JP2009506072A5

JP2009506072A5 -

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Publication number: JP2009506072A5
Application number: JP2008528240A
Authority: JP
Filing date: 2006-08-25
Publication date: 2009-10-08

Claims

構造

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、およびＲ^４は、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、フルオロカーボン基、複素環化合物残基、酸素含有基、窒素含有基、ホウ素含有基、硫黄含有基、リン含有基、炭素含有基、ケイ素含有基、であり、それらの二以上が互いに結合して環を形成していてもよく、Ａｒは、任意に一以上の水素原子、ハロゲン原子、炭化水素基、フルオロカーボン基、複素環化合物残基、酸素含有基、窒素含有基、ホウ素含有基、硫黄含有基、リン含有基、炭素含有基（例えば、炭化水素）、ケイ素含有基、で置換されていてもよく、それらの二以上が互いに結合して環を形成していてもよい芳香族炭化水素または複素環からなる群から選択される。）
を有するキラルアニリンの製造方法であって、

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４は、上で定義したとおりである。）と

（式中、Ａｒは、上で定義したとおりである。）
とを触媒有効量のＣＦ_３ＳＯ_３Ｈ、またはＨＣｌもしくはＨＢＦ_４以外の別の強酸の存在下、２０〜２５０℃の温度において、（ＩＩＩ）：（ＩＩａ）のモル比、１０：１〜０．１：１で反応させる工程を包含する、キラルアニリンの製造方法。
該温度が１００〜２００℃の範囲である、請求項１に記載の方法。
およびこれらの混合物からなる群から選択される構造を有するアニリンの製造方法であって、

と

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^３並びにＡｒは、請求項１において定義されるとおりである。）
とを触媒有効量のＣＦ_３ＳＯ_３ＨまたはＨＣｌもしくはＨＢＦ_４以外の別の強酸の存在下、２０〜２５０℃の温度において、（ＩＩＩ）：（ＩＩｂ）のモル比、１０：１〜２：１で反応させる工程を包含する、アニリンの製造方法。
該温度が１００〜２００℃の範囲である、請求項３に記載の方法。
構造

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４は、請求項１において定義されるとおりであり、Ｒ^５およびＲ^６は、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子、フルオロカーボン基、複素環化合物残基、酸素含有基、窒素含有基、ホウ素含有基、硫黄含有基、リン含有基、炭素含有基、またはケイ素含有基であり、互いに結合するかまたはＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^７もしくはＲ^８の一以上に結合して環を形成していてもよく、Ｒ^７およびＲ^８は、異なり、水素でなく、代わりにそれぞれハロゲン原子、フルオロカーボン基、複素環化合物残基、芳香族基、酸素含有基、窒素含有基、ホウ素含有基、硫黄含有基、リン含有基、炭素含有基、またはケイ素含有基であり、互いに結合して環を形成していてもよい。）
を有する化合物。
Ｒ^１がｓｅｃ−フェネチルであり、Ｒ^３がＭｅであり、Ｒ^５／Ｒ^６がＨ、Ｍｅまたはアセナフテンキノン誘導体であり、Ｒ^７＝Ｍｅ、Ｒ^８＝Ｐｈ、かつｓｅｃ−フェネチル基の全立体中心が同一の絶対配置である場合を除く、請求項５に記載の化合物。
式

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^７またはＲ^８は、請求項５において定義されるとおりであり；ｎは、１〜３の整数であり；ｍは、０〜５の整数であり；Ｍは、第３〜１１族遷移金属であり；Ｒ^９およびＲ^１０は、任意であり同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、フルオロカーボン基、複素環化合物残基、酸素含有基、窒素含有基、ホウ素含有基、硫黄含有基、リン含有基、炭素含有基、またはケイ素含有基であり、それらの二以上が互いに結合して環を形成していてもよく；Ｙは、水素原子、ハロゲン原子、酸素含有基、硫黄含有基、窒素含有基、ホウ素含有基、アルミニウム含有基、リン含有基、ハロゲン含有基、複素環化合物残基、炭素含有基、ケイ素含有基、ゲルマニウム含有基または錫含有基であり、ｍが２、３または４である場合、複数の基Ｙは同一であっても異なっていてもよく、互いに結合するかまたはＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９もしくはＲ^１０の一以上に結合して環を形成していてもよく；ＭとＮとの間の結合は配位結合、共有結合またはイオン結合である。）
を有する錯体。
式

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^７およびＲ^８は、請求項５において定義されるとおりであり；ｎは、１〜３の整数であり；ｍは、０〜４の整数であり；Ｍは、第３〜１１族遷移金属であり；Ｌは、炭素含有基、ケイ素含有基、またはホウ素含有基でありうる結合ブリッジであり；Ｙは、水素原子、ハロゲン原子、酸素含有基、硫黄含有基、窒素含有基、ホウ素含有基、アルニウム含有基、リン含有基、ハロゲン含有基、複素環化合物残基、炭素含有基、ケイ素含有基、ゲルマニウム含有基または錫含有基であり、ｍが２、３または４である場合、複数の基Ｙは、同一であっても異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよく；ＭとＮとＬとＮとの間の結合は、配位結合、共有結合、またはイオン結合である。）
を有する錯体。
Ｒ^１がｓｅｃ−フェネチルであり、Ｒ^３がＭｅであり、Ｒ^７＝Ｍｅ、Ｒ^８＝Ｐｈ、Ｌがα−ジケトン誘導体であり、ＭがＮｉであり、ｎが１であり、Ｙ_ｍがＢｒ_２であり、かつｓｅｃ−フェネチル基の全立体中心が同一の絶対配置である場合を除く、請求項８に記載の錯体。
式

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^７、およびＲ^８は、請求項５において定義されるとおりであり；ｎは、１〜３の整数であり；ｍは、０〜４の整数であり；Ｍは第３〜１１族遷移金属であり；Ｘは、金属に結合可能な基、例えば、Ｏ、ＯＲ^１１、ＮＲ^１１、Ｎ（Ｒ^１１）_２、Ｐ（Ｒ^１１）_２、２−Ｃ_５Ｈ_４Ｎ、Ｃ_５（Ｒ^１１）_４、であり；Ｒ^１１は、任意であり、複数のＲ^１１基が存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよく、Ｒ^１１は、水素原子、ハロゲン原子、フルオロカーボン基、複素環化合物残基、酸素含有基、窒素含有基、ホウ素含有基、硫黄含有基、リン含有基、炭素含有基、またはケイ素含有基であり、それらの二以上が互いに結合して環を形成していてもよく；Ｌは炭素含有基、ケイ素含有基、またはホウ素含有基である結合ブリッジであり；Ｙは水素原子、ハロゲン原子、酸素含有基、硫黄含有基、窒素含有基、ホウ素含有基、アルミニウム含有基、リン含有基、ハロゲン含有基、複素環化合物残基、炭素含有基、ケイ素含有基、ゲルマニウム含有基または錫含有基であり、ｍが２、３または４である場合、複数の基Ｙは同一であっても異なってもよく、互いに結合して環を形成していてもよく；Ｎ−Ｌ、Ｌ−Ｘ、Ｘ−Ｍ、およびＭ−Ｎ間の結合は、配位結合、共有結合、またはイオン結合である。）
を有する錯体。
Ｒ^１がｓｅｃ−フェネチルであり、Ｒ^３がＭｅであり、Ｒ^７＝Ｍｅ、Ｒ^８＝Ｐｈ、Ｘ＝Ｎ（２，６−ジ−ｓｅｃ−フェネチル−４−メチル−フェニル）、Ｌがα−ジケトン誘導体であり、ＭがＮｉであり、ｎが１であり、Ｙ_ｍがＢｒ_２であり、かつｓｅｃ−フェネチル基の全立体中心が同一の絶対配置である場合を除く、請求項１０に記載の錯体。
式

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７およびＲ^８は、請求項５において定義されるとおりである。）
を有する錯体。
触媒有効量の請求項７〜１２のいずれか一項に記載の錯体の存在下、温度−８０〜２００℃においてプロピレンを重合する工程を包含する、Ｔ_ｍが５０℃超であり、ＰＤＩが３未満であるアイソタクチックポリプロピレンの製造方法。
触媒有効量の請求項７〜１２のいずれか一項に記載の錯体の存在下、温度−８０〜２００℃においてプロピレンを重合する工程を包含する、３，１−挿入の割合少なくとも１％、例えば、少なくとも６％または少なくとも２０％、およびＰＤＩ３未満を有するレジオランダムポリプロピレンの製造方法。
触媒有効量の請求項７〜１２のいずれか一項に記載の錯体の存在下、温度−８０〜２００℃において、次にまたはその前に温度−８０〜２００℃において、各ブロックを重合する工程を包含する、Ｔ_ｍ５０℃超かつＰＤＩ３未満のアイソタクチックポリプロピレンのブロック並びに３，１−挿入の割合少なくとも１％およびＰＤＩ３未満を有するレジオランダムポリプロピレンのブロックを含有するブロックコポリマーの製造方法。
プロピレンの３，１−挿入割合が１〜９９％の範囲内であり、プロピレン中の挿入残部が主に１，２挿入であり、ＰＤＩ２．０未満を有する、レジオランダムプロピレンベースのポリマー。
レジオランダムポリプロピレンからなる、請求項１６に記載のレジオランダムプロピレンベースのポリマー。
ＰＤＩ１．５未満を有する、請求項１７に記載のレジオランダムポリプロピレン。
一方のブロックがＴ_ｍ５０℃超およびＭ_ｎ１，０００〜９９９，０００を有するアイソタクチックプロピレンベースのポリマーであり、一方のブロックがポリプロピレンの３，１−挿入の割合１〜９９％、およびＭ_ｎ１，０００〜９９９，０００を有するレジオランダムプロピレンベースのポリマーである、ＰＤＩ３未満およびＭ_ｎ１，０００〜１，０００，０００を有するジブロックコポリマー。
該レジオランダムプロピレンベースのポリマーがレジオランダムポリプロピレンからなる、請求項１９に記載のジブロックコポリマー。
第一ブロックがＴ_ｍ５０℃超およびＭ_ｎ１，０００〜９９８，０００を有するアイソタクチックプロピレンベースのポリマーであり、第二ブロックがプロピレンの３，１−挿入の割合１〜９９％、およびＭ_ｎ１，０００〜９９８，０００を有するレジオランダムプロピレンベースのポリマーであり、第三ブロックがＴ_ｍ５０℃超およびＭ_ｎ１，０００〜９９８，０００を有するアイソタクチックプロピレンベースのポリマーである、ＰＤＩ３未満およびＭ_ｎ１，０００〜１，０００，０００を有するトリブロックコポリマー。
該レジオランダムプロピレンベースのポリマーがレジオランダムポリプロピレンからなる、請求項２１に記載のトリブロックコポリマー。
Ｔ_ｍ５０℃超およびＭ_ｎ１，０００〜９９９，０００を有するアイソタクチックプロピレンベースのポリマーのブロック少なくとも一種類並びにポリプロピレンの３，１−挿入の割合１〜９９％およびＭ_ｎ１，０００〜９９９，０００を有するレジオランダムプロピレンベースのポリマーのブロック少なくとも一種類を含有する、ＰＤＩ３未満およびＭ_ｎ１，０００〜１，０００，０００を有するマルチブロックコポリマー。
該レジオランダムプロピレンベースのポリマーがレジオランダムポリプロピレンからなる、請求項２３に記載のマルチブロックコポリマー。
メチレン基１０００個あたり１〜１００個のメチル基およびＭ_ｎ１，０００〜９９９，０００を有するエチレンベースのポリマーのブロック少なくとも一種類並びにポリプロピレンの３，１−挿入の割合１〜９９％を有するレジオランダムプロピレンのブロック少なくとも一種類を含有する、ＰＤＩ３未満およびＭ_ｎ１，０００〜１，０００，０００を有するマルチブロックコポリマー。
該エチレンベースのポリマーがポリエチレンからなり、該プロピレンベースのポリマーがポリプロピレンからなる、請求項２５に記載のマルチブロックコポリマー。
メチレン基１０００個あたり１〜１００個のメチル基を有し、Ｍ_ｎ１，０００〜９９９，０００のエチレンベースのポリマーのブロック少なくとも一種類並びにエチレンユニットの割合１〜９９％およびＭ_ｎ１，０００〜９９９，０００を有するポリ（エチレン−ｃｏ−Ｃ_３〜Ｃ_１０αオレフィン）のブロック少なくとも一種類を含有する、ＰＤＩ３未満およびＭ_ｎ１，０００〜１，０００，０００を有するマルチブロックコポリマー。
該エチレンベースのポリマーがポリエチレンからなり、該ポリ（エチレン−ｃｏ−Ｃ_３〜Ｃ_１０αオレフィン）がポリ（エチレン−ｃｏ−プロピレン）からなる、請求項２７に記載のマルチブロックコポリマー。
炭素原子１０００個あたり０〜５０個のメチル分枝およびＭ_ｎ１，０００〜９９９，０００を有するエチレンベースのポリマーのブロック少なくとも一種類並びに炭素原子１０００個あたり５０〜３００個のメチル分枝およびＭ_ｎ１，０００〜９９９，０００を有するエチレンベースのポリマーのブロック少なくとも一種類を含有する、ＰＤＩ３未満およびＭ_ｎ１，０００〜１，０００，０００を有するマルチブロックポリエチレン。
単一モノマーからメチルより大きい分枝がなく製造され、かつブロックがブロック中のモノマーの化学連接性で近接ブロックから区別されるマルチブロックポリマー。
エチレンからメチルより大きい分枝がなく製造され、かつブロックがブロック中のエチレンユニットの化学連接性で近接ブロックから区別されるマルチブロックポリマー。
プロピレンからメチルより大きい分枝がなく製造され、かつブロックがブロック中のプロピレンユニットの化学連接性で近接ブロックから区別されるマルチブロックポリマー。
重合中の反応条件を変えてブロックを生じることによって、ブロックがブロック中のモノマーの化学連接性で近接ブロックから区別される、単一モノマーからマルチブロックポリマーを製造する方法。
単一モノマーからマルチブロックポリマーを製造する方法であって、異なるポリマー位置化学を製造し、重合中にポリマー鎖を交換してブロックを生じうる二種類以上の触媒を使用することによる、ブロックがブロック中のモノマーの化学連接性で近接ブロックから区別される、マルチブロックポリマーを製造する方法。
ミクロ相分離を示さないマルチブロック熱可塑性エラストマー。