JP2009295915A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】所望のエッチング形状を形成してデバイスに最適な応力を印加することを可能にする半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。
【解決手段】本発明の一実施形態における半導体装置の製造方法は、はじめに上面上にゲート絶縁膜2、ゲート電極3およびサイドウォール5が形成された半導体基板1を準備する。次に、ゲート電極3およびサイドウォール5をマスクとして、半導体基板1に異方性エッチングを行い第1の溝9を形成する。次に、ゲート電極3およびサイドウォール5をマスクとして、半導体基板1の第1の溝9が形成された領域に等方性エッチングを行い第2の溝10を形成する。その後、第2の溝10に半導体基板1と格子定数の異なる半導体材料を埋め込みソース・ドレイン領域6aを形成する。
【選択図】図1
【解決手段】本発明の一実施形態における半導体装置の製造方法は、はじめに上面上にゲート絶縁膜2、ゲート電極3およびサイドウォール5が形成された半導体基板1を準備する。次に、ゲート電極3およびサイドウォール5をマスクとして、半導体基板1に異方性エッチングを行い第1の溝9を形成する。次に、ゲート電極3およびサイドウォール5をマスクとして、半導体基板1の第1の溝9が形成された領域に等方性エッチングを行い第2の溝10を形成する。その後、第2の溝10に半導体基板1と格子定数の異なる半導体材料を埋め込みソース・ドレイン領域6aを形成する。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特にチャネル領域に対して応力歪みを与える構成を有する半導体装置の製造方法に関するものである。
従来より、システムLSIの45nmプロセス以降の開発において、チャネル領域に対して応力歪みを与える構成を有するMOSトランジスタの開発が検討されている。これは、半導体基板が応力歪みを受けることでキャリアの移動度が変化するという特性を利用するものである。この応力歪みを印加する技術の一つとして、e−SiGe(embedded:埋め込みSiGe)技術が各SoCメーカーで開発されている。e−SiGe技術は、サイドウォール形成後に、このサイドウォールとゲート電極をマスクにしてSi基板を等方性エッチングし、その部分にSiGeをエピタキシャル成長させる構成である。この構成により、格子定数の差からトランジスタのチャネル部に圧縮応力が印加して、駆動能力が向上するという技術である。
一般的にPchトランジスタのチャネル領域には圧縮応力を与え、Nchトランジスタのチャネル領域には引っ張り応力を与えると、MOSトランジスタの性能が向上することが知られている。すなわち、ソース・ドレイン領域としてSiGeを埋め込むことにより圧縮応力を印加する方式は、Nchトランジスタには有効ではないので、Pchトランジスタ領域にのみこの方式を施す。
図6,図7は、チャネル領域に対して応力歪みを与える構成を有する従来の半導体装置の製造方法を示した図である。まず半導体基板1上にゲート絶縁膜2、ゲート電極3およびサイドウォール5を形成する。次に、このゲート電極3およびサイドウォール5をマスクとして、Si基板1に等方性エッチングを行い溝11を形成する(図6)。エッチングが等方的であるので、縦、横方向にエッチングが進む。その際のエッチング量の縦横比を図のように規定する。
次に、形成した溝11にSiGeを埋め込みエピタキシャル成長させる(図7)。SiGeとSi基板1とは格子定数に差があり、SiGeの方が若干大きいため歪みが発生し、その結果チャネル部のソースからドレインへ向かう方向に対して圧縮する方向に応力が働く。ここでは等方性エッチング形状であることが歪みの印加に有効に働くと考えられている。その結果、PchMOSトランジスタの駆動能力が向上する。これに関連する技術が下記特許文献に開示されている。
上述したような、Si基板に格子定数の異なる半導体材料を埋め込んでチャネル部に応力を印加する技術において、エッチング形状(特にエッチング量の縦横比)が、チャネルへの応力印加に大きく影響を及ぼすことが知られている。しかし、現状ではこの縦横比をどのように調整すれば応力が効果的に印加されるかは、デバイスにより最適値が異なると考えられている。従って、製品への適用の際、縦横比を様々に変化させて実際に電気特性を検証し、エッチング形状を決定する作業が必要となる。しかしながら、等方性エッチング工程のみでは、エッチング形状の調整が限られており、チャネルへの応力印加に最適な形状を見出すことが困難であるという問題があった。
そこで本発明はかかる問題を解決するためになされたものであり、所望のエッチング形状を形成してデバイスに最適な応力を印加することを可能にする半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。
本発明の一実施形態における半導体装置の製造方法は、はじめに上面上にゲート絶縁膜、ゲート電極およびサイドウォールが形成された半導体基板を準備する。次に、ゲート電極およびサイドウォールをマスクとして、半導体基板に異方性エッチングを行い第1の溝を形成する。次に、ゲート電極およびサイドウォールをマスクとして、半導体基板の第1の溝が形成された領域に等方性エッチングを行い第2の溝を形成する。その後、第2の溝に半導体基板と格子定数の異なる半導体材料を埋め込みソース・ドレイン領域を形成する。
本発明の一実施形態によれば、デバイス開発の際、異方性エッチングと等方性エッチングを組み合わせることにより、Si基板へのエッチング形状の縦横比を振り分けることができ、チャネルへの応力印加に最適な形状を見いだすことを可能にする。
<実施の形態1>
図1は、本発明の実施の形態における、チャネル領域に対して応力歪みを与える構成のトランジスタを有する半導体装置の構成を示した図である。図1は、シリコン基板1上にPchトランジスタ領域20とNchトランジスタ領域30を組み合わせて構成したCMOSトランジスタを示している。本実施の形態では、チャネル領域に応力歪みを与える構成を有するトランジスタにPchトランジスタを用いることとし、図1を参照して以下に半導体装置の構成について説明する。
図1は、本発明の実施の形態における、チャネル領域に対して応力歪みを与える構成のトランジスタを有する半導体装置の構成を示した図である。図1は、シリコン基板1上にPchトランジスタ領域20とNchトランジスタ領域30を組み合わせて構成したCMOSトランジスタを示している。本実施の形態では、チャネル領域に応力歪みを与える構成を有するトランジスタにPchトランジスタを用いることとし、図1を参照して以下に半導体装置の構成について説明する。
本実施の形態における半導体装置は、Si基板1、Si基板1上に形成されたゲート絶縁膜2、ゲート絶縁膜2上に形成されたゲート電極3、ゲート電極3上に形成されたマスク4、ゲート絶縁膜2およびゲート電極3の側面に形成されたサイドウォール5(本実施の形態では、第1のサイドウォール5a、第2のサイドウォール5b、および第3のサイドウォール5cからなる3層のサイドウォール5を用いる)、Si基板1の表層であってサイドウォール5の隣り合う領域に形成されたソース・ドレイン領域6a,6b、を備える。
ここで、ソース・ドレイン領域6aの半導体材料はSiと格子定数の異なる材料を用いることで歪みが発生し、その結果チャネル部に応力が働く。本実施の形態におけるPchトランジスタでは、ソース・ドレイン領域6aにSiGeを使用する。SiGeとSiでは、SiGeのほうが格子定数が若干大きいため歪みが発生し、その結果チャネル部のソースからドレインに向かう方向に対しては圧縮する方向に応力が働く。
図2から図5は、図1に示した本実施の形態における半導体装置の製造工程を示した図である。以下、図1から図5を参照して、本実施の形態における半導体装置の製造方法について説明する。
はじめに、シリコン基板1上にゲート絶縁膜2、poly−Si材料を用いたゲート電極3を形成する。次にゲート電極3上にマスク4を形成してパターニングを行う。ここで、ゲート電極3のpoly−Siをパターニングする際は、酸化膜または窒化膜のマスク4を用いてエッチングを行い、フォトレジストマスクは用いない。理由は、後述するSiGeエピタキシャル成長をゲート電極3であるpoly−Si上に発生させないためである。
次に、ゲート電極3の側面に窒化膜、NSG酸化膜などで薄いサイドウォールを何層か形成する。本実施の形態では窒化膜からなる第1のサイドウォール5aとNSG酸化膜からなる第2のサイドウォール5bの2層のサイドウォールを形成する。薄いサイドウォールを形成した後、窒化膜(SiN膜)からなる第3のサイドウォール5cを形成する(図2)。上述したような何層ものサイドウォール5は、それぞれのサイドウォール5をマスクとした注入を行うことにより、注入種のプロファイルを微妙に制御するのに使用される。
次に、Si基板1、ゲート電極3,サイドウォール5上にカバー膜7(酸化膜もしくは窒化膜)を形成する。さらに、Nchトランジスタ領域30上にフォトレジストマスク8を形成して、Pchトランジスタ領域20のみカバー膜7を除去する(図3)。これは、e−SiGeがPchトランジスタにしか有効でないため、Nchトランジスタ領域30はカバー膜7で保護しておきたいためである。
次に、ゲート電極3およびサイドウォール5をマスクとして、Si異方性エッチャーでSi基板1に異方性エッチングを行い、第1の溝9を形成する(図4)。本実施の形態では、Si基板1を0〜30nmエッチングして第1の溝9を形成する。例えば、本実施の形態で用いるエッチング装置は、μ波RIE(Riactive Ion Etcher)を用いる。また条件は、Cl2/02=72/8sccm、μ波=400W、RF=100W、0.8Pa、10℃とする。このときの異方性エッチングの性能は、E/R(Si)=385nm/min、E/R(SiN)=75nm/minとなる。
次に、ゲート電極3およびサイドウォール5をマスクとして、Si基板1の第1の溝9が形成された領域に等方性エッチングを行い、第2の溝10を形成する(図5)。例えば、本実施の形態で用いるエッチング装置は、リモートプラズマ型等方性エッチング装置を用いる。また条件は、CF4/O2=360/40sccm、μ波=400W、50Pa、20℃とする。このときの等方性エッチングの性能は、E/R(Si)=149nm/min(縦方向),80nm/min(横方向)、E/R(SiN)=92nm/minとなる。
その後、第2の溝10にSiGeを埋め込みエピタキシャル成長させてソース・ドレイン領域6aを形成すると、図1に示す半導体装置が形成される。ここで、SiGeとSiは格子定数に差があり、SiGeのほうが若干大きいため歪みが発生し、その結果チャネル部のソースからドレインに向かう方向に対して圧縮する方向に応力が働く。
ここで、本実施の形態では第2の溝10の深さ、すなわち等方性エッチングと異方性エッチングの深さ方向への合計エッチング量が60nmになるように調整する。つまり、等方性エッチングの時間は、第2の溝10の深さが60nmになるように調整する。その結果、等方性エッチングが100%の場合は、概算でエッチング縦横比(縦/横)=60/30nmとなり、等方性エッチング/異方性エッチングが50%ずつの場合には、60/15nmとなる。概算と述べたのは、異方性エッチングが完全に異方性ではなく、若干テーパー形状となるためである。
また、本実施の形態ではチャネル部に応力を印加する構成を有するトランジスタとして、Pchトランジスタを用いて説明したが、Nchトランジスタであってもよい。Nchトランジスタの場合は、SiGeの代わりにSiC等のSi基板1よりも格子定数の小さい半導体材料を用いる。SiCはSi基板1よりも格子定数が小さいため、チャネル領域にはチャネル方向に一軸性の引張り応力が作用し、Nchトランジスタのチャネル領域における電子移動度が増大する。
以上より、異方性エッチングと等方性エッチングの時間を調整することにより、エッチング形状(エッチング深さの縦横比)を調整できるため、製品へ適用する際に、電気特性を測定して最適な形状を細かく調べることができ、チャネルに応力が印加される最適な形状を見出すことができる。これによりトランジスタ速度、すなわち製品性能の向上が望める。
本発明は、45〜32nm世代以降のシステムLSI製品へ利用可能である。
1 Si基板、2 ゲート絶縁膜、3 ゲート電極、4 マスク、5 サイドウォール、5a 第1のサイドウォール、5b 第2のサイドウォール、5c 第3のサイドウォール、6a,6b ソース・ドレイン領域、7 カバー膜、8 フォトレジスト、9 第1の溝、10 第2の溝、11 溝、20 Pchトランジスタ領域、30 Nchトランジスタ領域。
Claims (3)
- (a)上面上にゲート絶縁膜、ゲート電極およびサイドウォールが形成された半導体基板を準備する工程と、
(b)前記ゲート電極およびサイドウォールをマスクとして、前記半導体基板に異方性エッチングを行い第1の溝を形成する工程と、
(c)前記ゲート電極およびサイドウォールをマスクとして、前記半導体基板の前記第1の溝が形成された領域に等方性エッチングを行い第2の溝を形成する工程と、
(d)前記第2の溝に前記半導体基板と格子定数の異なる半導体材料を埋め込みソース・ドレイン領域を形成する工程と、を備える半導体装置の製造方法。 - 前記工程(a)は、上面上にゲート絶縁膜、ゲート電極およびサイドウォールが形成されたSi基板を準備し、
前記工程(d)は、前記第2の溝にSiGeを埋め込みソース・ドレイン領域を形成する、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記工程(a)は、上面上にゲート絶縁膜、ゲート電極およびサイドウォールが形成されたSi基板を準備し、
前記工程(d)は、前記第2の溝にSiCを埋め込みソース・ドレイン領域を形成する、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
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JP2008150551A JP2009295915A (ja) | 2008-06-09 | 2008-06-09 | 半導体装置の製造方法 |
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CN102263087A (zh) * | 2010-05-26 | 2011-11-30 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 半导体元件及其制作方法 |
CN105097436A (zh) * | 2014-05-22 | 2015-11-25 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 应变硅层的制作方法、pmos器件的制作方法及半导体器件 |
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2008
- 2008-06-09 JP JP2008150551A patent/JP2009295915A/ja active Pending
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