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Abstract
【課題】第二洗浄機構を被処理体の周縁部の裏面に容易かつ迅速に当接させることと、保持部によって保持された被処理体の周りを囲むカップが設けられている場合には、当該カップの大きさを小さくすること。
【解決手段】処理装置は、被処理体を保持する保持部1と、保持部1によって保持された被処理体Wを回転させる回転駆動部60と、被処理体Wの周縁部の一方の面に当接して洗浄する第一洗浄機構30と、第一洗浄機構30に連結され、被処理体Wの周縁部の他方の面に当接して洗浄する第二洗浄機構40と、を備えている。第二洗浄機構40は、揺動軸45aを中心に揺動可能となり、第一洗浄機構30側に揺動されたときに被処理体Wの周縁部の他方の面に当接する。
【選択図】図1When a second cleaning mechanism is easily and quickly brought into contact with the back surface of the peripheral portion of the object to be processed and a cup surrounding the object to be processed held by a holding part is provided, Reduce the size of the cup.
A processing apparatus includes a holding unit 1 that holds a workpiece, a rotation driving unit 60 that rotates a workpiece W held by the holding unit 1, and one surface of a peripheral portion of the workpiece W. A first cleaning mechanism 30 that contacts and cleans, and a second cleaning mechanism 40 that is connected to the first cleaning mechanism 30 and contacts and cleans the other surface of the peripheral edge of the workpiece W. . The second cleaning mechanism 40 can swing about the swing shaft 45a, and comes into contact with the other surface of the peripheral edge of the workpiece W when it is swung to the first cleaning mechanism 30 side.
[Selection] Figure 1
Description
本発明は、半導体ウエハなどからなる被処理体の周縁部を処理する処理装置に関する。 The present invention relates to a processing apparatus for processing a peripheral portion of a target object made of a semiconductor wafer or the like.
従来から、基板(被処理体)を保持する保持部と、この基板の周縁部の表面(一方の面)を洗浄するスポンジ状の第1基板洗浄ブラシと、この第1基板洗浄ブラシに対向配置され、基板の周縁部の裏面(他方の面)を洗浄するスポンジ状の第2基板洗浄ブラシと、第1基板洗浄ブラシおよび第2基板洗浄ブラシを、互いに接近および離間させるブラシ接離機構と、を含む、処理装置が知られている(特許文献1参照)。
しかしながら、特許文献1に記載された処理装置のように、第1基板洗浄ブラシおよび第2基板洗浄ブラシを互いに接近および離間させるものであれば、第2基板洗浄ブラシを被処理体の裏面側(下方側)に位置づけ、その後で、被処理体の周縁部に向かって水平方向へ移動させた後、第1基板洗浄ブラシおよび第2基板洗浄ブラシによって被処理体を挟む必要がある。このため、第2基板洗浄ブラシを被処理体の裏面に位置づけるのに、時間がかかってしまう。 However, if the first substrate cleaning brush and the second substrate cleaning brush are made to approach and separate from each other as in the processing apparatus described in Patent Document 1, the second substrate cleaning brush is attached to the back side of the object to be processed ( It is necessary to sandwich the object to be processed by the first substrate cleaning brush and the second substrate cleaning brush after being moved in the horizontal direction toward the peripheral edge of the object to be processed. For this reason, it takes time to position the second substrate cleaning brush on the back surface of the object to be processed.
また、保持部によって保持された被処理体の周りを囲むカップが設けられている場合には、保持部で保持された被処理体とカップとの間に、第2基板洗浄ブラシを通過させるだけの間隙を設ける必要がある。このため、保持部によって保持されたウエハの周りを囲むカップの大きさが大きくなってしまう。 Further, in the case where a cup surrounding the object to be processed held by the holding unit is provided, the second substrate cleaning brush is simply passed between the object to be processed held by the holding unit and the cup. It is necessary to provide a gap. For this reason, the size of the cup surrounding the wafer held by the holding unit increases.
本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、第二洗浄機構を被処理体の周縁部の裏面に容易かつ迅速に当接させることができ、かつ、保持部によって保持された被処理体の周りを囲むカップが設けられている場合には、当該カップの大きさを小さくすることができる処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in consideration of such points, and the second cleaning mechanism can be easily and quickly brought into contact with the back surface of the peripheral edge of the object to be processed and is held by the holding portion. When the cup surrounding the to-be-processed object is provided, it aims at providing the processing apparatus which can make the magnitude | size of the said cup small.
本発明による処理装置は、
被処理体を保持する保持部と、
前記保持部によって保持された前記被処理体を回転させる回転駆動部と、
前記被処理体の周縁部の一方の面に当接して洗浄する第一洗浄機構と、
前記第一洗浄機構に連結され、前記被処理体の前記周縁部の他方の面に当接して洗浄する第二洗浄機構と、を備え、
前記第二洗浄機構が、揺動軸を中心に揺動可能となり、該第一洗浄機構側に揺動されたときに前記周縁部の前記他方の面に当接する。
The processing apparatus according to the present invention comprises:
A holding unit for holding the object to be processed;
A rotation driving unit that rotates the object to be processed held by the holding unit;
A first cleaning mechanism for cleaning in contact with one surface of the peripheral edge of the workpiece;
A second cleaning mechanism that is connected to the first cleaning mechanism and that contacts and cleans the other surface of the peripheral portion of the object to be processed;
The second cleaning mechanism can swing about a swing shaft, and abuts against the other surface of the peripheral edge when swinged toward the first cleaning mechanism.
本発明による処理装置において、
前記第一洗浄機構に連結され、該第一洗浄機構および前記第二洗浄機構を前記被処理体の一方の面から他方の面に向かう方向に移動させる移動機構をさらに備えたことが好ましい。
In the processing apparatus according to the present invention,
It is preferable that the apparatus further includes a moving mechanism that is connected to the first cleaning mechanism and moves the first cleaning mechanism and the second cleaning mechanism in a direction from one surface of the workpiece to the other surface.
本発明による処理装置において、
前記第二洗浄機構に当接して、該第二洗浄機構を前記揺動軸を中心に前記第一洗浄機構側に揺動させる押圧部材をさらに備えたことが好ましい。
In the processing apparatus according to the present invention,
It is preferable that the apparatus further includes a pressing member that contacts the second cleaning mechanism and swings the second cleaning mechanism toward the first cleaning mechanism about the swing shaft.
本発明による処理装置において、
前記押圧部材は、前記第二洗浄機構に当接する当接部と、該当接部に連結され、該当接部に弾性力を付与する弾性部材とを有することが好ましい。
In the processing apparatus according to the present invention,
The pressing member preferably includes a contact portion that contacts the second cleaning mechanism, and an elastic member that is connected to the corresponding contact portion and applies an elastic force to the corresponding contact portion.
本発明による処理装置において、
前記第二洗浄機構は、前記第一洗浄機構が前記周縁部の前記一方の面に当接した後に、前記揺動軸を中心に該第一洗浄機構側に揺動されて該周縁部の前記他方の面に当接することが好ましい。
In the processing apparatus according to the present invention,
The second cleaning mechanism is swung toward the first cleaning mechanism around the swing shaft after the first cleaning mechanism abuts on the one surface of the peripheral edge, and the second cleaning mechanism It is preferable to contact the other surface.
本発明による処理装置において、
前記第一洗浄機構は、前記周縁部の一方の面に当接可能であり、横断面の中心部が硬質部からなり、該中心部の周りを囲む外周部が該硬質部よりも軟らかい軟質部からなる第一洗浄部を有することが好ましい。
In the processing apparatus according to the present invention,
The first cleaning mechanism is capable of abutting against one surface of the peripheral portion, the central portion of the cross section is a hard portion, and the outer peripheral portion surrounding the central portion is a soft portion that is softer than the hard portion It is preferable to have the 1st washing | cleaning part which consists of.
本発明による処理装置において、
前記第二洗浄機構は、前記周縁部の他方の面に当接可能であり、横断面の中心部が硬質部からなり、該中心部の周りを囲む外周部が該硬質部よりも軟らかい軟質部からなる第二洗浄部を有することが好ましい。
In the processing apparatus according to the present invention,
The second cleaning mechanism is capable of abutting against the other surface of the peripheral portion, the central portion of the cross section is a hard portion, and the outer peripheral portion surrounding the central portion is a soft portion that is softer than the hard portion It is preferable to have the 2nd washing | cleaning part which consists of.
本発明によれば、第二洗浄機構が、揺動軸を中心に揺動可能となり、第一洗浄機構側に揺動されたときに周縁部の他方の面に当接して、当該周縁部の他方の面を洗浄する。このため、第二洗浄機構を被処理体の周縁部の裏面に容易かつ迅速に当接させることができる。また、保持部によって保持された被処理体の周りを囲むカップが設けられている場合には、当該カップの大きさを小さくすることもできる。 According to the present invention, the second cleaning mechanism can swing around the swing shaft, and when the second cleaning mechanism swings toward the first cleaning mechanism, the second cleaning mechanism comes into contact with the other surface of the peripheral portion, Clean the other side. For this reason, the second cleaning mechanism can be easily and quickly brought into contact with the back surface of the peripheral edge of the object to be processed. Moreover, when the cup surrounding the to-be-processed object hold | maintained by the holding | maintenance part is provided, the magnitude | size of the said cup can also be made small.
第1の実施の形態
以下、本発明に係る処理装置の第1の実施の形態について、図面を参照して説明する。ここで、図1乃至図4(a)−(d)は本発明の第1の実施の形態を示す図である。
First Embodiment Hereinafter, a first embodiment of a processing apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings. Here, FIG. 1 thru | or FIG. 4 (a)-(d) is a figure which shows the 1st Embodiment of this invention.
図1に示すように、処理装置は、被処理体である半導体ウエハW(以下、単にウエハWとも言う)を真空吸着によって保持する保持部1と、保持部1の中心から下方に延びた回転軸5と、この回転軸5を回転させることによって保持部1で保持されたウエハWを回転させる回転駆動部60と、保持部1によって保持されたウエハWの周りを囲むカップ70と、ウエハWの周縁部の表面(一方の面)に当接して洗浄する表面洗浄機構(第一洗浄機構)30と、表面洗浄機構30に連結され、ウエハWの周縁部の裏面(他方の面)に当接して洗浄する裏面洗浄機構(第二洗浄機構)40と、を備えている。
As shown in FIG. 1, the processing apparatus includes a holding unit 1 that holds a semiconductor wafer W (hereinafter, also simply referred to as a wafer W) that is an object to be processed by vacuum suction, and a rotation that extends downward from the center of the holding unit 1. A
このうち、表面洗浄機構30は、図2に示すように、第一基端部31と、第一基端部31の下端に設けられ、ウエハWの周縁部の表面に当接可能となったスポンジ状の表面洗浄部(第一洗浄部)32とを有している。この表面洗浄部32は、図3(a)(b)に示すように、横断面の中心部が硬い硬質部32aからなり、この中心部の周りを囲む外周部が該硬質部32aよりも軟らかい軟質部32bからなっている。
Among these, as shown in FIG. 2, the
また、図2に示すように、第一基端部31の上端には連結部46が設けられ、この連結部46の側面には、上下方向に延在して、表面洗浄機構30と裏面洗浄機構40とを連結する連結棒45が設けられている。なお、裏面洗浄機構40は、揺動軸45aを中心に揺動可能となり、表面洗浄機構30側(上方側)に揺動されたときに、ウエハWの周縁部の裏面(他方の面)に当接することとなる。
Further, as shown in FIG. 2, a connecting
また、図2に示すように、裏面洗浄機構40は、連結棒45に連結された第二基端部41と、第二基端部41の上端に設けられ、ウエハWの周縁部の裏面に当接可能となったスポンジ状の裏面洗浄部(第二洗浄部)42とを有している。この裏面洗浄部42は、図3(a)(b)に示すように、横断面の中心部が硬い硬質部42aからなり、この中心部の周りを囲む外周部が硬質部42aよりも軟らかい軟質部42bからなっている。
Further, as shown in FIG. 2, the back
なお、本実施の形態では、表面洗浄部32と裏面洗浄部42の両方について、その横断面の中心部が硬い硬質部32a,42aからなり、中心部の周りを囲む外周部が硬質部32a,42aよりも軟らかい軟質部32b,42bからなっている態様を用いて説明する。しかしながら、これに限られることなく、表面洗浄部32と裏面洗浄部42のいずれか一方のみが、その横断面の中心部が硬い硬質部32a,42aからなり、中心部の周りを囲む外周部が硬質部32a,42aよりも軟らかい軟質部32b,42bからなっていてもよい。
In the present embodiment, for both the front
また、図2に示すように、表面洗浄機構30の上部には、円筒状のシリンダ12と、このシリンダ12内で上下方向に移動可能なピストン15と、を有する表面側調整機構10が連結されている。このうち、シリンダ12には、ピストン15の上方側に空気を流入するための上方側流入部11と、ピストン15の下方側に空気を流入するための下方側流入部16とが設けられている。なお、上方側流入部11と下方側流入部16の各々は、空気供給部(図示せず)に連通されている。
Further, as shown in FIG. 2, a surface
また、図2に示すように、ピストン15の上端には、水平方向に延びた被測定部19が連結されている。また、この被測定部19の下端には、被測定部19から加わる押圧力を測定する測定センサ51が当接されている。また、この測定センサ51には、測定センサ51によって検知された押圧力を出力する出力部52が接続されている。
Further, as shown in FIG. 2, a measured
ここで、上方側流入部11から流入される空気によってピストン15に付与される空気圧と、下方側流入部16から流入される空気によってピストン15に付与される空気圧が調整されることによって、表面洗浄部32からウエハWの周縁部の表面に付与される押圧力が調整される。
Here, the air pressure applied to the
また、図1および図4(a)−(d)に示すように、裏面洗浄機構40の下方には、この裏面洗浄機構40に当接して、裏面洗浄機構40を揺動軸45aを中心に表面洗浄機構30側(上方側)に揺動させる押圧部材26が載置されている。なお、この押圧部材26は、図4(a)−(d)に示すように、裏面洗浄機構40の第二基端部41に当接する当接部27と、当接部27に連結され、当接部27に弾性力を付与する弾性部材28とを有している。
Further, as shown in FIGS. 1 and 4 (a)-(d), the back
また、図1に示すように、表面洗浄機構30には、表面側調整機構10を介して、表面洗浄機構30と裏面洗浄機構40を一体に上下方向(ウエハWの表面から裏面に向かう方向)に移動させる洗浄部移動機構55が連結されている。
As shown in FIG. 1, the front
また、図1に示すように、回転駆動部60は、回転軸5の周縁外方に配置されたプーリ62と、このプーリ62に巻きかけられた駆動ベルト63と、この駆動ベルト63に駆動力を付与することによって、プーリ62を介して回転軸5を回転させるモータ61とを有している。また、回転軸5の周縁外方にはベアリング66が配置されている。また、回転軸5には、この回転軸5を上下方向に移動させることによって、保持部1を上下方向に移動させる保持部移動機構65が連結されている。
Further, as shown in FIG. 1, the
また、図1に示すように、処理装置は、ウエハWに処理液を供給する処理液供給部75を備えている。そして、ウエハWの表面側には、処理液供給部75に連結され、この処理液供給部75から供給される処理液をウエハWの表面に供給する表面側供給ノズル71が設けられている。また、ウエハWの裏面側には、処理液供給部75に連結され、この処理液供給部75から供給される処理液をウエハWの裏面に供給する裏面側供給ノズル72が設けられている。
In addition, as shown in FIG. 1, the processing apparatus includes a processing
なお、本願で処理液とは、薬液や純水のことを意味している。そして、薬液としては、例えば、希フッ酸などを用いることができる。 In the present application, the treatment liquid means a chemical solution or pure water. And as a chemical | medical solution, dilute hydrofluoric acid etc. can be used, for example.
次に、このような構成からなる本実施の形態の作用について述べる。 Next, the operation of the present embodiment having such a configuration will be described.
まず、搬送ロボット(図示せず)によって、キャリア(図示せず)から取り出されたウエハWが、保持部移動機構65により受け渡し位置(上方位置)に位置づけられた保持部1上に載置される(保持工程)。
First, the wafer W taken out from the carrier (not shown) by the transfer robot (not shown) is placed on the holding unit 1 positioned at the transfer position (upper position) by the holding
次に、保持部移動機構65によって、保持部1が下方に移動させられて下方位置に位置づけられる(図1参照)。
Next, the holding
次に、洗浄部移動機構55によって、表面洗浄機構30と裏面洗浄機構40とが一体となって下方へ移動させられ始める(図1および図4(a)参照)。このとき、裏面洗浄機構40の裏面洗浄部42は、表面洗浄機構30側とは反対側(下方側)に揺動されて、開放位置に位置づけられている(図4(a)参照)。
Next, the cleaning
このように表面洗浄機構30と裏面洗浄機構40とが一体となって下方へ移動しているときに、回転駆動部60により回転軸5が回転駆動されることによって、保持部11で保持されたウエハWが回転される(回転工程)(図1参照)。このとき、モータ61から駆動ベルト63を介してプーリ62に駆動力が付与されることによって、回転軸5が回転駆動される。
As described above, when the front
その後、裏面洗浄機構40の第二基端部41が、裏面洗浄機構40の下方に載置された押圧部材26の当接部27に当接して、この第二基端部41と裏面洗浄部42は、揺動軸45aを中心に表面洗浄機構30側(上方側)に揺動される(図4(b)(c)参照)。ここで、当接部27には、弾性部材28による弾性力が付与されている。
Thereafter, the second
このとき、表面側供給ノズル71によって、処理液供給部75から供給された処理液がウエハWの表面に供給され始める。また、同様に、裏面側供給ノズル72によって、処理液供給部75から供給された処理液がウエハWの裏面に供給され始める(処理液供給工程)(図1参照)。なお、以下の工程は、このように表面側供給ノズル71と裏面側供給ノズル72から、ウエハWの周縁部に処理液が供給されている間に行われる。
At this time, the processing liquid supplied from the processing
なお、表面洗浄機構30と裏面洗浄機構40が完全に下方に位置づけられているときには、第二基端部41の下面と当接部27の上面とは面一になっている(図4(d)参照)。
When the front
このように、本実施の形態によれば、裏面洗浄機構40の裏面洗浄部42を開放位置に位置づけたまま、裏面洗浄機構40の裏面洗浄部42をウエハWの裏面側に位置づけることができる(図4(b)(c)参照)。このため、ウエハWの周りを囲むカップ70の大きさを小さくすることができ、かつ、裏面洗浄部42をウエハWの周縁部の裏面に容易かつ迅速に当接させることができる。
Thus, according to the present embodiment, the back
すなわち、特許文献1のように、第1基板洗浄ブラシ(表面洗浄部32’)および第2基板洗浄ブラシ(裏面洗浄部42’)を、互いに接近および離間させるものであれば、保持部1で保持されたウエハWとカップ70との間に、第1基板洗浄ブラシ(表面洗浄部32’)および第2基板洗浄ブラシ(裏面洗浄部42’)を通過させるだけの間隙を設ける必要がある(図1の70’で示された点線参照)。このため、保持部1によって保持されたウエハWの周りを囲むカップ70の大きさが大きくなる。
That is, as in Patent Document 1, if the first substrate cleaning brush (front
これに対して、本実施の形態によれば、裏面洗浄機構40の裏面洗浄部42を開放位置に位置づけたまま、裏面洗浄機構40を下方へ移動させるだけで、裏面洗浄機構40の裏面洗浄部42をウエハWの裏面側へ移動させることができる(図1の実線矢印、参照)。このため、保持部1で保持されたウエハWとカップ70との間に、裏面洗浄部42を通過させるための間隙を設ける必要がない。この結果、ウエハWの周りを囲むカップ70の大きさを小さくすることができる。
On the other hand, according to the present embodiment, the back surface cleaning unit of the back
また、特許文献1に記載されたような従来のものであれば、第2基板洗浄ブラシ(裏面洗浄部42’)をウエハWの裏面の周縁部に当接させる際に、第2基板洗浄ブラシ(裏面洗浄部42’)をウエハWの裏面側(下方側)に位置づけた後に、第1基板洗浄ブラシ(表面洗浄部41’)および第2基板洗浄ブラシ(裏面洗浄部42’)をウエハWの周縁部に向かって水平方向に移動させ、その後、第1基板洗浄ブラシ(表面洗浄部41’)および第2基板洗浄ブラシ(裏面洗浄部42’)によってウエハWを挟む必要があるのに対して(図1の点線矢印、参照)、本実施の形態によれば、裏面洗浄機構40を下方へ移動させた後、表面洗浄部41および裏面洗浄部42によってウエハWを挟むだけでよい(図1の実線矢印、参照)。このため、裏面洗浄部42をウエハWの裏面の周縁部に当接させるまでの工程数を削減することができ(第1基板洗浄ブラシ(表面洗浄部41’)および第2基板洗浄ブラシ(裏面洗浄部42’)を水平方向の移動工程を削減することができ)、裏面洗浄部42をウエハWの周縁部の裏面に容易かつ迅速に当接させることができる。
Further, in the case of the conventional one described in Patent Document 1, when the second substrate cleaning brush (back
なお、このように、ウエハWの周縁部の表面が表面洗浄部32に当接され、ウエハWの周縁部の裏面が裏面洗浄部42に当接されているときには、上方側流入部11から流入される空気による空気圧と、下方側流入部16から流入される空気による空気圧とを調整することによって、表面洗浄部32からウエハWの周縁部の表面に付与される押圧力を調整することができる(図2参照)。このとき、ウエハWの周縁部の表面に付与される押圧力は、測定センサ51によって検知され、出力部52によって出力される。
As described above, when the front surface of the peripheral portion of the wafer W is in contact with the front
また、表面洗浄部32と裏面洗浄部42は、横断面の中心部が硬い硬質部32a,42aからなり、この中心部の周りを囲む外周部が硬質部32a,42aよりも軟らかい軟質部32b,42bからなっている(図3(a)(b)参照)。このため、図3(b)に示すように、ウエハWの周縁部の側端面(APEX部)を硬質部32a,42aに当接させるとともに、軟質部32b,42bによってウエハWの周縁部の表面および裏面(ベベル部)を挟むことができる。
Further, the front
この結果、パターニングが施されることのないウエハWの周縁部の側端面(APEX部)を(ウエハWの周縁部の表面および裏面(ベベル部)よりも)強い力で洗浄することができる。 As a result, the side end face (APEX part) of the peripheral part of the wafer W that is not subjected to patterning can be cleaned with a stronger force (than the front and back surfaces (bevel part) of the peripheral part of the wafer W).
なお、本実施の形態において、表面側供給ノズル71からウエハWの表面に供給される処理液と、裏面側供給ノズル72からウエハWの裏面に供給される処理液を、適宜変更することができる(図1参照)。例えば、表面側供給ノズル71と裏面側供給ノズル72から、最初に薬液が供給され、次にリンス液が供給され、最後に乾燥液が供給されるようにすることができる。ここで、表面側供給ノズル71からウエハWの表面に供給される処理液の種類と、裏面側供給ノズル72からウエハWの裏面に供給される処理液の種類を、独立して変えることもできる。
In the present embodiment, the processing liquid supplied from the front-
上述のような処理液によるウエハWの周縁部の所定の処理が終了すると、表面側供給ノズル71と裏面側供給ノズル72からの処理液の供給が停止される。次に、表面洗浄機構30と裏面洗浄機構40とが一体となって上方へ移動させられる。ここで、押圧部材26の当接部27から第二基端部41が離れるにつれて、第二基端部41および裏面洗浄部42が揺動軸45aを中心に下方側に揺動され、最終的には開放位置に位置づけられる。
When the predetermined processing of the peripheral portion of the wafer W with the processing liquid as described above is completed, the supply of the processing liquid from the front surface
このため、本実施の形態によれば、裏面洗浄機構40を(ウエハWの周縁方向外方に移動させることなく)上方へ移動させるだけで、裏面洗浄部42をウエハWの裏面側から表面側へ移動させることができるので、裏面洗浄部42を容易かつ迅速に移動させることができる。
Therefore, according to the present embodiment, the back
次に、回転駆動部60によってウエハWが高速に回転され、ウエハWの周縁部が乾燥される。その後、回転駆動機構60のモータ61が停止され、保持部1によって保持されているウエハWの回転も停止される。
Next, the wafer W is rotated at a high speed by the
次に、保持部移動機構65によって、保持部1が上方に移動させられて受け渡し位置(上方位置)に位置づけられる。
Next, the holding
次に、搬送ロボット(図示せず)によって、保持部1上からウエハWが除去される。 Next, the wafer W is removed from the holding unit 1 by a transfer robot (not shown).
第2の実施の形態
次に、図5および図6(a)−(c)により、本発明の第2の実施の形態について説明する。図1乃至図4(a)−(d)に示す第1の実施の形態は、裏面洗浄機構40の下方に載置された押圧部材26の当接部27に、裏面洗浄機構40の第二基端部41が当接することによって、裏面洗浄機構40が、揺動軸45aを中心に表面洗浄機構30側(上方側)に揺動される態様であった。これに対して、図5および図6(a)−(c)に示す第2の実施の形態は、表面洗浄機構30の上端に、内部に電磁石21が配置された筐体24が連結され、裏面洗浄機構40の下端に永久磁石25が連結され、電磁石21に電流を流すことによって、裏面洗浄機構40を、揺動軸45aを中心に表面洗浄機構30側(上方側)に揺動させるものである。その他の構成は、図1乃至図4に示す第1の実施の形態と略同一である。
Second Embodiment Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 and 6A to 6C. In the first embodiment shown in FIGS. 1 to 4 (a) to 4 (d), the second
図5および図6(a)−(c)に示す第2の実施の形態において、図1乃至図4(a)−(d)に示す第1の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。 In the second embodiment shown in FIGS. 5 and 6 (a)-(c), the same parts as those in the first embodiment shown in FIGS. 1 to 4 (a)-(d) are denoted by the same reference numerals. Detailed description will be omitted.
本実施の形態でも、裏面洗浄機構40の裏面洗浄部42を開放位置に位置づけたまま、裏面洗浄機構40を下方へ移動させるだけで、裏面洗浄機構40の裏面洗浄部42をウエハWの裏面側へ移動させることができる(図6(a)−(c)参照)。このため、保持部1で保持されたウエハWとカップ70との間に、裏面洗浄部42を通過させるための間隙を設ける必要がなく、ウエハWの周りを囲むカップ70の大きさを小さくすることができる(図1参照)。
Also in the present embodiment, the back
また、裏面洗浄部42をウエハWの裏面の周縁部に当接させる際に、裏面洗浄機構40を、水平方向に移動させることなく下方へ移動させるだけでよい(図6(a)−(c)参照)。このため、裏面洗浄部42をウエハWの裏面の周縁部に当接させるまでの工程数を削減することができ、裏面洗浄部42をウエハWの周縁部の裏面に容易かつ迅速に当接させることができる。
Further, when the back
さらに、本実施の形態では、電磁石21に流れる電流の大きさ(電磁石21に加えられる電圧の大きさ)を調整することによって、裏面洗浄部42からウエハWの周縁部の裏面に付与される押圧力を調整することができる(図6(c)参照)。
Furthermore, in the present embodiment, by adjusting the magnitude of the current flowing through the electromagnet 21 (the magnitude of the voltage applied to the electromagnet 21), the pressing force applied from the back
このため、本実施の形態によれば、表面洗浄機構30からウエハWの周縁部の表面に加わる押圧力を調整することができ、かつ、裏面洗浄機構40からウエハWの周縁部の裏面に加わる押圧力を調整することができる。この結果、ウエハWの周縁部の洗浄を確実に行うことができ、ウエハWの周縁部からパーティクルを確実に除去することができる。
For this reason, according to the present embodiment, the pressing force applied from the front
なお、本実施の形態において、ウエハWの周縁部を洗浄するときには、裏面側調整機構(電磁石21および永久磁石25)は、表面側調整機構10によって表面洗浄機構30の表面洗浄部32からウエハWの周縁部の表面に加えられる押圧力よりも大きな押圧力を、裏面洗浄機構40のからウエハWの周縁部の裏面に加える。
In this embodiment, when cleaning the peripheral portion of the wafer W, the back surface side adjustment mechanism (the
このため、パターニングが施されることのないウエハWの周縁部の裏面を(パターニングが施されることのあるウエハWの周縁部の表面よりも)強い力で洗浄することができ、ウエハWの周縁部の裏面をより確実に洗浄することができる。 For this reason, the back surface of the peripheral portion of the wafer W that is not subjected to patterning can be cleaned with a stronger force (than the surface of the peripheral portion of the wafer W that is subject to patterning). The back surface of the peripheral edge can be more reliably cleaned.
1 保持部
10 表面側調整機構(第一調整機構)
21 電磁石
25 永久磁石
30 表面洗浄機構(第一洗浄機構)
32 表面洗浄部(第一洗浄部)
32a 硬質部
32b 軟質部
40 裏面洗浄機構(第二洗浄機構)
42 裏面洗浄部(第二洗浄部)
42a 硬質部
42b 軟質部
45 連結棒
45a 揺動軸
55 洗浄部移動機構(移動機構)
60 回転駆動部
65 保持部移動機構
70 カップ
W ウエハ(被処理体)
1 holding
21
32 Surface cleaning section (first cleaning section)
32a
42 Back surface cleaning section (second cleaning section)
42a
60
Claims (6)
前記保持部によって保持された前記被処理体を回転させる回転駆動部と、
前記被処理体の周縁部の一方の面に当接して洗浄する第一洗浄機構と、
前記第一洗浄機構に連結され、前記被処理体の前記周縁部の他方の面に当接して洗浄する第二洗浄機構と、を備え、
前記第二洗浄機構は、揺動軸を中心に揺動可能となり、該第一洗浄機構側に揺動されたときに前記周縁部の前記他方の面に当接することを特徴とする処理装置。 A holding unit for holding the object to be processed;
A rotation driving unit that rotates the object to be processed held by the holding unit;
A first cleaning mechanism for cleaning in contact with one surface of the peripheral edge of the workpiece;
A second cleaning mechanism that is connected to the first cleaning mechanism and that contacts and cleans the other surface of the peripheral portion of the object to be processed;
The processing apparatus, wherein the second cleaning mechanism is swingable about a swing shaft, and abuts against the other surface of the peripheral edge when swinged toward the first cleaning mechanism.
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