JP2009295735A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】抵抗素子形成工程に等倍露光機を用い一定周期毎に抵抗値の面内バラツキを測定し、そのバラツキを前述の等倍露光機のマスク(レチクル)に寸法補正として反映させることによって、抵抗値のバラツキを抑えた抵抗素子の製造を可能とする。
【選択図】図1
Description
2 最終の検査工程
3 補正したマスクを用いた露光(フォトリソ)工程
4 次の工程
11 抵抗膜(Poly-Si、シリサイド)
12 コンタクト
13 Al配線
14 テスト用プローブパッド
15 抵抗素子の抵抗値調査用テストパターン
21 抵抗素子の抵抗値調整のイオン注入工程
22 最終の検査工程
23 抵抗値バラツキ補正用のイオン注入の露光(フォトリソ)工程
24 抵抗値バラツキ補正用のイオン注入工程
Claims (6)
- 抵抗素子を形成するための露光工程において、検査工程で測定あるいは計算された抵抗値の面内バラツキを前記抵抗素子の寸法に換算し、前記抵抗素子の寸法を規定するマスクにおける前記抵抗素子の描画寸法を前記換算の結果に応じて変化させたマスクを用いて前記面内バラツキを低減させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記露光工程において、ミラープロジェクションアライナーなどの等倍露光機を用いることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 製品チップ内或いはダイスラインに前記抵抗素子の抵抗値をモニターするテストパターン及びテスト用プローブパッドを設けることを特徴とする請求項1あるいは2に記載の半導体装置の製造方法。
- 抵抗素子への第1のイオン注入工程の後に、露光工程と抵抗値補正のための第2のイオン注入工程を有し、予め検査工程で測定あるいは計算された抵抗値の面内バラツキを前記第2のイオン注入工程においてイオンが注入される領域を規定するマスクの開孔寸法に換算し、前記マスクの前記開孔寸法を前記換算の結果に応じて変化させたマスクを用いて前記面内バラツキを低減させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記露光工程において、ミラープロジェクションアライナーなどの等倍露光機を用いることを特徴とする請求項4記載の半導体装置の製造方法。
- 製品チップ内或いはダイスラインに前記抵抗素子の抵抗値をモニターするテストパターン及びテスト用プローブパッドを設けることを特徴とする請求項4あるいは5に記載の半導体装置の製造方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN105513989A (zh) * | 2015-11-30 | 2016-04-20 | 无锡中感微电子股份有限公司 | 芯片制造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002118049A (ja) * | 2000-10-06 | 2002-04-19 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
WO2002061505A1 (fr) * | 2001-01-31 | 2002-08-08 | Nikon Corporation | Masque, procede de mesure de caracteristique optique, procede de reglage d'un appareil d'exposition, procede d'exposition et procede de fabrication du dispositif |
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2008
- 2008-06-04 JP JP2008146862A patent/JP2009295735A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (2)
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