JP2009276489A - 光基板及びその製造方法 - Google Patents

光基板及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2009276489A
JP2009276489A JP2008126779A JP2008126779A JP2009276489A JP 2009276489 A JP2009276489 A JP 2009276489A JP 2008126779 A JP2008126779 A JP 2008126779A JP 2008126779 A JP2008126779 A JP 2008126779A JP 2009276489 A JP2009276489 A JP 2009276489A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
insulating resin
optical
light emitting
receiving element
resin layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008126779A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5380903B2 (ja
Inventor
Koichi Kumai
晃一 熊井
Ikuo Hirota
郁夫 広田
Yuko Nagato
優子 永戸
Taketo Tsukamoto
健人 塚本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toppan Printing Co Ltd filed Critical Toppan Printing Co Ltd
Priority to JP2008126779A priority Critical patent/JP5380903B2/ja
Publication of JP2009276489A publication Critical patent/JP2009276489A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5380903B2 publication Critical patent/JP5380903B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025Semiconducting materials
    • H01L2924/10251Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253Silicon [Si]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107Disposition of discrete passive components off-chip wires

Landscapes

  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)

Abstract

【課題】受発光素子と光導波路および光信号路変換部品が接続する構造を、安価かつ簡便なプロセスで提供する。さらに接続部の実装信頼性を向上させる。これにより低コストかつ接続特性のよい光基板とその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第1面に金属層(20)がパターニングされ、かつ開口部が形成された絶縁樹脂層(10)と前記開口部に受発光部(61)が前記第一面側となるように設置された受発光素子(60)と、前記絶縁樹脂層上に前記受発光素子と光学的に接続するように配置された光導波路(50)と、を備える光基板とする。
【選択図】図1

Description

本発明は、電気配線及び光配線を有する光基板及びその製造方法に関する。
処理信号の高速化や電気ノイズの低減を始めとして、高速通信の障害となる課題解決に向けた有望な技術として、光信号を利用することで、高速の伝送速度で情報を送受信することが可能な光配線を用いた技術が注目を集めている。特に、光配線を用いた大容量光インターコネクションを実現するために、光配線の高密度化や低損失接続が重要であり、高性能かつ価格低減に向けての様々な技術検討が行われている。
光信号は、発光素子や光配線から出力されると拡散される。このため、光信号の接続部品はできるだけ近い間隔で接続する必要がある。また、光接続はその接続位置がずれると光信号が漏洩損失するため、正確に位置をあわせて接続する必要がある。また、光信号を伝播する光導波路は基板平面内に水平方向に設けられるため、受発光素子の受発光面に光信号を入出力するためには、光信号路を概略90°変換する必要がある。
特に、受発光素子と光導波路の実装において、光導波路を橋桁を用いて固定実装し、光導波路と受発光素子の高さを合わせる手法が報告されている(非特許文献1)。しかしこの手法では、光導波路の実装信頼性が低下する問題、および光導波路の先端部の位置がずれて光接続効率が低下する問題がある。また、シリコン基板をエッチング加工し、エッチング部に受発光素子を埋め込み、その上に光導波路を実装する手法が報告されている(特許文献1)。しかしこの手法ではワイヤボンディングの高さ分、受発光素子と光導波路が離れてしまい、光接続効率が低下する問題がある。またエッチング加工したシリコン基板が高価となる問題もある。
M.Usui,N.Matsuura et al.,10th LEOS ’97,51(1997) 特開平05−002766
本発明はかかる従来技術の欠点に鑑みてなされたもので、受発光素子と光導波路および光信号路変換部品が接続する構造を、安価かつ簡便なプロセスで提供する。さらに接続部の実装信頼性を向上させる。これにより低コストかつ接続特性のよい光基板とその製造方法を提供することを目的とする。
本発明において上記の課題を達成するために為された第1の発明は、少なくとも第1面に金属配線が形成され、かつ開口部が形成された絶縁樹脂層と前記開口部に受発光部が前記第一面側となるように設置された受発光素子と、前記絶縁樹脂層上に前記受発光素子と光学的に接続するように配置された光導波路とを備える光基板である。
第2の発明は、前記受発光素子の厚みと前記絶縁樹脂層の膜厚が略同一であることを特徴とする請求項1記載の光基板である。
第3の発明は、前記絶縁樹脂層が感光性樹脂からなることを特徴とする請求項1記載の光基板である。
第4の発明は、少なくとも前記第一面上の少なくとも一部がモールド樹脂で覆われていることを特徴とする請求項1乃至3記載の光基板である。
第5の発明は、絶縁樹脂層の少なくとも前記第一面上に金属層を有する絶縁樹脂フィルムの該金属層をパターニングして電気配線を形成する電気配線工程と、前記絶縁樹脂層をパターニングして、開口部を設ける絶縁樹脂層形成工程と、支持基材上に、絶縁樹脂フィルムを前記第一面を外側にして貼り合せる絶縁樹脂基板設置工程と、前記開口部に受発光面が前記第一面側となるように前記受発光素子を設置する受発光素子実装工程と、前記受発光素子と光学的に接続するように前記受発光面と光導波路の光入出力面を一致させて絶縁樹脂フィルム上に光導波路を設置する光導波路実装工程と、前記支持基材を除去する支持基材除去工程と、を有する光基板の製造方法である。
第6の発明は、感光性樹脂からなる絶縁樹脂層の少なくとも前記第一面上に金属層を有する絶縁樹脂フィルムの該絶縁樹脂層をフォトリソグラフィー法によりパターニングして開口部を形成する絶縁樹脂層形成工程と、支持基材上に、絶縁樹脂フィルムを前記第一面を外側にして貼り合せる絶縁樹脂基板設置工程と、前記金属層をパターニングして電気配線を形成する電気配線工程と、前記開口部に受発光素子の受発光面が前記第一面側となるように前記受発光素子を設置する受発光素子実装工程と、前記受発光素子と光学的に接続するように前記受発光面と光導波路の光入出力面を一致させて絶縁樹脂フィルム上に光導波路を設置する光導波路実装工程と、前記支持基材を除去する支持基材除去工程と、を有する光基板の製造方法である。
第7の発明は、前記電気配線上に受発光素子のコントロールチップを実装するコントロールチップ実装工程を有することを特徴とする請求項5又は6に記載の光基板の製造方法である。
第8の発明は、前記受発光面と、前記光入出力面との間隙に透明樹脂を充填させる透明樹脂充填工程を有することを特徴とする請求項4から8のいずれか記載の光基板の製造方法光基板の製造方法である。
第9の発明は、絶縁樹脂層の少なくとも一部をモールド樹脂で覆うモールド樹脂形成工程を有することを特徴とする請求項4から8のいずれか記載の光基板の製造方法である。
第10の発明は、請求項1から4のいずれかに記載の光基板を備える事を特徴とする光部品である。
第11の発明は、請求項1から4のいずれかに記載の光基板を備える事を特徴とする電子機器である。
本発明は、次のような効果がある。
第一に、受発光素子と絶縁樹脂の厚さを合わせ、絶縁樹脂層中に受発光素子を埋め込むことで、絶縁樹脂層の表面と受発光素子の受発光面の高さを合わせることが可能となる。これにより、光導波路を実装する場所を平坦とすることができ、光導波路の実装信頼性を向上し、実装難易度を簡易化する効果がある。
第二に、絶縁樹脂層中に受発光素子を固定することで、受発光素子と電気配線の接続が容易となる。受発光素子全体が基板に固定されているため、ワイヤボンディング等の高温加熱条件下でも素子が移動することが無く、ワイヤバンプ形成も容易となる。これにより実装歩留まりが向上し製造コストを低減する効果がある。
第三に、受発光素子の受発光面と電気接続用パット面を、共に基板上方に設置することで、汎用受発光素子をそのまま使用することが可能となる。受発光面を下面、電気接続用パット面を上面とした受発光素子は価格が高く、製造コストが上昇する。汎用受発光素子を使用することで、製造コストを低減する効果がある。
本発明の光基板において、その断面図を図1に示す。
本発明の光基板110は、第1面に金属層がパターニングされた電気配線21を有する絶縁樹脂層10を備えている。絶縁樹脂層には開口部が形成され、該開口部に受発光素子60がその受発光部61を外面、つまり電気配線側に向けてはめ込まれて設置されている。受発光面上には光信号を受発光素子と光配線との間で入出力するための光導波路50が配置されている。
絶縁樹脂層10は、任意の有機材料及び無機材料を選択することができる。具体的にはアクリル材料、シリコーン材料、シリコンウェハ、金属材料、硝子材料、プリプレグ、積層板材料などが使用できる。さらに、感光性樹脂を用いてフォトリソグラフィー法により絶縁樹脂層を形成することで、高精度にパターニングすることが可能であり、このため開口部形状を受発光素子に一致させて位置精度良く設置できるためである。これにより受発光素子埋め込み部を高精度に造形することが可能となり、外形突き当て位置合わせにより受発光素子を実装することができる。感光性樹脂の例としては、感光性ポリイミド樹脂、感光性アクリル樹脂、感光性エポキシ樹脂、またこれらを重合させた感光性エポキシアクリレート樹脂などを用いることができる。
本願発明では後述のように支持基板を用いた工程により光基板を作製することで、絶縁樹脂層を貫通する開口部を設け、該開口部に受発光素子を設置している。このため絶縁樹脂層を受発光素子の厚みと略同一の膜厚まで薄くすることが可能であり、高密度な光基板を実現することができる。
光導波路50には、コアと、コアの外周を覆うクラッドとで構成される一般的な光配線光導波路を用いる事ができる。材質として、カーボネート系、エポキシ系、アクリル系、イミド系、ウレタン系、ノルボルネン系などの高分子材料および石英などの無機材料を用いる事ができる。伝送モードとして、シングルモード、マルチモード、シングルマルチ混合配線などの構成をとることができる。また、光導波路は単層であっても複数層積層されているものでも良い。
図1の光基板では、光導波路の受発光素子側の端面が45度にカットされ、光信号を反射するミラー面が形成されている。あるいは端面に金属層を形成してミラーを構成しても良い。これにより、モールド樹脂で覆った際のモールド樹脂による光信号の漏洩を防ぐ事ができる。受発光素子の受発光部61と、光導波路端面の光入出力面を一致させて配置することにより、両者は光学的に接続されている。
受発光素子60には、単チャンネルもしくは複数チャンネルの光素子を用いる事ができる。具体的には、端面発光型LD、面発光型LD、面受光型PDなどを使用する事ができる。受発光素子60の実装は、ワイヤボンディングなどの方法を取る事ができる。
本発明では、絶縁樹脂層中に受発光素子を固定することで、受発光素子と電気配線の接続が容易となる。受発光素子全体が基板に固定されているため、ワイヤボンディング等の高温加熱条件下でも素子が移動することが無く、ワイヤバンプ形成も容易となるためである。これにより実装歩留まりが向上し製造コストを低減することができる。
また、必要に応じて受発光素子60の受発光面と光導波路50の光入出力面の間に透明樹脂80を充填する事ができる。透明樹脂80には一般に用いられている高分子材料を用いる事ができる。具体的には、カーボネート材料、エポキシ材料、アクリル材料、イミド材料、ウレタン材料、シリコーン材料、無機フィラー混入有機材料などが使用できるが、これに限定されるものではない。また、界面の屈折率差を無くすため、光導波路50と同等の屈折率を持った光学樹脂を用いる事が望ましい。これにより受発光素子と光導波路間の屈折率不整合を改善し、光接続特性を向上し、環境信頼性を改善することができる。
さらに必要に応じて、銅箔20上に、受発光素子60のコントロールチップ40を実装することができる。コントロールチップの近傍で光配線に接続することができ、光電変換された電気信号を基板内部を通さずに受発光素子とコントロールチップとを接続することができるので、電気配線による高周波信号の損失を抑えることができる。コントロールチップ40の実装は、ダイボンディング、ワイヤボンディング、フリップチップ実装などの方法を取る事ができる。
光基板の電気配線が形成された第一面上の全体又は光導波路及び受発光素子を含む任意の部分をモールド樹脂70によりモールドすることで、基板および実装部品の環境信頼性を高める事ができる。その場合、受発光素子60と光導波路50の界面にモールド樹脂が入る事を防ぐため、あらかじめ前記透明樹脂80を充填することが望ましい。
光基板下面は平坦に形成されているため、高精度にコネクタを設置することができる。具体的には、LGA、PGA、小型電気コネクタ等を設置することができる。図1では半田バンプ90を介して配線基板110と接続した例を示している。
本発明の光基板は、多量の情報入出力を伴う電子機器、あるいは光部品に有効である。光基板を搭載した電子機器の具体例としては、ノートパソコンや業務用大型コンピュータを含む様々な電子計算機、家庭用ゲーム機、録画再生機、テレビ、あるいは、ルータなどの大きな情報の入出力を伴う情報・通信機器に用いることで、ノイズの影響を受けずに効率的に信号の送受信が可能となるために有効である。また、光基板1を搭載する光部品の具体例としては、光インターコネクション(光電気配線板)、光コネクタ、光カプラ、光結合器、光スイッチ、光スプリッタ、あるいは、光送受信機などの、光部品にも搭載することで、同様の効果を期待することができる。
次に、本発明の光基板の製造方法について説明する。
まず片面に銅箔等の金属層が形成された絶縁樹脂フィルムの絶縁樹脂層及び金属層を相前後してパターニングし、電気配線の形成と、受発光素子を設置する開口部やバイアホール等の絶縁樹脂層除去部分の除去を行う。
上記工程の具体的な方法としては、まず金属層をパターニングし、配線パターンや実装用パットを形成する。金属層のパターニング方法としては、公知の金属加工方法を用いることが可能である。具体的には、配線パターン、実装用パットに合わせてレジストパターンを形成し、エッチングにより配線パターンを形成する。また必要に応じてNi,Auメッキやソルダーレジスト印刷を行っても良い。次にレーザ加工等の絶縁樹脂加工方法用いて受発光素子を設置する開口部やバイアホール等の絶縁樹脂層除去部分を除去することができる。次に、パターニングされた絶縁樹脂フィルムを、電気配線が形成された面を外側にして支持基材上に張り合わせる。
また、絶縁樹脂層を感光性樹脂で形成する場合には、フォトリソグラフィー工程として、感光性樹脂のパターンに対応するマスクを用いて露光し、現像を行って絶縁樹脂層をパターニングして開口部等を形成することができる。次に電気配線形成面を表として支持基材上にラミネートした後、前述の方法で金属層のパターニング等を行うことができる。
上述の各工程は適宜、相前後しても良い。支持基材と絶縁樹脂フィルムの張り合わせには一般的なラミネート方法を用いることができる。支持基材には、一般に用いられている材料を用いることができる。具体的には、カーボネート材料、エポキシ材料、アクリル材料、イミド材料、ウレタン材料、シリコーン材料、無機フィラー混入有機材料などが使用できるが、これに限定されるものではない。また、支持基材上に紫外線剥離型の粘着層を設けることもできる。支持基材上で各プロセスを行う事で、光基板下面を平坦とすることができる。これにより光導波路の実装難易度を簡易とし、実装信頼性を向上させることができることから、光基板下面に高精度にコネクタを設置することができる。具体的には、LGA、PGA、小型電気コネクタ等を設置することができる。また、支持基材により絶縁樹脂層が保持固定されるため、絶縁樹脂層の膜厚が薄い場合でも安定して光基板を実装することができる。
次に、絶縁樹脂層を除去した受発光素子設置部分に受発光素子を実装する。前記絶縁樹脂層の膜厚が受発光素子の厚みと略同一となるようにすることで、光導波路との接続部における損失を最大限少なくすることができる。絶縁樹脂層の膜厚が受発光素子の厚みと略同一であれば、すなわち受発光素子の受発光面の少なくとも一部を光導波路の光入出力部と接触させて光電変換させることができるからである。
また受発光素子の実装工程と相前後して、必要に応じて受発光素子のコントロールチップを実装しても良い。この場合は電気配線上に、受発光素子のコントロールチップを実装することができる。コントロールチップ40の実装は、ワイヤボンディング、フリップチップ実装などの方法を取る事ができる。
次に、光導波路の光入出力部と受発光素子の受発光部が接続するように、光導波路を実装する。必要に応じて、受発光素子と光導波路との界面に光学接着剤を充填しても良い。受発光素子と光導波路の接続部分での光学損失を低減することができる。
次に基板全体もしくは任意の箇所をモールド樹脂でモールドすることができる。この場合にはモールド工程の後、最後にキャリアフィルムを剥離して、本発明の光基板とすることができる。なお、支持基板に紫外線剥離型の粘着層を設けた場合には、紫外線照射により支持基板を剥離することができる。
以下に本発明に係る光基板の製造方法の具体例を下記実施例をもって示すが、本発明はこれらに限定解釈されるものではない。
<実施例1>
まず東レ製片面銅箔ポリイミド基材(銅箔12μm厚、ポリイミド350μm厚)の銅箔上にエッチングレジストパターン25を形成し、銅箔をエッチングすることで、パターニングされた銅箔20を得た(図2b)。
次に炭酸ガスレーザーにて絶縁樹脂10を加工することで、パターニングされた絶縁樹脂層を得た(図2c)。
次に、絶縁樹脂層10を支持基材30(PET:東洋インキ製)にラミネートした(図2d)。
次に、銅箔20上にコントロールチップ40(VCSELドライバーチップ350um厚:HELIX AG製)を実装し、ワイヤボンディングにより電気接続を行った(図2e)。
次に、パターニングにより絶縁樹脂が除去されたキャリアフィルム上に受発光素子60(4ch VCSEL:ULM製)を実装した(図2f)。設置位置合わせは、絶縁樹脂層11の外形を利用した突き当て位置合わせを行った。
次に、絶縁樹脂層10および受発光素子61上に光導波路フィルム50(マルチモードエポキシ系光導波路フィルム:NTT−AT製)を設置した(図2g)。設置固定にはエポキシ系屈折率整合光学接着剤:NTT−AT製)を使用した。
次に、絶縁樹脂層10上をモールド樹脂70で被覆した(図2h)。
次に、支持基材30を剥離し、光基板100を製造した(図2i)。
作製した光基板を光学特性評価した結果、各チャンネルで0.9〜1.1mWの安定した光出力を確認できた。
<実施例2>
まず感光性絶縁材料として、ビスフェノールA型エポキシアクリレート(リポキシVR−90:昭和高分子)52重量部と無水フタル酸15重量部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶媒中で110℃30分攪拌してアルカリ現像型感光性絶縁樹脂ワニス原料を調製した。更に、前記アルカリ現像型感光性絶縁樹脂ワニス原料を50重量部、脂環式エポキシ類化合物(EHPE3150:ダイセル化学)17重量部、光硬化型エポキシ樹脂(サイクロマーM100:ダイセル化学)30重量部、光開始剤(LucirinTPO:BASF)3重量部に、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶剤を加えて連続式横型サンドミルにて約3時間分散し、アルカリ現像型感光性絶縁樹脂ワニスを調製した。
次に銅箔上に前記アルカリ現像型感光性絶縁樹脂ワニスをスリットコーターにて塗布し、70℃20分乾燥して、約350μm厚の半硬化状態の感光性絶縁樹脂層を形成し、片側銅箔付き感光性絶縁樹脂を製造した(図3a)。
次に感光性絶縁樹脂層10にフォトマスクを密着させ、超高圧水銀灯により500mJ/cmで露光、紫外線硬化させた。その後約5%有機アミン系アルカリ水溶液にて現像、水洗し、90℃オーブンで十分乾燥させることで、パターニングされた絶縁樹脂層を得た(図3b)。
次に、絶縁樹脂層10を支持基材30(PET:東洋インキ製)にラミネートした(図3c)。
次に、銅箔20上にエッチングレジストパターン25を形成し、銅箔をエッチングすることで、パターニングされた銅箔21を得た(図3d)。
次に、銅箔20上にコントロールチップ40(VCSELドライバーチップ:HELIX AG製)を実装し、ワイヤボンディングにより電気接続を行った(図3e)。
次に、パターニングにより絶縁樹脂が除去されたキャリアフィルム上に受発光素子60(4ch VCSEL:ULM製)を実装した(図3f)。設置位置合わせは、絶縁樹脂層11の外形を利用した突き当て位置合わせを行った。
次に、絶縁樹脂層10および受発光素子60上に光導波路フィルム50(マルチモードエポキシ系光導波路フィルム:NTT−AT製)を設置した(図3g)。設置固定にはエポキシ系屈折率整合光学接着剤:NTT−AT製)を使用した。
次に、絶縁樹脂層10上をモールド樹脂70で被覆した(図3h)。
次に、支持基材30を剥離し、光基板100を製造した(図3i)。
作製した光基板を光学特性評価した結果、各チャンネルで0.9〜1.1mWの安定した光出力を確認できた。
本発明の光基板の断面図。 本発明の光基板の製造方法の説明図(実施例1)。 本発明の光基板の製造方法の説明図(実施例2)。
符号の説明
10 絶縁樹脂層
20 金属層(銅箔)
30 支持基材
40 コントロールチップ
50 光導波路
60 受発光素子
61 受発光部
70 モールド樹脂
80 透明樹脂
90 半田バンプ
100 光基板
110 配線基板

Claims (11)

  1. 少なくとも第1面に電気配線が形成され、かつ開口部が形成された絶縁樹脂層と
    前記開口部に受発光部が前記第一面側となるように設置された受発光素子と、
    前記絶縁樹脂層上に前記受発光素子と光学的に接続するように配置された光導波路と、
    を備える光基板。
  2. 前記受発光素子の厚みと前記絶縁樹脂層の膜厚が略同一であることを特徴とする請求項1記載の光基板。
  3. 前記絶縁樹脂層が感光性樹脂からなることを特徴とする請求項1記載の光基板。
  4. 少なくとも前記第一面上の少なくとも一部がモールド樹脂で覆われていることを特徴とする請求項1乃至3記載の光基板。
  5. 絶縁樹脂層の少なくとも前記第一面上に金属層を有する絶縁樹脂フィルムの該金属層をパターニングして電気配線を形成する電気配線工程と、
    前記絶縁樹脂層をパターニングして、開口部を設ける絶縁樹脂層形成工程と、
    支持基材上に、絶縁樹脂フィルムを前記第一面を外側にして貼り合せる絶縁樹脂基板設置工程と、
    前記開口部に受発光面が前記第一面側となるように前記受発光素子を設置する受発光素子実装工程と、
    前記受発光素子と光学的に接続するように前記受発光面と光導波路の光入出力面を一致させて絶縁樹脂フィルム上に光導波路を設置する光導波路実装工程と、
    前記支持基材を除去する支持基材除去工程と、
    を有する光基板の製造方法。
  6. 感光性樹脂からなる絶縁樹脂層の少なくとも前記第一面上に金属層を有する絶縁樹脂フィルムの該絶縁樹脂層をフォトリソグラフィー法によりパターニングして開口部を形成する絶縁樹脂層形成工程と、
    支持基材上に、絶縁樹脂フィルムを前記第一面を外側にして貼り合せる絶縁樹脂基板設置工程と、
    前記金属層をパターニングして電気配線を形成する電気配線工程と、
    前記開口部に受発光素子の受発光面が前記第一面側となるように前記受発光素子を設置する受発光素子実装工程と、
    前記受発光素子と光学的に接続するように前記受発光部と光導波路の光入出力面を一致させて絶縁樹脂フィルム上に光導波路を設置する光導波路実装工程と、
    前記支持基材を除去する支持基材除去工程と、
    を有する光基板の製造方法。
  7. 前記電気配線上に受発光素子のコントロールチップを実装するコントロールチップ実装工程を有することを特徴とする請求項5又は6に記載の光基板の製造方法。
  8. 前記受発光面と、前記光入出力面との間隙に透明樹脂を充填させる透明樹脂充填工程を有することを特徴とする請求項4から8のいずれか記載の光基板の製造方法光基板の製造方法。
  9. 絶縁樹脂層の少なくとも一部をモールド樹脂で覆うモールド樹脂形成工程を有することを特徴とする請求項4から8のいずれか記載の光基板の製造方法。
  10. 請求項1から4のいずれかに記載の光基板を備える事を特徴とする光部品。
  11. 請求項1から4のいずれかに記載の光基板を備える事を特徴とする電子機器。
JP2008126779A 2008-05-14 2008-05-14 光基板の製造方法 Expired - Fee Related JP5380903B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008126779A JP5380903B2 (ja) 2008-05-14 2008-05-14 光基板の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008126779A JP5380903B2 (ja) 2008-05-14 2008-05-14 光基板の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009276489A true JP2009276489A (ja) 2009-11-26
JP5380903B2 JP5380903B2 (ja) 2014-01-08

Family

ID=41442000

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008126779A Expired - Fee Related JP5380903B2 (ja) 2008-05-14 2008-05-14 光基板の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5380903B2 (ja)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1152198A (ja) * 1997-08-08 1999-02-26 Kyocera Corp 光接続構造
JP2001007403A (ja) * 1999-06-23 2001-01-12 Nec Corp 並列伝送型光モジュールおよびその製造方法
JP2004022666A (ja) * 2002-06-13 2004-01-22 Kyocera Corp 半導体装置
JP2004069824A (ja) * 2002-08-02 2004-03-04 Toppan Printing Co Ltd 光配線基板
WO2006093117A1 (ja) * 2005-02-28 2006-09-08 Nec Corporation 2次元アレイ状光素子と光回路の接続構造
JP2006270037A (ja) * 2005-02-28 2006-10-05 Sony Corp ハイブリットモジュール及びその製造方法並びにハイブリット回路装置
JP2007256298A (ja) * 2004-03-19 2007-10-04 Nec Corp 光モジュールおよびその製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1152198A (ja) * 1997-08-08 1999-02-26 Kyocera Corp 光接続構造
JP2001007403A (ja) * 1999-06-23 2001-01-12 Nec Corp 並列伝送型光モジュールおよびその製造方法
JP2004022666A (ja) * 2002-06-13 2004-01-22 Kyocera Corp 半導体装置
JP2004069824A (ja) * 2002-08-02 2004-03-04 Toppan Printing Co Ltd 光配線基板
JP2007256298A (ja) * 2004-03-19 2007-10-04 Nec Corp 光モジュールおよびその製造方法
WO2006093117A1 (ja) * 2005-02-28 2006-09-08 Nec Corporation 2次元アレイ状光素子と光回路の接続構造
JP2006270037A (ja) * 2005-02-28 2006-10-05 Sony Corp ハイブリットモジュール及びその製造方法並びにハイブリット回路装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP5380903B2 (ja) 2014-01-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8041159B2 (en) Optical/electrical hybrid substrate and method of manufacturing the same
JP4163689B2 (ja) 電気光学組立品
JP2015149671A (ja) 高周波モジュール及びその製造方法
JP2010026508A (ja) 光インターフェースモジュールの製造方法、及び、光インターフェースモジュール
JP5395734B2 (ja) 光電気複合基板の製造方法
JP5029343B2 (ja) 光基板の製造方法
JP2010097169A (ja) 光電気モジュール、光基板および光電気モジュール製造方法
US7450793B2 (en) Semiconductor device integrated with opto-electric component and method for fabricating the same
JP2012008518A (ja) 光軟性印刷回路基板及びその製造方法
JP5076860B2 (ja) 光基板の製造方法
JP5076869B2 (ja) 光基板の製造方法
JP5136142B2 (ja) 光基板の製造方法
JP5349192B2 (ja) 光配線構造およびそれを具備する光モジュール
JP5380903B2 (ja) 光基板の製造方法
JP4339198B2 (ja) 光モジュールの製造方法
JP4234061B2 (ja) 光導波路デバイスの製造方法
JP2013242475A (ja) 光電気基板、光モジュール及び光電気基板の製造方法
JP5104039B2 (ja) 光基板の製造方法
JP2010078815A (ja) 光基板およびその製造方法
JP2016118594A (ja) 位置決め構造を有するポリマ光導波路の製造方法、これによって作製されるポリマ光導波路、並びにこれを用いた光モジュール
JP5477576B2 (ja) 光基板の製造方法
JP5387240B2 (ja) 光基板およびその製造方法
JP5648724B2 (ja) 光基板およびその製造方法
JP5109643B2 (ja) 光基板の製造方法
JP4698728B2 (ja) 光電気集積配線基板および光電気集積配線システム

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110421

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120502

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120508

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120706

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130312

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130508

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130618

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130814

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130903

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130916

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5380903

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees