JP2009510261A - イオン性液体中でのセレンの電気化学沈着 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明による方法により、目的を達成した。
本発明は、少なくとも一つのイオン性液体中での基質への灰色セレンの電気化学沈着のための方法に関する。
R1’〜R4’は、各々互いに独立して、
水素、−CN、−OR’、−NR’2、−P(O)R’2、−P(O)(NR’2)2、−C(O)R’、
1〜20個のC原子を有する直鎖または分枝状アルキル、
2〜20個のC原子および1または2以上の二重結合を有する直鎖または分枝状アルケニル、
2〜20個のC原子および1または2以上の三重結合を有する直鎖または分枝状アルキニル、
3〜7個のC原子を有する、飽和、部分的にまたは完全に不飽和のシクロアルキル
を表し、これは、
1〜6個のC原子を有するアルキル基、
飽和、部分的にまたは完全に不飽和のヘテロアリール、
ヘテロアリール−C1〜C6アルキルまたはアリール−C1〜C6アルキルによって置換されていてもよく、
1または2以上の置換基R1’〜R4’は、部分的にまたは完全に、ハロゲン、特に−Fおよび/もしくは−Cl、または−OR’、−CN、−C(O)OH、−C(O)NR’2、−SO2NR’2、−C(O)X、−SO2OH、−SO2X、−NO2によって置換されていてもよいが、R1’およびR4’は、同時に完全にハロゲンによって置換されることはできず、置換基R1’〜R4’の1個または2個の隣接せずヘテロ原子に結合しない炭素原子は、−O−、−S−、−S(O)−、−SO2−、−C(O)−、−N+R’2−、−C(O)NR’−、−SO2NR’−、−P(O)(NR’2)NR’−、−PR’2=N−、または−P(O)R’−から選択される原子および/または原子団によって置換されてもよく、R’=H、フッ素化されていないか部分的にまたは完全にフッ素化されたC1〜C6アルキル、C3〜C7シクロアルキル、無置換または置換されたフェニルであり、X=ハロゲンである。
C1〜C12−アルキル基は、例えば、メチル、エチル、イソプロピル、プロピル、ブチル、sec−ブチルもしくはtert−ブチル、さらにまた、ペンチル、1−,2−もしくは3−メチルブチル、1,1−、1,2−もしくは2,2−ジメチルプロピル、1−エチルプロピル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシルまたはドデシルである。必要に応じて、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、ヘプタフルオロプロピルまたはノナフルオロブチルである。
−OCH3、−OCH(CH3)2、−CH2OCH3、−CH2−CH2−O−CH3、−C2H4OCH(CH3)2、−C2H4SC2H5、−C2H4SCH(CH3)2、−S(O)CH3、−SO2CH3、−SO2C6H5、−SO2C3H7、−SO2CH(CH3)2、−SO2CH2CF3、−CH2SO2CH3、−O−C4H8−O−C4H9、−CF3、−C2F5、−C3F7、−C4F9、−C(CF3)3、−CF2SO2CF3、−C2F4N(C2F5)C2F5、−CHF2、−CH2CF3、−C2F2H3、−C3FH6、−CH2C3F7、−C(CFH2)3、−CH2C(O)OH、−CH2C6H5またはP(O)(C2H5)2である。
1−ブチル−1−メチルピロリジニウム トリフルオロメタンスルホネート、
1−ブチル−1−メチルピロリジニウム ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、
1−ブチル−1−メチルピロリジニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェート、
1−ヘキシル−1−メチルピロリジニウム トリフルオロメタンスルホネート、
1−ヘキシル−1−メチルピロリジニウム ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、
1−ヘキシル−1−メチルピロリジニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェート、
1−メチル−1−オクチルピロリジニウム ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、
1−メチル−1−オクチルピロリジニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェート、
1−(2−ヒドロキシエチル)−3−メチルイミダゾリウム トリフルオロメタンスルホネート、
1−(2−ヒドロキシエチル)−3−メチルイミダゾリウム ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド、または
1−(2−ヒドロキシエチル)−3−メチルイミダゾリウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェートである。
このことは、イオン性液体中でのセレン塩の溶解によって行ってもよい。
最終的に、層厚さは、電流および時間を介して設定される。
図4は、150℃で、プラチナにおいて、SeCl4/BMP Tf2N[BMP Tf2N中、0.1mol/lのSeCl4]から沈着したセレンのX線回析パターンを示す(XRD=X線回析、X線としてコバルトKα)。
好適な基質は、例えば、全てのカテゴリーから選択することができ、例えば非金属、半金属、金属、金属合金、導電性もしくは金属化セラミック、または導電性もしくは金属化プラスチックが可能である。
好ましい半金属は、例えばシリコンである。
好ましい金属は、例えば、金、プラチナ、銅、鉄、コバルト、ニッケルまたはモリブデンである。
好ましい金属合金は、例えば、非常に広範な鋼またはニッケル合金である。
沈着のための詳細な条件および好適なイオン性液体、ならびに被覆された基質の後処理は、上に記載する注記において明らかである。
さらなる注記がなくとも、当業者は、上の記載を、最も広い範囲において利用することができることが理解される。したがって、好ましい態様および例は、説明的開示としてのみ見なされるべきであって、決して限定するものではない。
Princeton Applied Research(EG&G)PAR 2263ポテンシオスタット/ガルバノスタットを用いて、電気化学測定を行った。
一般に、あらゆるポテンシオスタットおよびあらゆる定電流源ならびに電源が、パルス発生器を用いるまたは用いない各々の場合において、好適である。
イオン性液体1−ブチル−1−メチルピロリジニウム ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド中のSeCl4の溶液を調製し、室温で、保護性ガス雰囲気下において、3電極測定セル中へ移した。例えば、A.J.Bard and L.R.Faulkner,Electrochemical Methods,Wileyにおいて記載されるような、代表的な3電極測定セルを用いた。
3電極測定セルは、作用電極(陽極)として金電極を有し、プラチナ線が、準標準電極および対電極として働く。
電位は、プラチナ準標準に対して−1500mVに設定する。
セレンの沈着は、−1000mVで開始する。
イオン性液体1−ブチル−1−メチルピロリジニウム ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド中0.25モルのSeBr4の溶液を例1と同様に調製し、室温で、保護性ガス雰囲気下において、3電極測定セル中へ移動した。例えば、A.J.Bard and L.R.Faulkner,Electrochemical Methods,Wileyにおいて記載されるような、代表的な3電極測定セルを用いた。
3電極測定セルは、作用電極(陽極)としてプラチナ電極を有し、プラチナ線が、準標準電極および対電極として働く。
電位は、プラチナ準標準に対して−1500mVに設定する。
セレンの沈着は、−1000mVで開始する。
イオン性液体1−ブチル−1−メチルピロリジニウム ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド中0.25モルのSeBr4の溶液を、例1と同様に調製し、室温で、保護性ガス雰囲気下において、3電極測定セル中へ移動した。例えば、A.J.Bard and L.R.Faulkner,Electrochemical Methods,Wileyにおいて記載されるような、代表的な3電極測定セルを用いた。
3電極測定セルは、作用電極(陽極)としてインジウム電極を有し、プラチナ線が、準標準電極および対電極として働く。
電位は、プラチナ準標準に対して−1500mVに設定する。
セレンの沈着は、−1000mVで開始する。
Claims (12)
- 少なくとも1つのイオン性液体中での基質への灰色セレンの電気化学沈着のための方法。
- 請求項1に記載の方法であって、イオン性液体が少なくとも1つのテトラアルキルアンモニウムまたはテトラアルキルホスホニウムのカチオンを有し、ここで、アルキル基は、各々互いに独立して、1〜10個のC原子または
式中、
R1’〜R4’は、各々互いに独立して、水素、−CN、−OR’、−NR’2、−P(O)R’2、−P(O)(NR’2)2、−C(O)R’、
1〜20個のC原子を有する直鎖または分枝状アルキル、
2〜20個のC原子および1または2以上の二重結合を有する直鎖または分枝状アルケニル、
2〜20個のC原子および1または2以上の三重結合を有する直鎖または分枝状アルキニル、
3〜7個のC原子を有する、飽和、部分的にまたは完全に不飽和のシクロアルキル
を表し、これは、1〜6個のC原子を有するアルキル基、飽和、部分的にまたは完全に不飽和のヘテロアリール、ヘテロアリール−C1〜C6アルキルまたはアリール−C1〜C6アルキルによって置換されていてもよく、
置換基R1’、R2’、R3’、および/またはR4’はまた、ともに環系を形成してもよく、
1または2以上の置換基R1’〜R4’は、部分的にまたは完全に、ハロゲン、特に−Fおよび/もしくは−Cl、または−OR’、−CN、−C(O)OH、−C(O)NR’2、−SO2NR’2 、−C(O)X、−SO2OH、−SO2X、−NO2によって置換されていてもよいが、R1’およびR4’は、同時に完全にハロゲンによって置換されることはできず、置換基R1’〜R4’の1個または2個の隣接せずヘテロ原子に結合しない炭素原子は、−O−、−S−、−S(O)−、−SO2−、−C(O)−、−N+R’2−、−C(O)NR’−、−SO2NR’−、−P(O)(NR’2)NR’−、−PR’2=N−、または−P(O)R’−から選択される原子および/または原子団によって置換されてもよく、R’=H、フッ素化されていないか部分的にまたは完全にフッ素化されたC1〜C6アルキル、C3〜C7シクロアルキル、無置換または置換されたフェニルであり、X=ハロゲンである、前記方法。 - イオン性液体が、少なくとも1つのテトラアルキルアンモニウム、テトラアルキルホスホニウム−、1,1−ジアルキルピロリジニウム、1−ヒドロキシアルキル−1−アルキルピロリジニウム、1−ヒドロキシアルキル−3−アルキルイミダゾリウム、または1,3−ビス(ヒドロキシアルキル)イミダゾリウムのカチオンを含有し、ヒドロキシアルキル基のアルキル基またはアルキレン鎖は、各々互いに独立して、1〜10個のC原子を有する、請求項1または2に記載の方法。
- イオン性液体が、陰極ブランチのフェロセン/フェロシニウムに対して0mV〜−3500mV、陽極ブランチのフェロセン/フェロシニウムに対して0mV〜+3500mVの電気化学窓を有する、請求項1〜3のいずれかに記載の方法。
- イオン性液体のアニオンが、PF6、BF4、硫酸アルキル、ペルフルオロアルキルスルホネート、ペルフルオロアセテート、ビス(フルオロスルホニル)イミド、ビス(ペルフルオロアルキルスルホニル)イミド、トリス(ペルフルオロアルキル)トリフルオロホスフェート、ビス(ペルフルオロアルキル)テトラフルオロホスフェート、トリス(ペルフルオロアルキルスルホニル)メチドまたはペルフルオロアルキルボラートの群から選択される、請求項1〜4のいずれかに記載の方法。
- カチオンが、以下の群より選択される、請求項1〜5のいずれかに記載の方法:直鎖または分枝状の、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラプロピルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、テトラペンチルアンモニウム、テトラヘキシルアンモニウム、テトラヘプチルアンモニウム、テトラオクチルアンモニウム、テトラノニルアンモニウム、テトラデシルアンモニウム、トリメチルアルキルアンモニウム、トリメチル(エチル)アンモニウム、トリエチル(メチル)アンモニウム、トリヘキシルアンモニウム、メチル(トリオクチル)アンモニウム、テトラメチルホスホニウム、テトラエチルホスホニウム、テトラプロピルホスホニウム、テトラブチルホスホニウム、テトラペンチルホスホニウム、テトラヘキシルホスホニウム、テトラヘプチルホスホニウム、テトラオクチルホスホニウム、テトラノニルホスホニウム、テトラデシルホスホニウム、トリヘキシルテトラデシルホスホニウム、トリイソブチル(メチル)ホスホニウム、トリブチル(エチル)ホスホニウム、トリブチル(メチル)ホスホニウム、1,1−ジメチルピロリジニウム、1−メチル−1−エチルピロリジニウム、1−メチル−1−プロピルピロリジニウム、1−メチル−1−ブチルピロリジニウム、1−メチル−1−ペンチルピロリジニウム、1−メチル−1−ヘキシルピロリジニウム、1−メチル−1−ヘプチルピロリジニウム、1−メチル−1−オクチルピロリジニウム、1−メチル−1−ノニルピロリジニウム、1−メチル−1−デシルピロリジニウム、1,1−ジエチルピロリジニウム、1−エチル−1−プロピルピロリジニウム、1−エチル−1−ブチルピロリジニウム、1−エチル−1−ペンチルピロリジニウム、1−エチル−1−ヘキシルピロリジニウム、1−エチル−1−ヘプチルピロリジニウム、1-エチル−1−オクチルピロリジニウム、1−エチル−1−ノニルピロリジニウム、1−エチル−1−デシルピロリジニウム、1,1−ジプロピルピロリジニウム、1−プロピル−1−ブチルピロリジニウム、1−プロピル−1−ペンチルピロリジニウム、1−プロピル−1−ヘキシルピロリジニウム、1−プロピル−1−ヘプチルピロリジニウム、1−プロピル−1−オクチルピロリジニウム、1−プロピル−1−ノニルピロリジニウム、1−プロピル−1−デシルピロリジニウム、1,1−ジブチルピロリジニウム、1−ブチル−1−ペンチルピロリジニウム、1−ブチル−1−ヘキシルピロリジニウム、1−ブチル−1−ヘプチルピロリジニウム、1−ブチル−1−オクチルピロリジニウム、1−ブチル−1−ノニルピロリジニウム、1−ブチル−1−デシルピロリジニウム、1,1−ジペンチルピロリジニウム、1−ペンチル−1−ヘキシルピロリジニウム、1−ペンチル−1−ヘプチルピロリジニウム、1−ペンチル−1−オクチルピロリジニウム、1−ペンチル−1−ノニルピロリジニウム、1−ペンチル−1−デシルピロリジニウム、1,1−ジヘキシルピロリジニウム、1−ヘキシル−1−ヘプチルピロリジニウム、1−ヘキシル−1−オクチルピロリジニウム、1−ヘキシル−1−ノニルピロリジニウム、1−ヘキシル−1−デシルピロリジニウム、1,1−ジヘキシルピロリジニウム、1−ヘキシル−1−ヘプチルピロリジニウム、1−ヘキシル−1−オクチルピロリジニウム、1−ヘキシル−1−ノニルピロリジニウム、1-ヘキシル−1−デシルピロリジニウム、1,1−ジヘプチルピロリジニウム、1−ヘプチル−1−オクチルピロリジニウム、1−ヘプチル−1−ノニルピロリジニウム、1−ヘプチル−1−デシルピロリジニウム、1,1−ジオクチルピロリジニウム、1−オクチル−1−ノニルピロリジニウム、1−オクチル−1−デシルピロリジニウム、1−1−ジノニルピロリジニウム、1−ノニル−1−デシルピロリジニウム、または1,1−ジデシルピロリジニウム、1−ヒドロキシメチル−1−メチルピロリジニウム、1−ヒドロキシメチル−1−エチルピロリジニウム、1−ヒドロキシメチル−1−プロピルピロリジニウム、1−ヒドロキシメチル−1−ブチルピロリジニウム、1−(2−ヒドロキシエチル)−1−メチルピロリジニウム、1−(2−ヒドロキシエチル)−1−エチルピロリジニウム、1−(2−ヒドロキシエチル)−1−プロピルピロリジニウム、1−(2−ヒドロキシエチル)−1−ブチルピロリジニウム、1−(3−ヒドロキシプロピル)−1−メチルピロリジニウム、1−(3−ヒドロキシプロピル)−1−エチルピロリジニウム、1−(3−ヒドロキシプロピル)−1−プロピルピロリジニウム、1−(3−ヒドロキシプロピル)−1−ブチルピロリジニウム、1−(4−ヒドロキシブチル)−1−メチルピロリジニウム、1−(4−ヒドロキシブチル)−1−エチルピロリジニウム、1−(4−ヒドロキシブチル)−1−プロピルピロリジニウム、または1−(4−ヒドロキシブチル)−1−ブチルピロリジニウム、1−(1−ヒドロキシメチル)−3−メチルイミダゾリウム、1−(1−ヒドロキシメチル)−3−エチルイミダゾリウム、1−(1−ヒドロキシメチル)−3−プロピルイミダゾリウム、1−(1−ヒドロキシメチル)−3−ブチルイミダゾリウム、1−(2−ヒドロキシエチル)−3−メチルイミダゾリウム、1−(2−ヒドロキシエチル)−3−エチルイミダゾリウム、1−(2−ヒドロキシエチル)−3−プロピルイミダゾリウム、1−(2−ヒドロキシエチル)−3−ブチルイミダゾリウム、1−(3−ヒドロキシプロピル)−3−メチルイミダゾリウム、1−(3−ヒドロキシプロピル)−3−エチルイミダゾリウム、1−(3−ヒドロキシプロピル)−3−プロピルイミダゾリウム、1−(3−ヒドロキシプロピル)−3−ブチルイミダゾリウム、1−(4−ヒドロキシブチル)−3−メチルイミダゾリウム、1−(4−ヒドロキシブチル)−3−エチルイミダゾリウム、1−(4−ヒドロキシブチル)−3−プロピルイミダゾリウム、1−(4−ヒドロキシブチル)−3−ブチルイミダゾリウム、1,3−ビス(1−ヒドロキシメチル)イミダゾリウム、1,3−ビス(2−ヒドロキシエチル)イミダゾリウム、1,3−ビス(3−ヒドロキシプロピル)イミダゾリウム、1,3−ビス(4−ヒドロキシブチル)イミダゾリウム、1−(2−ヒドロキシエチル)−3−(1−ヒドロキシメチル)イミダゾリウム、1−(2−ヒドロキシエチル)−3−(3−ヒドロキシプロピル)イミダゾリウム、1−(2−ヒドロキシエチル)−3−(4−ヒドロキシブチル)イミダゾリウム、1−(3−ヒドロキシプロピル)−3−(1−ヒドロキシメチル)イミダゾリウム、1−(3−ヒドロキシプロピル)−3−(2−ヒドロキシエチル)イミダゾリウム、1−(3−ヒドロキシプロピル)−3−(4−ヒドロキシブチル)イミダゾリウム、1−(4−ヒドロキシブチル)−3−(1−ヒドロキシメチル)イミダゾリウム、1−(4−ヒドロキシブチル)−3−(2−ヒドロキシエチル)イミダゾリウム、または1−(4−ヒドロキシブチル)−3−(3−ヒドロキシプロピル)イミダゾリウム。
- セレンイオンがイオン性液体中で溶解された形態である、請求項1〜6のいずれかに記載の方法。
- セレンイオンがセレン塩の溶解によって生成される、請求項1〜7のいずれかに記載の方法。
- 基質が、非金属、半金属、金属、金属合金、または導電性および/もしくは金属化セラミック、または導電性および/もしくは金属化プラスチックである、請求項1〜8のいずれかに記載の方法。
- 10℃〜230℃の間の温度で行われる、請求項1〜9のいずれかに記載の方法。
- 請求項1〜10のいずれかに記載の方法によって被覆された基質。
- 基質への灰色セレンの沈着のためのイオン性液体の使用。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102005046908A DE102005046908A1 (de) | 2005-09-30 | 2005-09-30 | Elektrochemische Abscheidung von Selen in ionischen Flüssigkeiten |
PCT/EP2006/008631 WO2007039035A1 (de) | 2005-09-30 | 2006-09-05 | Elektrochemische abscheidung von selen in ionischen flüssigkeiten |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009510261A true JP2009510261A (ja) | 2009-03-12 |
JP2009510261A5 JP2009510261A5 (ja) | 2009-11-05 |
Family
ID=37575197
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008532621A Pending JP2009510261A (ja) | 2005-09-30 | 2006-09-05 | イオン性液体中でのセレンの電気化学沈着 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080210566A1 (ja) |
EP (1) | EP1951934B1 (ja) |
JP (1) | JP2009510261A (ja) |
AT (1) | ATE440157T1 (ja) |
DE (2) | DE102005046908A1 (ja) |
TW (1) | TW200728516A (ja) |
WO (1) | WO2007039035A1 (ja) |
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EP1951934B1 (de) | 2009-08-19 |
TW200728516A (en) | 2007-08-01 |
ATE440157T1 (de) | 2009-09-15 |
EP1951934A1 (de) | 2008-08-06 |
DE102005046908A1 (de) | 2007-04-05 |
DE502006004616D1 (de) | 2009-10-01 |
WO2007039035A1 (de) | 2007-04-12 |
US20080210566A1 (en) | 2008-09-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20081023 |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A02 | Decision of refusal |
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