S22)는 이와 같이, 반건조된 금속 전극용 박막(2)에 스탬프 몰드(3)를 구비한 가열 롤(4)로 임프린팅하면, 은 박막이 1차 기판(1)으로부터 분리되어, 스탬프 몰드(3)의 양각 부분에 패턴 박막(5)으로 형성된다.
1차 기판(1)에 소수성 물질층(12)과 친수성 물질층(11)이 구비된 경우, 패턴 박막(5)에 친수성 패턴(P11)과 소수성 패턴(P12)을 적층 구조로 형성할 수 있다. 친수성 패턴(P11)과 소수성 패턴(P12)은 각각 소수성 물질층(12)과 친수성 물질층(11)으로부터 분리되어, 패턴 박막(5)에 형성될 수 있다.
제3단계(ST23)는 2차 플라스틱 기판(6)에 접착력 강화 물질층(16)을 형성하고(a), 자외선 오존(UVO; ultraviolet ozone)으로 약 10분간 처리할 수 있다. 제3단계(ST23)는 2차 플라스틱 기판(6)을 임프린팅하여 음각 패턴(P1)에 패턴 박막(5)과 친수성 패턴(P11) 및 소수성 패턴(P12)을 눌러 고착한다(b, c). 즉 스탬프 몰드(3)에서 분리된 패턴 박막(5)(즉, 은 박막)과 친수성 패턴(P11) 및 소수성 패턴(P12)은 2차 플라스틱 기판(6)의 음각 패턴(P1) 내에 옮겨져 고착된다.
패턴 박막(5)이 2차 플라스틱 기판(6)에 완전히 전사될 수 있도록 2차 플라스틱 기판(6)으로 접착력이 높은 기판이 사용되거나, 기판 위에 접착력 강화 물질층(16)이 코팅될 수 있다.
또한 제3단계(ST23)는 물이나 알코올과 같은 용매로 2차 플라스틱 기판(6)에서 남은 접착력 강화 물질층(16)을 닦아내기 쉽도록 표면에 친수성 물질층(26)을 더 구비할 수 있다. 이 경우, 접착력 강화 물질층(16)은 친수성을 가지고 친수성 물질층(26) 상에 구비될 수 있다.
즉, 스탬프 몰드(3)에서 분리된 패턴 박막(5)과 친수성 패턴(P11) 및 소수성 패턴(P12)은 2차 플라스틱 기판(6)의 음각 패턴(P1)에 옮겨져 고착된다. 음각 패턴(P1) 내에는 선택된 친수성 패턴(P26)과 접착력 강화 물질 패턴(P16)이 배치되고, 그 위에 패턴 박막(5)과 친수성 패턴(P11) 및 소수성 패턴(P12)이 배치된다.
제3단계(ST23)는 2차 플라스틱 기판(6) 위에 잔류하는 접착력 강화 물질층(16) 및 친수성 물질층(26)(c 상태)을 제거하여 은 그리드 메쉬 플라스틱 기판(7)를 제조한다.
금속 전극용 박막(2)으로부터 분리되어 2차 플라스틱 기판(6)에 임프린팅 된 패턴 박막(5)은 2차 플라스틱 기판(6)을 세척하여 사용하거나 2차 플라스틱 기판(6) 위에 접착력 강화 물질층(16) 및 친수성 물질층(26)을 제거하여 사용할 경우에도 흠집이 발생되지 않는다.
즉 물이나 알코올과 같은 용매를 헝겊이나 티슈에 묻혀 2차 플라스틱 기판(6)을 닦아도 음각 패턴(P1)과 2차 플라스틱 기판(6)의 높이 차이(H)로 인하여 패턴 박막(5)에는 흠집이 생기기 않으면서 접착력 강화 물질층(16) 및 친수성 물질층(26)이 제거될 수 있다.
이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
1: 1차 기판 2: 금속 전극용 박막
3: 스탬프 몰드 4: 가열 롤
5: 패턴 박막 6: 2차 플라스틱 기판
7, 8: 금속(은) 그리드 메쉬 플라스틱 기판
11, 26: 친수성 물질층 12: 소수성 물질층
16: 접착력 강화 물질층 H: 높이 차이
P1: 음각 패턴 P4, P5: 은 그리드 메쉬
P11, P26: 친수성 패턴 P12: 소수성 패턴
P16: 접착력 강화 물질 패턴

Claims (10)

1차 기판 위에 금속 전극용 박막을 형성하는 제1단계;
양각의 스탬프 몰드를 구비한 가열 롤로 상기 금속 전극용 박막을 압축 분리하여 선택된 패턴 박막을 상기 스탬프 몰드에 옮기는 제2단계; 및
상기 스탬프 몰드로 2차 플라스틱 기판을 임프린팅하여, 음각 패턴을 형성하면서 상기 음각 패턴에 상기 패턴 박막을 눌러 고착하는 제3단계
를 포함하는 가열 롤 임프린팅 방법.
제1항에 있어서,
상기 1차 기판과 상기 금속 전극용 박막의 제1접착력(adhesive force),
상기 스탬프 몰드와 상기 패턴 박막의 제2접착력, 및
상기 2차 플라스틱 기판과 상기 패턴 박박의 제3접착력은
순차적으로 증가하는
가열 롤 임프린팅 방법.
제1항에 있어서,
상기 제1단계는
용액 공정으로 상기 1차 기판에 금속 전극물질을 코팅하여 상기 금속 전극용 박막을 형성하는 가열 롤 임프린팅 방법.
제3항에 있어서,
상기 제1단계는,
상기 1차 기판 위에 상기 금속 전극용 박막을 반건조 상태로 유지하는 가열 롤 임프린팅 방법.
제3항에 있어서,
상기 금속 전극용 물질은 Ag, Al, Au 및 Cu 중 어느 하나인 가열 롤 임프린팅 방법.
제1항에 있어서,
상기 제1단계는
상기 1차 기판에 친수성 물질층을 형성하고, 상기 금속 전극용 박막을 형성하는 가열 롤 임프린팅 방법.
제6항에 있어서,
상기 제2단계는,
상기 1차 기판의 표면에 소수성 물질층을 형성한 후, 상기 소수성 물질층 위에 상기 친수성 물질층을 형성하는 가열 롤 임프린팅 방법.
제1항에 있어서,
상기 제3단계는,
상기 2차 플라스틱 기판에 접착력 강화 물질층을 형성하고, 상기 2차 플라스틱 기판을 임프린팅하여 상기 음각 패턴에 상기 패턴 박막을 눌러 고착하는 가열 롤 임프린팅 방법.
제8항에 있어서,
상기 제3단계는,
상기 2차 플라스틱 기판의 표면에 친수성 물질층을 형성한 후, 상기 친수성 물질층 위에 상기 접착력 강화 물질층을 형성하는 가열 롤 임프린팅 방법.
2차 플라스틱 기판; 및
1차 기판에 형성되는 전극용 박막을 스탬프 몰드를 구비한 가열롤로 압축 분리하여 상기 스탬프 몰드에 선택된 패턴을 상기 스탬프 몰드로 2차 플라스틱 기판을 임프린팅하면서 형성되는 음각 패턴에 고착되는 패턴 박막
을 포함하는 가열 롤 임프린팅 방법으로 제조된 금속 그리드 메쉬 플라스틱 기판.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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