JP2009283677A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 厚み方向に視た形状が楕円であり且つ前記楕円における長軸方向又は短軸方向を結晶方位として利用可能である半導体ウェーハの製造方法であって、
   少なくとも、半導体インゴットに対して、該半導体インゴットの中心軸に直交する直交平面に対して傾斜させて又は該直交平面に平行にスライスするスライス加工工程を行うことにより、厚み方向に視た形状が楕円の半導体ウェーハを得る半導体ウェーハの製造方法。
2. 晶癖線を有する半導体インゴットに対して、該晶癖線を結晶方位として利用して該半導体インゴットの中心軸に直交する直交平面に対して傾斜させてスライスすることにより、前記晶癖線を有する半導体ウェーハを得る前記スライス加工工程としての第１スライス加工工程と、
   前記第１スライス加工工程により得られた前記半導体ウェーハに対して、前記晶癖線を除去することにより、厚み方向に視た形状が楕円の半導体ウェーハを得る晶癖線除去工程と、を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハの製造方法。
3. 半導体インゴットに対して、その中心軸に直交する直交平面に沿って切断した直交断面が真円形状となるように真円加工を行う真円加工工程と、
   前記真円加工工程を経た前記半導体インゴットにおける真円形状の周面の一部を除去して、該半導体インゴットの周面に凹状目印を形成する凹状目印形成工程と、
   前記凹状目印形成工程を経た前記半導体インゴットを前記直交平面に平行にスライスして、前記凹状目印を有する半導体ウェーハを得る前記スライス加工工程としての第２スライス加工工程と、
   前記第２スライス加工工程により得られた前記半導体ウェーハに対して、前記凹状目印が消滅するように面取り加工を行うことにより、厚み方向に視た形状が楕円の半導体ウェーハを得る面取り工程と、を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハの製造方法。
4. 半導体インゴットに対してその中心軸に直交する直交平面に沿って切断した直交断面が楕円形状となるように楕円加工を行う楕円加工工程と、
   前記楕円加工工程を経た前記半導体インゴットを前記直交平面に平行にスライスして厚み方向に視た形状が楕円の半導体ウェーハを得る前記スライス加工工程としての第３スライス加工工程と、を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハの製造方法。
5. 前記厚み方向に視た形状が楕円の半導体ウェーハにおいて前記楕円における長径と短径との差は、２０μｍ以上４００μｍ以下である請求項２〜４のいずれかに記載の半導体ウェーハの製造方法。