JP2009297732A - 絶縁被覆導体の絶縁皮膜除去方法及び装置 - Google Patents

絶縁被覆導体の絶縁皮膜除去方法及び装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2009297732A
JP2009297732A JP2008152700A JP2008152700A JP2009297732A JP 2009297732 A JP2009297732 A JP 2009297732A JP 2008152700 A JP2008152700 A JP 2008152700A JP 2008152700 A JP2008152700 A JP 2008152700A JP 2009297732 A JP2009297732 A JP 2009297732A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
insulating film
laser beam
region
laser
laser light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008152700A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideaki Kimura
英明 木村
Shinya Shimizu
進也 清水
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Aisin AW Co Ltd
Original Assignee
Aisin AW Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Aisin AW Co Ltd filed Critical Aisin AW Co Ltd
Priority to JP2008152700A priority Critical patent/JP2009297732A/ja
Publication of JP2009297732A publication Critical patent/JP2009297732A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

【課題】残渣が残ることなく、容易かつ精度よく絶縁皮膜を除去することができる絶縁被覆導体の絶縁皮膜除去方法及び装置を提供すること。
【解決手段】金属導体80の表面に樹脂よりなる絶縁皮膜81を形成してなる絶縁被覆導体8における絶縁皮膜81を除去する方法である。波長が金属導体80よりも絶縁皮膜81に対して吸収率の高い波長である第1レーザ光51を、絶縁皮膜81を除去する処理領域Sに照射した後、波長が絶縁皮膜81よりも金属導体80に対して熱吸収率が高い波長である第2レーザ光を処理領域Sに照射する。第1レーザ光51は、赤外領域レーザ光であることが好ましい。第2レーザ光52は、可視光領域レーザ光であることが好ましい。
【選択図】図1

Description

本発明は、金属導体の表面に樹脂よりなる絶縁皮膜を形成してなる絶縁被覆導体の絶縁皮膜を除去する方法に関する。
電気機器には、銅などの金属導体の表面に樹脂よりなる絶縁皮膜を形成してなる絶縁被覆導体が多く用いられている。この絶縁被覆導体は、他の導体と接続する場合に、その接続部位における絶縁皮膜を除去する必要がある。従来、この絶縁皮膜を除去する方法としては、絶縁皮膜を機械的に剥離除去する方法、薬品で化学的に除去する方法等が採用されてきた。
しかしながら、従来の方法では、絶縁皮膜を除去する部位を精度よく制御することが困難で、絶縁性を維持したい部分まで絶縁皮膜が除去される場合もあった。
そこで、レーザ光線を用いて絶縁皮膜を焼失させる方法が考えられた。例えば、特許文献1は、レーザ溶接を行う前に、レーザ照射によって絶縁皮膜を除去する方法が提案されているが、絶縁皮膜を焼却するためのレーザ光の照射後には、残渣が残り、これを不活性ガスの吹きつけ等の別手段により除去する必要があることも明記されている。
特開2005−169444号公報
しかしながら、上記特許文献1の溶接前のレーザ照射によって絶縁皮膜を焼いた後には、前述したように、残渣が残ってしまう。これは、本発明の発明者らが行った実験においても確かめられた。一方、この残渣を不活性ガスの吹きつけによって除去するのは完全には困難であり、少なからず導体表面に残渣が残ってしまうため、導体同士の接合性や電気導電性の面で問題となる。
本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので、残渣が残ることなく、容易かつ精度よく絶縁皮膜を除去することができる絶縁被覆導体の絶縁皮膜除去方法及び装置を提供しようとするものである。
第1の発明は、金属導体の表面に樹脂よりなる絶縁皮膜を形成してなる絶縁被覆導体における上記絶縁皮膜を除去する方法であって、
波長が上記金属導体よりも上記絶縁皮膜に対して吸収率の高い波長である第1レーザ光を、上記絶縁皮膜を除去する処理領域に照射した後、
波長が上記絶縁皮膜よりも上記金属導体に対して熱吸収率が高い波長である第2レーザ光を上記処理領域に照射して上記絶縁皮膜を除去することを特徴とする絶縁被覆導体の絶縁皮膜除去方法にある(請求項1)。
本発明においては、まず、上記金属導体よりも上記絶縁皮膜に対して吸収率の高い波長である第1レーザ光を用いて上記処理領域に照射する。第1レーザ光は、絶縁皮膜に対して吸収率の高い波長であるので、その照射を受けた有機物よりなる絶縁皮膜は燃焼し、大半は除去される。しかしながら、絶縁皮膜の一部はどうしても燃焼しきらず、炭化して残渣として金属導体表面上に残存する。この残渣は、第1レーザ光の照射で燃焼除去することは困難である。
次に、上記絶縁皮膜よりも上記金属導体に対して熱吸収率が高い波長である第2レーザ光を上記処理領域に照射する。第2レーザ光は、絶縁皮膜の残渣よりも、金属導体に対して熱吸収率が高い波長であるので、その照射を受けた処理領域の残渣直下の金属導体は高温となり、これにより、その表面に残存する残渣の密着性が低下し、残渣は焼き飛ばされるように除去される。
なお、上記第1レーザ光と第2レーザ光の照射順序を逆にした場合には、上述したような作用効果を十分に得ることはできない。特に先に第2レーザ光を照射すると、金属導体だけが加熱されてしまい、絶縁皮膜は柔らなくなり皺状になるだけで、絶縁皮膜を燃焼させられず絶縁皮膜を除去することができない。
このように、本発明では、上記2種類の特定のレーザ光を用い、これらを2段階で順次照射することによって、絶縁皮膜の大半の焼却と残渣の形成を行う工程と、残渣の除去を行う工程という2段階の工程に積極的に分離する方法を採用する。これにより、最終的に残渣の残らない絶縁皮膜除去を容易に実施することができる。
第2の発明は、金属導体の表面に樹脂よりなる絶縁皮膜を形成してなる絶縁被覆導体における上記絶縁皮膜を除去する装置であって、
波長が上記金属導体よりも上記絶縁皮膜に対して吸収率の高い波長である第1レーザ光を上記絶縁皮膜を除去する処理領域に照射する第1レーザ照射部と、
上記第1レーザ光を上記処理領域に照射した後、波長が上記絶縁皮膜よりも上記金属導体に対して熱吸収率が高い波長である第2レーザ光を上記処理領域に照射する第2レーザ照射部とを有することを特徴とする絶縁被覆導体の絶縁皮膜除去装置にある(請求項6)。
本発明の絶縁皮膜除去装置は、上記金属導体よりも上記絶縁皮膜に対して吸収率の高い波長である第1レーザ光を上記処理領域に照射する第1レーザ照射部と、上記第1レーザ光を上記処理領域に照射した後、波長が上記絶縁皮膜よりも上記金属導体に対して熱吸収率が高い波長である第2レーザ光を上記処理領域に照射する第2レーザ照射部とを有する。これにより、上述した2つの工程を含む絶縁皮膜除去方法を確実に実施することができ、最終的に残渣を残すことなく、容易かつ精度よく絶縁皮膜を除去することができる。
第1の発明の絶縁皮膜除去方法は、レーザ光照射中に発生するヒュームを吸引除去しながら行うことが好ましい。そして、第2の発明の絶縁皮膜除去装置は、レーザ光照射中に発生するヒュームを吸引除去するヒュームコレクタを備えることが好ましい。これにより、処理後の絶縁被覆導体に異物が混入することを容易に防止することができる。
また、上記第1レーザ光及び第2レーザ光の照射は、所望の上記処理領域に応じて、公知の種々の照射方法を採用して行うことができる。例えば、照射位置を往復移動させると共にその往復方向と直交する方向にも徐々に移動させて面状に照射する方法や、円形又は矩形の領域にランダムに照射し、その照射領域を移動させる方法などである。
また、上記第1レーザ光は、波長が赤外領域にある赤外領域レーザ光であることが好ましい(請求項2、7)。赤外領域レーザ光は、上記金属導体よりも上記絶縁皮膜に対して吸収率の高い性質を有しており好適である。
また、上記赤外領域レーザ光は、CO2レーザ光であることが好ましい(請求項3、8)。CO2レーザ光は、赤外領域レーザ光として従来より広く用いられた実績があり、また、絶縁皮膜に吸収されやすく、その焼却には最適である。
また、上記第2レーザ光は、波長が可視光領域にある可視光レーザ光であることが好ましい(請求項4、9)。可視光レーザ光は、上記絶縁皮膜よりも上記金属導体に対して熱吸収率が高い性質を有しており好適である。
また、上記可視光領域レーザ光は、YAGレーザ光又はグリーンレーザ光であることが好ましい(請求項5、10)。特に、YAGレーザ光は、可視光領域レーザ光として従来より広く用いられた実績があり、また、銅やアルミニウムなどの金属導体に吸収されやすく、金属導体の加熱による残渣の剥離除去を行うことに最適である。
(実施例1)
本発明の実施例に係る絶縁被覆導体の絶縁皮膜除去方法及び装置につき、図1〜図4を用いて説明する。
本例で用いる絶縁皮膜除去装置1は、図2、図3に示すごとく、金属導体80の表面に樹脂よりなる絶縁皮膜81を形成してなる絶縁被覆導体81における上記絶縁皮膜81を除去する装置である。この絶縁皮膜除去装置1は、波長が上記金属導体よりも上記絶縁皮膜に対して吸収率の高い波長である第1レーザ光51を上記絶縁皮膜81を除去する処理領域Sに照射する第1レーザ照射部21と、波長が上記絶縁皮膜よりも上記金属導体に対して熱吸収率が高い波長である第2レーザ光52を上記処理領域Sに照射する第2レーザ照射部22とを有する。
上記第1レーザ光51は、波長が赤外領域にある赤外領域レーザ光であり、具体的にはCO2レーザ光を採用し、上記第2レーザ光52は、波長が可視光領域にある可視光領域レーザ光であり、具体的にはYAGレーザ光を採用した。
図2に示すごとく、絶縁皮膜除去装置1は、ベース台10上の支柱部11から上記第1レーザ照射部21と第2レーザ照射部22とを並列させて備えている。また、ベース台10上には、絶縁被覆導体8を固定してXY平面上において移動させる移動テーブル15が設けられている。移動テーブル15は、X方向(紙面上左右方向)に移動するXテーブル151と、その直角方向に移動するYテーブル152とを組み合わせてなり、Yテーブル152上に絶縁被覆導体8を固定するように構成されている。
また、支柱部11からは、上記移動テーブル15上近傍のヒュームを吸引除去するためのヒュームコレクタ18が延設されている。そして、移動テーブル15、ヒュームコレクタ18、及び各レーザ照射部21、22は、支柱部11内に配設された制御装置12を介して操作できるよう構成されている。
次に、上記絶縁皮膜除去装置1を用いて、上述した断面矩形の絶縁被覆導体8(図4(a))における一面の一部のみについて絶縁皮膜81を除去する方法について説明する。
まず、図1(a)に示すごとく、波長が赤外領域にある赤外領域レーザ光である第1レーザ光51を、上記絶縁皮膜81を除去する処理領域Sに照射する。処理領域Sは、図3に示すごとく、幅W=3mm、長さL=10mmの長方形の範囲である。また、図2に示すごとく、第1レーザ光51の照射距離Hは、300mmとした。これは、後述する第2レーザ光52の場合も同様である。
また、第1レーザ光51の照射パターンは、照射点を上記処理領域Sの領域内で長手方向に往復移動させながら徐々に幅方向にその往復移動位置をずらすパターンとした。この照射点の移動は、幅方向には第1レーザ照射部21自体の機能で行い、長手方向は移動テーブル15の移動によって実施した。スキャン速度は100mm/sとした。また、第1レーザ光51としては、上述したごとくCO2レーザ光としたが、波長が10.6μm、最大出力30Wのものを採用し、実際には50%の出力(15W)の条件で照射した。なお、この条件は一例であり、適宜変更可能である。
そして、上記第1レーザ光51の照射が処理領域Sの全体になされたことによって、処理領域Sの絶縁皮膜81は大半が燃焼除去されるが、金属導体80の表面には、絶縁皮膜81が炭化してなる残渣85が残った状態となる。
次に、図1(b)に示すごとく、波長が可視光領域にある可視光領域レーザ光よりなる第2レーザ光52を上記処理領域Sに照射する。第2レーザ光52の照射パターンも第1レーザ光51の場合と同じとし、照射点の移動も第1レーザ光51の場合と同様としたがスキャン速度は1000mm/sとした。第2レーザ光52としては、上述したごとくYAGレーザ光としたが、波長が10.6μm、最大出力130Wのものを採用し、実際には50%の出力(6.5W)の条件で照射した。なお、この条件は一例であり、適宜変更可能である。
これにより、残渣85がきれいに除去され、処理領域Sは、絶縁皮膜81がなく、金属導体80の表面が露出した状態が得られる。
このように所望の場所における絶縁皮膜81をきれいに除去できるのは、上述したごとく、第1レーザ光51の照射によって大半の絶縁皮膜81を焼却除去した後、残った残渣85を第2レーザ光52によって除去するという、2種類のレーザ光を用いて2段階で処理したことによる。
第1レーザ光51のみの照射では、上記のごとく残渣85が残ったままとなる。一方、第2レーザ光52のみの照射では、絶縁皮膜81をしわ状に剥がすことはできても、これを十分に燃焼除去することができず、剥がれた絶縁皮膜81が処理領域Sに残ったままとなるなどの不具合が生じる。
また、第2レーザ光52の照射の後に第1レーザ光51を照射しても、うまく絶縁皮膜81を除去することはできず、やはり残渣85が残ったり、絶縁皮膜81の一部が残ったりする。
したがって、本例の装置を用いて本例の方法を積極的に採用することが、絶縁被覆導体の絶縁皮膜除去を行う際に最適である。
なお、本例では、断面形状が矩形である角線状の絶縁被覆導体8における絶縁皮膜81を除去する方法について示したが、図4(b)に示す断面円形の金属導体80に絶縁皮膜81を有する丸線状の絶縁被覆導体802や、図4(c)に示す複数の丸線を束にしてその全体を絶縁皮膜81によって覆った寄り線状の絶縁被覆導体803の場合でも、上記と同様に所望部位の絶縁皮膜81をきれいに除去することが可能である。
また、本例では、モータの製造工程における動力線や中性線の端子取り付け工程への適用も可能である。
従来動力線や中性線の端子取り付け工程は、1本又は複数本からなる絶縁被覆導体と動力線端子又は中性線端子とを熱かしめ(ヒュージング)によって接続していた。具体的には、動力線端子又は中性線端子内に1本又は複数本からなる絶縁被覆導体を挿入し、端子外側から加圧しながら大電流を流して、端子の抵抗発熱によって過熱しながら、絶縁被覆導体の絶縁皮膜を焼却し炭化させ、且つ加圧することで残渣を押し出して除去してなる接続方法である。
しかしながら、この方法では、金属導体の熱伝導によって除去したい部分以外にまで熱が伝わってしまうため、絶縁皮膜を加熱劣化させてしまう。加圧によって炭化物の除去を行っているが、完全に除去することは困難なため、残渣がかしめ部分に残り、金属導体と動力線端子又は中性線端子の接合性や電気導電性の面で問題となっていた。
このような問題点に対しても本例では、容易に残渣が残ることなく絶縁皮膜を除去することができるので、動力線端子又は中性線端子と絶縁皮膜との接合する際に、熱かしめしなくても、圧着などの通常の機械かしめで接続することができ、安全で、かつ、作業性を向上することが可能である。
実施例1における、(a)赤外領域レーザ光を処理領域に照射している状態及びその直後の状態を示す説明図、(b)可視光領域レーザ光を処理領域に照射している状態及びその直後の状態を示す説明図。 実施例1における、絶縁被覆導体の絶縁皮膜除去装置の構成を示す説明図。 実施例1における、赤外領域レーザ光を発射する第1レーザ照射部と、可視光領域レーザ光を発射する第2レーザ照射部とを示す説明図。 実施例1における、(a)角線状絶縁被覆導体の断面図、(b)丸線状絶縁被覆導体の断面図、(c)寄り線状絶縁被覆導体の断面図。
符号の説明
1 絶縁皮膜除去装置
15 移動テーブル
21 第1レーザ照射部
22 第2レーザ照射部
51 第1レーザ光(赤外領域レーザ光)
52 第2レーザ光(可視光領域レーザ光)
8、801、802 絶縁被覆導体
80 金属導体
81 絶縁皮膜

Claims (10)

  1. 金属導体の表面に樹脂よりなる絶縁皮膜を形成してなる絶縁被覆導体における上記絶縁皮膜を除去する方法であって、
    波長が上記金属導体よりも上記絶縁皮膜に対して吸収率の高い波長である第1レーザ光を、上記絶縁皮膜を除去する処理領域に照射した後、
    波長が上記絶縁皮膜よりも上記金属導体に対して熱吸収率が高い波長である第2レーザ光を上記処理領域に照射して上記絶縁皮膜を除去することを特徴とする絶縁被覆導体の絶縁皮膜除去方法。
  2. 請求項1において、上記第1レーザ光は、波長が赤外領域にある赤外領域レーザ光であることを特徴とする絶縁被覆導体の絶縁皮膜除去方法。
  3. 請求項2において、上記赤外領域レーザ光は、CO2レーザ光であることを特徴とする絶縁被覆導体の絶縁皮膜除去方法。
  4. 上記請求項1〜3のいずれか1項において、上記第2レーザ光は、波長が可視光領域にある可視光レーザ光であることを特徴とする絶縁被覆導体の絶縁皮膜除去方法。
  5. 請求項4において、上記可視光領域レーザ光は、YAGレーザ光又はグリーンレーザ光であることを特徴とする絶縁被覆導体の絶縁皮膜除去方法。
  6. 金属導体の表面に樹脂よりなる絶縁皮膜を形成してなる絶縁被覆導体における上記絶縁皮膜を除去する装置であって、
    波長が上記金属導体よりも上記絶縁皮膜に対して吸収率の高い波長である第1レーザ光を上記絶縁皮膜を除去する処理領域に照射する第1レーザ照射部と、
    上記第1レーザ光を上記処理領域に照射した後、波長が上記絶縁皮膜よりも上記金属導体に対して熱吸収率が高い波長である第2レーザ光を上記処理領域に照射する第2レーザ照射部とを有することを特徴とする絶縁被覆導体の絶縁皮膜除去装置。
  7. 上記請求項6において、上記第1レーザ光は、波長が赤外領域にある赤外領域レーザ光であることを特徴とする絶縁被覆導体の絶縁皮膜除去方法。
  8. 請求項7において、上記赤外領域レーザ光は、CO2レーザ光であることを特徴とする絶縁被覆導体の絶縁皮膜除去装置。
  9. 上記請求項6〜8のいずれか1項において、上記第2レーザ光は、波長が可視光領域にある可視光レーザ光であることを特徴とする絶縁被覆導体の絶縁皮膜除去方法。
  10. 請求項9において、上記可視光領域レーザ光は、YAGレーザ光又はグリーンレーザ光であることを特徴とする絶縁被覆導体の絶縁皮膜除去装置。
JP2008152700A 2008-06-11 2008-06-11 絶縁被覆導体の絶縁皮膜除去方法及び装置 Pending JP2009297732A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008152700A JP2009297732A (ja) 2008-06-11 2008-06-11 絶縁被覆導体の絶縁皮膜除去方法及び装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008152700A JP2009297732A (ja) 2008-06-11 2008-06-11 絶縁被覆導体の絶縁皮膜除去方法及び装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009297732A true JP2009297732A (ja) 2009-12-24

Family

ID=41545175

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008152700A Pending JP2009297732A (ja) 2008-06-11 2008-06-11 絶縁被覆導体の絶縁皮膜除去方法及び装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2009297732A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015228298A (ja) * 2014-05-30 2015-12-17 アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 平角線の接合方法
JP2020054155A (ja) * 2018-09-27 2020-04-02 トヨタ自動車株式会社 コイル線の被膜層除去方法
CN113853063A (zh) * 2021-09-09 2021-12-28 深圳市海目星激光智能装备股份有限公司 介电材料去除方法、激光去除设备与电子器件
US11251591B2 (en) 2018-03-07 2022-02-15 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Insulation film peeling method

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08340165A (ja) * 1995-06-09 1996-12-24 Sumitomo Heavy Ind Ltd バイアホール形成方法及びレーザ加工装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08340165A (ja) * 1995-06-09 1996-12-24 Sumitomo Heavy Ind Ltd バイアホール形成方法及びレーザ加工装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015228298A (ja) * 2014-05-30 2015-12-17 アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 平角線の接合方法
US11251591B2 (en) 2018-03-07 2022-02-15 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Insulation film peeling method
JP2020054155A (ja) * 2018-09-27 2020-04-02 トヨタ自動車株式会社 コイル線の被膜層除去方法
CN110957676A (zh) * 2018-09-27 2020-04-03 丰田自动车株式会社 线圈线的覆膜层除去方法
CN110957676B (zh) * 2018-09-27 2020-12-29 丰田自动车株式会社 线圈线的覆膜层除去方法
JP7125230B2 (ja) 2018-09-27 2022-08-24 トヨタ自動車株式会社 コイル線の被膜層除去方法
CN113853063A (zh) * 2021-09-09 2021-12-28 深圳市海目星激光智能装备股份有限公司 介电材料去除方法、激光去除设备与电子器件

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102407668B1 (ko) 인쇄 회로 트레이스 수리
CN107810084B (zh) 用于混合功能微焊接的系统、装置和方法
CN110238529B (zh) 绝缘被膜剥离方法
JP2009297732A (ja) 絶縁被覆導体の絶縁皮膜除去方法及び装置
KR20060036076A (ko) 기질로부터 층 또는 코팅부를 제거하기 위한 장치 및 방법
CN110957676B (zh) 线圈线的覆膜层除去方法
WO2013129165A1 (ja) ガラス基板を製造する方法、およびガラス基板
JP2009016502A (ja) ワイヤ被膜剥離方法、コイル部品の製造方法、ワイヤ被膜剥離装置およびコイル部品の製造装置
JP2010067590A (ja) フレキシブルフラットケーブル及びその製造方法
JP2010253492A (ja) レーザー溶接装置
JP5693074B2 (ja) レーザ加工方法
JP2008109753A (ja) 被覆剥離方法
JP2004344961A (ja) 穴あけ加工方法
JP2010051989A (ja) レーザ接合方法
JP2009231559A (ja) 抵抗体の組み付け方法
JP7181171B2 (ja) 導線の接合方法
JP2007220857A (ja) アルミ電解コンデンサ用リード線の溶接方法及び溶接装置
JP4252939B2 (ja) レーザ加工方法
JP2010082673A (ja) レーザ溶接部材およびレーザ溶接方法
JP4254564B2 (ja) 複合溶接装置とその溶接方法
JP2012252935A (ja) 電力用半導体装置
CN101998773A (zh) 印刷电路板组装中有机可焊性防腐涂层的等离子体处理
JP6619625B2 (ja) 電極のクリーニング方法および集積回路装置の製造方法
JPH11307914A (ja) 厚膜配線基板のパターン形成方法
JP2005279686A (ja) レーザろう付装置および方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100921

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120207

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120209

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120605