JP2009506554A - 有機デバイス用のカプセル化電極 - Google Patents
有機デバイス用のカプセル化電極 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009506554A JP2009506554A JP2008528221A JP2008528221A JP2009506554A JP 2009506554 A JP2009506554 A JP 2009506554A JP 2008528221 A JP2008528221 A JP 2008528221A JP 2008528221 A JP2008528221 A JP 2008528221A JP 2009506554 A JP2009506554 A JP 2009506554A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- organic
- photoconductive
- optoelectronic device
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 157
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 157
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 105
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 75
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 75
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 70
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims abstract description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 57
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 48
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 claims description 25
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 24
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 23
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 22
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 19
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 13
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 7
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 claims description 4
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 111
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 43
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 38
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 17
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 12
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 12
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 10
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 8
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 7
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 6
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 5
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical group N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 description 3
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000013086 organic photovoltaic Methods 0.000 description 3
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 238000000935 solvent evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 210000002457 barrier cell Anatomy 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003306 harvesting Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004776 molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005325 percolation Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920002959 polymer blend Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/81—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/88—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
- H10K39/10—Organic photovoltaic [PV] modules; Arrays of single organic PV cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
- H10K39/10—Organic photovoltaic [PV] modules; Arrays of single organic PV cells
- H10K39/12—Electrical configurations of PV cells, e.g. series connections or parallel connections
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/20—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising organic-organic junctions, e.g. donor-acceptor junctions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
- H10K39/30—Devices controlled by radiation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】有機感光性オプトエレクトロニクスデバイスは、その電極によってカプセル化される(封入される)有機光伝導性材料内に形成される。透明基板上に堆積される第1導電性材料を含む第1透明膜が提供される。第1導電性材料上に第1光導電性有機材料が配置される。金属が第1光導電性有機材料上を1nm/秒以下の初速度で堆積され、第1光導電性有機材料のいかなる露出部分および露出された該第1光導電性有機材料とのいかなる界面部分を厚み10nm以上で完全に被覆する。10nm以上の厚みが得られた後、第1光導電性有機材料の露出されていた部分および露出されていた該第1光導電性有機材料との界面部分を完全に覆う金属の累積厚みが少なくとも250nmになるまで、少なくとも初速度の3倍に増加された速度でスパッタする。
【選択図】図9D
Description
請求項に記載された発明は、共同大学法人研究契約にかかる次の1以上の団体:プリンストン大学、サザンカリフォルニア、グローバルフォトニックエナジーコーポレーションのため、および/または、これらに関連してなされたものである。契約は請求項に記載された発明がなされたときまたはそれ依然から効力を発揮し、請求項に記載された発明は契約の範囲内の活動の結果としてなされたものである。
有機感光性デバイスは、続けて電子と正孔に分離する励起子を生成するために光が吸収される少なくとも一つの光活性領域を有する。図2は、光活性領域150がドナー−アクセプタヘテロ接合を有する有機感光性オプトエレクトロニクスデバイス100の実施形態を示す。「光活性領域」は、電流を生成するために分離する励起子を生成するために電磁放射を吸収する感光性デバイスの一部である。デバイス100は、基板110の上に、アノード120、アノード平滑化層122、ドナー152、アクセプタ154、励起子ブロック層(EBL)156およびカソード170を有する。
単一セルの感光性デバイスおよび連続して積層された感光性デバイスは上述の方法および構造を用いて容易に(なぜなら、中間に電極がないので)形成される一方で、図8に示すようなパラレルなタンデムデバイスにカプセル化した電極を加えることは、カプセルに入れられたスタックの外部に電気的接続を必要とする。一旦有機層の堆積が始まると、紫外線(たとえば、フォトリソグラフィ)、エッチング液などの有機分子にダメージを与えるものを用いるパターニング工程を回避することが好ましい。したがって、そのようなプロセスを必要とするパターニングステップは、第1有機層の堆積の前に、好ましくは実行される。
図21Fにおいて、透明導電体964が堆積され、透明導電体920に接触せずに、導体962への電気的接続を形成する。透明導電体964は、金属代替物または薄い金属フィルムのいずれでもよい。
8 励起子、
100 有機感光性オプトエレクトロニクスデバイス、
110 基板、
120 アノード、
122 アノード平滑化層、
150 光活性領域、
152 ドナー、
153 混合ヘテロ接合、
154 アクセプタ、
156 ブロック層、
170 カソード、
190 構成、
252 ドナー材料、
254 アクセプタ材料、
300 有機感光性オプトエレクトロニクスデバイス、
320 透明コンタクト、
350 光活性領域、
358 有機光伝導性層、
370 ショットキーコンタクト、
400 デバイス、
460 中間伝導層、
461 再結合中心、
500 デバイス、
920 底部電極、
921 金属ライン、
930 犠牲マスク、
931 犠牲マスク、
940 絶縁体、
941 不導体材料、
942 非導電材料、
950 有機光導電層、
960 導体、
962 導体、
964 透明導電体、
970 カプセル化電極、
970 金属、
971 金属、
972 金属層、
980 溝。
Claims (22)
- 透明基板上に配置され、第1電気導電材料を含む第1透明フィルムを提供し、
第1電気導電材料上に第1光伝導性有機材料を堆積し、
前記第1光伝導性有機材料上に、1nm/s以下の初速度で第1金属を堆積し、厚みが10nm以上になるまで、前記第1光伝導性有機材料のあらゆる露出部分と、前記第1光伝導性有機材料とのあらゆる露出された界面を、完全に被覆し、
10nm以上の厚みが得られた後、初速度の少なくとも3倍に増加された速度で第2金属をスパッタリングし、前記第1光伝導性有機材料の以前に露出されていた部分と、前記第1光伝導性有機材料との以前に露出されていた界面とを完全に被覆する第1および第2金属の累積厚みを少なくとも250nmにする有機感光性光電子デバイス形成方法。 - 1nm/s以下の初速度での第1金属の堆積は、スパッタリングによって実行される請求項1に記載の有機感光性光電子デバイス形成方法。
- 初速度から増加した速度への移行は、連続的な中断されないスパッタリングプロセスとして実行される請求項2に記載の有機感光性光電子デバイス形成方法。
- 初速度から増加した速度への移行は、第1金属の厚みが30nm以上になったときに起こる請求項3に記載の有機感光性光電子デバイス形成方法。
- 1nm/s以下の初速度での第1金属の堆積は、熱真空堆積により実行される請求項1に記載の有機感光性光電子デバイス形成方法。
- 増加された速度は、1から10nm/sの範囲である請求項1に記載の有機感光性光電子デバイス形成方法。
- 初速度で堆積された第1金属との累積厚みが250nmから2.5μmの間になるまで、第2金属は増加された速度でスパッタリングされる請求項1に記載の有機感光性光電子デバイス形成方法。
- 累積厚みが250nmから2.5μmの間の第1および第2金属は、共に、浸透性が、H2Oに対して5×10−6g/m2/日(25℃)以下で、O2に対して5×10−6cm3/m2/日/atm(25℃)以下である請求項7に記載の有機感光性光電子デバイス形成方法。
- 浸透性は、H2Oに対して1×10−6g/m2/日(25℃)以下で、O2に対して1×10−6cm3/m2/日/atm(25℃)以下である請求項8に記載の有機感光性光電子デバイス形成方法。
- 第1および第2金属と前記第1光伝導性有機材料とは、1cm2以上の相互に被覆しない連続的な領域がある請求項1に記載の有機感光性光電子デバイス形成方法。
- 第1および第2金属と前記第1光伝導性有機材料とは、10cm2以上の相互に被覆しない連続的な領域がある請求項10に記載の有機感光性光電子デバイス形成方法。
- 前記第1光伝導性有機材料を堆積する前に、さらに、非導電材料を堆積し、パターニングする請求項1に記載の有機感光性光電子デバイス形成方法。
- 非導電材料が、第1導電材料と重なり、第1導電材料の一部が、前記第1光伝導性有機材料の以前に露出されていた部分を被覆する第1および第2金属から電気的に絶縁された配線コンタクトを提供するために、非導電材料の下方から伸延する請求項12に記載の有機感光性光電子デバイス形成方法。
- 前記第1光伝導性有機材料の堆積の前に、第1導電材料から電気的に絶縁されるように配置される第2導電材料を提供し、
前記第1光伝導性有機材料の堆積の前に、第2導電材料上の非導電材料を堆積およびパターニングし、
前記第1光伝導性有機材料上に第3導電材料を含む第2透明フィルムを堆積し、ここで、第3導電材料の一部が第2導電材料と物理的に接触し、第3導電材料が第1導電材料から電気的に絶縁されるように堆積されており、
第3導電材料を含む前記第2透明フィルム上に第2光伝導性有機材料を堆積し、
ここで、第1および第2金属も、前記第2光伝導性有機材料のあらゆる露出部分と、前記第2光伝導性有機材料とのあらゆる露出された界面を完全に被覆し、第1導電材料に電気的に接続され第2および第3導電材料から電気的に絶縁される第1および第2光伝導性有機材料の以前に露出されていた部分を第1および第2金属が被覆する請求項1に記載の有機感光性光電子デバイス形成方法。 - 第1導電材料および第2導電材料は、同じ材料である請求項14に記載の有機感光性光電子デバイス形成方法。
- 第1有機材料上に第2光伝導性有機材料を堆積することをさらに含み、第1および第2が平面、バルク、またはハイブリッドドナー−アクセプタヘテロ接合を形成し、前記第2光伝導性有機材料のあらゆる露出部分と前記第2光伝導性有機材料とのあらゆる露出された界面を第1および第2金属が完全に被覆する請求項1に記載の有機感光性光電子デバイス形成方法。
- 第2光伝導性有機材料を第1有機材料と共に堆積することをさらに含み、第1および第2が混合、バルク、またはハイブリッドドナー−アクセプタヘテロ接合を形成し、前記第2光伝導性有機材料のあらゆる露出部分と前記第2光伝導性有機材料とのあらゆる露出された界面を、第1および第2金属が完全に被覆する請求項1に記載の有機感光性光電子デバイス形成方法。
- 第1金属および第1光伝導性有機材料は、ショットキーバリアヘテロ接合を形成する請求項1に記載の有機感光性光電子デバイス形成方法。
- 複数の近接したセルを透明基板上に形成するために、第1金属の堆積および第2金属のスパッタリングの間、シャドウマスキングすることをさらに有し、各セルは、第1光伝導性有機材料を含む少なくとも1つの光活性領域を含み、直列に電気的に接続されている請求項1に記載の有機感光性光電子デバイス形成方法。
- 複数の近接したセルを透明基板上に形成するために、第1金属の堆積および第2金属をレーザエッチングすることをさらに有し、各セルは、第1光伝導性有機材料を含む少なくとも1つの光活性領域を含み、直列に電気的に接続されている請求項1に記載の有機感光性光電子デバイス形成方法。
- 第1金属および第2金属は同じ材料である請求項1に記載の有機感光性光電子デバイス形成方法。
- 第1金属および第2金属は異なる材料である請求項1に記載の有機感光性光電子デバイス形成方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/211,656 | 2005-08-26 | ||
US11/211,656 US8058093B2 (en) | 2005-08-26 | 2005-08-26 | Method of forming an encapsulating electrode |
PCT/US2006/033323 WO2007025188A1 (en) | 2005-08-26 | 2006-08-25 | Encapsulating electrode for organic device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009506554A true JP2009506554A (ja) | 2009-02-12 |
JP5118041B2 JP5118041B2 (ja) | 2013-01-16 |
Family
ID=37454264
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008528221A Expired - Fee Related JP5118041B2 (ja) | 2005-08-26 | 2006-08-25 | 有機デバイス用のカプセル化電極 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8058093B2 (ja) |
EP (1) | EP1929558B1 (ja) |
JP (1) | JP5118041B2 (ja) |
CN (1) | CN101300690B (ja) |
AR (1) | AR059560A1 (ja) |
ES (1) | ES2382817T3 (ja) |
HK (1) | HK1124171A1 (ja) |
TW (1) | TWI422087B (ja) |
WO (1) | WO2007025188A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012517091A (ja) * | 2009-02-05 | 2012-07-26 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 封止されたエレクトロルミネセント装置 |
WO2016186166A1 (ja) * | 2015-05-19 | 2016-11-24 | ローム株式会社 | 有機薄膜太陽電池モジュール、電子機器および有機薄膜太陽電池モジュールの製造方法 |
JP2017168798A (ja) * | 2015-05-19 | 2017-09-21 | ローム株式会社 | 有機薄膜太陽電池モジュール、電子機器および有機薄膜太陽電池モジュールの製造方法 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI355106B (en) * | 2007-05-07 | 2011-12-21 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | Organic photodetector and fabricating method of or |
US8917396B2 (en) | 2008-07-25 | 2014-12-23 | Centre National de la Recherche Scientifique—CNRS | Fourier transform spectrometer with a frequency comb light source |
FR2934417B1 (fr) * | 2008-07-25 | 2010-11-05 | Centre Nat Rech Scient | Composants electroniques a encapsulation integree |
WO2010093237A1 (en) * | 2009-02-11 | 2010-08-19 | Nederlandse Organisatie Voor Toegepast- Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno | Optoelectronic device and method for fabricating such device |
US20120285521A1 (en) * | 2011-05-09 | 2012-11-15 | The Trustees Of Princeton University | Silicon/organic heterojunction (soh) solar cell and roll-to-roll fabrication process for making same |
US20140338721A1 (en) * | 2011-09-13 | 2014-11-20 | Donald G. Parent | Photovoltaic textiles |
US9054316B2 (en) | 2012-02-08 | 2015-06-09 | Joled Inc. | Method of manufacturing organic EL element and organic EL element |
JP5537636B2 (ja) * | 2012-11-16 | 2014-07-02 | 株式会社東芝 | 太陽電池及び太陽電池モジュール |
JP2015012239A (ja) * | 2013-07-01 | 2015-01-19 | ソニー株式会社 | 撮像素子および電子機器 |
DE102014104229B4 (de) * | 2014-03-26 | 2023-05-04 | Pictiva Displays International Limited | Organisches optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines organischen optoelektronischen Bauelements |
JP6053221B1 (ja) | 2015-10-20 | 2016-12-27 | 住友化学株式会社 | 有機el素子及びその製造方法 |
JP6666285B2 (ja) * | 2017-03-03 | 2020-03-13 | 株式会社東芝 | 放射線検出器 |
CN110854300A (zh) * | 2019-11-27 | 2020-02-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置、显示面板及其制造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002523904A (ja) * | 1998-08-19 | 2002-07-30 | ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ | 有機感光性光電子装置 |
WO2004057674A2 (en) * | 2002-12-20 | 2004-07-08 | Cambridge Display Technology Limited | Electrical connection of optoelectronic devices |
WO2004061992A1 (en) * | 2002-12-19 | 2004-07-22 | 3M Innovative Properties Company | Organic electroluminescent device and fabrication method thereof |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5047687A (en) | 1990-07-26 | 1991-09-10 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent device with stabilized cathode |
US5273608A (en) | 1990-11-29 | 1993-12-28 | United Solar Systems Corporation | Method of encapsulating a photovoltaic device |
US5952778A (en) | 1997-03-18 | 1999-09-14 | International Business Machines Corporation | Encapsulated organic light emitting device |
TW432896B (en) * | 1997-10-15 | 2001-05-01 | Siemens Ag | Preparation of organic electroluminescencizing elements |
GB9808061D0 (en) * | 1998-04-16 | 1998-06-17 | Cambridge Display Tech Ltd | Polymer devices |
US6352777B1 (en) | 1998-08-19 | 2002-03-05 | The Trustees Of Princeton University | Organic photosensitive optoelectronic devices with transparent electrodes |
CA2367465A1 (en) * | 1999-04-28 | 2000-11-02 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Flexible organic electronic device with improved resistance to oxygen and moisture degradation |
EP1149933A1 (en) * | 2000-04-28 | 2001-10-31 | STMicroelectronics S.r.l. | Deposition method of dielectric films having a low dielectric constant |
US6954253B2 (en) * | 2000-07-25 | 2005-10-11 | Scientific Solutions, Inc. | Optical multiplexer and cross-switch using etched liquid crystal fabry-perot etalons |
US7153592B2 (en) | 2000-08-31 | 2006-12-26 | Fujitsu Limited | Organic EL element and method of manufacturing the same, organic EL display device using the element, organic EL material, and surface emission device and liquid crystal display device using the material |
US6657378B2 (en) * | 2001-09-06 | 2003-12-02 | The Trustees Of Princeton University | Organic photovoltaic devices |
DE10134374B4 (de) | 2001-07-14 | 2008-07-24 | Schott Ag | Kochfeld mit einer Glaskeramikplatte als Kochfläche und Verfahren zur Herstellung der Glaskeramikplatte |
JP2003077651A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-14 | Sharp Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
US6855482B2 (en) * | 2002-04-09 | 2005-02-15 | Day International, Inc. | Liquid transfer articles and method for producing the same using digital imaging photopolymerization |
US20040067324A1 (en) * | 2002-09-13 | 2004-04-08 | Lazarev Pavel I | Organic photosensitive optoelectronic device |
GB0302550D0 (en) * | 2003-02-05 | 2003-03-12 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic optoelectronic device |
AU2004253524C1 (en) * | 2003-06-25 | 2010-02-04 | The Trustees Of Princeton University | Improved solar cells |
EP1670043B1 (en) * | 2003-09-29 | 2013-02-27 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
-
2005
- 2005-08-26 US US11/211,656 patent/US8058093B2/en active Active
-
2006
- 2006-08-25 EP EP06802368A patent/EP1929558B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-08-25 AR ARP060103713A patent/AR059560A1/es not_active Application Discontinuation
- 2006-08-25 CN CN200680038863.1A patent/CN101300690B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-08-25 JP JP2008528221A patent/JP5118041B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-08-25 WO PCT/US2006/033323 patent/WO2007025188A1/en active Application Filing
- 2006-08-25 TW TW095131430A patent/TWI422087B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-08-25 ES ES06802368T patent/ES2382817T3/es active Active
-
2008
- 2008-12-09 HK HK08113403.6A patent/HK1124171A1/xx not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002523904A (ja) * | 1998-08-19 | 2002-07-30 | ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ | 有機感光性光電子装置 |
WO2004061992A1 (en) * | 2002-12-19 | 2004-07-22 | 3M Innovative Properties Company | Organic electroluminescent device and fabrication method thereof |
WO2004057674A2 (en) * | 2002-12-20 | 2004-07-08 | Cambridge Display Technology Limited | Electrical connection of optoelectronic devices |
JP2006511073A (ja) * | 2002-12-20 | 2006-03-30 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | 光学装置の電気接続 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012517091A (ja) * | 2009-02-05 | 2012-07-26 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 封止されたエレクトロルミネセント装置 |
WO2016186166A1 (ja) * | 2015-05-19 | 2016-11-24 | ローム株式会社 | 有機薄膜太陽電池モジュール、電子機器および有機薄膜太陽電池モジュールの製造方法 |
JP2017168798A (ja) * | 2015-05-19 | 2017-09-21 | ローム株式会社 | 有機薄膜太陽電池モジュール、電子機器および有機薄膜太陽電池モジュールの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AR059560A1 (es) | 2008-04-16 |
WO2007025188A1 (en) | 2007-03-01 |
JP5118041B2 (ja) | 2013-01-16 |
US8058093B2 (en) | 2011-11-15 |
CN101300690B (zh) | 2010-05-26 |
CN101300690A (zh) | 2008-11-05 |
ES2382817T3 (es) | 2012-06-13 |
EP1929558A1 (en) | 2008-06-11 |
HK1124171A1 (en) | 2009-07-03 |
TWI422087B (zh) | 2014-01-01 |
EP1929558B1 (en) | 2012-02-22 |
TW200729574A (en) | 2007-08-01 |
US20070048892A1 (en) | 2007-03-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5118041B2 (ja) | 有機デバイス用のカプセル化電極 | |
JP5461836B2 (ja) | 低抵抗薄膜有機太陽電池電極 | |
JP5090587B2 (ja) | 有機感光性光電子装置 | |
EP2378583B1 (en) | Method of fabricating an organic photovoltaic cells utilizing ultrathin sensitizing layer | |
KR101485872B1 (ko) | 고효율 유기 광기전력 전지의 설계를 위한 구조 및 기준 | |
US10403657B2 (en) | Image sensor | |
JP6449766B2 (ja) | 光電子デバイス用透明電極 | |
US20160197122A1 (en) | Organic photoelectronic devices and image sensors including the same | |
JP2014030032A (ja) | 秩序結晶性有機膜の成長 | |
JP2009231610A (ja) | 有機太陽電池及び有機太陽電池の製造方法 | |
Osasa et al. | Determination of photo-active region in organic thin film solar cells with an organic heterojunction |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090708 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110830 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110831 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20111129 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20111206 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20111228 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120111 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120118 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20120119 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20120120 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121002 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121018 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151026 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |