JP2009302047A - X線管及び真空管用の小型高電圧絶縁体の装置、並びにその組立て方法 - Google Patents

X線管及び真空管用の小型高電圧絶縁体の装置、並びにその組立て方法 Download PDF

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Abstract

【課題】X線管又は電子管用の絶縁体について、高電圧不安定性及び絶縁体表面フラッシュオーバに対する耐久性があり、先端応用向けに小型であり、また修理の容易さ、並びに内部への追加の給電路及び冷却剤の通過を可能にするように設計をモジュール型にする。
【解決手段】X線管用のモジュール型絶縁体アセンブリが、円筒形の周縁壁を有し電気絶縁材料で構築された円環状絶縁体を含んでいる。壁部材が円筒形の周縁壁に固定的に取り付けられて該周縁壁を超えて延在しており、第一の遮蔽体が壁部材に隣接して配置されて、壁部材及び絶縁体によって形成される隅部に近接して延在する端部を有している。
【選択図】図4

Description

本発明は一般的には、X線管に関し、さらに具体的には、X線管の高電圧絶縁体を製造する装置及び方法に関する。発明をX線システムに関して説明するが、当業者は、本発明が電子管、又は例えば高電圧不安定性が生ずる他の装置においても用いられ得ることを認められよう。
X線システムは典型的には、X線管、検出器、並びにX線管及び検出器を支持するガントリを含んでいる。動作時には、対象を配置した撮像テーブルがX線管と検出器との間で配置される。X線管は典型的には、X線のような放射線を対象に向けて放出する。放射線は典型的には、撮像テーブルに載置された対象を透過して検出器に衝突する。放射線が対象を透過するときに、対象の内部構造は、検出器において受光される放射線に空間的変化を齎す。次いで、検出器は受け取ったデータを送信し、システムは放射線の変化を画像に変換し、この画像を用いて対象の内部構造を評価することができる。当業者は、限定しないが医用撮像手順における患者、及び例えば計算機式断層写真法(CT)小荷物スキャナにおける小荷物のような無生物が対象として含まれ得ることを認められよう。
X線管は、焦点スポットにおいて発生される熱を分散する目的で回転アノード構造を含んでいる。アノードは典型的には誘導モータによって回転し、誘導モータは、円板形のアノード・ターゲットを支持する片持ち梁式駆動軸として構築された円筒形回転子と、銅巻線を有しX線管の細長い首を包囲する鉄製固定子構造とを有する。回転アノード・アセンブリの回転子は固定子によって駆動される。X線管カソードは集束電子ビームを供給し、集束電子ビームはカソードからアノードまでの真空間隙を横断して加速されて、アノードとの衝突時にX線を発生する。電子ビームがターゲットに衝突するときに高温が発生されるため、アノード・アセンブリを高速で回転させることが必要である。

米国特許第6331194号
新世代のX線管では、さらに高いピーク電力及びさらに高い加速電圧を提供することへの要求が高まっている。例えば、医学的応用に用いられるX線管は典型的には140kV以上で動作するが、警備応用に用いられるX線管では200kV以上が一般的である。但し、当業者は、本発明がこれらの電圧に限定されず、200kVを超える電圧を必要とする応用にも同等に適用可能であることを認められよう。これらの電圧では、X線管は高電圧不安定性及び絶縁体表面フラッシュオーバの影響を受け易く、X線管の推定耐用年数を短くし、又はイメージング・システムの動作に干渉する可能性がある。
典型的なX線管には、給電路用の開口を内部に有する円板形のセラミック絶縁体が設けられている。カソード支柱すなわち給電路用の電線管が典型的には、カソードに電圧を供給する3本以上の電気リードを収容している。典型的には、絶縁体はその中央開口において、カソードを構造的に支持することのできるカソード支柱に取り付けられる。カソードは典型的には、1又は複数のタングステン・フィラメントを含んでいる。絶縁体は典型的にはその周縁において、アノード及びカソードが典型的には配置されている真空室を収容する円筒形フレームに密閉接続されている。単極設計では、電圧はカソード又はアノードにのみ印加され得る。対照的に、双極設計では、電圧はアノード及びカソードの両方に印加され得る。
いずれの場合にも、高電圧応力による故障を起こし易いX線管の区域として、絶縁体と中央カソード支持構造との間の接合点、及び絶縁体と円筒形フレームとの間の接合点がある。これらの区域は、X線管の推定耐用年数を短くし、またイメージング・システムの動作に干渉し得る高電圧不安定性の一般的な原因となっている。
X線管の真空間隙における電子ビームは、内部に電場を発生する。絶縁体表面での電場強度が例えばカソード支柱と円筒形フレームとの間で絶縁体表面に沿った電弧発生を齎すと、X線管における絶縁体表面フラッシュオーバの可能性がある。電場力線が絶縁体表面に対して垂直であるときに、絶縁体表面に沿った電場強度が最大となり、同様に表面フラッシュオーバの可能性も最大となる。
高電圧動作に加えて、X線管は典型的には高温で動作し、このことがX線管の絶縁体に対する電気的応力に付加する場合がある。さらに、これらの構成要素に加わるピーク電圧及びピーク温度は、今後のX線管設計において増大する可能性が高い。X線管構成要素に対する熱応力は、X線管の推定耐用年数を短くすることにも関与している。幾つかの先端応用では、X線管は重要な構成要素(例えばアノード)を冷却する外部冷却系を用いる場合がある。かかる先端応用は、X線管において熱的応力の加わる構成要素への冷却剤の流動を可能にする絶縁体から利益を享受する。
計算機式断層写真法(CT)システムは、X線管技術の先端応用を代表するものである。幾つかの新世代型CTシステムは、X線管を含むCTガントリを毎秒3回転以上で患者の周りに回転させる。かかる動作ではX線管の構成要素に20g以上の加速度が加わり、今後の応用では60gを超える可能性がある。加えて、新世代型CTシステムは、X線管の寸法を縮小し軽量化しつつ性能改善を図っている。CTガントリに取り付けられる装置の寸法を縮小し軽量化することにより、ガントリ及びガントリの構成要素に加わる機械的応力が減少する。
さらに、今後のX線管応用は、偏向ビーム応用の場合のようにカソードに追加の機能を与えるためのカソードへの給電路数の増加を含み得る。
従って、高電圧不安定性及び絶縁体表面フラッシュオーバに対する耐久性があり、先端応用向けに小型であり、また修理の容易さ、並びに内部への追加の給電路及び冷却剤の通過を可能にするように設計をモジュール型にしたX線管又は電子管用の絶縁体を製造する装置並びに方法を有することが望ましい。
本発明は、電圧安定性を高めた小型絶縁体を組み立てる装置及び方法を提供する。
本発明の一観点によれば、X線管用のモジュール型絶縁体アセンブリが、円筒形の周縁壁を有し電気絶縁材料で構築された円環状絶縁体を含んでいる。壁部材が円筒形の周縁壁に固定的に取り付けられて該周縁壁を超えて延在しており、第一の遮蔽体が壁部材に隣接して配置されて、壁部材及び絶縁体によって形成される隅部に近接して延在する端部を有している。
本発明のもう一つの観点によれば、X線管を製造する方法が、真空領域を封入するように構成されたX線管フレームを設けるステップと、周縁壁を有する電気絶縁体を設けるステップとを含んでいる。方法はさらに、真空領域に露出した表面を有する壁部材を周縁壁に取り付けるステップであって、絶縁体、壁表面及び真空領域の合流が接合点を形成する、取り付けるステップと、接合点に近接して第一の遮蔽体の一方の端部を配置するステップとを含んでいる。
本発明のさらにもう一つの観点は、X線検出器とX線管とを有するイメージング・システムを含んでいる。X線管は、外周壁及び内周壁を有する円環状絶縁体と、外周壁に取り付けられており、中心軸を有し中心軸の周りの真空領域を包囲するように構成されている円筒形の壁部材であって、絶縁体、壁部材及び真空領域の合流が第一の接合点を形成している、円筒形の壁部材と、円錐形部分及びトロイド状部分を有する第一の遮蔽体とを含んでおり、円錐形部分の底面が壁部材に取り付けられ、トロイド状部分は壁部材と中心軸との間の真空領域に配置される。
本発明の他の様々な特徴及び利点は、以下の詳細な説明及び図面から明らかとなろう。
図面は、本発明を実施するために現状で思量される好ましい一実施形態を示す。
本発明の一実施形態の組み入れから利益を享受し得るイメージング・システムのブロック図である。 本発明の一実施形態による図1に示すシステムと共に利用可能なX線管の断面図である。 小型絶縁体を含むが遮蔽体構成要素を含まないX線管での電場力線を示す断面図である。 本発明の一実施形態による図2に示すX線管と共に利用可能な小型絶縁体の図である。 本発明の一実施形態による図2に示すX線管と共に利用可能な小型絶縁体の分解組立図である。 小型絶縁体並びに第一及び第二両方の遮蔽体構成要素を含んでいるX線管での電場力線を示す断面図である。 三点接合点において小型絶縁体及びセラミック皮膜に近接して設けられている遮蔽体を示す断面接近図である。 非侵襲型小荷物検査システムと共に用いられるCTシステムの見取り図である。
図1は、本発明に従って原画像データを取得すること、並びに表示及び/又は解析のために画像データを処理することの両方を行なうように設計されたイメージング・システム10の一実施形態のブロック図である。当業者には、本発明が投影X線システム又はマンモグラフィ・システムのようなX線管を利用する多数の医用又は産業用イメージング・システムに適用可能であることを認められよう。計算機式断層写真法システム及びディジタル・ラジオグラフィ・システムのように容積の三次元画像データを取得する他のイメージング・システムもまた、本発明からの利益を享受する。投影X線システム10の以下の議論は、単にかかる一つの具現化形態の実施例に過ぎず、モダリティの観点から制限することを意図していない。
図1に示すように、X線システム10は、対象16を通してX線のビーム14を投射するように構成されているX線管又はX線源12を含んでいる。対象16は、被検者、手荷物、又は走査が望まれる他の物体を含み得る。X線源12は、典型的には30kV〜200kVの範囲のエネルギのスペクトルを有するX線を発生する従来のX線管であってよい。X線14は対象16を透過して、対象16によって減弱された後に、検出器18に入射する。検出器18の各々の素子は、入射X線ビームの強度を表わし従って対象16を透過した後の減弱されたビームを表わすアナログ電気信号を発生する。一実施形態では、検出器18はシンチレーション方式の検出器であるが、直接変換型検出器(例えばCZT検出器等)もまた具現化され得ると想到される。
プロセッサ20は、検出器18からアナログ電気信号を受け取って、走査されている対象16に対応する画像を形成する。コンピュータ22は、操作者が操作コンソール24を用いて走査パラメータを制御して形成された画像を観察することを可能にするようにプロセッサ20と通信する。すなわち、操作コンソール24は、操作者がX線システム10を制御して再構成画像又はコンピュータ22からの他データを表示ユニット26において観察することを可能にするキーボード、マウス、音声作動式コントローラ又は他の任意の適当な入力装置のような何らかの形態の操作者インタフェイスを含んでいる。加えて、コンソール24は、操作者が形成された画像をハード・ドライブ、フロッピィ・ディスク、コンパクト・ディスク等を含み得る大容量記憶装置28に記憶させることを可能にしている。操作者はまた、コンソール24を用いてコンピュータ22に命令及び指示を供給して、X線源12に電力信号及びタイミング信号を供給する線源制御器30を制御することができる。
さらに、X線管での利用に関して本発明を説明する。但し、当業者には、表面フラッシュオーバ又は電圧不安定性を経験する傾向を有するため高電圧の下で動作する電気絶縁体の設置を要求するような他のシステム(例えば電子管)にも本発明が同等に適用可能であることをさらに認められよう。
図2は、本発明の一実施形態を組み入れたX線管12の断面図を示す。X線管12は、内部に形成された放射線放出通路52を有するフレーム50を含んでいる。フレーム50は、密閉容器又は真空領域54を包囲し、アノード56、軸受カートリッジ58、カソード60及び回転子62を収容している。アノード56は、ターゲット材料86を有すると共にターゲット・シャフト59を取り付けて有するターゲット57を含んでいる。
カソード60は典型的には、1又は複数のフィラメント55を含んでいる。カソード・フィラメント55は、真空領域54において中柱68を通過する電気リード71によって電力を供給される。電気リード71に加えて、中柱68は本発明の一実施形態では、アノード56に冷却剤を供給することができる冷却剤線185(図4)を収容している。中柱68は典型的には、絶縁体73の中央に配置されて取り付けられている。電気リード71は、X線管12の外部で電気接点77に接続している。絶縁体73は典型的には、アルミナ、又はステアタイト若しくは窒化アルミニウムのような他のセラミック材料で製造される。
動作時には、電流が電気接点77を介して所望のフィラメント55に印加され、電子がフィラメント55から放出され得るようにフィラメントを加熱する。アノード56とカソード60との間に高電圧の電位が印加され、両者の間の差によってカソード60からアノード56へ真空領域54を通って流れる電子ビームすなわち電流が生ずる。単極型X線管設計又は双極型X線管設計のいずれかを用いて、アノード56とカソード60との間の電圧差を保持することができる。単極型では、電圧はアノード56又はカソード60のいずれかに印加される。双極型では、電圧はアノード56及びカソード60の両方に印加される。設計に応じて、高電圧絶縁体がアノード56、カソード60又は両方の位置56、60に必要とされ得る。
電子は焦点61においてターゲット軌道材料86に衝突し、ここからX線15が放出する。X線15は放射線放出通路52を通り、図1の検出器18のような検出器アレイに向かって放出される。電子が焦点61に衝突してX線15を発生すると、内部に発生される熱によってターゲット57の温度が上昇し、従って輻射熱伝達を介してフレーム50のような周囲の構成要素に熱が伝達される。電子によってターゲット軌道材料86を過熱するのを回避するために、アノード56は中心線64の周りを例えば90〜250Hzの高速で回転する。
開示される各実施形態はX線管12のカソード60の側に組み付けられた絶縁体73を示しているが、当業者は、アノード56が何らかの電位を有し、これによりX線管12のアノード56の側に絶縁体73を組み付けることを要求するような実施形態を想到し得る。
X線管12の動作時に、カソード60とアノード56との間の電位によってX線管12の真空領域54の内部に電場が発生される。図3に示すように、この電場は電場力線220によって表わされる。電場は絶縁体73の表面180において一定の強度を有し、絶縁体表面180での電場強度は2箇所の三点接合点160、161において増強される。電場は絶縁体表面180に分極電荷を誘発する。このようなものとして、絶縁体表面180の分極電荷が閾値よりも大きい場合には、絶縁体表面180が絶縁破壊として公知の状態である導電性となり、表面180に沿った電弧発生を特徴とする絶縁体表面フラッシュオーバを生じ得る。電場力線220が図3に示すように絶縁体表面180に対して本質的に垂直であるときに、分極電荷が増加し絶縁破壊の可能性が高まる。電場力線220と絶縁体表面180との約90°の交差は、絶縁体表面フラッシュオーバに対する力線220の寄与の観点で最悪の事態に相当する。
絶縁体表面フラッシュオーバの開始のもう一つの要因は典型的には、三点接合点160、161から放出される電子を含む。これらの電子は、絶縁体表面180において電場から運動エネルギを得て、絶縁体表面180に沿った電子の瀑落を生ずる。高い運動エネルギを有する電子は、絶縁体表面180に衝突して、二次電子放出なだれを通じてさらに多くの電子を発生し得る。この過程が連続すると、絶縁体73の表面180での電気的絶縁破壊を招き得る。
前述のように、真空領域54の電場は三点接合点160、161において増強される。かかる増強は三点接合点160、161での絶縁体73の電気的応力誘発型破壊を招き、またX線管12の動作中の絶縁体表面フラッシュオーバによる電圧不安定を招き得る。表面フラッシュオーバの可能性は、本発明の一実施形態によれば、三点接合点160、161からの電場放出電子が絶縁体表面フラッシュオーバを開始するのに十分な運動エネルギを得ないように、三点接合点での電子放出を低減して絶縁体表面180に沿った接線電場を減少させることにより低減することができる。
従って、図4及び図5は絶縁体サブアセンブリ120を示し、この絶縁体サブアセンブリ120を本発明の一実施形態に従って図2のX線管12において用いて、三点接合点での電子放出及び絶縁体表面に沿った接線電場の両方の減少を図ることができる。絶縁体73は、外周壁87及び内周壁85を有している。絶縁体73は内周壁85において、典型的には導電性金属である中柱68に取り付けられ、外周壁87において、フランジ176の一部であり得る壁部材170に取り付けられている。壁部材170を含んでいるフランジ176は典型的には、ステンレス鋼又はコバール(Kovar)のような金属製である。図2のX線管12に取り付けられてX線管12の内部の真空領域54に露出すると、壁部材170とセラミック絶縁体73との接合点が第一の三点接合点160を形成する。中柱68とセラミック絶縁体73との接合点は真空領域54において第二の三点接合点161を形成する。
リップ193と円筒形区画191とを有する遮蔽体174がフランジ176に取り付けられる。フランジ176は、フランジ表面から削り出された小階段部194を有している。遮蔽体174のリップ193は、組み立て時に階段部194に嵌合して、遮蔽体174をフランジ176に電気的に結合するためのものである。金属フランジ176が金属X線管フレーム50に取り付けられると、遮蔽体174、フランジ176、及びフレーム50が全て電気的に結合される。カソード60が一定電位にある実施形態では、X線管フレーム50は典型的には接地されており、この場合には遮蔽体174もまた接地される。遮蔽体174の円筒形区画191は、壁部材170に沿って延在する。略U字形の空洞又は溝215が、壁部材170と絶縁体73との間に形成されるように絶縁体73の外周壁87の近傍に形成される。遮蔽体174は、好ましくは空洞215の内部まで延在して三点接合点160に近接するように配置される端部190を有し、このようにして三点接合点160の電場強度を低減してX線管12の高電圧安定性を高める。結果として、三点接合点160において絶縁体73に加わる電気的応力もまた減少する。
図4及び図5に示すように、環状底辺又はリップ195、円錐形区画201、及びトロイド状区画202を有する第二の遮蔽体175が、フランジ176の壁部材170に取り付けられている。底辺195から、遮蔽体175の円錐形部分201は頂点(図示されていない)に向かってテーパを有している。頂点に到達する前に、遮蔽体175は外側に彎曲してトロイド区画202を形成する。遮蔽体175のトロイド状部分202は、X線管12の中心と壁部材170との間の真空領域54に配置される。
フランジ176は、フランジ表面から削り出された小階段部194を有している。遮蔽体175のリップ195は、遮蔽体174のリップ193に被さってフランジ176の階段部194に嵌合する。典型的には銅のような可鍛性金属で作製されているガスケット188を用いて遮蔽体174、175をフランジ176に取り付ける。ガスケット188は二つの遮蔽体174、175のリップ193、195に被さって嵌合し、フランジ176の表面から削り出された第二の階段部196に嵌合する。この態様のアセンブリは、第二の遮蔽体175を遮蔽体174、フランジ176、及びX線管フレーム50に電気的に結合するためのものである。両方の遮蔽体構成要素174、175とも導電性の材料で作製される。好適実施形態では、遮蔽体174、175は、ステンレス鋼、コバール、インバール(Invar)、又は無酸素高純度銅のような高度研磨を許容し得る金属で製造される。
さらに図4及び図5を参照すると、本発明の実施形態によれば、端部192を有する遮蔽体177が、端部192が三点接合点161に近接して配置されるように中柱68に取り付けられていてよい。遮蔽体177のアセンブリは、中柱68に対する電気的結合遮蔽体177を含んでいる。カソード60が一定電位にある実施形態では、中柱68及び遮蔽体177はカソード60と同じ電位にある。略U字形の空洞又は溝210が、中柱68と絶縁体73との間に形成されるように絶縁体73の内周壁85の近傍に形成され得る。遮蔽体177の端部192は好ましくは、空洞210の内部まで延在するように配置される。遮蔽体177を三点接合点161に近接して配置することにより、三点接合点161での電場強度を低減し、このようにしてX線管12の高電圧安定性を高める。この配置の結果として、絶縁体173の三点接合点161に加わる電気的応力もまた低減される。
典型的には、カソード60が一定電位にある実施形態は、三点接合点161を保護するために中柱68に遮蔽体177を有する。アノード56が一定電位にある実施形態は一般的には、三点接合点160を保護するために外側壁部材170に遮蔽体174を有する。但し、絶縁体アセンブリ120は、X線管12の高電圧安定性を高めるために遮蔽体177、174の一方又は両方を含み得るものと思量される。
遮蔽体177及び174は三点接合点160、161での電子放出を減少させるためのものであり、遮蔽体175は、真空領域54での電場の圧縮によって電場力線220が絶縁体表面180に関して相対的に垂直でなくなるように電場力線220の方向を変化させることにより、絶縁体表面180での接線電場を低減するためのものである。トロイド状部分202の彎曲は、トロイド状部分202での電場線220を圧縮する。電場線220同士の間の距離はトロイド状部分202からの距離と共に増大するので、図6に示すように、電場線220は一層鋭角で絶縁体表面180に入射するようになる。絶縁体表面180に鋭角で交差する電場線220は、絶縁体表面に直角で交差する電場線220よりも小さい接線電場を形成し、これにより絶縁破壊及び絶縁体表面フラッシュオーバの可能性を低減する。
再び図5を参照すると、セラミック皮膜150が三点接合点160において絶縁体73の外周壁87の周りで壁部材170に施されており、第二のセラミック皮膜151が三点接合点161において中柱68に施されている。セラミック皮膜150、151は、三点接合点160、161からそれぞれ壁部材170及び中柱68の円周を巡って施され、壁部材170及び中柱68の表面に沿って上方に延在する。本発明の一実施形態では、皮膜150、151は好ましくは、三点接合点160、161から2ミリメートル以上にわたって延在する。従って、遮蔽体177、174もまた好ましくは、三点接合点160、161の2ミリメートル以内に垂直に配置される。
図7は絶縁体アセンブリ120の三点接合点160の周囲の部分の断面図を示す。図示のように、セラミック皮膜150は、金属−誘電体−真空接合点の位置を絶縁体73と壁部材170との接合点から位置162へ変化させることにより、絶縁体73と壁部材170との接合点の電場強度を低減するように作用する。新たな三点接合点162は、遮蔽体174の背後に配置されて三点接合点162からの電子放出の量を減少させ、これによりカスケード効果及び絶縁体表面フラッシュオーバの可能性を低減する。図7に示す実施形態は皮膜150に関するものであるが、当業者は、皮膜151及びその効果が中柱68及び遮蔽体177に関しても同様に示され得ることを認められよう。
セラミック皮膜150、151は、酸化アルミニウム及び二酸化ジルコニウムのような単純酸化物、チタン酸バリウムのような強誘電体薄膜、ガラス、遮熱皮膜、並びに五酸化タンタル及び酸窒化ケイ素のような誘電体層を含んでいる。セラミック皮膜150、151は、浸漬被覆、誘電ペースト焼付け、エアゾール吹付け、プラズマ溶射、及び水性セラミック・ペーストの刷毛塗りを含む様々な手法によって施すことができる。施された皮膜は一般的には、用いられる硬化工程に依存して100℃〜600℃の温度での乾燥又は硬化を要求する。
二つの遮蔽体構成要素174、175(図4及び図5に示す)とセラミック皮膜150との組み合わせによって、さらに小型ですなわち低プロファイルの絶縁体73の製造が可能となる。このように、本発明の一実施形態によれば、高電圧安定性を高めつつ絶縁体73の径を最小化することができる。絶縁体73の寸法縮小によって、絶縁体73の製造をさらに安価にし、またX線管又はX線源をさらに小型化することができ、従ってCT走査のような高度な撮像応用を容易にする。現在、典型的なX線管絶縁体73は径が8インチであり得る。しかしながら、本発明の各実施形態は、約6インチの絶縁体の径を可能にする。また3インチ〜4インチの径も可能であり得ると思量される。
絶縁体アセンブリ120のモジュール型設計によって、他の構成要素はアノード56又はカソード60のいずれかでの利用のために特に適応構成しなければならない場合もあるが、アノード56用に作製された絶縁体アセンブリとカソード60用に作製された絶縁体アセンブリとの間では幾つかの構成要素を共有することができる。この融通性のため、X線管12の異なる区域での同じ構成要素の利用が可能になり、モジュール型設計をより費用効率の高い絶縁体アセンブリを製造する方法とすることができる。また、モジュール型設計では、絶縁体アセンブリの任意の一部が損傷しても、絶縁体アセンブリの無損傷部分に影響を及ぼさないまま損傷構成要素のみを交換すれば済むため、修理がさらに容易に、また安価に行なわれる。
図8は、非侵襲型小荷物検査システムと共に用いられるCTシステムの見取り図である。小荷物/手荷物検査システム500が、内部に開口504を有する回転ガントリ502を含んでおり、この開口504を通して小荷物又は手荷物を通過させることができる。回転ガントリ502は、高周波電磁エネルギ源506と、シンチレータ・セルで構成されたシンチレータ・アレイを有する検出器アセンブリ508とを収容している。また、コンベヤ・システム510が設けられており、コンベヤ・システム510は、構造514によって支持されており走査のために小荷物又は手荷物516を自動的に且つ連続的に開口504に通すコンベヤ・ベルト512を含んでいる。対象516はコンベヤ・ベルト512によって開口504に送り込まれる。次いで、撮像データを取得し、コンベヤ・ベルト512によって開口504から小荷物516を除去することを、制御された連続的な態様で行なう。結果として、郵便物検査官、手荷物積み降ろし員及び他の警備人員が、爆発物、刃物、銃及び密輸品等について小荷物516の内容を非侵襲型に検査することができる。
電子管設計は様々な構造的具現化形態を含み得るが、動作の基本的な原理は本質的に同じであり、当業者は、本発明の範囲が所載のX線管に対する応用に加え、一般に電子管に対する応用も含んでいることを認められよう。
本発明の一実施形態によれば、X線管用のモジュール型絶縁体アセンブリが、円筒形の周縁壁を有し電気絶縁材料で構築された円環状絶縁体を含んでいる。壁部材が円筒形の周縁壁に固定的に取り付けられて該周縁壁を超えて延在しており、第一の遮蔽体が壁部材に隣接して配置されて、壁部材及び絶縁体によって形成される隅部に近接して延在する端部を有している。
本発明のもう一つの実施形態によれば、X線管を製造する方法が、真空領域を封入するように構成されたX線管フレームを設けるステップと、周縁壁を有する電気絶縁体を設けるステップとを含んでいる。方法はさらに、真空領域に露出した表面を有する壁部材を周縁壁に取り付けるステップであって、絶縁体、壁表面及び真空領域の合流が接合点を形成する、取り付けるステップと、接合点に近接して第一の遮蔽体の一方の端部を配置するステップとを含んでいる。
本発明のさらにもう一つの実施形態は、X線検出器とX線管とを有するイメージング・システムを含んでいる。X線管は、外周壁及び内周壁を有する円環状絶縁体と、外周壁に取り付けられており、中心軸を有し中心軸の周りの真空領域を包囲するように構成されている円筒形の壁部材であって、絶縁体、壁部材及び真空領域の合流が第一の接合点を形成している、円筒形の壁部材と、円錐形部分及びトロイド状部分を有する第一の遮蔽体とを含んでおり、円錐形部分の底辺が壁部材に取り付けられ、トロイド状部分は壁部材と中心軸との間の真空領域に配置される。
本発明は好適実施形態について説明されており、明示的に述べたもの以外の均等構成、代替構成及び改変が可能であり特許請求の範囲に属することを認められよう。
10 投影X線システム
12 X線管
14 X線のビーム
15 X線
16 対象
18 検出器
20 プロセッサ
22 コンピュータ
24 操作コンソール
26 表示ユニット
28 大容量記憶装置
30 線源制御器
50 フレーム
52 放射線放出通路
54 真空領域
55 フィラメント
56 アノード
57 ターゲット
58 軸受カートリッジ
59 ターゲット・シャフト
60 カソード
61 焦点
62 回転子
64 中心線
68 中柱
71 電気リード
73 絶縁体
77 電気接点
85 内周壁
86 ターゲット軌道材料
87 外周壁
120 絶縁体アセンブリ
150、151 セラミック皮膜
160、161 三点接合点
162 新たな三点接合点
170 壁部材
174、175、177 遮蔽体
176 フランジ
180 絶縁体表面
185 冷却剤線
188 ガスケット
190、192 端部
191 円筒形部分
193、195 リップ
194、196 階段部分
201 円錐形部分
202 トロイド状部分
210、215 空洞又は溝
220 電場力線
500 小荷物/手荷物検査システム
502 回転ガントリ
504 開口
506 高周波電磁エネルギ源
508 検出器アセンブリ
510 コンベヤ・システム
512 コンベヤ・ベルト
514 支持構造
516 小荷物又は手荷物

Claims (10)

  1. 円筒形の周縁壁を有し電気絶縁材料で構築された円環状絶縁体と、
    前記円筒形の周縁壁に固定的に取り付けられて該周縁壁を超えて延在している壁部材と、
    該壁部材に隣接して配置され、該壁部材及び前記絶縁体により形成される隅部に近接して延在する端部を有する第一の遮蔽体と、
    を備えたX線管(12)用のモジュール型絶縁体アセンブリ(120)。
  2. 前記壁部材はX線管フレーム及びX線管フランジ壁の一方であり、前記円筒形の周縁壁は外周壁である、請求項1に記載のモジュール型絶縁体アセンブリ。
  3. 前記壁部材は、中心軸を有する円筒形の壁部材であり、当該モジュール型絶縁体アセンブリは、円錐形部分及びトロイド状部分を有する第二の遮蔽体をさらに含んでおり、前記円錐形部分の底辺が前記壁部材に取り付けられ、前記トロイド状部分は、前記円錐形部分よりも前記中心軸に近接して配置される、請求項2に記載のモジュール型絶縁体アセンブリ(120)。
  4. 前記壁部材を含んでおりカソードを支持している中柱をさらに含んでおり、前記円筒形の周縁壁は内周壁を含んでいる、請求項1に記載のモジュール型絶縁体アセンブリ(120)。
  5. 前記中柱は、内部を通過する電気線を有する通路を包囲している、請求項4に記載のモジュール型絶縁体アセンブリ(120)。
  6. 前記円環状絶縁体は前記円筒形の周縁壁に隣接して内部に形成された空洞を有し、前記第一の遮蔽体の前記端部は該空洞の内部まで延在している、請求項1に記載のモジュール型絶縁体アセンブリ(120)。
  7. 真空領域を封入するように構成されているX線管フレームを有しており、前記壁部材、前記絶縁体、及び前記真空領域の合流が接合点を形成しており、該接合点において前記壁部材の前記周縁に施されたセラミック皮膜であって、前記壁部材に沿って、前記接合点から前記第一の遮蔽体の前記近接した端部までの距離よりも長い前記接合点からの距離まで延在しているセラミック皮膜をさらに含んでいる請求項1に記載のモジュール型絶縁体アセンブリ(120)。
  8. 前記円環状絶縁体は前記中柱に隣接して空洞を有し、前記第一の遮蔽体の前記端部は当該空洞の内部に配置されている、請求項1に記載のモジュール型絶縁体アセンブリ(120)。
  9. 前記第二の接合点において前記中柱の前記周縁の周りに施されたセラミック皮膜であって、前記中柱に沿って、前記第二の接合点から前記第二の遮蔽体の前記近接した端部までの距離よりも長い前記第二の接合点からの距離まで延在しているセラミック皮膜をさらに含んでいる請求項1に記載のモジュール型絶縁体アセンブリ(120)。
  10. X線検出器と、
    X線管と
    を備えたイメージング・システムであって、前記X線管は、
    外周壁と内周壁とを有する円環状絶縁体と、
    前記外周壁に取り付けられており、中心軸を有し該中心軸の周りの真空領域を包囲するように構成されている円筒形の壁部材であって、前記絶縁体、前記壁部材及び前記真空領域の合流が第一の接合点を形成している、円筒形の壁部材と、
    円錐形部分及びトロイド状部分を有する第一の遮蔽体であって、前記円錐形部分の底辺が前記壁部材に取り付けられ、前記トロイド状部分は前記壁部材と前記中心軸との間の前記真空領域に配置されている、第一の遮蔽体と
    を含んでいる、イメージング・システム。
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