JP2009267885A - 圧電デバイス - Google Patents

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Abstract

【課題】プラズマエッチングをしても圧電振動素子搭載パッド間や集積回路素子搭載パッド間の短絡を防止する圧電デバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】基板部と枠部によって第1の凹部空間が形成されている容器体と、第1の凹部空間内の基板部に設けられている圧電振動素子搭載パッド及び配線パターンと、圧電振動素子搭載パッドに搭載されている圧電振動素子と、第1の凹部空間を気密封止する蓋体とを備え、圧電振動素子搭載パッドの平坦度が5μm以下である。
【選択図】図1

Description

本発明は、電子機器等に用いられる圧電デバイスに関する。
図12は、従来の圧電デバイスを示す断面図である。図13は、従来の圧電デバイスを構成する容器体の断面図である。図14は、図13のEの部分拡大図である。
図12〜図14に示すように従来の圧電デバイス200は、凹部空間205を有する容器体201と圧電振動素子202と集積回路素子203と蓋体204とから主に構成されている。
容器体201は、セラミック材料等から成る概略直方体からなり、基板部201aと枠部201bで構成されている。
基板部201aと枠部201bによって凹部空間205が形成され、前記凹部空間205内には前記凹部空間205内の基板部201aより高い位置に搭載部206が設けられている。
圧電振動素子202は、前記搭載部206に設けられた2個一対の圧電振動素子搭載パッド207上に搭載されている。
集積回路素子203は、前記容器体201の凹部空間205内に露出した基板部201aの主面に設けられた集積回路素子搭載パッド208上に搭載されている。
蓋体204は、前記容器体201の凹部空間205上に載置し、前記容器体201の枠部の封止用導体パターン212と固着することにより、凹部空間205内を気密封止される。
このような圧電発振器200において、前記容器体201の他方の主面の4隅には、外部接続用電極端子211である電源電圧端子、グランド端子、発振出力端子、発振制御端子が形成されている構造が知られている(例えば、特許文献1を参照)。
第1の配線パターン209は、圧電振動素子搭載パッド207と外部接続用電極端子211や集積回路素子搭載パッド208とを接続するために、搭載部206に形成されている。
また、第2の配線パターン210は、集積回路素子搭載パッド208と圧電振動素子搭載パッド207と外部接続用電極端子211とを接続するために、基板部201aに形成されている。
また、圧電振動素子搭載パッド207、集積回路素子搭載パッド208及び第1の配線パターン209、第2の配線パターン210は、タングステン(W)からなる第1の金属層208a、210aと金(Au)からなる第2の金属層208b、210bを積層することで構成されている。
また、このような圧電デバイス200は、圧電振動素子202や集積回路素子203を搭載する前に、アルゴンイオン等を衝突させることによって、圧電振動素子搭載パッド207、集積回路素子搭載パッド208、第1の配線パターン209及び第2の配線パターン210上の付着物を除去するプラズマエッチングが行われていることが知られている(例えば、特許文献2を参照)。
特開2002―111435号公報 特開2004−356687号公報
しかしながら、従来の圧電デバイス200では小型化されると、容器体201の凹部空間内の圧電振動素子搭載パッド207、集積回路素子搭載パッド208、第1の配線パターン209及び第2の配線パターン210のそれぞれの間隔が狭くなる。
このような構造で、圧電振動素子搭載パッド207や第1の配線パターン209にプラズマエッチングを行うと、圧電振動素子搭載パッド207や第1の配線パターンが盛り上がっていることから、付着物と一緒に、第2の金属層の一部が放射線状に飛散するため、圧電振動素子搭載パッド207及び第1の配線パターン209に被着し、圧電振動素子搭載パッド207と第1の配線パターン209の間及び圧電振動素子搭載パッド207の間が短絡してしまうといった課題があった。
また、飛散物が圧電振動素子搭載パッド207や第1の配線パターン209に付着すると、吸引装置にて飛散物を除去しようとしても静電気により引っ付いてしまうので、圧電振動素子搭載パッド207及び第1の配線パターン209から飛散物を除去することができないといった課題もあった。
また、集積回路素子搭載パッド208や第2の配線パターン210にプラズマエッチングを行うと、第2の金属層208a、210aの一部が放射線状に飛散するため、集積回路素子搭載パッド208及び第2の配線パターン210に被着し、集積回路素子搭載パッド208と第2の配線パターン210の間及び集積回路素子搭載パッド208間が短絡してしまうといった課題があった。
また、飛散物が集積回路素子搭載パッド208や第2の配線パターン210に被着すると、吸引装置にて飛散物を除去しようとしても静電気により引っ付いてしまうので、集積回路素子搭載パッド208や第2の配線パターン210から飛散物を除去することができないといった課題もあった。
本発明は前記課題に鑑みてなされたものであり、プラズマエッチングをしても圧電振動素子搭載パッド207間や集積回路素子搭載パッド208間等の短絡を防止する圧電デバイスを提供することを課題とする。
本発明の圧電デバイスは、基板部の一方の主面と枠部とによって第1の凹部空間が形成されている容器体と、第1の凹部空間内に設けられている圧電振動素子搭載パッド及び第1の配線パターンと、圧電振動素子搭載パッドに搭載されている圧電振動素子と、第1の凹部空間を気密封止する蓋体とを備え、圧電振動素子搭載パッド及び第1の配線パターンの平坦度が5μm以下であることを特徴とするものである。
また、圧電振動素子搭載パッドと第1の配線パターンは、第1の金属層と第2の金属層とを積層して一体で設けられ、圧電振動素子搭載パッド及び第1の配線パターンの第2の金属層の厚みが0.3μm〜0.5μmであることを特徴とするものである。
また、第1の凹部空間内に集積回路素子が搭載される集積回路素子搭載パッドと第2の配線パターンが設けられ、集積回路素子搭載パッド及び第2の配線パターンの平坦度が5μm以下であることを特徴とするものである。
また、容器体の基板部の他方の主面と枠部によって第2の凹部空間が形成され、第2の凹部空間内に集積回路素子が搭載される集積回路素子搭載パッドと第2の配線パターンが設けられ、集積回路素子搭載パッド及び第2の配線パターンの平坦度が5μm以下であることを特徴とするものである。
また、集積回路素子搭載パッドと第2の配線パターンは、第1の金属層と第2の金属層とを積層して一体で設けられ、集積回路素子搭載パッド及び第2の配線パターンの前記第2の金属層の厚みが0.3μm〜0.5μmであることを特徴とするものである。
本発明の圧電デバイスによれば、圧電振動素子搭載パッド及び第1の配線パターンの平坦度が5μm以下であることにより、プラズマエッチングをした際に生じる飛散物が放射状に放出せずに、プラズマの照射方向と反対の方向に飛散するので、吸引装置にて飛散物を吸引する際にも吸引しやすく、飛散物が圧電振動素子搭載パッド及び第1の配線パターンに付着する前に除去することができる。よって、飛散物により圧電振動素子搭載パッド及び第1の配線パターンの間及び圧電振動素子搭載パッド間が短絡することを防止することができる。
また、圧電振動素子搭載パッド及び第1の配線パターンの第2の金属層の厚みを0.3μm〜0.5μmとすることで、圧電振動素子搭載パッドと封止用導体パターンの短絡を防止し、圧電振動素子搭載パッドの第2の金属層の厚みも確保できるので、圧電振動素子搭載パッドと導電性接着剤の接続強度も維持することが可能となる。
また、集積回路素子搭載パッド及び第2の配線パターンの平坦度が5μm以下であることにより、プラズマエッチングをした際に生じる飛散物が放射状に放出することがないため、プラズマの照射方向と反対の方向に飛散するので、吸引装置にて飛散物を吸引する際にも吸引しやすく、飛散物が集積回路素子搭載パッド及び第2の配線パターンに付着する前に除去することができる。よって、飛散物により、集積回路素子搭載パッドと第2の配線パターンの間及び集積回路素子搭載パッド間が短絡することを防止することができる。
また、集積回路素子搭載パッドを構成する第2の金属層の厚みを0.3μm〜0.5μmとすることで、集積回路素子搭載パッドと圧電振動素子搭載パッドの短絡を防止し、集積回路素子搭載パッドの第2の金属層の厚みも確保できるので、集積回路素子搭載パッドと導電性接着剤の接続強度も維持することが可能となる。
以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。尚、圧電振動素子に水晶を用いた場合について説明する。
尚、説明を明りょうにするため説明に不必要な構造体の一部を図示していない。さらに図示した寸法も一部誇張して示している。
(第1の実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態に係る圧電デバイスを示す分解斜視図である。図2は、図1のA−A断面図である。図3は、本発明の第1の実施形態に係る圧電デバイスの容器体の断面図である。図4は、図3のBの部分拡大図である。図5は、本発明の第1の実施形態に係る圧電デバイスにおける圧電振動素子搭載パッド及び第1の配線パターンの平坦度とプラズマエッチング時の歩留まりの関係を示すグラフである。
以下、圧電デバイスと圧電振動子として説明する。
図1及び図2に示す圧電振動子100は、容器体10と圧電振動素子20と蓋体50とで主に構成されている。この圧電振動子100は、前記容器体10の一方の主面に形成されている第1の凹部空間11内に、圧電振動素子20が搭載された構造となっている。その第1の凹部空間11が蓋体50により気密封止された構造となっている。
圧電振動素子20は、図1及び図2に示すように、水晶素板21に励振用電極22を被着形成したものであり、外部からの交番電圧が励振用電極22を介して水晶素板21に印加されると、所定の振動モード及び周波数で励振を起こすようになっている。
水晶素板21は、人工水晶体から所定のカットアングルで切断し外形加工を施された概略平板状で平面形状が例えば四角形となっている。
励振用電極22は、前記水晶素板21の表裏両主面に金属を所定のパターンで被着・形成したものである。
このような圧電振動素子20は、その両主面に被着されている励振用電極22から延出する引き回し電極と第1の凹部空間11内底面の基板部10aに形成されている圧電振動素子搭載パッド13とを、導電性接着剤40を介して電気的且つ機械的に接続することによって、第1の凹部空間11に搭載される。
容器体10は、基板部10aと枠部10bによって構成されている。例えば、アルミナセラミックス、ガラス−セラミック等のセラミック材料を複数積層することよって形成されている。
図1及び図2に示すように、基板部10aの一方の主面と枠部10bによって第1の凹部空間11が形成されている。
この容器体10の第1の凹部空間11を囲繞する枠部10bの頂面には、環状の封止用導体パターン12が形成されている。
第1の凹部空間11内の基板部10aには、2個一対の圧電振動素子搭載パッド13と第1の配線パターン17が設けられている。
容器体10の基板部10aの他方の主面の四隅には、外部接続用電極端子18が設けられている。
圧電振動素子搭載パッド13と所定の外部接続用電極端子15は、前記容器体10の第1の凹部空間11内の基板部10aに形成された第1の配線パターン17と基板部10aの内部に形成されたビア導体(図示せず)により接続されている。
尚、容器体10は、以下のように形成される。基板部10a、枠部10bがアルミナセラミックスからなる場合は、それぞれ形成するためのシートを形成し、基板部10aとなるシートに封止用導体パターン12、圧電振動素子搭載パッド13、外部接続用電極端子14等となる導体ペーストを従来周知のスクリーン印刷によって塗布し、セラミックグリーンシートに打ち抜き等を施して予め設けた貫通孔内にビア導体となる導体ペーストを塗布する。次に、枠部10bとなるシートを形成する。これらを基板部10aの上に枠部10bを重ねてプレス成形した後、高温で焼成することで容器体10となるシートが製作される。
この際に、容器体10の第1の凹部空間11内の圧電振動素子搭載パッド13、第1の配線パターン17に荷重をかけながら焼成することにより製作される。
このように、圧電振動素子搭載パッド13及び第1の配線パターン17に荷重をかけながら焼成することで、圧電振動素子搭載パッド13及び第1の配線パターン17の平坦度を5μm以下にすることができる。
図4に示すように、圧電振動素子搭載パッド13及び第1の配線パターン17は、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、等から成る第1の金属層13a、17aの表面に、金メッキ等からなる第2の金属層13b、17bを積層することで形成されている。
圧電振動素子搭載パッド13及び第1の配線パターン17の第1の金属層13a、17aの厚みは、10μm〜20μmである。
圧電振動素子搭載パッド13及び第1の配線パターン17の第2の金属層13b、17bの厚みは、0.3μm〜0.5μmである。
圧電振動素子搭載パッド13及び第1の配線パターン17の第2の金属層13b、17bの厚みが0.3μm未満の場合には、導電性接着剤40との相性が良い第2の金属膜13b、17bが薄くなり、第1の金属膜13a、17aが第2の金属膜13b、17bに拡散するため、圧電振動素子搭載パッド13と導電性接着剤40との接続強度が落ちてしまう。
圧電振動素子搭載パッド13及び第1の配線パターン17の第2の金属層13b、17bの厚みが0.5μmより大きくした場合には、導電性接着剤40との相性が良い第2の金属膜13b、17bが導電性接着剤40側に拡散するため、圧電振動素子搭載パッド13と導電性接着剤40との接続強度が落ちてしまう。
つまり、圧電振動素子搭載パッド13及び第1の配線パターン17の第2の金属層13b、17bの厚みを0.3μm〜0.5μmとすることで、圧電振動素子搭載パッド13間の短絡を防止し、圧電振動素子搭載パッド13と導電性接着剤40の接続強度も維持することが可能となる。
また、図4に示すように、圧電振動素子搭載パッド13にプラズマエッチングした際に生じる飛散物の流れを矢印にて表すと、プラズマの照射方向の反対の方向に飛散していることがわかる。このように飛散することで、吸引装置(図示せず)にて飛散物の吸引する際にも吸引しやすく、圧電振動素子搭載パッド13、第1の配線パターン17に飛散物が付着する前に除去することができるので、圧電振動素子搭載パッド13と第1の配線パターン17の間及び隣接する圧電振動素子搭載パッド13間が短絡することを防止することができる。
つまり、吸引装置(図示せず)を容器体10の第1の凹部空間11の開口側に近づけて飛散物を吸引する際には、飛散物が吸引装置に向かって飛散しているので吸引しやすく、圧電振動素子搭載パッド13、第1の配線パターン17に飛散物が付着する前に除去することができるので、圧電振動素子搭載パッド13と第1の配線パターン17の間及び隣接する圧電振動素子搭載パッド13間が短絡することを防止することができる。
図5に示すように、圧電振動素子搭載パッド13及び第1の配線パターン17の平坦度が5μm以上の場合には、プラズマエッチングした際に生じる飛散物が被着することにより、圧電振動素子搭載パッド13間が短絡したため、プラズマエッチング時の歩留まりが低下していることが確認できる。つまり、図5に示すように平坦度が5μmより大きくなると歩留まりが悪くなることが確認できる。
このように本発明の実施形態に係る圧電振動子100を構成したことにより、圧電振動素子搭載パッド13及び第1の配線パターン17の平坦度が5μm以下であることにより、プラズマエッチングをした際に生じる飛散物が放射状に放出せずに、プラズマの照射方向と反対の方向に飛散するので、吸引装置にて飛散物を吸引する際にも吸引しやすく、飛散物が、圧電振動素子搭載パッド13及び第1の配線パターン17に付着する前に除去することができる。よって、飛散物が付着することにより生じる圧電振動素子搭載パッド13と第1の配線パターン17の間及び隣接する圧電振動素子搭載パッド13の間が短絡することを防止することができる。
また、封止用導体パターン12は、前記容器体10の前記枠部10bの頂面に形成されている。
前記封止用導体パターン12は、例えば、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、等から成る基層の表面にニッケル(Ni)層及び金(Au)層を順次、凹部空間11を環状に囲繞する形態で被着させることによって、10μm〜25μmの厚みに形成されている。
励振用電極21と接続される圧電振動素子搭載パッド13は、前記容器体10の第1の凹部空間11内の基板部10aに設けられた第1の配線パターン17(図1参照)と、前記容器体10の内部の配線導体(図示せず)やビアホール導体(図示せず)等を介して、外部接続用電極端子14に電気的に接続される。
この第1の配線パターン17にも、前述した圧電振動素子搭載パッド13と同様に荷重をかけながら焼成することで、第1の配線パターン17の平坦度を5μm以下にすることができる。
蓋体50は、封止用導体パターン12上に配置接合される。この蓋体50は、前記容器体10の前記第1の凹部空間11を囲繞するように設けられた封止用導体パターン12に相対する箇所に封止部材51が設けられている。
また、このような封止部材51は、前記封止用導体パターン12表面の凹凸を緩和し、第1の凹部空間11の気密性の低下を防ぐことが可能となる。
また、蓋体50は、従来周知の金属加工法を採用し、42アロイ等の金属を所定形状に整形することによって製作される。蓋体50の表面には、ニッケル(Ni)層が形成され、更にニッケル(Ni)層の上面に少なくとも封止用導体パターン12に相対する箇所に封止部材51である金錫(Au−Sn)層が形成される。金錫(Au−Sn)層の厚みは、10μm〜40μmである。例えば、成分比率が、金が80%、錫が20%のものが使用されている。
前記導電性接着剤40は、シリコーン樹脂等のバインダーの中に導電フィラーとして導電性粉末が含有されているものであり、導電性粉末としては、アルミニウム(Al)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、白金(Pt)、パラジウム(Pd)、銀(Ag)、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)、ニッケル鉄(NiFe)、のうちのいずれかまたはこれらの組み合わせを含むものが用いられている。
(第2の実施形態)
図6は、本発明の第2の実施形態に係る圧電デバイスを示す分解斜視図である。図7は、図6のC−C断面図である。図8は、本発明の第2の実施形態に係る圧電デバイスの容器体の断面図である。図9は、図8のDの部分拡大図である。
以下、圧電デバイスを圧電発振器として説明する。
圧電発振器101は、容器体110の一方の主面に開口部を有する形態で形成された第1の凹部空間111内に、圧電振動素子20と集積回路素子30を搭載し、蓋体50によって圧電振動素子20及び集積回路素子30が搭載された第1の凹部空間111を気密封止した構造である。
圧電振動素子20は、水晶素板21に励振用電極22を被着形成したものであり、外部からの交番電圧が励振用電極22を介して水晶素板21に印加されると、所定の振動モード及び周波数で励振を起こすようになっている。
水晶素板21は、人工水晶体から所定のカットアングルで切断し外形加工を施された概略平板状で平面形状が例えば四角形となっている。
励振用電極22は、前記水晶素板21の表裏両主面に金属を所定のパターンで被着・形成したものである。
このような圧電振動素子20は、その両主面に被着されている励振用電極22から延出する引き回し電極と第1の凹部空間111内の搭載部116の上面に設けられている圧電振動素子搭載パッド113とを、導電性接着剤40を介して電気的且つ機械的に接続することによって第1の凹部空間111の搭載部116に搭載される。
また、集積回路素子30は、回路形成面に圧電振動素子20からの発振出力を生成する発振回路等が設けられており、この発振回路で生成された出力信号は外部接続用電極端子115を介して圧電発振器101外へ出力され、例えば、クロック信号等の基準信号として利用される。また集積回路素子30は、容器体110の第1の凹部空間111内に形成された集積回路素子搭載パッド114に半田等の導電性接合材を介して搭載されている。
図6〜図8に示すように、容器体110は、例えば、アルミナセラミックス、ガラス−セラミック等のセラミック材料から成る基板部110aと枠部110b、110cによって形成されている。
図6〜図8に示すように、基板部110aの一方の主面と枠部110b、110cによって第1の凹部空間111が形成されている。
また、第1の凹部空間111を囲繞する容器体110の枠部110cの開口側頂面の全周には、環状の封止用導体パターン112が形成されている。第1の凹部空間111内の長さ方向の一方の側壁面には、第1の凹部空間111内に露出した基板部110aの一方の主面より第1の凹部空間111の開口部に近い位置になるような上面を有してなる搭載部116が設けられている。
この搭載部116の上面には、圧電振動素子搭載パッド113が設けられている。
前記凹部空間111内の基板部110aの一方の主面には、集積回路素子搭載パッド114が設けられている。更に、容器体110の他方の主面の角部には、外部接続用電極端子115を構成する電源電圧端子、グランド端子、発振制御端子、発振出力端子が形成されている。
所定の集積回路素子搭載パッド114と所定の外部接続用電極端子115とは、前記容器体110の第1の凹部空間111内の基板部110aに形成された第2の配線パターン118と基板部110aの内部に形成されたビア導体(図示せず)により接続されている。
前記集積回路素子搭載パッド114は、容器体110の第1の凹部空間111内に露出した基板部110aの一方の主面に設けられている。この集積回路素子搭載パッド114は、集積回路素子30の接続パッド(図示せず)と接続されている。
所定の集積回路素子搭載パッド114と所定の外部接続用電極端子115は、前記容器体110の第1の凹部空間111内の基板部110aに形成された第2の配線パターン118と基板部110aの内部に形成されたビア導体(図示せず)により接続されている。
図9に示すように、集積回路素子搭載パッド114、第2の配線パターン118は、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、等から成る第1の金属層114a、118aの表面に、金メッキ等からなる第2の金属層114b、118bを積層することで形成されている。
集積回路素子搭載パッド114及び前記2の配線パターン118を構成する第1の金属層114a、118aの厚みが10μm〜20μmである。
集積回路素子搭載パッド114及び前記2の配線パターン118を構成する第2の金属層114b、118bの厚みが0.3μm〜0.5μmである。
また、第2の金属層114a、118bの厚みが0.3μm未満の場合には、導電性接合材との相性が良い第2の金属膜114b、118bが薄くなり、第1の金属膜114a、118aが第2の金属膜114b、118bに拡散してくるため、集積回路素子搭載パッド114と導電性接合材との接続強度が落ちてしまう。
集積回路素子搭載パッド114及び第2の配線パターン118の第2の金属層114b、118bの厚みが0.5μmより大きくした場合には、導電性接着剤40との相性が良い第2の金属膜13b、17bが導電性接着剤40側に拡散するため、集積回路素子搭載パッド114と導電性接合材との接続強度が落ちてしまう。
つまり、集積回路素子搭載パッド114と第2の配線パターン118の第2の金属層114b、118bの厚みを0.3μm〜0.5μmとすることで、集積回路素子搭載パッド114間の短絡を防止し、集積回路素子搭載パッド114と導電性接合材との接続強度も維持することが可能となる。
また、図9に示すように、集積回路素子搭載パッド114及び第2の配線パターン118にプラズマエッチングした際に生じる飛散物の流れを矢印にて表すと、プラズマの照射方向の反対の方向に飛散していることがわかる。このように飛散することで、吸引装置(図示せず)にて飛散物の吸引する際にも吸引しやすく、集積回路素子搭載パッド114、第2の配線パターン118に飛散物が付着する前に除去することができるので、集積回路素子搭載パッド114と第2の配線パターン118の間及び隣接する集積回路素子搭載パッド114間が短絡することを防止することができる。
つまり、吸引装置(図示せず)を容器体10の第1の凹部空間11の開口側に近づけて飛散物を吸引する際には、飛散物が吸引装置に向かって飛散しているので吸引しやすく、集積回路素子搭載パッド114、第2の配線パターン118に飛散物が付着する前に除去することができるので、集積回路素子搭載パッド114と第2の配線パターン118の間及び隣接する集積回路素子搭載パッド114間が短絡することを防止することができる。
前記搭載部116は、第1の凹部空間111の開口部に向いた上面が第1の凹部空間111の基板部110aの一方の主面よりも高い位置になるように形成され、前記搭載部116の上面には、2個一対の圧電振動素子搭載パッド113が設けられている。この圧電振動素子搭載パッド113は、圧電振動素子20の励振用電極21と導電性接着剤40によって接続されている。
また、圧電振動素子搭載パッド113は、容器体110の搭載部116の第1の配線パターン117やビア導体(図示せず)等及び第1の凹部空間111内の基板部110aに設けられた集積回路素子搭載パッド114の内の所定のパッドを介して、集積回路素子30に電気的に接続される。
尚、容器体110は、以下のように形成される。基板部110a、枠部110b、110cがアルミナセラミックスからなる場合は、それぞれ形成するためのシートを形成し、基板部110aとなるシートに封止用導体パターン112、圧電振動素子搭載パッド113、外部接続用電極端子114等となる導体ペーストを従来周知のスクリーン印刷によって塗布し、セラミックグリーンシートに打ち抜き等を施して予め設けた貫通孔内にビア導体となる導体ペーストを塗布する。次に、枠部110bとなるシートを形成する。これらを基板部110aの上に枠部110bを重ね、枠部110bの上に枠部110cを重ねてプレス成形した後、高温で焼成することで容器体110となるシートが製作される。
この際に、容器体110の第1の凹部空間111内の圧電振動素子搭載パッド113、集積回路素子搭載パッド114、第1の配線パターン117、第2の配線パターン118に荷重をかけながら焼成することにより、製作される。
このようにすることで、圧電振動素子搭載パッド113、集積回路素子搭載パッド114、第1の配線パターン117及び第2の配線パターン118の平坦度は5μm以下になる。
本発明の第2の実施形態に係る圧電発振器によれば、集積回路素子搭載パッド114及び第2の配線パターン118の平坦度が5μm以下であることにより、プラズマエッチングをした際に生じる飛散物が放射状に放出することがなく、プラズマの照射方向と反対の方向に飛散するので、吸引装置にて飛散物を吸引する際にも吸引しやすく、飛散物が集積回路素子搭載パッド間に付着する前に除去することができる。よって、飛散物が付着することにより生じる第2の配線パターン118と集積回路素子搭載パッド114の間、集積回路素子搭載パッド114間が短絡することを防止することができる。
また、圧電振動素子搭載パッド113及び第1の配線パターン117の平坦度が5μm以下のため、第1の実施形態と同様の効果を奏する。
(第3の実施形態)
本発明の第3の実施形態になる圧電デバイスは、圧電振動素子の長さ方向の両端部分を導電性接着剤で固着搭載している点で第1の実施形態及び第2の実施形態と異なる。
図10は、本発明の第3の実施形態に係る圧電デバイスを示す分解斜視図である。
圧電振動素子120は、その両主面に被着されている励振用電極122のうちの表裏で長さ方向の別方向端部に引き回し電極と第1の凹部空間131内の搭載部136の上面に設けられている圧電振動素子搭載パッド133とを、導電性接着剤40を介して電気的且つ機械的に接続することによって凹部空間131の搭載部136に搭載される。
図9に示すように、容器体130は、例えば、アルミナセラミックス、ガラス−セラミック等のセラミック材料から成る基板部と枠部によって形成されている。
基板部130aの一方の主面と枠部によって第1の凹部空間131が形成されている。
また、凹部空間131を囲繞する容器体130の枠部130cの開口側頂面の全周には、環状の封止用導体パターン132が形成されている。
凹部空間131内には、基板部130aの一方の主面よりに第1の凹部空間131の開口部に近い位置となるように構成されている搭載部136が第1の凹部空間131内の長さ方向の両端側壁に1つずつ計2箇所設けられている。
前記容器体130には、前記搭載部136に設けられている圧電振動素子搭載パッド133と、前記第1の凹部空間131内の露出した基板部130aに設けられる集積回路素子搭載パッド134を備えている。
更に、容器体130の他方の主面の両端には外部接続用電極端子135の電源電圧端子、グランド端子、発振制御端子、発振出力端子が形成されている。
前記搭載部136は、その上面が凹部空間131の基板部130aの一方の主面よりに第1の凹部空間131の開口部に近い位置となるように構成されている。また、搭載部136は、第1の凹部空間131の長さ方向の端部となる短辺側の両端にそれぞれ1つずつ計2箇所設けられている。
この搭載部136の上面には、それぞれに圧電振動素子搭載パッド133が設けられている。
この圧電振動素子搭載パッド133は、圧電振動素子120の励振用電極122と導電性接着剤(図示せず)により接続されている。
また、圧電振動素子搭載パッド133は、容器体130の搭載部136上面の第1の配線パターン137やビア導体(図示せず)等及び第1の凹部空間131内に露出した基板部130aに設けられた所定の集積回路素子搭載パッド134と第2の配線パターン138を介して、集積回路素子30に電気的に接続される。
前記集積回路素子搭載パッド134は、容器体130の第1の凹部空間131内の基板部130aに設けられている。
所定の集積回路素子搭載パッド134と所定の外部接続用電極端子135は、前記容器体130の第1の凹部空間131内の基板部130aに形成された第2の配線パターン138と基板部130aの内部に形成されたビア導体(図示せず)により接続されている。
また、集積回路素子搭載パッド134及び前記2の配線パターン138を構成する第1の金属層の厚みは、10μm〜20μmであり、第2の金属層の厚みが0.3μm〜0.5μmである。このようにすることで第2の実施形態と同様の効果を奏する。
本発明の第3の実施形態に係る圧電発振器によれば、集積回路素子搭載パッド134及び第2の配線パターン138の平坦度が5μm以下であることにより、プラズマエッチングをした際に生じる飛散物が放射状に放出することがなく、プラズマの照射方向と反対の方向に飛散するので、吸引装置にて飛散物を吸引する際にも吸引しやすく、飛散物が集積回路素子搭載パッド134や第2の配線パターン138に付着する前に除去することができる。よって、飛散物が付着することにより生じる第2の配線パターン138と集積回路素子搭載パッド134の間、隣接する集積回路素子搭載パッド134の間が短絡することを防止することができる。
また、圧電振動素子搭載パッド133及び第1の配線パターン137の平坦度も5μm以下であることより、第1の実施形態と同様の効果を奏する。
(第4の実施形態)
本発明の第4の実施形態に係る圧電デバイスは、容器体140が2つの凹部空間を有し、第1の凹部空間141内に圧電振動素子搭載パッド145が設けられ、第2の凹部空間149内に集積回路素子搭載パッド144が設けられた容器体140に、圧電振動素子20と集積回路素子30を搭載している点で第2の実施形態と異なる。
図11は、本発明の第4の実施形態に係る圧電デバイスの断面図である。
図11に示すように、容器体140は、基板部140aと前記基板部140aの一方の主面に設けられた枠部140bと、他方の主面に設けられた枠部140cによって構成されている。
容器体140は、基板部140aの一方の主面と枠部140bによって第1の凹部空間141が形成され、基板部140aの他方の主面と枠部140cによって第2の凹部空間149が形成されている。
この容器体140の第1の凹部空間141を囲繞する枠部140bの開口側頂面の全周には、環状の封止用導体パターン142が形成されている。第1の凹部空間141内の基板部140aには、圧電振動素子搭載パッド143と第1の配線パターン147が設けられている。
容器体140の基板部140aの他方の主面の枠部140cの4隅には、外部接続用電極端子145が設けられている。
容器体140の第1の凹部空間141内に露出した基板部140aの一方の主面には圧電振動素子搭載パッド143が設けられ、第2の凹部空間149内に露出した基板部140aの他方の主面には、集積回路素子搭載パッド144が設けられている。
また、集積回路素子搭載パッド144及び前記2の配線パターン148を構成する第1の金属層の厚みは、10μm〜20μmであり、第2の金属層の厚みが0.3μm〜0.5μmである。このようにすることで第2の実施形態と同様の効果を奏する。
本発明の第4の実施形態に係る圧電発振器によれば、集積回路素子搭載パッド144及び第2の配線パターン148の平坦度が5μm以下であることにより、プラズマエッチングをした際に生じる飛散物が放射状に放出することがなく、プラズマの照射方向と反対の方向に飛散するので、吸引装置にて飛散物を吸引する際にも吸引しやすく、飛散物が集積回路素子搭載パッド144や第2の配線パターン148に付着する前に除去することができる。よって、飛散物が付着することにより生じる第2の配線パターン148と集積回路素子搭載パッド144の間、集積回路素子搭載パッド144の間が短絡することを防止することができる。
また、圧電振動素子搭載パッド143及び第1の配線パターン147の平坦度も5μm以下であることより、第1の実施形態と同様の効果を奏する。
尚、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。例えば、前記した実施形態においては、圧電振動素子を構成する圧電素材として水晶を用いた圧電発振器を説明したが、圧電素材としては、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムまたは、圧電セラミックスを用いたものでも構わない。
また、本発明の実施形態に限定されるものではなく、圧電発振器が第1の容器体と第2の容器体と圧電振動素子と蓋体と、集積回路素子とで主に構成されている
その圧電発振器の第1の容器体の一方の主面に形成されている凹部空間内に、圧電振動素子が搭載され、第2の容器体の一方の主面に形成される凹部空間12内に集積回路素子50が搭載されており、前記第1の容器体の他方の主面に形成されている第2の容器体接続用端子と前記第2の容器体の主面に形成された第1の容器体接続用電極端子が接合された構造となっていても構わない。
本発明の第1の実施形態に係る圧電デバイスを示す分解斜視図である。 図1のA−A断面図である。 本発明の第1の実施形態に係る圧電デバイスの容器体の断面図である。 図3のBの部分拡大図である 本発明の第1の実施形態に係る圧電デバイスにおける圧電振動素子搭載パッド及び第1の配線パターンの平坦度とプラズマエッチング時の歩留まりの関係を示すグラフである。 本発明の第2の実施形態に係る圧電デバイスを示す分解斜視図である。 図6のC−C断面図である。 本発明の第2の実施形態に係る圧電デバイスの容器体の断面図である。 図8のDの部分拡大図である。 本発明の第3の実施形態に係る圧電デバイスを示す分解斜視図である。 本発明の第4の実施形態に係る圧電デバイスを示す断面図である。 従来の圧電デバイスを示す断面図である。 従来の圧電デバイスの容器体の断面図である。 図13のEの部分拡大図である。
符号の説明
10、110、130、140・・・容器体
10a、110a、130a、140a・・・基板部
10b、110b、110c、130b、130c、140b、140c・・・枠部
11、111、131、141・・・第1の凹部空間
12、112、132、142・・・封止用導体パターン
13、113、133、143・・・圧電振動素子搭載パッド
114、134、144・・・集積回路素子搭載パッド
15、115、135、145・・・外部接続用電極端子
116、136・・・搭載部
17、117、137、147・・・第1の配線パターン
118、138、148・・・第2の配線パターン
13a、17a、114a、118a・・・第1の金属層
13b、17b、114b、118b・・・第2の金属層
149・・・第2の凹部空間
20、120・・・圧電振動素子(水晶振動素子)
21、121・・・水晶素板
22、122・・・励振用電極
30・・・集積回路素子
40・・・導電性接着剤
50・・・蓋体
51・・・封止部材
100・・・圧電振動子
101・・・圧電発振器

Claims (5)

  1. 基板部の一方の主面と枠部とによって第1の凹部空間が形成されている容器体と、
    前記第1の凹部空間内に設けられている圧電振動素子搭載パッド及び第1の配線パターンと、
    前記圧電振動素子搭載パッドに搭載されている圧電振動素子と、
    前記第1の凹部空間を気密封止する蓋体とを備え、
    前記圧電振動素子搭載パッド及び前記第1の配線パターンの平坦度が5μm以下であることを特徴とする圧電デバイス。
  2. 前記圧電振動素子搭載パッドと前記第1の配線パターンは、第1の金属層と第2の金属層とを積層して一体で設けられ、前記圧電振動素子搭載パッド及び前記第1の配線パターンの前記第2の金属層の厚みが0.3μm〜0.5μmであることを特徴とする請求項1記載の圧電デバイス。
  3. 前記第1の凹部空間内に集積回路素子が搭載される集積回路素子搭載パッドと第2の配線パターンが設けられ、前記集積回路素子搭載パッド及び前記第2の配線パターンの平坦度が5μm以下であることを特徴とする請求項1記載の圧電デバイス。
  4. 前記容器体の前記基板部の他方の主面と枠部によって第2の凹部空間が形成され、
    前記第2の凹部空間内に集積回路素子が搭載される集積回路素子搭載パッドと第2の配線パターンが設けられ、前記集積回路素子搭載パッド及び前記第2の配線パターンの平坦度が5μm以下であることを特徴とする請求項1記載の圧電デバイス。
  5. 前記集積回路素子搭載パッドと前記第2の配線パターンは、第1の金属層と第2の金属層とを積層して一体で設けられ、前記集積回路素子搭載パッド及び前記第2の配線パターンの前記第2の金属層の厚みが0.3μm〜0.5μmであることを特徴とする請求項3または請求項4記載の圧電デバイス。
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