JP2009505056A - 三相電流センサー - Google Patents
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Abstract
【解決手段】三相導電システムの3つの導電線内を流れる電流(IPH1、IPH2、IPH3)を測定する三相電流センサーであって、第1の磁気測定器(D1)と第2の磁気測定器(D3)とを備える。各磁気測定器は、少なくとも2つの差し込みギャップ域を備える磁気回路と、各差し込みギャップ域内に配置された磁界センサーとを備える。磁気測定器(D1、D3)は、三相導電システムの3つの位相のひとつが形成されるような方法で、中央導電線の両側に、または、中央導電線を挿入するための孔内に配置されている。
【選択図】 図3
【選択図】 図3
Description
本発明は、三相導電システムにおける電流を測定するためのセンサーに関する。
特に本発明は、三相の振幅の大きな電流値を測定するのを目的としている。
そのような三相電流センサーの産業分野での利用は、三相モータ動作の制御や監視など、幅広く適用されている。特に、三相システムにおいて、磁界センサーが配置されたギャップを備えた積層軟磁性材の磁気回路からなる電流センサーは、3つの位相の導電線のそれぞれを取り囲むように配備される。最も一般的な磁界センサーとして、信号を処理するためのプリント回路に接続された端子を備えるASIC型に集積されたホール効果センサーがあげられる。電流の総和がゼロと仮定した場合、三相のうちの2つの位相を取り囲むようにセンサーを配置することにより、電流値が測定でき、その値から電力値が推定できる。しかしながら、とりわけ安全性の観点から、起こり得るリーク電流を測定する場合には、三相全部の電流値の測定が必要となり、各位相へのセンサーの配置が必要となる。
強い電流の測定には、従来のセンサーでは問題があり、専門的で複雑でコストがかかる測定が必要となる。強い電流は大きな磁界を生成させるため、センサーの磁気回路が飽和して、非線形応答が発生し、その結果測定エラーにつながる恐れがある。この飽和という問題は、三相の導電線の間隔が狭い場合に、いっそう悪化する。というのも、当該センサーが取り囲む導電線の磁界に、隣接する導電線の磁界が付加されるからである。
磁気回路の飽和を防ぐには、磁気回路の断面を大きくすればよい。けれども、ほとんどの適用例(例えば、自動車分野)において、測定装置のサイズや重量を低減することが求められている。電流センサーの未来の適用例のひとつに、まさに電気自動車の電力システムを制御する分野があるが、自動車を駆動するためには、比較的に低い電圧で、かつ、大きな電力が必要であるため、結果として電流値が非常に高くなる傾向がある。また、磁気回路の構造を大きくすれば、当然ながらセンサーの価格も増加する。
考えられる別の解決策として、磁気回路の数を減らし、磁気回路の飽和を抑制するため、三相の導電線のひとつに切り欠き部を形成し、その切り欠き部内に少なくとも1個の磁界センサーを配置する方法がある。しかしながら、導電線の1つに切り欠き部を設けることや、その切り欠き部に磁界センサ−を配置することは、費用のかかる解決策である。さらにまた、測定装置のサイズを小さくする可能性を妨げるような、隣接する強電流導電線が発生させる磁界の影響の問題も、いまだ未解決である。
本発明の目的は、特に、強い電流を測定できる、コンパクトで低価格の三相電流センサーを提供することにある。「強い電流」とは、センサーのサイズや、三相間の距離を考慮した大きな電流値を意味する。
三相電気モータの電源装置などの三相導電システム内に簡単に設置接続できる三相電流センサーが、さらに好適に提供される。
また、例えば、センサーに近接して配置された導電線が発生する外部磁界に対して感応性がきわめて低い三相電流センサーが、さらに好適に提供される。
さらに、広い電流振幅範囲で電流値を測定できるよう精度が高い三相電流センサーが、好適に提供される。
本発明の目的は、請求項1記載の電流センサー、および、請求項9記載の電流測定方法により達成できる。
本明細書において説明する三相電流センサーは、三相導電システム内を流れる電流を測定するものであって、第1の磁気測定器と第2の磁気測定器とを備える。各磁気測定器は、少なくとも2つのギャップ域を備える磁気回路と、前記磁気回路の各ギャップ域内に配置された磁界検知器とを備える。前記磁気測定器は、三相導電システムの3つの位相のひとつを形成する中央導電線部位の両側に、または、中央導電線を挿入するための孔内に配置されている。
前記磁気測定器の各磁気回路の少なくとも2つのギャップ域は、基本的に同じ平面内に配備されるのが好ましい。
前記センサーと交差する3つの導電線部位の軸、または、3つの導電線を挿入する3つの孔の軸は、互いにほぼ平行に、前記ギャップ域の同平面内に配置されるのが好ましい。
前記ギャップ域内に配置された磁界検知器は、ASIC型のホール効果センサーであるのが好ましい。
好適実施例として、前記磁気回路が2つ設置され、各磁気回路は2つのギャップ域を備え、かつ、両ギャップ域を、同じ平面内で、センサーと交差する導電線の主要部位、または、センサーと交差する主要な導電線が挿入される孔の軸と整合させる。なお、両磁気回路は、前記の3つの位相のうちのひとつの導電線の両側に、または、その導電線を挿入するための孔内に配置するのが好ましい。それゆえ、中央の主要な導電線には、磁気測定器を取り付ける必要はない。
また、前記磁気測定器は、共通の支持基板上に搭載するのが好ましい。さらに、支持基板が、前記磁気回路が搭載されたセンサーのケースの一部となる壁を形成するような構成でも構わない。あるいは、支持基板を、信号を処理するための電子機器の回路で構成することも可能である。
また、本明細書には、第1の磁気測定器及び第2の磁気測定器を備えた電流センサーを用いた三相導電システム内を流れる電流を測定する方法が記述されており、その方法は、前記第1の磁気測定器による前記の3つの位相のうちの第1の位相の電流により生成される磁界の測定からその第1の位相内を流れる電流を測定する工程と、前記第2の磁気測定器による前記の3つの位相のうちの第3の位相の電流により生成される磁界の測定からその第3の位相内を流れる電流を測定する工程と、前記の3つの位相のうちの第2の位相の電流により生成される磁界の前記第1及び第2磁気測定器への影響度からその第2の位相の電流を測定する工程とからなる。
本発明のその他の特徴や目的は、特許請求の範囲の内容、以下の実施例の説明、および、付随の図面から明白になるであろう。
図面に示すように、電流センサー1は、電力供給装置や電力発生装置などの導電システムの三相に対応する3つの導電線Ph1、Ph2,Ph3に流れる電流を測定するためのセンサーであって、磁界を検知するための測定器D1、D3と、ケース4と、支持体5とからなる。支持体5は、ケース4の外壁の一部を構成している。別の例として、支持体5を、測定信号の処理や、センサーの動作の制御や監視の機能、および/または、モータの制御器や表示器にデータを送る機能をもつ電気部品が搭載されたプリント回路などの回路基板で構成することも可能である。その場合、回路基板を外部電子機器と接続できるよう、電気端子6を回路基板上に取り付けるか、または、磁気検知器に直接に接続する。
磁界測定器D1、D3は、それぞれ、ギャップ域E1、E2、E3、E4で分割された少なくとも2つの回路分割部M1、M2、M3、M4と、ギャップ域E1、E2、E3、E4内に配置された磁界検知器C1、C2、C3、C4とを備える磁気回路Mで構成される。好ましくは、磁界検知器は、ASIC型ホール効果センサーであって、接続端子7を備える。ホール効果センサーは周知の部品であり、それゆえ、本文での説明を省略する。
なお、ホール効果検知器に代えて、その他の形式の磁界検知器を利用することも可能である。
磁気回路Mは、図示のように、ほぼ環形状の軟磁性板を積み重ねたものでもよいし、あるいは、四角形、長方形、多角形などのその他の形状のものでも構わない。磁界測定器D1、D3は、中央の導電線Ph2の両側の導電線Ph1、Ph3を取り囲むよう、センサーの両端に取り付けられている。三相の3つ導電線は、センサーと交差する位置で同平面上にほぼ平行に配置される。
第1実施例(図1a、1b参照)におけるセンサーと交差する導電部2a、2b、2cは、センサーと直接的に一体化されており、3つの導電線Ph1、Ph2、Ph3を接続するための端子8を備える。
図2a〜2cに示す別の実施例では、センサーに、3つの外部導電線をセンサーと交差するよう挿入するための通路9a、9b、9cが設けられている。この実施例では、センサーを軸/中央平面Aで分割された2つの部位で構成することができ、導電線の挿入取付、あるいは、導電線を妨害することなく、3つの導電線を取り囲むようなセンサーの配置が可能となる。各磁気回路Mには、3つの主要導電部2a、2b、2cの同整合平面Aにある2つのギャップ域E1、E2、E3、E4が備わっているため、センサーを2つに分割するのが容易である。
次に、図3と図4a〜4cを参照して、本発明によるセンサーの動作原理を説明する。
図3に示すのは、三相センサーで測定する3つの相の電流IPH1、IPH2、IPH3と磁気測定器D1、D3である。実際の適用例によっては、小型化の要請に応じて、機械的寸法を縮小する必要がある。その結果、非常に大きな測定エラーが発生する恐れがある磁気摂動(導電線の相互近接)という問題が起こる。
本発明では、磁気摂動を、摂動要素としてではなく、測定精度を高めるための要素として利用する。
好ましくは、三相の電流IPH1、IPH2、IPH3は、導電部2a、2b、2c(位相Ph1、Ph2、Ph3)を流れ、位相は同平面に位置する。位相Ph1とPh2,Ph2とPh3間の距離(L1、L3)はいかようでもよいが、アルゴリズムを簡単にするにはL1=L3が望ましい。また、システムの長所を確保するには、L1、L3ともに十分に小さな値であるのが好ましい。
測定素子は、導電測定のための4つのホールセルC1、C2、C3、C4と、磁界集束のための4つの磁気回路分割部M1、M2、M3、M4で構成される。磁気回路のホールセルとギャップ域E1、E2、E3、E4は、導電部2a〜2cと同じ軸/平面A上に配置されている。
第1の磁気測定器D1は、第1の位相IPH1の電流を測定する。D1は、位相Ph1(導電バス)、2個のホールセル(セルC1、セルC2)、ギャップ域E1、E2で分割された2つの磁気回路分割部(M1、M2)とで構成される。
磁気測定器D3は、第3の位相IPH3の電流を測定する。D3は、位相Ph3(導電バス)、2個のホールセル(セルC3、セルC4)、ギャップ域E3、E4で分割された2つの磁気回路分割部(M3、M4)とで構成される。
なお、位相Ph2の周囲には、磁気測定器が配備されていない。位相Ph2の位相電流はIPH2(導電バス)で示す。磁気測定器D1、D3から、第2位相IPH2の電流を算定できる。
図3において、装置に電流が入力されるとき(バツ印で示す)の位相電流の流れる方向をプラスとする。その条件下では、磁界H1、H2、H3は時計回りに発生する。
本システムからの出力信号を、その位相に流れる電流を図示する量で示す。それぞれの出力信号S1、S2、S3は、電圧値や電流値などの連続電気信号、または、シリアルワイヤ形式や高周波リンクプロトコル形式などのデジタル信号である。使用する信号の送信リンクに関しては、どのような形態でも構わない。
S1=電流IPH1を図示するシステムからの出力信号
S2=電流IPH2を図示するシステムからの出力信号
S3=電流IPH3を図示するシステムからの出力信号
S1=電流IPH1を図示するシステムからの出力信号
S2=電流IPH2を図示するシステムからの出力信号
S3=電流IPH3を図示するシステムからの出力信号
実証を容易にするため、ホールセルC1、C2、C3、C4は、4個の感度が同じとなるよう現場校正済みであると仮定する。ホールセルからの信号は、図3の上方から下方へ流れがプラスである。下記の関係式において、以下のように定義する。
C1=ホールセルC1の信号
C2=ホールセルC2の信号
C3=ホールセルC3の信号
C4=ホールセルC4の信号
C1=ホールセルC1の信号
C2=ホールセルC2の信号
C3=ホールセルC3の信号
C4=ホールセルC4の信号
位相Ph1とPh3は、以下のような関係式の特徴をもつ。
S1=S(IPH1)=(C2―C1)*K1
ただし、K1は、磁気測定器D1の感度(ゲイン値)である。
S3=S(IPH3)=(C4―C3)*K3
ただし、K3は、磁気測定器D2の感度(ゲイン値)である。
S1=S(IPH1)=(C2―C1)*K1
ただし、K1は、磁気測定器D1の感度(ゲイン値)である。
S3=S(IPH3)=(C4―C3)*K3
ただし、K3は、磁気測定器D2の感度(ゲイン値)である。
それら係数K1、K3は、出力信号S(x)の物理的数値を算出するため、ホールセルの信号に付与される変換比である。装置における感度が同じであるという保持された仮定のもと、以下の関係が成り立つ。
K1=K3=K
K1=K3=K
それゆえ、出力信号S1、S3は、以下のように示せる。
S1=S(IPH1)=(C2―C1)*K
S3=S(IPH3)=(C4―C3)*K
ただし、Kは、磁気測定器D1、D3の感度(ゲイン値)である。
S1=S(IPH1)=(C2―C1)*K
S3=S(IPH3)=(C4―C3)*K
ただし、Kは、磁気測定器D1、D3の感度(ゲイン値)である。
なお、本システムは、磁気測定器を中央に設置することなく、磁気測定器D1、D3から信号S2の算出を可能にする機能をもつ。電流値IPH2の測定は、下記の関係式から有利に算出できる。
S2=S(IPH2)=(C4+C3)*K23−(C2+C1)*K21
ただし、K21は、第1位相のための磁気測定器への第2位相電流の影響感度(ゲイン値)である。K23は、第3位相のための磁気測定器への第2位相電流の影響感度(ゲイン値)である。
S2=S(IPH2)=(C4+C3)*K23−(C2+C1)*K21
ただし、K21は、第1位相のための磁気測定器への第2位相電流の影響感度(ゲイン値)である。K23は、第3位相のための磁気測定器への第2位相電流の影響感度(ゲイン値)である。
それら係数K21、K23は、出力信号S(IPH2)の物理的数値を算出するため、ホールセルの信号に付与される変換比である。装置における感度が同じであるという保持された仮定のもと、以下の関係が成り立つ。
K21=K23=K2
S2=S(IPH2)=(C4+C3−C2−C1)*K2
ただし、K2は、第1位相と第3位相のための磁気測定器への第2位相電流の影響感度(ゲイン値)である。
K21=K23=K2
S2=S(IPH2)=(C4+C3−C2−C1)*K2
ただし、K2は、第1位相と第3位相のための磁気測定器への第2位相電流の影響感度(ゲイン値)である。
上記の関係式は、以下の条件下において有効である。
−3つの位相電流IPH1、IPH2、IPH3が、同じ平面に配置され、それらの軸が一直線上にある。
−位相間の距離が、同じである(I1=I3)。
−磁気回路分割部M1、M2、M3、M4が、同じ形状であって、位相Ph1とPh3を取り囲むように対称配置されている。
−磁気回路を分割する磁気ギャップ域が同じである(E1=E2=E3=E4)。
−磁気測定素子(ホールセル)が、各素子の感度が周知の同じ値になるよう(Sc1=Sc2=Sc3=Sc4)、現場校正済みである。
−3つの位相電流IPH1、IPH2、IPH3が、同じ平面に配置され、それらの軸が一直線上にある。
−位相間の距離が、同じである(I1=I3)。
−磁気回路分割部M1、M2、M3、M4が、同じ形状であって、位相Ph1とPh3を取り囲むように対称配置されている。
−磁気回路を分割する磁気ギャップ域が同じである(E1=E2=E3=E4)。
−磁気測定素子(ホールセル)が、各素子の感度が周知の同じ値になるよう(Sc1=Sc2=Sc3=Sc4)、現場校正済みである。
その校正により、磁気測定器D1、D3の全部の素子の寸法、位置、対称性、感度の誤差が修正できる。
前記の構成により、信号S2のためのゲイン係数K2と信号S1、S3のためのゲイン係数Kのみを保持すればよいため、信号S1、S2、S3の算出が簡単になる。
磁気測定器のその他の構成として、例えば、3つの位相を同じ軸/平面上に配置せずに、三相の出力信号を算定することも可能である。その場合、正確な算定値を得るためには、より多くの感度係数を使用しなければならない。
前記の実証においては、不定長の電流線を利用し、そのため、電力回路の戻り電流の磁界の影響がないと仮定している。しかし、電力装置へのセンサーの一体化により、出力信号S2を算出する際にエラーが生じ、リーク電流の算定値の精度に影響を与えてしまう恐れがある。
電力回路の構成は周知で制御可能であるため、戻り電流からの磁気摂動を感度係数の算定に組み入れることは可能である。センサーの校正において、好適な感度係数Kを算定できるよう、各ホールセルの感度の調整の際に、そのような磁気環境を勘案する必要がある。
磁気測定器D1、D3の磁気摂動が対称性をもつ場合、出力信号を算出するのに、使用するのは簡単な係数K、K2のみで充分である。磁気摂動が非対称である場合には、複合的な係数(K21、K23)を追加しなければならない。
簡単にいうと、前記の関係式により、3つの位相の電流は、2つの磁気測定器D1、D3により算出できるのである。磁気測定器の構成のおかげで、中央の位相Ph2への近接にもかかわらず、位相Ph1、Ph3の高い精度の測定値を得ることができる。
中央の位相Ph2の測定値も、制御できない摂動磁界の不在のおかげで、高い精度で得られる。その場合、出力信号S2からIPH2を算出できるのである。
磁界摂動が大きくて、測定装置の制御が不能な場合には、測定値IPH2に誤差が出る恐れがある。そのような測定値IPH2の精度が充分でないときには、以下の関係式を適用する。
S2=−(S1+S3)
S2=−(S1+S3)
この場合、信号S2は、下記の関係式を確認するのに利用できる。
IPH1+IPH2+IPH3=0
IPH1+IPH2+IPH3=0
これにより、リーク電流が充分な精度で検知でき、低状況モードでの動作をも開始することができる。
本システムでは、制限のある数のホールセルを使っての測定に対しても、かつ、低状況モードでの処理に対しても、充分な冗長性を与えることができる。
例えば、低状況モードでの動作は、4個の磁界測定セルC1、C2、C3、C4のひとつが不良である場合に行われる。つまり、1個のホール効果セルが不良である場合には、その出力信号が供給されない。この不良は、三相モータを制御するシステムで簡単に検知することができる。実際には、制御用コンピュータにより、位相電流を制御して、ホールセルからの出力信号の変動を読み取るのである。ホールセルからの出力信号に変動がない場合には、コンピュータはそのホールセルは動作不良だと判断して、低状況モードでの動作を開始する。
低状況モードでは、動作可能な3個のホールセルを考慮して、新規の公式に従ってそれらの出力信号S1、S2、S3を算定する。不良のホールセルに従って、4つの異なる低状況モードでの動作が行われる。
(C1が不良の場合)
S1=S(IPH1)=C2*K11+(C4+C3)*K111
ただし、K11はC1が不良でのS1の感度、K111はC1が不良でのS1の補正係数である。
S3=S(IPH3)=(C4−C3)*K31
ただし、K31はC1が不良でのS3の感度である。
S2=S(IPH2)=(C3−C2)*K21
ただし、K21はC1が不良でのS2の補正係数である。
S1=S(IPH1)=C2*K11+(C4+C3)*K111
ただし、K11はC1が不良でのS1の感度、K111はC1が不良でのS1の補正係数である。
S3=S(IPH3)=(C4−C3)*K31
ただし、K31はC1が不良でのS3の感度である。
S2=S(IPH2)=(C3−C2)*K21
ただし、K21はC1が不良でのS2の補正係数である。
(C2が不良の場合)
S1=S(IPH1)=C1*K12+(C4+C3)*K121
ただし、K12はC2が不良でのS1の感度、K121はC2が不良でのS1の補正係数である。
S3=S(IPH3)=(C4−C3)*K32
ただし、K32はC2が不良でのS3の感度である。
S2=S(IPH2)=(C3−C1)*K22
ただし、K22はC2が不良でのS2の補正係数である。
S1=S(IPH1)=C1*K12+(C4+C3)*K121
ただし、K12はC2が不良でのS1の感度、K121はC2が不良でのS1の補正係数である。
S3=S(IPH3)=(C4−C3)*K32
ただし、K32はC2が不良でのS3の感度である。
S2=S(IPH2)=(C3−C1)*K22
ただし、K22はC2が不良でのS2の補正係数である。
(C3が不良の場合)
S1=S(IPH1)=(C2―C1)*K13
ただし、K13はC3が不良でのS1の感度である。
S3=S(IPH3)=C4*K33+(C1+C2)*K331
ただし、K33はC3が不良でのS3の感度、K331はC3が不良でのS3の補正係数である。
S2=S(IPH2)=(C4−C1)*K23
ただし、K23はC3が不良でのS2の感度である。
S1=S(IPH1)=(C2―C1)*K13
ただし、K13はC3が不良でのS1の感度である。
S3=S(IPH3)=C4*K33+(C1+C2)*K331
ただし、K33はC3が不良でのS3の感度、K331はC3が不良でのS3の補正係数である。
S2=S(IPH2)=(C4−C1)*K23
ただし、K23はC3が不良でのS2の感度である。
(C4が不良の場合)
S1=S(IPH1)=(C2−C1)*K14
ただし、K14はC4が不良でのS1の感度である。
S3=S(IPH3)=C3*K34+(C1+C2)*K341
ただし、K34はC4が不良でのS3の感度、K341はC4が不良でのS3の補正係数である。
S2=S(IPH2)=(C3−C2)*K24
ただし、K24はC4が不良でのS2の補正係数である。
S1=S(IPH1)=(C2−C1)*K14
ただし、K14はC4が不良でのS1の感度である。
S3=S(IPH3)=C3*K34+(C1+C2)*K341
ただし、K34はC4が不良でのS3の感度、K341はC4が不良でのS3の補正係数である。
S2=S(IPH2)=(C3−C2)*K24
ただし、K24はC4が不良でのS2の補正係数である。
影響パラメータは前もって選定されるため(同等性、対称性)、関係式を以下のように簡単化できる。
X1=K11=−K34
X2=K111=K341
X3=K12=K33
X4=K121=−K331
X5=K21=K24
X6=K22=K23
X7=K13=K14=K31=K32
X1=K11=−K34
X2=K111=K341
X3=K12=K33
X4=K121=−K331
X5=K21=K24
X6=K22=K23
X7=K13=K14=K31=K32
それゆえに、簡略化した関係式は、以下のように示せる。
(信号S1)
C1が不良の場合:S1=S(IPH1)=C2*X1+(C4+C3)*X2
C2が不良の場合:S1=S(IPH1)=C2*X3+(C4+C3)*X4
C3またはC4が不良の場合:S1=S(IPH1)=(C2−C1)*X7
(信号S1)
C1が不良の場合:S1=S(IPH1)=C2*X1+(C4+C3)*X2
C2が不良の場合:S1=S(IPH1)=C2*X3+(C4+C3)*X4
C3またはC4が不良の場合:S1=S(IPH1)=(C2−C1)*X7
(信号S2)
C1またはC4が不良の場合:S2=S(IPH2)=(C4−C1)*X5
C2またはC3が不良の場合:S2=S(IPH2)=(C4−C1)*X6
C1またはC4が不良の場合:S2=S(IPH2)=(C4−C1)*X5
C2またはC3が不良の場合:S2=S(IPH2)=(C4−C1)*X6
(信号S3)
C1またはC2が不良の場合:S3=S(IPH3)=(C4−C3)*X7
C3が不良の場合:S3=S(IPH3)=C4*X3−(C1+C2)*X4
C4が不良の場合:S3=S(IPH3)=(C1+C2)*X2−C3*X1
C1またはC2が不良の場合:S3=S(IPH3)=(C4−C3)*X7
C3が不良の場合:S3=S(IPH3)=C4*X3−(C1+C2)*X4
C4が不良の場合:S3=S(IPH3)=(C1+C2)*X2−C3*X1
低状況モードでは、4個のホールセルのひとつが動作不良でも、センサーの動作が維持できる。センサーの動作性能は、特に外部の磁界(寄生磁界、戻り電流)に対する耐性の点で悪くなるが、低状況モードにより、次の保守作業までの一時的な受容可能な緊急解決策が提供されることになる。
本システムは、開ループ式測定器を使っているが、例えば、数千アンペア(1000A〜2000A、または、それ以上)程度の高い三相電流の数値の測定ができるように構成されている。
その長所は、以下のとおりである。
−低コストの開ループ技術。
−磁気回路を飽和させることなく、1000A以上の電流値の測定。
−コンパクトな機械設計。
−2個の磁気測定器の利用のみで、3つの位相の電流を測定。
−一定の外部磁界に対する非感応性。
−3つの電流位相の共通面を流れる戻り電流に対する非感応性。
−低コストの開ループ技術。
−磁気回路を飽和させることなく、1000A以上の電流値の測定。
−コンパクトな機械設計。
−2個の磁気測定器の利用のみで、3つの位相の電流を測定。
−一定の外部磁界に対する非感応性。
−3つの電流位相の共通面を流れる戻り電流に対する非感応性。
図4aに示すのは、センサーへの外部磁界の影響である。外部磁界Heにより、セルBではプラス信号が作成され、セルAでもプラス信号が作成される。その関係式は、以下のようになる。
S(He)=k*(B−A)=0
それゆえ、本装置は一定の外部磁界から保護されることになる。
S(He)=k*(B−A)=0
それゆえ、本装置は一定の外部磁界から保護されることになる。
図4bに示すのは、戻り電流の影響である。Irで示すのが戻り電流で、戻り電流Irにより作成される磁界をHrで示す。また、磁界Hiにより、セルBではプラス信号が作成され、セルAではマイナス信号が作成される。その関係式は、以下のようになる。
S(Ip)=k*(B−A)
なお、磁界Hrにより、セルBではプラス信号が作成され、セルAでもプラス信号が作成される。
S(Ip)=k*(B−A)=0
S(Ip)=k*(B−A)
なお、磁界Hrにより、セルBではプラス信号が作成され、セルAでもプラス信号が作成される。
S(Ip)=k*(B−A)=0
その関係式は、以下のようになる。
S=S(Ip)+S(Hr)=k*(B−A)
それゆえ、本発明によるセンサーは、ギャップ域がひとつしかない装置よりも、外部磁界に対する保護が勝る。
S=S(Ip)+S(Hr)=k*(B−A)
それゆえ、本発明によるセンサーは、ギャップ域がひとつしかない装置よりも、外部磁界に対する保護が勝る。
図4cに示すのは、ギャップ域の軸に垂直な戻り電流の影響である。前の事例と同様に、信号Sへの磁界Hrの影響はない。
S=S(Ip)
S=S(Ip)
本装置では、磁気回路内において充分なレベルの導電性が確保できる。しかし、磁気回路によって集束された磁界Hrは、磁界Hiに付加される。そのため磁気回路が飽和して、測定システムが非線形性になってしまう。それゆえ、図4cに示す構成における戻り電流の位置は、前記の他の構成例よりも不適当である。
Claims (10)
- 三相導電システム(Ph1,Ph2,Ph3)内を流れる電流(IPH1,IPH2,IPH3)を測定する三相電流センサーであって、第1の磁気測定器(D1)と第2の磁気測定器(D3)とを備え、各磁気測定器が少なくとも2つのギャップ域(E1,E2;E3,E4)を備える磁気回路(M)と、前記磁気回路の各ギャップ域内に配置された磁界検知器(C1,C2,C3,C4)とを含み、前記磁気測定器は三相導電システムの3つの位相のひとつを形成する中央導電線部位の両側に、または、中央導電線を挿入するための孔(7b)内に配置されている三相電流センサー。
- 前記磁気測定器の各磁気回路の少なくとも2つのギャップ域が基本的に同じ平面(A)内にある請求項1記載の三相電流センサー。
- 前記センサーと交差する3つの導電線部位の軸、または、3つの導電線を挿入する3つの孔の軸が、互いにほぼ平行に前記ギャップ域の同平面(A)内に配置された前出請求項に記載の三相電流センサー。
- 前記ギャップ域内に配置された磁界検知器がホール効果センサーである前出請求項のいずれかに記載の三相電流センサー。
- 前記磁気回路が2つ設置され、各磁気回路は2つのギャップ域を備え、両磁気回路が前記の3つの位相のうちのひとつで、磁気測定器を備えない導電線の両側に、または、その導電線を挿入するための孔内に配置されている前出請求項のいずれかに記載の三相電流センサー。
- 前記磁気測定器(D1,D3)が共通の支持基板(5)上に搭載されている前出請求項のいずれかに記載の三相電流センサー。
- 前記支持基板が前記磁気回路が搭載されたセンサーのケース(4)の一部となる壁を形成する前出請求項に記載の三相電流センサー。
- 前記支持基板が信号を処理するための電子機器の回路からなる請求項6記載の三相電流センサー。
- 3つの位相のうちのひとつを取り囲む磁気回路(M)を有する、第1の磁気測定器(D1)及び第2の磁気測定器(D3)を備えた電流センサーを用いた三相導電システム(Ph1,Ph2,Ph3)内を流れる電流(IPH1,IPH2,IPH3)を測定する方法であって、前記第1の磁気測定器(D1)による前記の3つの位相のうちの第1の位相(IPH1)の電流により生成される磁界の測定からその第1の位相内を流れる電流を測定する工程と、前記第2の磁気測定器(D3)による前記の3つの位相のうちの第3の位相(IPH3)の電流により生成される磁界の測定からその第3の位相内を流れる電流を測定する工程と、前記の3つの位相のうちの第2の位相(IPH2)の電流により生成される磁界の前記第1及び第2磁気測定器への影響度からその第2の位相の電流を測定する工程とからなる電流測定方法。
- 前出の請求項1〜8のいずれかに記載の電流センサーを利用する請求項9記載の電流測定方法。
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