JP2009295832A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】リードフレームの吊りリードを切断する際に樹脂のバリを残さない技術を提供する。
【解決手段】リードフレーム８のダム部１１のプレス成形時に円弧部１９が形成される外枠９の底面１７に、ハーフエッチング処理により凹部１８を形成し、この凹部１８にモールド工程で樹脂を流し込んで、基板２（配線基板）の平面１３上に搭載された半導体チップ１４を覆う封止体５の側面２１から突出する突出部２０ａを、リードフレーム８の吊りリード切断により切断除去できる厚さとなるように形成する。これにより、突出部２０ａは撓まない程度の剛性を有する剛体となり、吊りリード切断時にリードフレーム８の外枠９の重量により切断除去され、封止体５の側面２１に樹脂のバリとして残らなくすることができる。
【選択図】図１０

Description

本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にＬＢＧＡ（Ｌｏｗ−ｐｒｏｆｉｌｅ Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒａｙ）パッケージの製造方法に適用して有効な技術に関する。

例えば特許文献１には、リードフレームを用いて製造するＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒａｙ）パッケージとして、ＬＢＧＡと呼ばれるパッケージの製造方法が提案されている。ＬＢＧＡでは、良品の基板のみをリードフレームに固定して用いることから歩留まりの向上を図ることができる。また、リードフレームを用いることから、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）など異なるタイプのパッケージの製造装置を適用できる利点がある。

本願発明者は、このようなリードフレームにより基板が支持されたＬＢＧＡ型の半導体装置について検討した。

ＬＢＧＡの製造では例えば、まず吊りリードにより基板が支持されるとともに、吊りリード間に封止体形成時の樹脂の流出を阻止するダム部が設けられるリードフレームを準備する。次に、基板に半導体チップを搭載した後、基板と半導体チップの電極とをワイヤにより接続する。続いて、リードフレームを樹脂成形用の金型のキャビティ内に配置し、この金型に樹脂を流すことにより半導体チップを覆う封止体を形成した後、リードフレームを金型から出して基板の裏面にボール端子を形成する。

これにより、図１８に示す封止体５０のように、裏面からボール端子５１が突出するとともに、側面からリードフレーム５２のダム部５３内に樹脂５４が流れ込んだものが得られる。そして、リードフレーム５２の吊りリード（図示せず）を切断する工程を経て、通常のＢＧＡとほぼ同様の外観のパッケージが得られるようになっている。

リードフレーム５２は一般に、プレス成形またはエッチング成形により形成される。プレス成形は、エッチング成形に比してコストの低減が図れるとともに、エッチング成形のようにエッチング条件やエッチング液の状態により品質がバラつく虞がなく品質の安定化を図れる利点がある。
特開２００７−３０６０３７号公報

しかしながら、リードフレーム５２をプレス成形により形成した場合には、図１９（ａ）に示すように、プレス側の面の先端部にダレと呼ばれる円弧部５５ができる。したがって、ダム部５３では封止体５０を形成する際に円弧部５５と樹脂成形用の金型との間に隙間が生じ、この隙間に樹脂５４が浸入してバリ５６が発生する。

ここで、図１９（ｂ）に示すバリ５６の厚さεは、リードフレーム成形用の金型の摩耗の程度により若干異なるものの、通常５０μｍ以下と極めて薄い。したがって、バリ５６は撓みやすく、吊りリードの切断時にリードフレーム５２の重量がかかっても、切断除去することが困難であり、図１９（ｂ）に示すように、吊りリードの切断後にバリ５６がパッケージに垂れ下がった状態で残ってしまうことがあった。

このバリ５６は後の工程で製品上に落下して、例えばランドとボール端子５１との間に挟まった場合にはオーブン不良を起こす等、顧客が製品を実装した際のトラブルの要因となる虞があった。

また、そのようなトラブルを回避するためには、バリ５６を除去する工程を追加するとともに、バリ５６が残っていないか外観検査を行う必要があり、付帯作業が増えて製造コストが嵩む問題があった。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、リードフレームの吊りリードを切断する際に樹脂のバリを残さない技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。

すなわち、本発明の半導体装置の製造方法は、（ａ）配線基板と、前記配線基板を支持する吊りリードと、樹脂成形時の樹脂の流出を阻止するダム部とが設けられ、プレス成形によって形成されたリードフレームを準備する工程と、（ｂ）半導体チップの複数の電極と前記配線基板とを電気的に接続する工程と、（ｃ）前記配線基板を有する前記リードフレームを樹脂成形金型のキャビティ内に配置し、その後、前記キャビティ内に樹脂を注入して前記半導体チップを覆う封止体と、前記封止体の側面から突出する突出部とを形成する工程と、（ｄ）前記リードフレームの前記吊りリードを切断するとともに、前記突出部を切断除去する工程とを有し、前記突出部は、前記（ｃ）工程において前記キャビティから前記樹脂が流出した際に前記リードフレームの前記ダム部によって形成されるとともに、前記（ｄ）工程で切断除去される厚さを有するように形成する。

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。

すなわち、封止体の側面から突出する突出部を、樹脂が流出した際にリードフレームのダム部によって、リードフレームの吊りリードを切断する工程で切断除去される厚さを有するように形成する。

これにより、突出部は撓まない程度の剛性を有する剛体となり、リードフレームの吊りリードを切断する工程でリードフレームの重量により切断除去され、樹脂のバリとして残らなくすることができる。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本実施の形態を説明するための全図において同一機能を有するものは原則として同一の符号を付すようにし、その繰り返しの説明は可能な限り省略するようにしている。

（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法により製造されたパッケージ（半導体装置）を示す（ａ）は平面図、（ｂ）は底面図、（ｃ）は正面図である。図２（ａ）は本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法の概略を示すフロー図であり、（ｂ）〜（ｇ）はそれぞれの工程を示す概略図である。図３はリードフレームの平面図であり、図４はモールド工程を経たリードフレームの平面図である。図５は、ボールマウント工程を経たリードフレームの（ａ）は平面図、（ｂ）は底面図である。

図１（ａ）〜（ｃ）に示すように、パッケージ１は、平面視および底面視で方形状、図示の例では正方形状に形成され、基板（配線基板）２の底面３に一定間隔でボール端子４が形成されており、リードフレーム（図１では図示せず）を用いて製造されたＬＢＧＡパッケージである。

基板２上には半導体チップ（図１では図示せず）が搭載されており、この半導体チップは、熱硬化性樹脂（樹脂）であるエポキシレジンにより形成された封止体５により覆われて封止されている。

封止体５は、樹脂成形金型のキャビティに対応した形状に形成され、図１（ｃ）に示すように、後述する吊りリードの厚さに対応する中央部６が最も広い幅であって、中央部６から上方向および下方向へ、それぞれ半導体チップおよび基板２の幅に合わせて傾斜状に幅が狭まる形状を成している。そして、図１（ａ）、（ｂ）に示すように、吊りリードの切断により生じた隙間７を周方向に所定間隔で有している。

パッケージ１を製造するには、まず、図２（ａ）、（ｂ）および図３に示すように、基板２が固定されたリードフレーム８を準備する工程を経る。

リードフレーム８は、図３に示すように、複数個、図示の例では４個の基板２をそれぞれ囲む方形状の外枠９をベースとして、銅等の金属材料をプレス成形することにより形成されたフレームである。

外枠９の各基板２の周囲には、所定間隔で吊りリード１０が突出して形成され、基板２にそれぞれ接続されており、この吊りリード１０により各基板２が支持されている。各吊りリード１０の間には、封止体５を形成する樹脂成形時に、エポキシレジンの外枠９への流出を阻止するためのダム部１１が設けられている。なお、リードフレーム８は、半導体製造装置のピンを挿し込む際などの便宜のために、図示の例では、各基板２の上辺側に１つおよび下辺側に２つずつ、位置決め用の孔部１２が形成されている。

次に、図２（ａ）、（ｃ）に示すように、基板２の平面１３上に半導体チップ１４を搭載し、接着剤などにより固定するダイボンディング工程を経る。そして、図２（ａ）、（ｄ）に示すように、基板２の電極と半導体チップ１４の電極（電極はいずれも図示せず）とを金線１５等のワイヤにより電気的に接続するワイヤボンディング工程を経る。

以上の工程を経たリードフレーム８は、続いて、図示しない樹脂成形金型のキャビティ内に配置して、図２（ａ）、（ｅ）および図４に示すように、半導体チップ１４（図４では図示せず）を覆う封止体５を形成するモールド（封止）工程を経る。

樹脂成形金型は、上型と下型とを有する金型であり、モールド工程時にはエポキシレジンが硬化する温度に加熱した状態にある。そして、上型および下型のキャビティ内にエポキシレジンを注入して硬化反応により封止体５を形成する。図２（ｅ）および図４に示すように、封止体５を形成することにより、図１に示したパッケージ１の外観形状がほぼ完成する。

次に、リードフレーム８を樹脂成形金型から出して、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、各基板２毎に個片化し、図２（ａ）、（ｆ）および図５（ｂ）に示すように、基板２の底面３にボール端子４を加熱接合等により形成するボールマウント工程を経る。最後に、図２（ａ）、（ｇ）に示すように、吊りリード１０を切断金型により切断する切断工程を経て外枠９を除去し、図１に示したパッケージ１が完成する。

続いて本発明の実施の形態１のダム部１１の構造について説明する。図６（ａ）は本発明の実施の形態１の図３のＡ部を拡大して示す拡大平面図、（ｂ）は（ａ）の底面図、図７（ａ）は図６（ａ）のＣ−Ｃ線に沿う断面図、（ｂ）は図６（ａ）のＤ−Ｄ線に沿う断面図である。図８（ａ）は本発明の実施の形態１の図４のＢ部を拡大して示す拡大平面図、（ｂ）は（ａ）の底面図、図９（ａ）は図８（ａ）のＥ−Ｅ線に沿う断面図、（ｂ）は図８（ａ）のＦ−Ｆ線に沿う断面図である。図１０（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態１の突出部が切断除去される仕組みを説明する説明図である。

リードフレーム８は、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、外枠９から突出する吊りリード１０の先端部１６が、基板２を支持するために、この基板２の平面１３上に配置されている。吊りリード１０の部分では、図６（ａ）および図７（ａ）に示すように、プレス成形後に特別な処理はされていない。

一方、吊りリード１０，１０間に設けられたダム部１１では、図６（ｂ）および図７（ｂ）に示すように、プレス成形後に、外枠９の底面１７側に凹部１８がハーフエッチング処理によって形成される。なお、図６（ｂ）では、理解の便宜のため吊りリード１０の見えない部分も点線により示してある。

外枠９の底面１７は、プレス成形時のプレス側の面となっており、プレスにより図７（ａ）に示すように、先端部に円弧部１９が形成されている。つまり、凹部１８は、プレス成形時に円弧部１９が形成されるプレス側の面に形成されている。

吊りリード１０の部分では凹部１８が形成されていないので、モールド工程においては、図８（ａ）および図９（ａ）に示すように、エポキシレジンにより封止体５のみが形成される。

一方、凹部１８が形成されたダム部１１では、モールド工程でエポキシレジンが凹部１８内にも流れ込むため、図８（ｂ）および図９（ｂ）に示すように、封止体５の側面２１から突出して凹部１８の形状に対応した突出部２０ａが形成される。なお、図８（ａ）、（ｂ）では、理解の便宜のため吊りリード１０およびダム部１１の見えない部分も点線により示してある。

突出部２０ａは、吊りリード１０を切断する切断工程の際に、外枠９とともに除去される部分であるので、外枠９の重量により撓まずに切断除去できる厚さに形成する必要がある。したがって、突出部２０ａを形成する凹部１８の図７（ｂ）に示す深さαは、外枠９の厚さ（０．２ｍｍ程度）の半分以上の厚さである０．１ｍｍ以上とすることが好ましい。

また、凹部１８の図７（ｂ）に示す奥行きβは、安定したハーフエッチング処理を施すためには、外枠９の厚さ以上、つまり０．２ｍｍ以上とすることが好ましい。さらには、吊りリード１０の切断時に外枠９の重量をかかりやすくして、より確実に突出部２０ａを切断除去可能とする観点からは、奥行きβは１ｍｍ以上とすることがより好ましい。なお、ハーフエッチング処理の条件やその際に用いるエッチング液としては、銅等の金属材料をエッチングする際に公知のものであれば特に限定されない。

このように、本発明の実施の形態１では、リードフレーム８のプレス成形後にダム部１１にハーフエッチング処理を施して凹部１８を形成しておき、この凹部１８にモールド工程でエポキシレジンを流し込んで、突出部２０ａを吊りリード１０の切断時に切断除去可能な厚みとなるように形成する。

したがって、突出部２０ａは撓まない程度の剛性を有する剛体となり、吊りリード１０を切断する切断工程で、図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、外枠９の重量が突出部２０ａにかかることで封止体５の側面２１から切断除去され、樹脂のバリとして残らなくすることができる。

つまり、ダム部１１では、外枠９の底面１７側にハーフエッチング処理により凹部１８を形成することで円弧部１９を除去して、円弧部１９と樹脂成形金型との隙間に、吊りリード１０の切断とともに切断除去するのが困難な薄く撓みやすい樹脂のバリができることを防いでいる。そして、薄いバリの発生を防いだ上で、凹部１８に突出部２０ａを形成して、この突出部２０ａを吊りリード１０の切断とともに切断除去することで、封止体５の側面２１に樹脂のバリが残らないようにしているのである。

これにより、後の工程でバリの落下によるパッケージ１実装時のトラブル発生を格段に少なくすることができる。バリが残らなければ、バリの有無についての外観検査や、バリを除去する工程が不要となり、付帯作業が増えることもない。つまり、リードフレーム８の準備からパッケージ１の完成までの時間を短縮することができる。

また、リードフレーム８のダム部１１にハーフエッチング処理を施して凹部１８を形成し、この凹部１８に突出部２０ａを形成したので、パッケージ１の外形を変えずに製造することができるし、突出部２０ａの形成のために樹脂成形金型を削る必要もないという利点がある。

（実施の形態２）
図１１（ａ）は本発明の実施の形態２の図３のＡ部を拡大して示す平面図、（ｂ）は（ａ）の底面図、図１２（ａ）は図１１（ａ）のＧ−Ｇ線に沿う断面図、（ｂ）は図１１（ａ）のＨ−Ｈ線に沿う断面図である。図１３は本発明の実施の形態２の樹脂成形金型における下型の要部を示す要部拡大斜視図、図１４（ａ）は図１３の平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線に沿う断面図、（ｃ）は（ａ）のＪ−Ｊ線に沿う断面図である。図１５（ａ）は本発明の実施の形態２の図４のＢ部を拡大して示す拡大平面図、（ｂ）は（ａ）の底面図、図１６（ａ）は図１５（ａ）のＫ−Ｋ線に沿う断面図、（ｂ）は図１５（ａ）のＬ−Ｌ線に沿う断面図である。図１７（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態２の突出部が切断除去される仕組みを説明する説明図である。

本発明の実施の形態２では、実施の形態１と、突出部の形成方法およびその形状が異なる以外は同様であるので、同様の事項は可能な限り説明を省略する。

本発明の実施の形態２では、図１１（ａ）、（ｂ）および図１２（ａ）、（ｂ）に示すように、リードフレーム８自体には実施の形態１でダム部１１に凹部１８を形成したような特別な処理は施されていない。つまり、平面側および底面側のいずれの側でも、吊りリード１０およびダム部１１は同様の形状を成している。なお、図１１（ｂ）では、理解の便宜のため吊りリード１０の見えない部分も点線により示してある。

他方、図１３および図１４（ａ）〜（ｃ）に示すように、モールド工程で用いる樹脂成形金型の下型２２は、図示しない上型と異なり、封止体５を形成するために設けられたキャビティ２３とは別に、それぞれのダム部に対応する面に凹んだ段差部２４が形成されている。

段差部２４が形成されたダム部に対応する面は、図１２（ｂ）に示した外枠９の底面１７、つまりリードフレーム８のプレス成形の際に円弧部１９が形成された側のダム部１１の面に対向する面である。

下型２２の吊りリードに対応する面２５には段差部２４は形成されていないので、モールド工程においては、図１５（ａ）および図１６（ａ）に示すように、吊りリード１０の部分ではエポキシレジンにより封止体５のみが形成される。

一方、段差部２４にはモールド工程でエポキシレジンが流れ込むので、図１５（ｂ）および図１６（ｂ）に示すように、ダム部１１では、封止体５の側面２１から突出して段差部２４の形状に対応した突出部２０ｂが、円弧部１９が形成された外枠９の底面１７と対向して形成される。なお、図１５（ａ）、（ｂ）では、理解の便宜のため吊りリード１０およびダム部１１の見えない部分も点線により示してある。

突出部２０ｂは、実施の形態１の突出部２０ａと同様に、吊りリード１０の切断により外枠９とともに除去される部分であるので、外枠９の重量により撓まずに切断除去できる厚さに形成される。したがって、突出部２０ｂを形成する段差部２４の図１４（ｃ）に示す深さγは、０．１ｍｍ以上とすることが好ましい。また、実施の形態１の凹部１８の奥行きβと同様の観点から、段差部２４の図１４（ｃ）に示す奥行きδは１ｍｍ以上とすることが好ましい。

このように、本発明の実施の形態２では、下型２２のダム部に対応する面を削って凹んだ段差部２４を形成しておき、この段差部２４にモールド工程でエポキシレジンを流し込んで、突出部２０ｂを吊りリード１０の切断時に切断除去可能な厚みとなるように、外枠９の底面１７に対向して形成する。

したがって、突出部２０ｂは撓まない程度の剛性を有する剛体となり、吊りリード１０を切断する切断工程で、図１７（ａ）、（ｂ）に示すように、外枠９の重量が突出部２０ｂにかかることで封止体５の側面２１から切断除去され、樹脂のバリとして残らなくすることができる。

つまり、ダム部１１では、円弧部１９と下型２２（樹脂成形金型）との隙間を突出部２０ｂの形成域とすることで、吊りリード１０の切断とともに切断除去するのが困難な薄く撓みやすい樹脂のバリができることを防いでいる。そして、薄いバリの発生を防いだ上で、突出部２０ａを吊りリード１０の切断とともに切断除去することで、封止体５の側面２１に樹脂のバリが残らないようにしているのである。

また、下型２２のダム部に対応する面を削って凹んだ段差部２４を形成したので、この段差部２４に樹脂を流し込めば、リードフレーム８に特別な処理を施さなくても突出部２０ｂを形成することができる。

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。

例えば、前記実施の形態では、パッケージ１は正方形状に形成されているが、これに限らず、方形状であれば他の形状であってもよい。

また、前記実施の形態では、基板２と半導体チップ１４とは、金線１５等のワイヤによるワイヤボンディングにより電気的に接続されているが、これに限らず、ワイヤを用いずに電極同士を直接接続するワイヤレスボンディングにより電気的に接続してもよい。

さらに、前記実施の形態では、リードフレーム８には４個の基板２が固定されているが、これに限らず、３個以下としてもよいし、５個以上としてもよい。

さらに、前記実施の形態では、熱硬化性樹脂としてエポキシレジンを用いているが、これに限らず、他の公知の熱硬化性樹脂を用いてもよい。

本発明は、半導体装置の製造方法に利用可能である。

本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法により製造されたパッケージ（半導体装置）を示す（ａ）は平面図、（ｂ）は底面図、（ｃ）は正面図である。 （ａ）は本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法の概略を示すフロー図であり、（ｂ）〜（ｇ）はそれぞれの工程を示す概略図である。 リードフレームの平面図である。 モールド工程を経たリードフレームの平面図である。 ボールマウント工程を経たリードフレームの（ａ）は平面図、（ｂ）は底面図である。 （ａ）は本発明の実施の形態１の図３のＡ部を拡大して示す拡大平面図、（ｂ）は（ａ）の底面図である。 （ａ）は図６（ａ）のＣ−Ｃ線に沿う断面図、（ｂ）は図６（ａ）のＤ−Ｄ線に沿う断面図である。 （ａ）は本発明の実施の形態１の図４のＢ部を拡大して示す拡大平面図、（ｂ）は（ａ）の底面図である。 （ａ）は図８（ａ）のＥ−Ｅ線に沿う断面図、（ｂ）は図８（ａ）のＦ−Ｆ線に沿う断面図である。 （ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態１の突出部が切断除去される仕組みを説明する説明図である。 （ａ）は本発明の実施の形態２の図３のＡ部を拡大して示す平面図、（ｂ）は（ａ）の底面図である。 （ａ）は図１１（ａ）のＧ−Ｇ線に沿う断面図、（ｂ）は図１１（ａ）のＨ−Ｈ線に沿う断面図である。 本発明の実施の形態２の樹脂成形金型における下型の要部を示す要部拡大斜視図である。 （ａ）は図１３の平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線に沿う断面図、（ｃ）は（ａ）のＪ−Ｊ線に沿う断面図である。 （ａ）は本発明の実施の形態２の図４のＢ部を拡大して示す拡大平面図、（ｂ）は（ａ）の底面図である。 （ａ）は図１５（ａ）のＫ−Ｋ線に沿う断面図、（ｂ）は図１５（ａ）のＬ−Ｌ線に沿う断面図である。 （ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態２の突出部が切断除去される仕組みを説明する説明図である。 本発明者が検討した封止体を示す正面図である。 （ａ）、（ｂ）は、樹脂のバリが残る仕組みを説明する説明図である。

符号の説明

１ パッケージ(半導体装置)
２ 基板（配線基板）
３ 基板の底面
４ ボール端子
５ 封止体
６ 中央部
７ 隙間
８ リードフレーム
９ 外枠
１０ 吊りリード
１１ ダム部
１２ 孔部
１３ 基板の平面
１４ 半導体チップ
１５ 金線
１６ 吊りリードの先端部
１７ 外枠の底面
１８ 凹部
１９ 円弧部
２０ａ 突出部
２０ｂ 突出部
２１ 封止体の側面
２２ 下型
２３ キャビティ
２４ 段差部
２５ 吊りリードに対応する面
α 凹部の深さ
β 凹部の奥行き
γ 段差部の深さ
δ 段差部の奥行き

Claims (5)

1. （ａ）配線基板と、前記配線基板を支持する吊りリードと、樹脂成形時の樹脂の流出を阻止するダム部とが設けられ、プレス成形によって形成されたリードフレームを準備する工程と、
   （ｂ）半導体チップの複数の電極と前記配線基板とを電気的に接続する工程と、
   （ｃ）前記配線基板を有する前記リードフレームを樹脂成形金型のキャビティ内に配置し、その後、前記キャビティ内に樹脂を注入して前記半導体チップを覆う封止体と、前記封止体の側面から突出する突出部とを形成する工程と、
   （ｄ）前記リードフレームの前記吊りリードを切断するとともに、前記突出部を切断除去する工程とを有し、
   前記突出部は、前記（ｃ）工程において前記キャビティから前記樹脂が流出した際に前記リードフレームの前記ダム部によって形成されるとともに、前記（ｄ）工程で切断除去される厚さを有するように形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、前記リードフレームの前記ダム部の一方面側の先端部にハーフエッチング処理によって凹部を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 請求項２に記載の半導体装置の製造方法において、前記ダム部の前記一方面は前記リードフレームの前記プレス成形の際に円弧部が形成される側の面であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、前記樹脂成形金型は上型と下型とを有し、前記上型または前記下型の前記リードフレームの前記ダム部に対応する面に凹んだ段差部が形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. 請求項４に記載の半導体装置の製造方法において、前記上型または前記下型の前記段差部は前記上型または前記下型のうち、前記リードフレームの前記プレス成形の際に円弧部が形成された側の前記ダム部の面に対向する金型の面に形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

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