JP2009273249A - 電子機器およびその制御方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、給電切り換えする電圧を低く抑えて、昇圧変換回路での無駄な変換損失を低減して省電力効果を向上させることができる電子機器を提供する。
【解決手段】電子機器は、負荷60の電源である電池10と、電圧を昇圧する昇圧変換回路20と、電圧を降圧する降圧変換回路50と、電圧を切り換える切換回路40と、ON時比率検出部36と、切換回路40を制御する切換SW制御部37とを備え、昇圧変換回路20内のスイッチング素子であるMOSFET23のゲート駆動制御信号の1周期におけるON時比率をON時比率検出部36により検出し、その結果に応じて切換SW制御部37により切換回路40を制御し、電池電圧VBATTによる降圧変換から昇圧電圧VCによる降圧変換に切り換える。
【選択図】図3
【解決手段】電子機器は、負荷60の電源である電池10と、電圧を昇圧する昇圧変換回路20と、電圧を降圧する降圧変換回路50と、電圧を切り換える切換回路40と、ON時比率検出部36と、切換回路40を制御する切換SW制御部37とを備え、昇圧変換回路20内のスイッチング素子であるMOSFET23のゲート駆動制御信号の1周期におけるON時比率をON時比率検出部36により検出し、その結果に応じて切換SW制御部37により切換回路40を制御し、電池電圧VBATTによる降圧変換から昇圧電圧VCによる降圧変換に切り換える。
【選択図】図3
Description
本発明は、電子機器およびその制御方法に関し、特に、電源から負荷に供給する電圧を制御する制御回路を備える電子機器およびその制御方法に関する。
電池駆動の電子機器における電源供給回路において、電子機器の駆動に必要な電圧が、電池電圧の変動範囲内にある場合、昇降圧変換回路が必要になる。その一つに、電池電圧を一度昇圧してから、その電圧を降圧するダブルコンバート方式の昇降圧変換回路がある。従来の昇降圧変換回路は、電池電圧が電子機器の駆動に必要な電圧より高い場合であっても電池電圧を一度昇圧変換するので、無駄な変換損失が発生してしまう。そこで、電子機器の駆動電圧よりも電池電圧が高い場合は、電池電圧を直接降圧するように給電切換制御を行うことで、電池の寿命を延ばす回路方式が先行技術として提案されている(例えば、特許文献1〜3参照)。
上記先行技術では、電源供給回路として図9に示すような回路構成がとられており、電池100の電池電圧VBATTを昇圧変換回路20により昇圧電圧VCに変換し、負荷600に供給する。また、降圧変換回路500は、切換回路400からの電圧を降圧電圧VDに変換し、負荷600に供給する。ここで、電圧検出手段としての電圧検出回路700が電池電圧VBATTを検出し、電池電圧VBATTが所定値以下であれば電池電圧VBATTを昇圧した電圧VCが選択される。一方、電池電圧VBATTが所定値以上であれば電池電圧VBATTが選択されて、後段にある降圧変換回路500への入力給電を行う。このときの電池電圧VBATTの垂下特性は、図10のようになり、給電を切り換えるまでの電池電圧の垂下カーブの傾きが切り換えない場合と比較して緩やかになる。垂下カーブの傾きが緩やかになった分だけ電池の寿命を延ばすことができる。
特開平6−54457号公報
特開2006−246602号公報
特許第3747381号公報
しかしながら、上記従来の構成では、入力側の電池電圧のみを検出して給電を切り換えるため、降圧変換回路の最大消費直流による電圧降下分を考慮して、給電を切り換える切り換え電圧値を高く設定する必要がある。切り換え電圧値が高くなる程、昇圧変換回路での無駄な変換損失が増加するため、給電切換を行うことで享受できる省電効果が少なくなる。
そこで、本発明は、給電切り換えする電圧を低く抑えて、昇圧変換回路での無駄な変換損失を低減して省電力効果を向上させることができる電子機器およびその制御方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の電子機器は、電源から負荷に供給される電圧を変換する変換手段を少なくとも1つ備える電子機器において、前記変換手段を駆動制御する信号の1周期におけるON時比率を検出する検出手段と、前記検出手段の検出結果に応じて、前記電源から前記負荷への給電を切り換える切換手段とを備えることを特徴とする。
上記目的を達成するために、本発明の電子機器の制御方法は、電源から負荷に供給される電圧を変換する変換手段を少なくとも1つ備える電子機器の制御方法において、前記変換手段を駆動制御する信号の1周期におけるON時比率を検出する検出工程と、前記検出工程における検出結果に応じて、前記電源から前記負荷への給電を切り換える切換工程とを備えることを特徴とする。
本発明によれば、給電切り換えする電圧を低く抑えることができ、昇圧変換回路での無駄な変換損失を低減して省電力効果を向上させることが可能となる。
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
[第1の実施形態]
図1は、本発明の第1の実施形態に係る電子機器の電源供給回路の概略構成を示すブロック図である。図2は、図1の電源供給回路の回路構成図である。図3は、図1の電子機器における電池電圧VBATTの垂下特性を示す電圧波形図である。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る電子機器の電源供給回路の概略構成を示すブロック図である。図2は、図1の電源供給回路の回路構成図である。図3は、図1の電子機器における電池電圧VBATTの垂下特性を示す電圧波形図である。
図1において、電子機器は、電源供給回路として、電源としての電池10と、電圧を昇圧する昇圧変換回路20と、制御回路30と、負荷60に供給する電圧を切り換える切換手段としての切換回路40と、電圧を降圧する降圧変換回路50と、負荷60とを備える。電池10は、例えば、1セルのLi二次電池から成り、駆動電圧範囲が2.8V〜4.2Vとする。電池10は、昇圧変換回路20および切換回路40に接続され、これらに電池電圧VBATTを給電する。昇圧変換回路20は、電池10の電池電圧VBATTを昇圧電圧VCに変換し、負荷600に供給する。降圧変換回路50は、切換回路40に接続し、切換回路40を介して給電される電圧を降圧電圧VDに変換し、負荷60に供給する。
制御回路30は、昇圧変換回路20に送信された駆動信号のON時比率を検出するON時比率検出部36と、切換回路40を制御する切換SW制御部37とを備える。制御回路30は、昇圧変換回路20および降圧変換回路50を制御する。
図2において、昇圧変換回路20は、コンデンサ21と、平滑用コンデンサ25と、インダクタ22とを備える。また、昇圧変換回路20は、電圧を昇圧するためのスイッチング素子であるNchのMOSFET23(第1のスイッチング手段)と、出力からの放電阻止用のためのスイッチング素子であるPchのMOSFET24とを備える。昇圧変換回路20では、MOSFET23とMOSFET24が、ゲートにパルス電圧を入力してON/OFF制御するためのゲート駆動制御信号によりスイッチングする。
MOSFET23とMOSFET24は、同時にONしないように制御されている。MOSFET23がONし、MOSFET24がOFFしている際に、インダクタ22に電池10からの励磁エネルギーが蓄積される。一方、MOSFET23がOFFし、MOSFET24がONした際に、電池電圧VBATTとインダクタ22の励磁エネルギーにより発生した電圧とが重畳した電圧が平滑用コンデンサ25に印加される。平滑用コンデンサ25は、MOSFET24がスイッチングすることで印加されるパルス電圧を平滑し、電池電圧VBATTを昇圧電圧VCに変換する。昇圧電圧VCとしては、例えば5Vである。昇圧電圧VCは負荷60に給電される。
降圧変換回路50は、コンデンサ51、平滑用コンデンサ55、インダクタ54、電圧を降圧するためのスイッチング素子であるPchのMOSFET52(第2のスイッチング手段)、及び整流用のスイッチング素子であるNchのMOSFET53を備える。降圧変換回路50では、MOSFET52とMOSFET53が、ゲートにパルス電圧を入力してON/OFF制御するためのゲート駆動制御信号によりスイッチングする。
MOSFET52とMOSFET53は、同時にONしないように制御されている。MOSFET52がONし、MOSFET53がOFFしている際に、インダクタ54に入力側から励磁エネルギーが蓄積され、平滑用コンデンサ55には電圧が印加される。一方、MOSFET52がOFFし、MOSFET53がONした際に、平滑用コンデンサ55には、インダクタ54の励磁エネルギーにより発生した電圧が印加される。平滑用コンデンサ55は、インダクタ54による電圧と電流の脈流を平滑し、電池電圧VBATTを降圧電圧VDに変換する。降圧電圧VDとしては、例えば3.3Vである。降圧電圧VDは、負荷60に給電される。
切換回路40は、各ゲートが制御回路30内の切換SW制御部37に接続されたMOSFET41,42を備える。制御回路30は、ゲート駆動用のロジックコントローラ(Logic Cont.)31,33と、AST32,34と、OSC35と、ON時比率検出部36と、切換SW制御部37とを備える。制御回路30は、エラーアンプとして、昇圧変換回路20のFB1から昇圧電圧VCを入力する回路と、降圧変換回路50のFB2から降圧電圧VDを入力する回路を備える。
次に、給電の切換制御について説明する。
制御回路30では、昇圧電圧VCを定電圧制御するため、昇圧電圧VCをFB1から抵抗分圧してエラーアンプに入力している。エラーアンプは、FB1からの分圧した電圧と内部の基準電圧とを比較し、昇圧電圧VCが上がるとLレベルを、昇圧電圧VCが下がるとHレベルを出力する。その出力信号は、ゲート駆動用のロジックコントローラ31に入力される。
ロジックコントローラ31は、OSC35からの基準クロック信号とエラーアンプからの出力信号が入力され、昇圧電圧VCを定電圧化するためにパルス幅が制御されたMOSFETのゲート駆動制御信号を生成し、AST32に出力する。AST32は、ロジックコントローラ31から入力されたゲート駆動制御信号に基づいて、MOSFET23とMOSFET24が同時にONしないように制御する。
本第1の実施形態では、AST32から出力された、MOSFET23をON/OFFさせるゲート駆動制御信号の1周期におけるON時間(DON)の比率をON時比率と定義する。昇圧変換回路20におけるMOSFET23のON時比率は、昇圧電圧VCの電池電圧VBATTに対する昇圧比を決める時間比率である。このON時比率は、昇圧変換回路20の消費電流によっても変化する。これは消費電流が増加することで、昇圧変換回路20で消費する直流損失分(銅損)により出力電圧が降下するためである。よって、MOSFET23のON時比率は、電池電圧VBATTの電圧値と消費電流に依存して変化することになる。
AST32からMOSFET23に出力されたゲート駆動制御信号は、ON時比率検出部36に入力される。入力されたMOSFET23のゲート駆動制御信号は、図2に示すように、RC積分回路に入力され、得られた直流電圧値が所定の閾値と比較される。この所定の閾値は、予め設定されている基準電圧値であり、例えば、降圧変換回路50が最小の消費電流で正常に動作する入力制御限界電圧値である。
ON時比率検出部36は、AST32からMOSFET23にから出力されたゲート駆動制御信号のON時比率が小さくなると、RC積分回路による直流電圧値が低くなり、Hレベルの信号を出力する。一方、MOSFET23のON時比率が高くなると、RC積分回路による直流電圧値が大きくなり、Lレベルの信号を出力する。
切換SW制御部37は、ON時比率検出部36から出力される信号のレベルに応じて、切換回路40を制御する。例えば、切換SW制御部37は、ON時比率検出部36からHレベルの信号を入力すると、切換回路40内のMOSFET41をOFFに、MOSFET42をONに制御する。その結果、降圧変換回路50には電池電圧VBATTが給電される。一方、切換SW制御部37は、ON時比率検出部36からLレベルの信号を入力すると、切換回路40内のMOSFET41をONに、MOSFET42をOFFに制御する。その結果、降圧変換回路50には昇圧電圧VCが給電される。
本第1の実施形態によれば、MOSFET23のゲート駆動制御信号の1周期におけるON時比率をON時比率検出部36により検出する。その検出結果に応じて切換SW制御部37により切換回路40を制御し、電池電圧VBATTによる降圧変換から昇圧電圧VCによる降圧変換に切り換える。これにより、図3に示すように、切換回路40から降圧変換回路50に給電される電圧値と降圧電圧VDとの電圧差すなわち降圧変換回路50の入出力電圧差を小さく抑えることができる。また、降圧変換回路50の入出力間電圧差が小さい程、昇圧変換回路20での無効損失を削減することができるため、電池寿命の延長が可能となる効果が得られる。
特にダブルコンバート方式の電源を必要とする電子機器において、給電電圧を切り換える際の電圧値を低く抑えることで消費電力を低減する効果がある。また、負荷の各モードに応じて比較する閾値電圧を変化させることで、負荷に給電する電源電圧を精度良く切り換えることが可能となる。
上記第1の実施形態において、昇圧変換回路20や降圧変換回路50はMOSFET以外のスイッチング素子で構成されていてもよい。また、2つのスイッチング素子を同期させて動かす同期整流方式による制御でなく、MOSFET24やMOSFET53をゲート駆動制御信号を必要としないダイオード素子に置き換えてもよい。また、全てのスイッチング素子を制御回路30に内蔵するように構成してもよい。
また、出力電圧の定電圧制御には電圧帰還制御に限らず、電流制御を用いてもよい。また、インダクタを使用したコンバータに限らず、インダクタなしのスイッチングによる電圧変換回路であってもよい。特に、降圧変換回路50はシリーズレギュレータであってもよい。
[第2の実施形態]
図4は、本発明の第2の実施形態に係る電子機器の電源供給回路の回路構成図である。なお、上記第1の実施形態で説明した同一の構成要素については同一の符号付してその説明を省略する。
図4は、本発明の第2の実施形態に係る電子機器の電源供給回路の回路構成図である。なお、上記第1の実施形態で説明した同一の構成要素については同一の符号付してその説明を省略する。
本第2の実施形態では、制御回路301は、図2に示したON時比率検出部36に代えて、PLL310とDuty検出用Logic312を備える。すなわち、ON時比率検出部36へのMOSFET23のゲート駆動制御信号の入力に代えて、OSC35からPLL310で周波数を上げて、そのクロック信号とゲート駆動制御信号をDuty検出用Logic312に入力する方法に置き換えている。
PLL310では、ゲート駆動制御信号が最も短いON時間であってもサンプリングできるように、周波数が設定されている。Duty検出用Logic312は、MOSFET23のゲート駆動制御信号の立ち上がり、立下りを1周期毎に検出し、そこで得られたMOSFET23のON時比率を所定の閾値と比較する。なお、Duty検出用Logic312は、ゲート駆動制御信号から検出したMOSFET23のON時比率に対して所定の演算処理を行ない、その演算結果と所定の閾値を比較する処理を行ってもよい。
Duty検出用Logic313は、Duty検出用Logic312での方法と同様に、MOSFET52のON時比率を所定の閾値と比較している。すなわち、Duty検出用Logic313は、MOSFET52のゲート駆動制御信号を入力し、ゲート駆動制御信号の立上り、立下りを1周期毎に検出し、そこで得られたMOSFET52のON時比率を所定の閾値を比較する。なお、同様に、Duty検出用Logic313は、ゲート駆動制御信号から検出したMOSFET52のON時比率に対して所定の演算処理を行ない、その演算結果と所定の閾値を比較する処理を行ってもよい。
Duty検出用Logic312およびDuty検出用Logic313から出力された信号は、切換SW制御部302に入力される。
降圧変換回路50におけるMOSFET52のON時比率は、降圧電圧VDの切換回路40から給電される電圧に対する降圧比を決める時間比率である。このON時比率は、AST34から出力された、MOSFET52をON/OFFさせるゲート駆動制御信号の1周期におけるON時間の比率をON時比率と定義する。
負荷電流検出部38,39は、昇圧変換回路20と降圧変換回路50内で負荷に流れる電流を検出するための負荷電流検出手段である。負荷電流検出部38は、昇圧変換回路20を流れる電流を検出する手段として、MOSFET24でのRONによる電圧ドロップを検出する。一方、負荷電流検出部39は、降圧変換回路50を流れる電流を検出する手段として、MOSFET52でのRONによる電圧ドロップを検出する。なお、電圧ドロップは回路に直列に接続された電流検出用の抵抗素子から検出してもよく、電流制御方式を用いたコンバータであれば、その電流値であってもよい。
負荷電流検出部38,39では、検出した電流値と所定の閾値を比較している。負荷電流検出部38,39から出力された信号は、切換SW制御部302に入力される。
次に、切換SW制御部302による給電切換制御処理を図5のフローチャートを用いて説明する。
図5は、第2の実施形態における切換SW制御部302の給電切換制御処理を示すフローチャートである。
まず、Duty検出用Logic312は、昇圧変換回路20におけるMOSFET24のON時比率(DON)を検出した後(ステップS701)、そのON時比率(DON)を所定の閾値Aと比較する(ステップS702)。ON時比率(DON)が所定の閾値Aよりも低い場合は(ステップS702でYES)、切換SW制御部302が負荷電流検出部38からの出力(負荷電流)を所定の閾値Bと比較する(ステップS703)。負荷電流が所定の閾値Bよりも高い場合は(ステップS703でYES)、切換回路40により電池電圧VBATTによる給電に切り換える。
次に、Duty検出用Logic313は、降圧変換回路50におけるMOSFET52のON時比率(DON)を所定の閾値Cと比較する(ステップS705)。ON時比率(DON)が閾値Cよりも高い場合(ステップS705でYES)、負荷電流検出部39からの出力(負荷電流)を所定の閾値Dと比較する(ステップS706)。負荷電流が所定の閾値Dよりも高い場合は(ステップS706でYES)、電池電圧VBATTによる給電を維持する(ステップS704)。
一方、ステップS705において、降圧変換回路50におけるMOSFET52のON時比率(DON)が閾値C以下の場合(ステップS705でNO)、負荷電流検出部39からの出力(負荷電流)を所定の閾値Dと比較する(ステップS707)。負荷電流が所定の閾値Dよりも高い場合は(ステップS707でYES)、切換回路40により昇圧電圧VCによる給電に切り換える(ステップS709)。一方、ステップS706において、負荷電流検出部39からの負荷電流が所定の閾値D以下の場合(ステップS706でNO)、ステップS701に戻る。
ステップS702において、昇圧変換回路20におけるMOSFET24のON時比率(DON)が所定の閾値A以上である場合(ステップS702でNO)、負荷電流検出部38からの出力(負荷電流)を所定の閾値Bと比較する(ステップS708)。負荷電流が所定の閾値B以下の場合は(ステップS708でNO)、ステップS701へ戻る一方、負荷電流が所定の閾値Bよりも高い場合は(ステップS708でYES)、切換回路40により昇圧電圧VCによる給電に切り換える(ステップS709)。続いて、電源がOFFされると(ステップS710でYES)、ゲート駆動制御信号をOFFして本処理を終了する。
本第2の実施形態によれば、昇圧変換回路20を流れる負荷電流が所定の閾値Bより大きい場合に、降圧変換回路50におけるMOSFET52のON時比率に基づき切換回路40により電池電圧VBATTによる給電または昇圧電圧VCによる給電に切り換える。これにより、切換回路40の制御に降圧変換回路50の動作状態をフィードバックすることができると共に、昇圧変換回路20と降圧変換回路50でのデュアル制御を行うことが可能となる。
また、昇圧変換回路20から負荷60への消費電流に依存せず切換制御が可能になる。また、昇圧変換回路20での検出誤差を無視することができるため、降圧変換回路の入出力間電圧差を、より小さくすることが可能となる。また、電池電圧VBATT給電に切り換えた後に、降圧変換回路50でのON時比率検出のみによるシングル制御にはなるが、昇圧変換回路20を停止することもできる。
上記第2の実施形態において、昇圧変換回路20や降圧変換回路50はMOSFET以外のスイッチング素子で構成されていてもよい。また、2つのスイッチング素子を同期させて動かす同期整流方式による制御でなく、MOSFET24やMOSFET53をゲート駆動制御信号を必要としないダイオード素子と置き換えてもよい。また、全てのスイッチング素子を制御回路30に内蔵するようにしてもよい。
また、出力電圧の定電圧制御には電圧帰還制御に限らず、電流制御を用いてもよい。また、インダクタを使用したコンバータに限らず、インダクタなしのスイッチングによる電圧変換回路であってもよい。
また、昇圧変換回路20と降圧変換回路50が入れ替わった回路構成であってもよい。また、昇圧変換回路20と降圧変換回路50については、2つに独立した回路構成に限定せず、複数のスイッチング素子を制御して一つの出力から電池電圧VBATTを昇圧した電圧と降圧した電圧が取り出せる回路構成でもよい。このような回路構成と制御をすることにより、降圧変換回路の入出力間電圧差を小さく抑えることができる。その結果、昇圧変換回路20での無効損失を削減することができることから、電池寿命を延ばすことが可能となる。
[第3の実施形態]
図6は、本発明の第3の実施形態に係る電子機器の電源供給回路の回路構成図である。図7は、第3の実施形態における閾値設定制御処理のフローチャートである。図8は、図6の電子機器における駆動モード毎の負荷電流と、その際に必要とする降圧変換回路での入出力間電圧差を比較した波形図である。なお、上記第1の実施形態で説明した同一の構成要素については同一の符号付してその説明を省略する。
図6は、本発明の第3の実施形態に係る電子機器の電源供給回路の回路構成図である。図7は、第3の実施形態における閾値設定制御処理のフローチャートである。図8は、図6の電子機器における駆動モード毎の負荷電流と、その際に必要とする降圧変換回路での入出力間電圧差を比較した波形図である。なお、上記第1の実施形態で説明した同一の構成要素については同一の符号付してその説明を省略する。
図6において、本第3の実施形態における電子機器は、図2に示す電子機器に対して、基準電圧レジスタ80と、CPU90と、通信I/F110と、電子機器の駆動状態としての駆動モードを設定する設定部120を備える点で異なる。基準電圧レジスタ80は、ON時比率検出部306に接続される。CPU90は、通信I/F110を介して基準電圧レジスタ80、設定部120、および負荷60に接続される。本第3の実施形態では、ON時比率検出部306の所定の閾値は、設定部120におけるユーザ操作に応じて基準電圧レジスタ80により設定される。なお、ON時比率検出部306を含む他の構成要素およびその動作について上記第1の実施形態で説明した内容と同じである。
図7において、まず、ユーザが設定部120への操作を行うと、CPU90が通信I/F110を介して負荷60の駆動モードを認識し、駆動モードの設定切り換え操作があったか否かを判断する(ステップS801)。ここで、駆動モードとは、図8に示すMode1〜Mode4のように、電子機器が消費する電流が異なる状態のこととする。消費電流の差異は、降圧変換回路50で消費する直流損失分(銅損)と比例関係にあるため、降圧変換回路50で必要とする入出力間電圧差の差異となる。
駆動モードの設定切り換え操作があった場合、CPU90は、認識した駆動モードに最適な入出力間電圧差をON時比率検出部306の閾値により設定するため、通信I/F110を介して基準電圧レジスタ80を制御する(ステップS802)。次に、基準電圧レジスタ80がON時比率検出部306の閾値を設定した後(ステップS803でYES)、CPU90は通信I/F110を介して負荷60を設定部120にて設定された駆動モードに切り換える(ステップS804)。
本第3の実施形態によれば、MOSFET23のゲート駆動制御信号の1周期におけるON時比率をON時比率検出部306により検出する。そして、その検出結果に応じて切換SW制御部37により切換回路40を制御する際に、入力されたMOSFET23のゲート駆動制御信号から得られたON時比率と比較する閾値を負荷60の駆動モードに応じて設定する。これにより、電子機器の駆動モードに応じて降圧変換回路50の入出力電圧差が小さく抑えること可能となり、切り換え電圧を精度良く制御することができる。
また、本発明の目的は、以下の処理を実行することによって達成される。即ち、上述した実施形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムコードを記録した記憶媒体を、システム或いは装置に供給し、そのシステム或いは装置のコンピュータ(またはCPUやMPU等)が記憶媒体に格納されたプログラムコードを読み出す処理である。この場合、記憶媒体から読み出されたプログラムコード自体が前述した実施の形態の機能を実現することになり、そのプログラムコードおよび該プログラムコードを記憶した記憶媒体は本発明を構成することになる。
また、プログラムコードを供給するための記憶媒体としては、次のものを用いることができる。例えば、フロッピー(登録商標)ディスク、ハードディスク、光磁気ディスク、CD−ROM、CD−R、CD−RW、DVD−ROM、DVD−RAM、DVD−RW、DVD+RW、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、ROM等である。または、プログラムコードをネットワークを介してダウンロードしてもよい。
また、コンピュータが読み出したプログラムコードを実行することにより、上記実施の形態の機能が実現される場合も本発明に含まれる。加えて、そのプログラムコードの指示に基づき、コンピュータ上で稼動しているOS(オペレーティングシステム)等が実際の処理の一部または全部を行い、その処理によって前述した実施形態の機能が実現される場合も含まれる。
更に、前述した実施形態の機能が以下の処理によって実現される場合も本発明に含まれる。即ち、記憶媒体から読み出されたプログラムコードが、コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれる。その後、そのプログラムコードの指示に基づき、その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるCPU等が実際の処理の一部または全部を行う場合である。
10 電池
20 昇圧変換回路
30 制御回路
36 ON時比率検出部
37 切換SW制御部
40 切換回路
50 降圧変換回路
60 負荷
20 昇圧変換回路
30 制御回路
36 ON時比率検出部
37 切換SW制御部
40 切換回路
50 降圧変換回路
60 負荷
Claims (12)
- 電源から負荷に供給される電圧を変換する変換手段を少なくとも1つ備える電子機器において、
前記変換手段を駆動制御する信号の1周期におけるON時比率を検出する検出手段と、
前記検出手段の検出結果に応じて、前記電源から前記負荷への給電を切り換える切換手段とを備えることを特徴とする電子機器。 - 前記変換手段は、前記電源から前記負荷に供給される電圧を第1のスイッチング手段を駆動制御することにより昇圧する昇圧変換手段と、前記電源から前記負荷に供給される電圧を第2のスイッチング手段を駆動制御することにより降圧する降圧変換手段とを備え、
前記検出手段は、前記第1のスイッチング手段を駆動制御する信号の1周期におけるON時比率を検出し、
前記切換手段は、前記検出手段により検出されたON時比率に基づいて前記電源から前記負荷への給電電圧を電源電圧または電源電圧を変換した電圧に切り換えることを特徴とする請求項1記載の電子機器。 - 前記検出手段による検出結果から得られた値を予め設定された所定の閾値と比較する比較手段と、
前記比較手段による結果に応じて前記切り換えを行うように前記切換手段を制御する切換制御手段とを更に備えることを特徴とする請求項2記載の電子機器。 - 前記電子機器の駆動状態を設定する設定手段と、
前記所定の閾値を設定する閾値設定手段と、
前記設定手段により設定される前記電子機器の駆動状態に応じて、前記閾値設定手段により前記所定の閾値を設定させる制御手段とを更に備えることを特徴とする請求項3記載の電子機器。 - 前記電源から前記負荷に流れる電流を検出する電流検出手段と、
前記電流検出手段による検出結果から得られた値を予め設定された所定の閾値と比較する比較手段と、
前記比較手段による結果に応じて前記切り換えを行うように前記切換手段を制御する切換制御手段とを更に備えることを特徴とする請求項2記載の電子機器。 - 前記電流検出手段は、前記電源から前記昇圧変換手段および前記降圧変換手段の少なくとも1つを流れる電流を検出し、
前記切換制御手段は、前記昇圧変換手段を流れる電流値が前記所定の閾値より大きい場合に、前記検出手段により検出されたON時比率に基づく前記切換手段による切り換えを行わせることを特徴とする請求項5記載の電子機器。 - 電源から負荷に供給される電圧を変換する変換手段を少なくとも1つ備える電子機器の制御方法において、
前記変換手段を駆動制御する信号の1周期におけるON時比率を検出する検出工程と、
前記検出工程における検出結果に応じて、前記電源から前記負荷への給電を切り換える切換工程とを備えることを特徴とする制御方法。 - 前記変換手段は、前記電源から前記負荷に供給される電圧を第1のスイッチング手段を駆動制御することにより昇圧する昇圧変換手段と、前記電源から前記負荷に供給される電圧を第2のスイッチング手段を駆動制御することにより降圧する降圧変換手段とを備え、
前記検出工程は、前記第1のスイッチング手段を駆動制御する信号の1周期におけるON時比率を検出し、
前記切換工程は、前記検出工程にて検出されたON時比率に基づいて前記電源から前記負荷への給電電圧を電源電圧または電源電圧を変換した電圧に切り換えることを特徴とする請求項7記載の制御方法。 - 前記検出工程における検出結果から得られた値を予め設定された所定の閾値と比較する比較工程と、
前記比較工程における結果に応じて前記切り換えを行うように前記切り換えを制御する切換制御工程とを更に備えることを特徴とする請求項8記載の制御方法。 - 前記電子機器の駆動状態を設定する設定工程と、
前記所定の閾値を設定する閾値設定工程と、
前記設定工程にて設定される前記電子機器の駆動状態に応じて、前記閾値設定工程にて前記所定の閾値を設定させる制御工程とを更に備えることを特徴とする請求項9記載の制御方法。 - 前記電源から前記負荷に流れる電流を検出する電流検出工程と、
前記電流検出工程における検出結果から得られた値を予め設定された所定の閾値と比較する比較工程と、
前記比較工程における結果に応じて前記切り換えを行うように制御する切換制御工程とを更に備えることを特徴とする請求項8記載の制御方法。 - 前記電流検出工程は、前記電源から前記昇圧変換手段および前記降圧変換手段の少なくとも1つを流れる電流を検出し、
前記切換制御工程は、前記昇圧変換手段を流れる電流値が前記所定の閾値より大きい場合に、前記検出工程にて検出されたON時比率に基づく前記切り換えを行わせることを特徴とする請求項11記載の制御方法。
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---|---|---|---|
JP2008122178A JP2009273249A (ja) | 2008-05-08 | 2008-05-08 | 電子機器およびその制御方法 |
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Cited By (3)
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---|---|---|---|---|
JP2010246295A (ja) * | 2009-04-07 | 2010-10-28 | Fujitsu Ten Ltd | 電源回路 |
US10734895B2 (en) | 2016-09-27 | 2020-08-04 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Power loss suppressed power source circuit and thermal printing device using the same |
CN114448063A (zh) * | 2022-04-11 | 2022-05-06 | 西安航天民芯科技有限公司 | 一种应用于电池管理芯片的mosfet驱动电路 |
-
2008
- 2008-05-08 JP JP2008122178A patent/JP2009273249A/ja active Pending
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