KR100525218B1 - 플라즈마 에칭 반응기의 플라즈마 챔버의 측벽 박리를검출하는 장치 및 방법 - Google Patents
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Abstract
바람직하게는 레이저인 광원(7), 예컨대, CCD 또는 다이오드 어레이와 같은 검출기의 어레이(2)가 제공되어서, 플라즈마 에칭 반응기내의 플라즈마 챔버(1)의 벽 표면(10)에 증착된 중합체 막 물질(9)에 의해 산란되는 광의 강도(8)를 측정한다. 좋지 않은 박리가 개시되면, 예컨대 직접 반사광(5)의 강도(8')에 따라서, 산란 광(6)의 강도(8)가 증가하며, 이는 모니터될 수 있고, 경고 신호를 냄으로써 응답한다. 직접 반사광(5)은 상기 광의 반사 빔(5)과 교차하는 내부 표면 벽상의 한 라인을 따라서 배열된 검출기의 제 2 어레이를 통해서 측정된다. 따라서 오염 입자의 국부적인 영향이 시험될 수 있다. 적절한 세정 단계가 개시되고, 따라서 오염 입자 또는 금속 불순물이 반도체 디바이스 제조 중에 감소된다. 에칭 공정 동안 문제를 인식해서 본 측정에 의해 시간이 더 절약된다.
Description
본 발명은 반도체 디바이스를 에칭하는 데 사용되는 플라즈마 에칭 반응기에서 측벽 박리를 검출하는 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스 제조에서 집적 회로의 구조 크기가 계속적으로 감소함에 따라서, 파티클의 오염을 방지할 필요성이 점점 더 커지고 있다. 따라서 파티클 오염을 허용하는 범위도 작아져야 한다.
반도체 디바이스 제조에서 입자 오염을 가하는 주된 원인은 에칭 공정이다.
현재의 반도체 디바이스 제조 기술에 따라서, 플라즈마 에칭은 포토 레지스트 마스크로 한정되는 패턴을 기판에 에칭하는 탄력적인 양질의 방법을 제공한다. 플라즈마는 플라즈마 챔버에 장착된 하나 이상의 전극에 고주파(RF) 전력을 인가함으로써 생성된다. 기판 표면 화학 물질을 에칭하는 데 적절한 처리 가스는 RF 전력을 인가할 때 여기되어서, 전극의 종류 및 수, 가스 압력 및 고주파에 의해 증착되는 활성 에너지의 양에 따라서 에너지로 표면에 충격(bombard)을 가하기 시작한다.
일반적으로, 예컨대 낮은 가스 압력 중에서 높은 플라즈마 밀도로 제공될 수 있는, 실리콘 산화물 등에 에칭 구조체를 부여하는 데는 고 이온 전력이 필요하다. 불행하게도, 플라즈마 챔버 벽 표면 및 플라즈마 챔버 내의 다른 소모 부분의 표면에는 이온 충격이 가해진다.
예컨대, 벽 표면 물질로 사용되는 Al2O3는 고이온 에너지 이온이 닿음으로써 벽 표면으로부터 떨어지는 알루미늄 산화물이 플라즈마와 혼합되고, 이로써 예컨대 반도체 웨이퍼 상 및 벽 표면의 이면 상의 유기 중합체 내에 증착될 수 있다는 단점이 있다. 웨이퍼 상의 증착은 금속 불순물 오염을 유발하며, 벽 표면에 생성된 층은 불행하게도 본래의 플라즈마 챔버의 세정 단계에서 잘 제거되지 않는다. 분말상으로, C, Al, O 또는 F를 포함하는 막이 박리가 진행되며, 이는 어쩔 수 없이 박리시에 총 입자의 수를 증가시킨다.
표면 물질로서 석영을 사용하는 경우에는, 정확한 온도 제어를 곤란하게 하는 자체의 낮은 열 도전성으로 인해서 단점은 더욱 분명해진다. 큰 온도 변화가 일어난 경우, 표면에 증착된 에칭 중합체는 박리되기 시작해서 입자의 오염을 일으킨다.
도 1(a)는 플라즈마 챔버의 벽 표면에 증착된 거친 중합체 막으로부터의 입사 빔의 반사 및 산란을 개략적으로 도시하되, 검출기는 산란되는 광만을 측정하며, (b)는 이 검출기에 의해 측정되는 강도 곡선의 전개를 도시하고,
도 2는 벽 표면 상의 영역으로 초점이 맞춰져 있으며, 배기 펌프에 연결된 진공 관 상에 장착된 검출기의 세트로 반사되는, 입사 레이저 빔의 세트가 횡단하는 플라즈마의 실시예를 도시하는 도면,
도 3은 박리 중합체 막이 창을 통해서 그 이면에서 조사되되, 산란된 광이 동일한 창의 뒷면에 장착된 광 검출기에 의해 검출되는 실시예를 개략적으로 도시한 도면.
따라서, 본 발명의 주 목적은 플라즈마 에칭 반응기의 플라즈마 챔버의 측벽 박리로 인해서 발생하는 입자와 금속 불순물 오염을 감소시키는 수단을 제공하는 것이다.
위의 목적은 반도체 디바이스의 에칭에 사용되는 플라즈마 에칭 반응기의 플라즈마 챔버의 측벽 박리를 검출하는 장치 및 위의 측벽 박리를 검출하는 방법에 의해 해결되되, 이 장치는 위의 플라즈마 에칭 반응기의 플라즈마 챔버 내에 위치되어서 내부 측벽상의 영역을 향해서 광 빔을 발산하도록 배열된 광원과, 위의 광원에 의해 발산되며 위의 내부 측벽 표면의 위의 영역에 의해 산란되는 광을 검출해서 그 강도를 측정하는 적어도 하나의 검출기와, 위의 광원 및 위의 검출기에 접속된 제어 유닛을 포함한다.
본 발명에 따라서, 중합체 입자의 박리 또는 갈라짐이 심해지는 경우에, 대응하는 오염된 표면에 조사되는 광이 강도가 변화하면서, 즉 증가하거나 감소하면서 산란되는 박리 막 물질의 특성이 이용된다. 즉, 대응하는 표면에 초점이 맞춰진 광의 빔으로부터 작은 광량이 취해져서, 반사된 빔의 강도에 영향을 미치지 않고, 산란된 광으로 변환된다. 이 강도를 측정하기 위해서 검출기가 사용된다. 유익하게, 에칭 공정 중에도 강도는 지속적으로 모니터될 수 있고, 더 나아가 이 강도를 실험적으로 설정된 임계값과 비교함으로써 제어될 수 있되, 이 임계값은 박리가 시작되는 상황에 대응한다.
박리가 갑자기 시작되고, 따라서 대응하는 강도는 단계적으로 변한다는 사실이 알려져 있다.
바람직한 특성에서, 광의 빔을 플라즈마의 내벽 표면의 한정된 지점에 집중시키면서 레이저로서 광원이 실시될 것이다. 이 경우, 반사되고 산란된 광의 강도는 용이하게 분리된다. 따라서, 본 발명의 주요 이점은 금속 불순물 오염 또는 입자 오염의 발생이, 시작되기 전에 검출되어서 오염 입자의 양을 감소시킴으로써 재작업할 양을 줄인다는 점이다. 또한, 예컨대 SEM(scanning electron microscope) 또는 스케테로메트리(scatterometry)를 사용하는, 이틀이 걸리는 지루한 입자 테스트를 생략할 수 있으며 따라서 머신 및 오퍼레이터 시간을 줄인다.
또한, 플라즈마 챔버를 여는 단계와, 소모가능 부분을 제거하는 단계와, 용제액으로 이들 부분을 세척하는 단계와, 이들을 챔버에 복귀시키는 단계에 걸리는 매번 약 100시간 정도의 상당한 수고가 본 발명에 따라서 이들 단계를 수행하는 데 필요한 정확한 시간을 측정함으로써 줄일 수 있다. 더욱이, 에칭 공정과 관련된 문제를 사전에 검출할 수 있다.
다른 특성에서, 광원 또는 레이저는 다수의 초점이 광의 빔으로 덮여지도록 자유롭게 이동가능하게 설치된다. 이러한 특성으로 인해서 구조적인 오차를 검출하는 것이 가능하며, 증착 위치의 통계적인 변동을 유지하는 것은 물론 챔버 내에서 가장 문제가 되는 위치를 측정하는 것이 가능하다.
다른 특성에서, 검출기는 CCD 디바이스 또는 광다이오드 어레이를 포함하는 그룹 중 하나로 고려된다. 산란된 광의 충분한 공간 영역을 커버하는 이들 검출기는 항에칭성 물질, 즉 처리 가스에 내성이 있는 물질로 이루어진 대응하는 창뒤에 감춰질 수 있다. 바람직하게는 검출기가 RF 소스에 의해 생성된 플라즈마와 반응하지 않도록 장치가 구성될 수 있지만, 플라즈마 챔버 내에서의 검출기의 구현은 다른 유익한 구성으로도 가능하다.
본 발명에 따라서, 광원이 플라즈마 챔버의 제 1 창을 통과해서 벽 표면상의 초점에 빔을 발산하도록 구상되는 것이 일반적이며, 이 광원으로부터 산란된 광이 검출기를 향해서 방사된다. 여기서, 광은 예컨대, 중합체 막과 같은 박리 물질의 거친 표면에 의해 내부 플라즈마 챔버 공간을 향해서 산란된다.
다른 특성은 벽 표면을 향하는 이면에서 벽 표면과 반응하는 예컨대, 중합체 막과 같은 거친 박리 막을 고려하며, 이 경우 광 빔이 광원으로부터 창을 통해서 방사되고, 위의 거친 중합체 막 이면에 의해 이 창을 통해서 다시 산란되어 돌아오는 창으로 위의 측벽이 구성된다. 상기 경우에, 검출기 창 - 또는 상대적으로 챔버 내부의 검출기 - 은 플라즈마 챔버의 완전히 오염없는 영역에 위치되어야 하지만, 결합된 검출기 및 광원 창은 중합체 또는 다른 물질의 증착에 의해 상당히 악영향을 받는 영역에 위치된다.
본 발명이 가장 유익하게 동작하는 이러한 이상적인 위치는, 플라즈마 반응기의 배기 펌프에 연결된 배기관의 측벽 상의 검출기 창의 위치 또는 검출기 자체의 위치에 대응한다. 이 위치는 완전히 오염없는 영역으로 유지되지만, 매우 오염된 영역으로 직접 광 액세스한다. 다른 특성에서, 산란된 광의 강도 변화와 반사되는 광 빔의 강도 변화를 상호 관련시키는 수단을 제공하기 위해서, 추가적인 검출기가 사용되어 반사되는 광 빔의 강도를 측정한다. 이는 증착된 막에 의해, 검출기 창 영역 - 또는 챔버 내의 검출기 어레이 - 이 일시적으로 또는 영구적으로 오염된 경우에 중요할 수 있다. 이는 측정 지점으로부터 발생되는 잘못된 강도 변화를 제거한다.
다른 특성에서, 벽 표면을 향해서 다방향(multidirectional) 빔을 제공하는 구성이 고려된다. 일 특성에서 빔 방향은 회전 가능 거울에 의해 변화된다. 주요 이점은, 예컨대 벽 표면을 스캔하기 위해 위의 레이저가 이동될 필요가 없다는 점이다. 다른 특성에서는, 전용 벽 위치로 빔을 부채형상으로 퍼지게 해서 거울 또는 레이저 이동을 불필요하게 하는, 예컨대 빔 스플리터와 같은 광학 수단이 제공되어서, 벽 위치의 기능으로서의 산란 광 강도의 측정을 가속시킨다. 추가적인 이점 및 특성은 종속항들로부터 자명하게 된다.
본 발명은 첨부된 도면에 관련되어서, 실시예를 참조하면서 더 이해될 수 있다.
본 발명의 개략도가 도 1에 도시되어 있다. 상기 실시예에 따라서, 레이저(7)는 광의 빔(4)을, 거친 표면 구조를 가진 중합체 막(9)으로 덮혀진 플라즈마 챔버(1)의 내부 측벽(10)에 조사한다. 광의 빔(4)은 벽 표면(10) 및 중합체 막(9)을 영역(11)에서 지난다. 시간의 흐름에 따라 성장하는 중합체 막(9)은 에칭 제품 화학 물질은 물론 기판으로부터 물리적으로 제거된 물질 또는 예컨대 SiO2, 알루미늄, 유기 레지스트 물질, F, C 및 이들의 조합 등과 같은 플라즈마 챔버 표면 물질을 포함한다.
주요 강도(8')는 경사각이 반사되는 광의 빔(5)으로의 반사 각과 같다는 조건으로 평면 표면으로부터 반사된다. 검출기(2)는 그 감광 소자가 중합체 막(9)을 가진 벽 표면(10)에 위치된 초점 영역(11)을 향해서 조준되어 있지만, 반사되는 광(5)의 빔의 강도(8')를 측정할 수 없도록 위치된다.
광(4)의 경사 빔에 대해 경사각이 서로 달라지게 하는 다양한 표면 요인을 제공하는, 중합체 막(9)의 표면 마이크로 구조의 거칠기에 따라서, 입사 빔의 강도의 일부는 초점 영역(11)으로부터 등방성으로 또는 이방성으로 서로 다른 방향으로 발산하는 산란 광의 합성 강도(8)로 변화된다.
에칭이 축적됨에 따라서, 중합체 막(9)이 계속해서 만들어져서, - 두께를 증가시키면서 -, 산란의 가능성을 증가시킨다. 일부 실시예에서, 두께 및 포함되는 물질에 따라서 파상(undulatory) 중합체 막 표면은 박리가 시작됨을 나타내는 급격한 프로파일을 갖는다. 중합체 막(9) 표면 요소는 때때로 지지 기반을 상실해서 입자를 오염시킬 수 있다. 이러한 급작스런 전개는 산란 광 강도(8)의 급격한 증가로 반영되며, 검출기(2)에 의해 검출된다. 위의 검출기(2)에 의해 수행되어서 시간적으로 모니터되는, 대응하는 강도 측정 결과가 도 1b에 도시된다.
본 발명에 따른 실시예가 도 2에 도시되어 있다. 도 2a에서 알 수 있는 바와 같이, 플라즈마 챔버(1)에 생성된 처리 가스의 에칭 산물이 배기관(12)을 통해서 챔버 밖의 배기 펌프로 유도된다. 레이저(7)의 위치를 이동시킴으로써, 광은 플라즈마 챔버 벽 표면(10) 내부의 광원 창을 지나서, 벽 표면(10)의 초점 영역(11, 11', 11")에서 다양한 입사각으로 플라즈마 챔버(1)로 발산된다. 레이저(7)의 위치는 벽 표면(10)의 영역의 연속 라인을 스캔하도록 연속적으로 변화될 수 있다. 이로써, 입사 빔(4)은 검출기 창(15)을 지나서, 벽 표면(10)의 상부와 반사 빔(5)의 교차를 가능하게 하도록 덮는 하나의 라인으로 배열된 광 다이오드 어레이(3)로 반사 빔(5)으로서 반사된다. 중합체 막 증착이 이 위치에서 특히 약하다는 것이 알려져 있어서, 검출기(2, 3)에 클리어 빔 신호를 제공하기 때문에, 이 위치가 선택되는 것이 유익하다.
박리가 발생할 때, 산란 광의 강도(8)가 증가하며, 이는 반사빔의 위치를 나타내는 광 다이오드 어레이(3)로부터 거리(17)를 두고 배열된 두개의 광 다이오드 어레이(2)에 의해 검출된다. 거리(17)는 산란 각과 반사각의 편차를 나타낸다. 광 다이오드 어레이(2, 3)의 라인은 도 2a에 정면도로 도시된다.
레이저로 다른 영역(11, 11', 11" 등)을 스캐닝함으로써, 광 다이오드 어레이(2, 3)의 서로 다른 부분이 산란광 또는 반사광에 의해 조준된다. 따라서, 중합체 또는 다른 물질의 그 표면 구조에 대한 막 프로필은 매시간 단위로 모니터된다. 그 예가 도 2b에 도시된다. 광 다이오드 어레이(3)로부터 제어 유닛(13)에 의해 수신되는 반사 빔 강도(8')는 임계값(14)을 획득하기 위해 사용되어서 박리의 개시를 나타낸다. 임계값(14)은 예컨대, SEM 이미지와 산란 광의 강도 신호(8)를 비교해서 또는 유사한 연구에 의해 초기 단계에서 결정된다.
임계값(14)으로의 표준 입력으로써 반사 빔 강도(8')를 사용하는 것은 경사각 의존 흡수 또는 검출기 창 흡수와 같은 국지적인 조건으로부터의 독립성을 제공한다.
제어 유닛(13)은 또한 위치의 함수로 산란 광 강도(8) 데이터를 받아서, 이들 데이터를 반사 빔 강도(8')로부터 유추되는 위치 의존 임계값(14)과 비교한다.
따라서, 한편으로는 박리의 발생이 검출되고, 다른 한편으로는 박리가 처음으로 개시되는 위치가 나타내어질 수 있으며, 이는 도 2b에서 두개의 표시 영역으로서 도시되어 있다. 레이저(7)의 위치가 대응하는 광 다이오드 어레이 소자와 연결될 수 있는 제어 유닛(13)에 의해 모니터되기 때문에, 영역(11, 11', 11")의 위치를 알 수 있다.
일단 임계값(14) 침범이 검출되면, 경고 신호가 발생되어서 운영자로 하여금 현재의 에칭 공정을 중단하고, 적절한 습식 세척 단계를 개시하거나 플라즈마 챔버 중 일회용인 부분을 세척하거나 대치하게 한다.
본 발명의 다른 실시예가 도 3에 도시되어 있다. 레이저(7) 및 검출기(2)가 플라즈마 챔버 벽 내에 구조된 창(15, 16)의 이면에 배열되며, 이는 플라즈마 챔버(1)내의 중합체 막(9)에 의해 덮여진다. 박리가 시작되면, 광(6)은 창(15, 16)을 통해서 다양한 방향으로 산란되어 되돌아오며, 이들 사이에 검출기(2)가 배열된다. 오직 하나의 창만이 필요하며, 적절한 임계값을 제공하기 위해 광의 경로를 따라 복잡한 조건이 채택될 필요가 없다는 이점이 있다. 오히려, 창(15, 16) 표면은 그 자체가 중합체 막(9)으로 덮혀진 벽 표면(10)이다. 다른 상세에 따라서, 레이저(7) 및 검출기(2)가 동일한 스테이지에 장착될 수 있고, 이는 창(15, 16) 범위를 따라서 구동되어서, 검출기(2)가 반사빔(5)이 아닌 산란 광(6)만을 측정한다는 조건을 만족시키는 일정한 상태를 유지한다.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1 : 플라즈마 챔버 2 : 산란광 검출기
3 : 반사 빔용 검출기 4 : 광의 입사 빔
5 : 광의 반사 빔 6 : 산란 빔
7 : 광원, 레이저 8 : 산란 광의 강도
8' : 반사 광의 강도 9 : 중합체 막, 박리 물질
10 : 벽 표면 11 : 벽 표면 상의 영역/초점
12 : 배기관 13 : 제어 유닛
14 : 박리 임계값 15 : 광원 창
16 : 검출기 창
Claims (17)
- 반도체 디바이스의 에칭에 사용되는 플라즈마 에칭 반응기의 플라즈마 챔버(1)의 측벽 박리를 검출하는 장치에 있어서,- 상기 플라즈마 에칭 반응기의 상기 플라즈마 챔버(1) 내에 위치하며, 내부 벽 표면(10) 상의 다수의 영역(11)을 향해서 광의 빔(4)을 발산하도록 배치된 광원(7)과,- 상기 광원(7)에 의해 발산되며 상기 내부 벽 표면(10)의 상기 다수의 영역(11)에 의해 직접 반사되는 광의 강도(8)를 검출해서 측정하는 제 1 검출기 어레이(3) - 상기 제 1 검출기 어레이(3)는 상기 다수의 영역(11)에 의해 반사되는 광의 빔(5)과 상기 벽 표면(10)의 교차에 의해 제공되는 제 1 라인을 따라 배치됨 - 와,- 상기 광원에 의해 발산되며, 상기 내부 벽 표면(10)의 상기 다수의 영역(11)에 의해 산란되는 광의 강도(8)를 검출해서 측정하는 적어도 하나의 제 2 검출기 어레이(2) - 상기 제 2 검출기 어레이(2)는 상기 제 1 라인과 소정 거리를 두고 위치된 제 2 라인을 따라 배치됨 - 와,- 상기 광원(7) 및 상기 검출기(2)에 접속된 제어 유닛(13)을 포함하는 박리 검출 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 광원(7)은 레이저인박리 검출 장치.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,- 상기 챔버(1)는 상기 내부 벽 표면(10)에 의해 반사되는 광의 빔(5)에 의해 커버되는 공간을 갖고,- 상기 적어도 하나의 검출기(2)는 상기 공간 밖에 장착되는박리 검출 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 광원(7)은 상기 광의 빔(4)에 의해 커버되는 상기 다수의 영역(11)을 제공하도록 이동가능하게 장착되는박리 검출 장치.
- 제 1 항에 있어서,- 상기 광원(7)은 상기 플라즈마 챔버(1) 밖에 장착되고,- 상기 플라즈마 챔버(1)는 상기 플라즈마 챔버(1)로 발산되는 상기 광의 빔(4)에 대해 투명한 적어도 하나의 광원 창(15)을 포함하는박리 검출 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 검출기 어레이(2, 3)는a) CCD-디바이스b) 광 다이오드 어레이를 포함하는 그룹의 하나인박리 검출 장치.
- 제 6 항에 있어서,- 상기 적어도 하나의 검출기 어레이(2)는 상기 플라즈마 챔버(1) 밖의 상기 제 1 라인을 따라서 장착되고,- 상기 플라즈마 챔버(1)는 상기 플라즈마 챔버(1)로부터 발산하는 광에 대해 투명한 적어도 하나의 검출기 창(16) - 상기 검출기 창(16)은 상기 광을 상기 검출기 어레이(2)에 제공하도록 상기 제 1 라인을 따라서 배열됨 - 을 포함하는박리 검출 장치.
- 제 6 항에 있어서,상기 적어도 하나의 검출기 어레이(2)는 상기 플라즈마 챔버(1) 내부의 상기 제 1 라인을 따라서 장착되는박리 검출 장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 검출기 창(16) 및 상기 광원 창(15)은 동일한 창을 나타내는박리 검출 장치.
- 제 7 항에 있어서,- 배기관(12)을 가진 상기 플라즈마 반응기는 배기 펌프에 이어져 있고,- 상기 검출기(2) 또는 상기 검출기 창(16)은 상기 배기관(12)의 측벽의 내부 벽 표면(10) 상에 위치하는박리 검출 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 다수의 영역(11)을 향해서 발산되는 상기 광의 빔(4)을 부채 형상으로 상기 내부 벽 표면(10)에 펼치는 광학 수단을 더 포함하는박리 검출 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 광의 빔(4)의 방향을 변화시키는 회전 가능 거울을 더 포함하는박리 검출 장치.
- 제 1 항에 따른 장치를 사용해서 플라즈마 에칭 반응기의 플라즈마 챔버(1)의 측벽 박리를 검출하는 방법에 있어서,- 상기 광원(7)을 사용해서, 상기 플라즈마 챔버(1) 내의 상기 내부 벽 표면(10) 상의 다수의 영역(11)에 광의 빔(4)을 발산하는 단계와,- 상기 검출기(2)를 사용해서, 상기 벽 표면(10)을 덮는 박리 물질(9)에 의해 산란되는 상기 광(6)의 강도(8)를 측정하는 단계와,- 상기 강도(8)와 임계값(14)을 비교하는 단계와,- 상기 비교 결과에 따라 경고 신호를 내는 단계를 포함하는 방법.
- 제 13 항에 있어서,- 상기 벽 표면(10)은 상기 플라즈마 챔버 벽 내에 장착된 창의 내부 표면 - 상기 내부 창 표면은 내부 플라즈마 챔버 공간을 향함 - 이고,- 상기 광(4)의 빔은 상기 플라즈마 챔버(1) 밖으로부터 상기 창을 통해서 상기 창 표면에 조사되며,- 검출기(2)에 의해 측정되는 상기 산란 광(6)은 상기 창을 통해서 상기 창 표면에 증착되는 박리 물질(9)의 이면에서 산란되는 광인방법.
- 제 13 항에 있어서,- 제 1 검출기(2)는 상기 산란 광(6)의 제 1 강도(8)를 측정하고,- 제 2 검출기(3)는 광(5)의 상기 반사 빔의 제 2 강도(8')를 측정하며,- 상기 제 1 강도(8) 및 제 2 강도(8')가 비교되는방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 측정 단계는 반도체 웨이퍼를 에칭하는 동안 수행되는방법.
- 제 16 항에 있어서,상기 신호에 응답해서 에칭을 종료하는방법.
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