JP2009287989A - センサ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】センサ10は、チャネル16とは異なる酸化シリコン膜12a上に反応場20が形成されているので、チャネル16の形状及び反応場20の面積をそれぞれ独立に選択できるようになる。この結果、測定感度及びレイアウトの自由度の高めることができる。また、センサ10は、チャネル16がポリシリコンで形成されているので、TFTを製造するのと同様の半導体製造工程を用いて、容易に酸化シリコン膜12b、ドレイン電極14、ソース電極15及びチャネル16を形成することができる。
【選択図】図2
Description
図1に、本実施の形態に係るセンサ10の模式的斜視図を示す。また、図2に、センサ10の模式的断面図を示す。センサ10は、バイオセンサやpHセンサ等として用いられる。
本実施の形態におけるセンサ10は、図5に示す半導体製造工程により製造することができる。
なお、上述した実施の形態では、チャネル16をポリシリコンによって形成した場合について説明したが、チャネル16はアモルファスシリコンによって形成してもよい。この場合でも、TFTを製造するのと同様の半導体製造工程を用いて、容易に酸化シリコン膜12b、ドレイン電極14、ソース電極15及びチャネル16を形成することができる。
11 シリコン基板
12a、12b 酸化シリコン膜
13 ゲート電極
14 ドレイン電極
15 ソース電極
16 チャネル
20 反応場
21 被検出物質認識分子
Claims (9)
- 酸化シリコン膜を有するシリコン基板と、
前記酸化シリコン膜に配置されたソース電極、ドレイン電極及びゲート電極と、
ポリシリコン又はアモルファスシリコンでなり、前記酸化シリコン膜に配置され、前記ソース電極及びドレイン電極に電気的に接続されたチャネルと、
前記酸化シリコン膜上に配置された反応場と、
を具備するセンサ。 - 前記チャネルは、NPN型である、
請求項1に記載のセンサ。 - 前記チャネルは、PNP型である、
請求項1に記載のセンサ。 - 前記チャネルは、NiN型である、
請求項1に記載のセンサ。 - 前記チャネルは、PiP型である、
請求項1に記載のセンサ。 - 前記シリコン基板は、両面に前記酸化シリコン膜を有し、
前記ゲート電極は、前記ソース電極、ドレイン電極及びチャネルが配置された酸化シリ膜と反対の面の酸化シリコン膜に配置される、
請求項1に記載のセンサ。 - 前記シリコン基板は、両面又は片面に酸化シリコン膜を有し、
前記ゲート電極は、前記ソース電極、ドレイン電極及びチャネルが配置された酸化シリコン膜と同一の面の酸化シリコン膜に配置される、
請求項1に記載のセンサ。 - 前記シリコン基板は、両面に前記酸化シリコン膜を有し、
前記ゲート電極と前記反応場は、前記酸化シリコン膜の両面のうち、同一の面の酸化シリコン膜に配置される、
請求項1に記載のセンサ。 - シリコン基板に酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記酸化シリコン膜に、ポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜を形成する工程と、
前記ポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜に不純物をドーピングする工程と、
前記不純物がドーピングされた前記ポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜にソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
前記酸化シリコン膜にゲート電極を形成する工程と、
前記酸化シリコン膜に反応場を形成する工程と、
を含むセンサ製造方法。
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