JP2009276700A - 光学素子及びその製造方法、ニッポウディスク、コンフォーカル光学系、並びに3次元測定装置 - Google Patents

光学素子及びその製造方法、ニッポウディスク、コンフォーカル光学系、並びに3次元測定装置 Download PDF

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Abstract

【課題】少なくとも一部において、遮光性を得ながら反射ノイズ低減効果を高めることができる光学素子を提供する。
【解決手段】光学素子は、多数の微小突起CP1を含む第1の微細凹凸構造MR1が一方の面に形成された基板11と、第1の微細凹凸構造MR1を覆う金属層12と、金属層12の基板11とは反対側に形成されたシリコン又は樹脂からなる膜13であって、多数の微小突起CP2を含む第2の微細凹凸構造MR2を持つ膜13と、を備える。
【選択図】図2

Description

本発明は、少なくとも一部が遮光性及び低反射特性を有する光学素子及びその製造方法、前記光学素子を用いたニッポウディスク、並びに、前記ニッポウディスクを用いたコンフォーカル光学系及び3次元測定装置に関するものである。
従来から、石英基板等の基板上のシリコン層の表面に、多数の微小突起を含む微細凹凸構造を形成してなる光学素子が、提供されている(下記特許文献1)。この光学素子では、基板の前記シリコン層とは反対側の面には膜等は形成されておらず、その面は外部に露出している。この光学素子では、前記微細凹凸構造の側から光が入射される。この光学素子によれば、前記微細凹凸構造によって、遮光されるとともに、反射率が低減されて反射ノイズが低減される。したがって、この光学素子は、例えば、反射ノイズの少ないマスク等として使用することができる。また、特許文献1には、このような光学素子の例としてニッポウディスクが挙げられ、さらに、このニッポウディスクを用いたコンフォーカル光学系及び3次元測定装置も開示されている。
さらに、特許文献1には、このような光学素子を製造する場合、シリコン層の表面に微細マスク物質を堆積させながら前記シリコン層の表面をドライエッチングすることで、前記シリコン層の表面に、ランダムに分布した多数の微小突起を含む微細凹凸構造を形成することが、開示されている。
さらにまた、特許文献1には、前述したような光学素子において、前記基板と前記シリコン層との間に平面状のクロム層を形成する例も開示されている。
また、下記特許文献2には、石英ガラス基板の表面に、ランダムに分布した多数の微小突起を含む微細凹凸構造を形成してなる光学素子が、開示されている。この微細凹凸構造は、石英ガラスからなり、透過型光学素子の反射防止層として機能する。
国際公開第2006/046502号パンフレット 特開2005−99707号公報
シリコン層の表面に微細凹凸構造を形成した光学素子の場合、シリコン層の透過率の上昇する約620nmより長い波長の光では、シリコン層の光吸収特性が低下し、シリコン層に進入した入射光がシリコン層と石英ガラス基板(透明基板)との界面、あるいはシリコン層とクロム層(石英ガラス基板とシリコン層との間に成膜されたクロム層)との界面まで達し、これらの屈折率の異なる界面で反射され、再びシリコン層を通って光入射側へ出て行くため、反射率が上昇してしまい、反射ノイズ低減効果を必ずしも十分に得ることはできなかった。
また、石英ガラス基板上に微細凹凸構造を形成した光学素子は、反射防止効果を得ながら、光を透過させるものであるため、石英ガラスが透光性を有する波長域では遮光性を得ることはできない。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、少なくとも一部において、遮光性を得ながら反射ノイズ低減効果を高めることができる光学素子及びその製造方法、前記光学素子を用いたニッポウディスク、並びに、前記ニッポウディスクを用いたコンフォーカル光学系及び3次元測定装置を提供することを目的とする。
前記課題を解決するため、本発明の第1の態様による光学素子は、多数の微小突起を含む第1の微細凹凸構造が一方の面に形成された基板と、前記第1の微細凹凸構造を覆う金属層と、前記金属層の前記基板とは反対側に形成された、多数の微小突起を含む第2の微細凹凸構造を持つ膜と、を備えたものである。
本発明の第2の態様による光学素子は、基板と、前記基板の一方の面側に形成された膜であって、多数の微小突起を含む第1の微細凹凸構造を持つ膜と、前記第1の微細凹凸構造を覆う金属層と、前記金属層の前記基板とは反対側に形成された膜であって、多数の微小突起を含む第2の微細凹凸構造を持つ膜と、を備えたものである。
本発明の第3の態様による光学素子の製造方法は、基板の一方の面に微細マスク物質を堆積させながら前記基板の前記一方の面をドライエッチングすることで、前記基板の前記一方の面に、多数の微小突起を含む第1の微細凹凸構造を形成する段階と、前記第1の微細凹凸構造を覆うように金属層を形成する段階と、前記金属層上に膜を形成する段階と、前記膜の表面に微細マスク物質を堆積させながら前記膜の表面をドライエッチングすることで、前記膜の表面に、多数の微小突起を含む第2の微細凹凸構造を形成する段階と、を備えたものである。
本発明の第4の態様による光学素子の製造方法は、基板の一方の面側に形成された第1の膜の表面に微細マスク物質を堆積させながら前記第1の膜の表面をドライエッチングすることで、前記第1の膜の表面に、多数の微小突起を含む第1の微細凹凸構造を形成する段階と、前記第1の微細凹凸構造を覆うように金属層を形成する段階と、前記金属層上に第2の膜を形成する段階と、前記第2の膜の表面に微細マスク物質を堆積させながら前記第2の膜の表面をドライエッチングすることで、前記第2の膜の表面に、多数の微小突起を含む第2の微細凹凸構造を形成する段階と、を備えたものである。
本発明の第5の態様によるニッポウディスクは、多数の微小突起を含む第1の微細凹凸構造が一方の面に形成された基板と、前記第1の微細凹凸構造を覆う金属層と、前記金属層の前記基板とは反対側に形成された膜であって、多数の微小突起を含む第2の微細凹凸構造を持つ膜と、を備え、前記金属層の一部及び前記第2の微細凹凸構造を持つ前記膜の一部に、開口部が形成されたものである。
本発明の第6の態様によるニッポウディスクは、基板と、前記基板の一方の面側に形成された膜であって、多数の微小突起を含む第1の微細凹凸構造を持つ膜と、前記第1の微細凹凸構造を覆う金属層と、前記金属層の前記基板とは反対側に形成された膜であって、多数の微小突起を含む第2の微細凹凸構造を持つ膜と、を備え、前記金属層の一部及び前記第2の微細凹凸構造を持つ前記膜の一部に、開口部が形成されたものである。
本発明の第7の態様によるコンフォーカル光学系は、前記第5又は第6の態様によるニッポウディスクを、合焦位置を走査するための走査手段として備えたものである。
本発明の第8の態様による3次元測定装置は、前記第5又は第6の態様によるニッポウディスクと、測定対象を支持するステージと、前記ニッポウディスクと前記ステージとの間に配置される対物光学系と、を備えたものである。
本発明によれば、少なくとも一部において、遮光性を得ながら反射ノイズ低減効果を高めることができる光学素子及びその製造方法、前記光学素子を用いたニッポウディスク、並びに、前記ニッポウディスクを用いたコンフォーカル光学系及び3次元測定装置を提供することができる。
以下、本発明による光学素子及びその製造方法、前記光学素子を用いたニッポウディスク、並びに、前記ニッポウディスクを用いたコンフォーカル光学系及び3次元測定装置について、図面を参照して説明する。
[第1の実施の形態]
図1は、本発明の第1の実施の形態による光学素子としてのニッポウディスク(Nipkow Disk)10を示す概略平面図である。このニッポウディスク10は、全体として円板状の輪郭を有する遮蔽体である。このニッポウディスク10は、例えば、コンフォーカル顕微鏡等に設けられる。微細であるため図示を省略しているが、このニッポウディスク10には、ピンホールに光学的に相当する同径の光学開口部14(図2参照)が複数の螺旋放射状の軌跡10aに沿って所定の間隔で多数形成されている。図示の例では、光学開口部14を形成すべき軌跡10aが4本だけ設けられている場合を示している。
図2は、図1に示すニッポウディスク10を模式的に示す概略断面図である。ニッポウディスク10は、多数の微小突起CP1を含む第1の微細凹凸構造MR1が一方の面に形成された基板11と、第1の微細凹凸構造MR1を覆う金属層12と、金属層12の基板11とは反対側に形成された膜13であって、多数の微小突起CP2を含む第2の微細凹凸構造MR2を持つ膜13と、を備えている。
本実施の形態では、基板11として、例えば石英ガラスからなる透明基板が用いられている。基板11は、石英ガラスに限るものではないが、ニッポウディスク10の使用波長の光に対する透過性に優れ、低膨張のものであることが望ましい。
図2では、図面表記の便宜上、微小突起CP1,CP2は、規則正しく分布しているかのように記載しているが、実際には高さや間隔などの形状がランダムに分布されていても良い。
金属層12の材料は、特に限定されるものではないが、基板11との密着性や比較的長い波長域の光に対する光吸収特性等を考慮して選択することが好ましい。このような点を考慮すると、金属層12の材料として、クロム又はチタンを用いることが好ましい。
本実施の形態における膜13の材料としては、広い波長範囲で大きな吸光係数を有する材料を用いることが好ましく、具体的にはシリコン(Si)等の半金属や、各種の樹脂を用いることができるが、表面に微細凹凸形状を形成しやすい点からはシリコンを用いることが好ましい。膜13の材料として樹脂を用いる場合は、例えば塩化ビニル、ABS、ポリカーボネートなど、公知の樹脂を適宜用いることができるが、特に芳香環や不飽和結合を含む樹脂は紫外領域において大きな吸光係数を有するため、膜13の材料として好適である。また、より大きな吸光係数を得るためには、樹脂にカーボンブラック等の光吸収性物質を含有させても良く、また市販の染料や紫外線吸収剤などの、紫外から可視領域で光吸収を示す物質を添加しても良い。
本実施の形態では、第1の微小突起CP1は、基板11の上面の全領域に渡って形成されている。一方、金属層12及び膜13は、光学開口部14以外の全領域に渡って形成されており、光学開口部14において開口部を有している。金属層12及び膜13は、全体として、遮光膜を構成している。
本実施の形態では、光学開口部14は、平面視で円形状を有し、例えば、コンフォーカル顕微鏡の対物レンズを挟んで対象物(測定対象)上又は内部の観察点と共役な位置に配置される。光学開口部14の直径は、通常エアリディスク径に設定され、本実施の形態では約10μm程度としている。なお、図示のような光学開口部14は、図1に示す軌跡10aに沿って等間隔で配列されている。
第1の微小突起CP1の長さは、例えば0.3μm〜5μm程度とされる。金属層12の厚さは、例えば0.03μm〜0.3μm程度とされる。また、第2の微小突起CP2の長さは、例えば1μm〜5μm程度される。もっとも、これらの寸法に限定されるものではない。
次に、本実施の形態によるニッポウディスク10の製造方法の一例について、図3乃至図6を参照して説明する。図3乃至図5は、各製造工程を模式的に示す概略断面図である。図6は、各微細凹凸構造MR1,MR2の形成工程で用いる平行平板ドライエッチング装置30を模式的に示す概略構成図である。
まず、石英ガラス基板等の基板11を用意する。次に、図6に示す平行平板ドライエッチング装置30を用いて、基板11の一方の面に微細マスク物質SPを堆積させながら基板11の前記一方の面をドライエッチングすることで、基板11の一方の面に微細凹凸構造MRを形成する(図3(a)〜(c))。この点について、以下に説明する。
平行平板ドライエッチング装置30は、図6に示すように、基本的にRIE装置と同様の構造を有し、アースに接続されたアノード電極31と、反応ガスをプラズマ化するための高周波電力が印加されるカソード電極32と、これらの電極31,32を収容する真空チャンバ34とを備える。カソード電極32は、反応ガスのプラズマ化や微細凹凸構造MR1等の形成に必要な所定の高周波電圧を発生する交流電圧源36に接続されている。
一方、真空チャンバ34は、アノード電極31と同様接地電位に設定される。真空チャンバ34は、真空ポンプ38により適当な真空度に維持することができる。反応ガス源39は真空チャンバ34に反応ガスを供給するためのガス源であり、必要な流量の反応ガスを真空チャンバ34中に導入することで真空チャンバ34内の反応ガスの密度を所望の値に設定することができる。反応ガス源39から供給される反応ガスとしては、例えば、ArとCF(4フッ化炭素)とを適当は配分比で混合したものが用いられる。
カソード電極32上には例えばアルミナ製で円盤状のトレイ41が載置されており、トレイ41上には、基板11が配置される。トレイ41は基板11の支持台として機能するとともに、後述するように、微細マスク物質(エッチング速度の小さい微細マスク)SPの材料としても機能する。この基板11は、処理前においては単なる平板をなしている。トレイ41に載置された基板11の上面は、両電極31,32間でプラズマ化され加速されたイオンの入射によりエッチングされる。
通常のエッチングであれば、両電極31,32の上面に垂直な方向に所定の異方性で一様にエッチングされる。ところが、この場合、基板11が載置されているトレイ41が反応ガスのイオンによってスパッタ・エッチされることにより、アルミナ(Al)製のトレイ41から出射した微細なスパッタ粒子SPが基板11の表面にランダムに付着する。しかしながら、Ar及びCFからなる反応ガスの場合、アルミナのスパッタ速度よりも石英ガラス(SiO)のスパッタ速度の方が大きいので、基板11表面にランダムに付着したスパッタ粒子SPがマスクとして機能する。その結果、スパッタ粒子SPが付着した部分と付着していない部分とのエッチング速度の違いにより、基板11の表面全体に渡ってランダムな突起CPが形成される。
図3(a)〜(c)は、図6の装置30による第1の微細凹凸構造MR1の形成を概念的に示している。図3(a)は第1の微細凹凸構造MR1形成の初期段階を示し、図3(b)は第1の微細凹凸構造MR1形成の中間段階を示し、図3(c)は第1の微細凹凸構造MR1形成の最終段階を示している。
図3(a)に示す初期段階においては、基板11の表面とともにトレイ41の表面もスパッタ・エッチされるので、アルミナの微細粒子である無数のスパッタ粒子SPがトレイ41から基板11へと飛来し、基板11の表面にランダムに付着する。なお、図面ではスパッタ粒子SPが一定周期で分布しているが、実際には規則性のないランダムな分布となる。
図3(b)に示す中間段階においては、基板11の表面に付着したスパッタ粒子SPがマスクとして機能するので、スパッタ粒子SPが付着していない領域において反応ガスのイオンGIによる異方性エッチングが進行し、スパッタ粒子SPの位置に対応してコーン状の突起CP1が無数に形成されていく。なお、基板11に比べてエッチング速度は遅いが、基板11の表面に付着したスパッタ粒子SPもイオンGIによってエッチングされるので、突起CP1の先端が徐々に露出することになる。しかし、突起CP1の先端には別のスパッタ粒子SPが再付着する傾向があり、結果的に、突起CP1が全体的に徐々に成長していく。
図3(c)に示す最終段階においては、突起CP1がナノメータ・オーダーのサイズに成長し、基板11の上層は第1の微小突起CP1がランダムに密集して形成された状態となる。このように多数の第1の微小突起CP1が形成された上層部分が第1の微細凹凸構造MR1を構成する。
このようにして基板11の一方の面に第1の微細凹凸構造MR1を形成した後、第1の微細凹凸構造MR1上に、蒸着等により金属層12を形成する(図4(a))。
次いで、フォトリソエッチング法により、金属層12に、光学開口部14に対応する開口部12aを形成する(図4(b))。
引き続いて、金属層12及び第1の微細凹凸構造MR1の上に、シリコンからなる膜13をプラズマCVDあるいはスパッタで例えば1〜10μm厚成膜する(図4(c))。
その後、膜13の上面(表面)に微細マスク物質SPを堆積させながら、膜13の上面をドライエッチングすることで、膜13の上面に第2の微細凹凸構造MR2を形成する(図5(a))。具体的には、やはり図6に示す平行平板ドライエッチング装置30を用いて、前述と同様のエッチングを行えばよい。ただし、反応ガスとしては、例えば、Ar、SF及びCClからなるガスを用いる。
最後に、フォトリソエッチング法により、膜13に、光学開口部14に対応する開口部13aを形成する(図5(b))。これにより、本実施の形態によるニッポウディスク10が完成する。
ここで、本実施の形態によるニッポウディスク10と比較される比較例によるニッポウディスク50について、図7を参照して説明する。図7は、この比較例によるニッポウディスク50を模式的に示す概略断面図であり、図2に対応している。この比較例によるニッポウディスク50が本実施の形態によるニッポウディスク10と異なる所は、基板11の上面には第1の微細凹凸構造MR1が形成されずに基板11の上面が平面とされている点と、これに伴って金属層12が平面状に形成されている点のみである。この比較例によるニッポウディスク50は、前述したニッポウディスク10の製造方法において説明した工程のうち、第1の微細凹凸構造MR1の形成工程(図3(a)〜(c)に示す工程)を行わないで図4(a)以降の工程を行うことで、製造することができる。
本実施の形態によるニッポウディスク10も比較例によるニッポウディスク50も、第2の微細凹凸構造MR2の側(図中上側)が光の入射側とされる。以下の説明では、膜13がシリコンからなるものとして説明するが、膜13がカーボンブラック含有の樹脂などの場合も同様である。
図2及び図7に示すように、本実施の形態によるニッポウディスク10及び比較例によるニッポウディスク50のいずれにおいても、光学開口部14に入射する光L1は、光学開口部14では膜13及び金属層12が形成されていないので、基板11内に進入し、基板11を透過して、基板11から出射される。
また、ニッポウディスク10,50のいずれにおいても、光学開口部14以外の領域に入射する光L2のうち比較的短い波長域の光は、第2の微細凹凸構造MR2による反射防止効果によって、入射側にほとんど戻ることなく膜13に吸収される。
ニッポウディスク10,50のいずれにおいても、入射光L2のうちシリコン層の透過率の上昇する約620nmより長い波長の光では、シリコン層の光吸収特性が低下し、光の一部が膜13に吸収されずに金属層12に到達する。このとき、比較例によるニッポウディスク50では、金属層12が平板状に形成されているので、金属層12に到達した光は、膜13と金属層12との界面で反射され、再び膜13を通って光入射側に出て行くため、反射率が上昇してしまい、反射ノイズ低減効果を必ずしも十分に得ることはできない。
これに対し、本実施の形態によるニッポウディスク10では、金属層12が、基板11の面に形成された第1の微細凹凸構造MR1を覆うように形成されているので、金属層12に到達した比較的長い波長の光は、金属層12で一部が反射され残りの一部が金属層12内に進入して吸収される。金属層12内に進入せずに金属層12で反射された一部の光は、隣接する微小突起CP1上の金属層に再び入射し、これらの動作が繰り返され、比較的長い波長の光が金属層12により吸収されていく。このため、本実施の形態による光学素子10では、入射光L2のうちの比較的長い波長の光についても、反射されて入射側に戻るようなことがほとんどなくなる。よって、本実施の形態によれば、光学開口部14以外の領域において、遮光性を得ながら反射ノイズ低減効果を高めることができる。
このように、本実施の形態によるニッポウディスク10では、基板11の面に形成された第1の微細凹凸構造MR1を覆うように形成された金属層12が、長波長光も効率的に吸収する微細光トラップとして機能するため、膜13を透過する長波長光に対しても低反射化を実現することができるのである。
本発明の一実施例のサンプルとして、本実施の形態によるニッポウディスク10に相当するサンプルを前述した製造方法で実際に作製した。ただし、この実施例のサンプルでは、図4(b)のフォトリソエッチング工程及び図5(b)のフォトリソエッチング工程を行わずに、光学開口部14を形成しなかった。また、比較例によるニッポウディスク50に相当するサンプルも前述した製造方法で実際に作製した。この比較例のサンプルにおいても、光学開口部14を形成しなかった。
それらの実際の製造条件等は、次の通りとした。まず、本実施例のサンプルの製造条件等について説明する。本実施例のサンプルの場合、基板11として一辺が3インチの正方形状で厚さが2.5mmの石英ガラス基板を用いた。そして、図6に示す平行平板ドライエッチング装置30を用いてこの石英ガラス基板の一方の面に第1の微細凹凸構造MR1を形成した。このとき、トレイ41はアルミナ製とし、反応ガス源39からCFガスを10sccmの流量でArガスを10sccmの流量で真空チャンバ34内へ導入し、真空チャンバ34内の圧力は6Paとし、カソード電極32に0.1w/cmの高周波RFパワー密度を印加して、前述したドライエッチングを行った。そのエッチング時間は、20分とした。これにより形成された第1の微細凹凸構造MR1の第1の微小突起CP1の長さは、電子顕微鏡写真によれば、およそ1μmであった。そして、第1の微細凹凸構造MR1の上に金属層12としてCr膜を蒸着で厚さ0.2μm成膜した。さらに、RFスパッタで、膜13としてシリコン膜を厚さ2.5μm成膜した。その後、図6に示す平行平板ドライエッチング装置30を用いて、そのシリコン膜(膜13)の表面に第2の微細凹凸構造MR2を形成した。このとき、トレイ41はアルミナ製とし、反応ガス源39からCClガスを20sccmの流量でOガスを10sccmの流量でSFガスを10sccmの流量で真空チャンバ34内へ導入し、真空チャンバ34内の圧力は6Paとし、カソード電極32に0.07w/cmの高周波RFパワー密度を印加して、前述したドライエッチングを行った。そのエッチング時間は、30分とした。これにより形成された第2の微細凹凸構造MR2の第2の微小突起CP2の長さは、電子顕微鏡写真によれば、およそ2μmであった。これにより、本実施例のサンプルを完成させた。
比較例のサンプルの製造条件は、第1の微細凹凸構造MR1を形成しない点を除いて、実施例のサンプルの場合と同一とした。
このようにして作成した本実施例のサンプル及び比較例によるサンプルについて、反射スペクトルを測定した。その測定結果を図8に示す。
図8からわかるように、比較例のサンプルでは、約680μm以上の波長域において反射率が大きくなっているのに対し、実施例のサンプルでは、約680μm以上の波長域においてもほとんど0%となっており、長波長光に対しても低反射化が実現されている。
[第2の実施の形態]
図9は、本発明の第2の実施の形態によるニッポウディスク60を示す概略断面図であり、図2に対応している。図9において、図2中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は省略する。
本実施の形態によるニッポウディスク60が前記第1の実施の形態によるニッポウディスク10と異なる所は、基板11の面には第1の微細凹凸構造MR1は形成されずに基板11の面は平面になっている点と、基板11上に形成されたシリコン膜等の膜62の表面に、第1の微細凹凸構造MR1が形成されている点と、膜62も、金属層12及び膜13と同様に、光学開口部14において開口部を有している点のみである。
ここで、本実施の形態によるニッポウディスク60の製造方法の一例について、図10乃至図12を参照して説明する。図10乃至図12は、各製造工程を模式的に示す概略断面図である。
まず、石英ガラス基板等の基板11を用意し、基板11上に、シリコンからなる膜62をプラズマCVDあるいはスパッタで例えば1〜10μm厚成膜する(図10(a))。
次に、膜62の上面(表面)に微細マスク物質SPを堆積させながら、膜62の上面をドライエッチングすることで、膜62の上面に第1の微細凹凸構造MR1を形成する(図10(b))。具体的には、図6に示す平行平板ドライエッチング装置30を用いて、前述と同様のエッチングを行えばよい。ただし、反応ガスとしては、例えば、Ar、SF及びCClからなるガスを用いる。
次いで、第1の微細凹凸構造MR1上に、蒸着等により金属層12を形成する(図11(a))。
次いで、フォトリソエッチング法により、金属層12に、光学開口部14に対応する開口部12aを形成する(図11(b))。
引き続いて、金属層12及び第1の微細凹凸構造MR1の上に、シリコンからなる膜13をプラズマCVDあるいはスパッタで例えば1〜10μm厚成膜する(図11(c))。
その後、膜13の上面(表面)に微細マスク物質SPを堆積させながら、膜13の上面をドライエッチングすることで、膜13の上面に第2の微細凹凸構造MR2を形成する(図12(a))。具体的には、やはり図6に示す平行平板ドライエッチング装置30を用いて、前述と同様のエッチングを行えばよい。ただし、反応ガスとしては、例えば、Ar、SF及びCClからなるガスを用いる。
最後に、フォトリソエッチング法により、膜13,62に、光学開口部14に対応する開口部13a,62aをそれぞれ形成する(図12(b))。これにより、本実施の形態によるニッポウディスク60が完成する。
本実施の形態によるニッポウディスク60によっても、前記第1の実施の形態によるニッポウディスク10と同様の利点が得られる。
[第3の実施の形態]
図13は、本発明の第3の実施の形態による3次元測定装置200を示す概略構成図である。この3次元測定装置において、前記第1又は第2の実施の形態によるニッポウディスク10又は60が搭載されている。
この3次元測定装置200は、ステージSTに載置された測定対象MOを照明するための落射照明用光源250と、落射照明用光源250からの照明光を測定対象MOに集光しかつ測定対象MOからの反射光を抽出するための落射コンフォーカル光学系260と、落射コンフォーカル光学系260で抽出された反射光を撮影する撮像装置270と、測定対象MOの実体像をカメラ観察するための観察光学系280と、カメラ観察に際しての合焦調節用のレーザAF系290とを備える。
落射照明用光源250は、水銀ランプを光源として内蔵しており、このランプ装置255からの照明光をファイバ251を介して偏光ビームスプリッタ252に導く。なお、ファイバ251と偏光ビームスプリッタ252との間には、照明光の偏光方向を特定方向に揃える偏光板254が配置されている。
落射コンフォーカル光学系260は、両側テレセントリック系の対物光学系である第1及び第2対物レンズ261,262と、定速で回転するニッポウディスク10(60)とを備える。第1対物レンズ261は、測定対象MO側に配置されており、焦点ずらし機構264によって光軸OA方向に関して適当な位置に変位可能になっている。第2対物レンズ262は、第1対物レンズ261によってコリメートされた像光を、ニッポウディスク10(60)の遮光層に適当な拡大率で集光する。ニッポウディスク10(60)は、第1の実施の形態や第2の実施の形態の欄で説明したものであり、落射コンフォーカル光学系260中において、走査手段として機能する。
ニッポウディスク10(60)は、ディスク法線方向と光軸OAが同一方向を向くように光軸OAに垂直に配置されており、駆動装置265に駆動されて光軸OAに平行な回転軸RA回りに一定速度で回転する。この際、ニッポウディスク10(60)に形成されたピンホール10b(図2の光学開口部14に相当)と、測定対象MOとが共役な位置に配置されている。そのため、測定対象MOのXY断面を多数の集光スポットが走査移動し、かかる集光スポットからの反射光がピンホール10bを通過して撮像装置270側に導かれる。これにより、測定対象MOのXY断面像を得ることができる。
撮像装置270は、ニッポウディスク10(60)に形成されたピンホール10bの像を例えば等倍で投影するための投影系271と、投影系271の後段に配置されるハーフミラー272と、ハーフミラー272を経て直進する光路上に配置される高感度カメラ273と、ハーフミラー272で折り曲げられる光路上に配置される低感度カメラ274とを備える。このうち、投影系271は、一対のレンズ271a,271bからなる両側テレセントリック系であり、両レンズ271a,271bの間には、観察光から特定方向の偏光を取り出す偏光板276が配置されている。また、高感度カメラ273は、ニッポウディスク10(60)等による測定対象MOの走査像を高感度で観察するためのものであり、低感度カメラ274は、ニッポウディスク10(60)等による測定対象MOの走査像を低速で観察するためのものである。
観察光学系280は、落射コンフォーカル光学系260の光軸OA上に進退可能に配置された進退ミラー281と、固定的に配置された光路折曲ミラー282と、変倍用のズーム光学系283と、明視野観察用の明視野カメラ284と、明視野観察用の同軸照明装置285と、明視野照明光を観察光路上に導くビームスプリッタ286とを備える。進退ミラー281を光軸OA上に配置した場合、明視野カメラ284によって観察しつつ、ズーム光学系283を調節して測定対象MOの実体像を変倍することができる。
レーザAF系290は、ハーフミラー291と、リレー系292と、スプリッタミラー293と、一対のレンズ294,295と、一対のセンサ296,297とを備える。一対のセンサ296,297の出力をモニタすることにより、測定対象MOに対する合焦状態を検出することができ、焦点ずらし機構264によって第1対物レンズ261を適宜移動させて合焦状態を保持することができる。
図13の装置の動作について説明すると、落射照明用光源250から射出された光は、偏光ビームスプリッタ252によって反射され、ニッポウディスク10(60)に照射される。この光は、ニッポウディスク10(60)のピンホール10b(図2に示す光学開口部14に対応)を通過し、対物レンズ261,262によって測定対象MO上に集光される。測定対象MOからの反射光は、再び対物レンズ261,262を介して、ニッポウディスク10(60)のピンホール10bを通過する。ここで、反射光が通過するピンホール10bは、測定対象MO上に集光された照明光が通過した元のピンホール10bと同じである。このように、ニッポウディスク10(60)のピンホール10bを通過した光は、偏光ビームスプリッタ252を透過し、投影系271を介してカメラ273,274の撮像面上に結像される。
この際、ニッポウディスク10(60)は駆動装置265によって回転駆動されているので、測定対象MOに導かれるスポット状の照明光は、測定対象MO上をXY平面内でスキャニングされる。カメラ273,274では、積載によって、上述のスキャニング範囲内の測定対象MO全体について画像を得ることができる。このような画像の検出に際して、焦点ずらし機構264によって第1対物レンズ262を変位させるならば、測定対象MOのセクショニングも可能になり、このようにして得た画像を解析するならば、測定対象MOの3次元的特性分布や形状を決定することができる。
以上の3次元測定装置200では、反射光の少ないニッポウディスク10(60)を用いているので、高感度カメラ273等で検出される観察光にノイズが載りにくい。よって、測定対象MOについて高精度で断層画像等を測定することができる。さらに、焦点ずらし機構264によって第1対物レンズ261を徐々に移動させることにより、合焦位置が上下に徐々に変化するので、断層画像を取り出す深さ方向の位置を変化させた3次元像を簡易かつ高精度で得ることができる。
以上、本発明の各実施の形態について説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定されるものではない。
例えば、本発明による光学素子はニッポウディスクに限らず、透明基板上に所定パターンの遮光層若しくは遮光層を有する各種マスク、絞り等に適用することができる。また、本発明による光学素子を、不要光等を吸収する光吸収部材として用いる場合には、光学開口部14を形成する必要はないし、基板11は必ずしも透明でなくてもよい。
本発明の第1の実施の形態によるニッポウディスクを示す概略平面図である。 図1に示すニッポウディスクを模式的に示す概略断面図である。 図1に示すニッポウディスクの製造方法を示す工程図である。 図3に引き続く工程を示す工程図である。 図4に引き続く工程を示す工程図である。 図1に示すニッポウディスクの製造方法で用いられる平行平板ドライエッチング装置を模式的に示す概略構成図である。 比較例によるニッポウディスクを模式的に示す概略断面図である。 本発明の実施例のサンプルと比較例によるサンプルの反射スペクトルを示す図である。 本発明の第2の実施の形態によるニッポウディスクを示す概略断面図である。 図9に示すニッポウディスクの製造方法を示す工程図である。 図10に引き続く工程を示す工程図である。 図11に引き続く工程を示す工程図である。 本発明の第3の実施の形態による3次元測定装置を示す概略構成図である。
符号の説明
10,60 ニッポウディスク(光学素子)
11 基板
12 金属層
13 膜
CP1,CP2 微小突起
MR1 第1の微細凹凸構造
MR2 第2の微細凹凸構造

Claims (13)

  1. 多数の微小突起を含む第1の微細凹凸構造が一方の面に形成された基板と、
    前記第1の微細凹凸構造を覆う金属層と、
    前記金属層の前記基板とは反対側に形成された、多数の微小突起を含む第2の微細凹凸構造を持つ膜と、
    を備えたことを特徴とする光学素子。
  2. 基板と、
    前記基板の一方の面側に形成された膜であって、多数の微小突起を含む第1の微細凹凸構造を持つ膜と、
    前記第1の微細凹凸構造を覆う金属層と、
    前記金属層の前記基板とは反対側に形成された膜であって、多数の微小突起を含む第2の微細凹凸構造を持つ膜と、
    を備えたことを特徴とする光学素子。
  3. 前記基板が使用波長において透明な基板であることを特徴とする請求項1又は2記載の光学素子。
  4. 前記第2の微細凹凸構造を持つ膜が、シリコン又は樹脂からなることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の光学素子。
  5. 前記基板が石英ガラスからなることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の光学素子。
  6. 前記金属層がクロム又はチタンからなることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の光学素子。
  7. 前記金属層の一部及び前記第2の微細凹凸構造を持つ前記膜の一部に、開口部が形成されたことを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の光学素子。
  8. 基板の一方の面に微細マスク物質を堆積させながら前記基板の前記一方の面をドライエッチングすることで、前記基板の前記一方の面に、多数の微小突起を含む第1の微細凹凸構造を形成する段階と、
    前記第1の微細凹凸構造を覆うように金属層を形成する段階と、
    前記金属層上に膜を形成する段階と、
    前記膜の表面に微細マスク物質を堆積させながら前記膜の表面をドライエッチングすることで、前記膜の表面に、多数の微小突起を含む第2の微細凹凸構造を形成する段階と、
    を備えたことを特徴とする光学素子の製造方法。
  9. 基板の一方の面側に形成された第1の膜の表面に微細マスク物質を堆積させながら前記第1の膜の表面をドライエッチングすることで、前記第1の膜の表面に、多数の微小突起を含む第1の微細凹凸構造を形成する段階と、
    前記第1の微細凹凸構造を覆うように金属層を形成する段階と、
    前記金属層上に第2の膜を形成する段階と、
    前記第2の膜の表面に微細マスク物質を堆積させながら前記第2の膜の表面をドライエッチングすることで、前記第2の膜の表面に、多数の微小突起を含む第2の微細凹凸構造を形成する段階と、
    を備えたことを特徴とする光学素子の製造方法。
  10. 多数の微小突起を含む第1の微細凹凸構造が一方の面に形成された基板と、
    前記第1の微細凹凸構造を覆う金属層と、
    前記金属層の前記基板とは反対側に形成された膜であって、多数の微小突起を含む第2の微細凹凸構造を持つ膜と、
    を備え、
    前記金属層の一部及び前記第2の微細凹凸構造を持つ前記膜の一部に、開口部が形成されたことを特徴とするニッポウディスク。
  11. 基板と、
    前記基板の一方の面側に形成された膜であって、多数の微小突起を含む第1の微細凹凸構造を持つ膜と、
    前記第1の微細凹凸構造を覆う金属層と、
    前記金属層の前記基板とは反対側に形成された膜であって、多数の微小突起を含む第2の微細凹凸構造を持つ膜と、
    を備え、
    前記金属層の一部及び前記第2の微細凹凸構造を持つ前記膜の一部に、開口部が形成されたことを特徴とするニッポウディスク。
  12. 請求項10又は11記載のニッポウディスクを、合焦位置を走査するための走査手段として備えたことを特徴とするコンフォーカル光学系。
  13. 請求項10又は11記載のニッポウディスクと、
    測定対象を支持するステージと、
    前記ニッポウディスクと前記ステージとの間に配置される対物光学系と、
    を備えたことを特徴とする3次元測定装置。
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