JP2009267355A - オンダイターミネーション抵抗値テスト装置および方法、ならびに前記装置を有する半導体装置 - Google Patents
オンダイターミネーション抵抗値テスト装置および方法、ならびに前記装置を有する半導体装置 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 装置は、ODTテスト動作モードでパッドに入力される入力データと基準電圧とを比較してODT抵抗値を判断し、その結果に対応するODT抵抗値判断データを出力する比較部と、比較部の出力をクロック信号に同期させて蓄積する蓄積部と、ODTテスト動作モードで蓄積部に蓄積されたODT抵抗値判断データをパッドに出力する出力部とを含む。ODT抵抗値の不良の有無を判断することにより、テスト時間が改善される。
【選択図】 図1
Description
Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory)は、伝達過程で信号の歪曲が生じることを防止するために、パッドにオンダイターミネーション(On Die Termination;以下、ODTという)装置がセットされる。
前記比較部は、第1パッドに対する入力バッファーを含む。
また、本発明によるオンダイターミネーション抵抗値テスト装置は、テストモード状態で外部からパッドを介して入力される入力データとODTテストのために設定された内部基準電圧とを比較し、前記比較結果に対応するODT抵抗値判断データを出力する比較部と、前記比較部から出力される前記ODT抵抗値判断データを蓄積する蓄積部とを含むことを特徴とする。
本発明によるオンダイターミネーション抵抗値テスト装置は、ノーマルモード状態でパッドを介して入力される入力データに対する入力バッファー動作を行い、ODTテストモード状態で前記パッドを介して入力される入力データとODTテストのために設定された内部基準電圧とを比較し、前記比較結果に対応するODT抵抗値判断データを出力する比較部と、前記比較部の出力を蓄積する蓄積部と、前記ノーマルモード状態でパッドに出力するセルデータを駆動し、前記ODTテストモード状態で前記蓄積部に蓄積された前記ODT抵抗値判断データを前記パッドに出力する出力部とを含むことを特徴とする。
4 蓄積部
6 出力部
10 比較部
12 蓄積部
14 出力部
20 電圧選択部
22 入力バッファー
30 駆動制御部
30_2 イネイブル部
30_4 出力選択部
30_6 駆動信号出力部
32 出力ドライバー
34 ODTドライバー
50 パッド
52 出力ドライバー
54 入力バッファー
56 モード制御部
58 電圧選択部
60 内部電圧発生器
62 蓄積部
64 イネイブル信号バッファー
DQ パッド
IV1,IV2,IV4,IV4 インバーター
NM1,NM2 NMOSトランジスター
PG1,PG2,PG3,PG4 パスゲート
PM1,PM2 PMOSトランジスター
Claims (34)
- オンダイターミネーションテストモード状態で外部から第1パッドを介して入力される入力データとオンダイターミネーションテストのために設定された内部基準電圧とを比較し、前記比較結果に対応するオンダイターミネーション抵抗値判断データを出力する比較部と、
前記オンダイターミネーションテスト動作において、前記オンダイターミネーション抵抗値判断データを第2パッドに出力する出力部と、
を含むことを特徴とする、オンダイターミネーション抵抗値テスト装置。 - 前記内部基準電圧は、前記入力データが目標とするオンダイターミネーション抵抗値のレベルよりも低いレベルに設定されることを特徴とする、請求項1に記載のオンダイターミネーション抵抗値テスト装置。
- 前記比較部から出力される前記オンダイターミネーション抵抗値判断データを蓄積する蓄積部をさらに備え、前記出力部は、前記オンダイターミネーションテスト動作において、前記蓄積部に蓄積された前記オンダイターミネーション抵抗値判断データを前記第2パッドに出力することを特徴とする、請求項1に記載のオンダイターミネーション抵抗値テスト装置。
- 前記蓄積部は、クロック信号に同期して前記比較部の出力を蓄積するDフリップフロップを含むことを特徴とする、請求項3に記載のオンダイターミネーション抵抗値テスト装置。
- 前記第1パッドと前記第2パッドとは同一なものから構成されることを特徴とする、請求項1に記載のオンダイターミネーション抵抗値テスト装置。
- 前記比較部は、第1パッドに対する入力バッファーを含むことを特徴とする、請求項1に記載のオンダイターミネーション抵抗値テスト装置。
- 前記出力部は、第2パッドに対するセルデータのための出力ドライバーを含むことを特徴とする、請求項1に記載のオンダイターミネーション抵抗値テスト装置。
- オンダイターミネーションテストモード状態で外部からパッドを介して入力される入力データとオンダイターミネーションテストのために設定された内部基準電圧とを比較し、前記比較結果に対応するオンダイターミネーション抵抗値判断データを出力する比較部と、
前記比較部から出力される前記オンダイターミネーション抵抗値判断データを蓄積する蓄積部と、
を含むことを特徴とする、オンダイターミネーション抵抗値テスト装置。 - 前記内部基準電圧は、前記入力データが目標とするオンダイターミネーション抵抗値のレベルよりも低いレベルに設定されることを特徴とする、請求項8に記載のオンダイターミネーション抵抗値テスト装置。
- 前記蓄積部は、クロック信号に同期して前記比較部の出力を蓄積するDフリップフロップを含むことを特徴とする、請求項8に記載のオンダイターミネーション抵抗値テスト装置。
- 前記比較部は、前記パッドに対する入力バッファーを含むことを特徴とする、請求項8に記載のオンダイターミネーション抵抗値テスト装置。
- ノーマルモード状態でパッドを介して入力される入力データに対する入力バッファー動作を行い、オンダイターミネーションテストモード状態で前記パッドを介して入力される入力データとオンダイターミネーションテストのために設定された内部基準電圧とを比較し、前記比較結果に対応するオンダイターミネーション抵抗値判断データを出力する比較部と、
前記比較部の出力を蓄積する蓄積部と、
前記ノーマルモード状態でパッドに出力するセルデータを駆動し、前記オンダイターミネーションテストモード状態で前記蓄積部に蓄積された前記オンダイターミネーション抵抗値判断データを前記パッドに出力する出力部と、
を含むことを特徴とする、オンダイターミネーション抵抗値テスト装置。 - 前記内部基準電圧は、前記入力データが目標とするオンダイターミネーション抵抗値のレベルよりも低いレベルに設定されることを特徴とする、請求項12に記載のオンダイターミネーション抵抗値テスト装置。
- 前記比較部は、
前記オンダイターミネーションテストモードに対応してイネイブルにされるオンダイターミネーションテストモード信号により、前記ノーマルモードのための基準電圧と前記オンダイターミネーションテストモードのための前記内部基準電圧を選択して出力する電圧選択部と、
前記パッドに入力される前記入力データを、前記電圧選択部から選択されて出力される電圧と比較し、前記オンダイターミネーション抵抗値判断デートとして出力する入力バッファーと、
を含むことを特徴とする、請求項12に記載のオンダイターミネーション抵抗値テスト装置。 - 前記蓄積部は、クロック信号に同期して前記比較部の出力を蓄積するDフリップフロップを含むことを特徴とする、請求項12に記載のオンダイターミネーション抵抗値テスト装置。
- 前記出力部は、
前記オンダイターミネーションテスト動作モードにおいて、前記蓄積部の前記オンダイターミネーション抵抗値判断データを選択して出力し、前記ノーマルモードにおいて、前記セルデータを選択して出力する駆動制御部と、
前記駆動制御部の出力を駆動する出力ドライバーと、
前記パッドに前記入力データが入力される時にイネイブルにされて、前記入力データにオンダイターミネーション抵抗値を反映させ、前記パッドに前記オンダイターミネーション抵抗値判断データが出力される時にディスエイブルにされて、前記オンダイターミネーション抵抗値を除去するオンダイターミネーションドライバーと、
を備えることを特徴とする、請求項12に記載のオンダイターミネーション抵抗値テスト装置。 - 前記駆動制御部は、
前記オンダイターミネーションテスト動作モードでイネイブルにされて前記オンダイターミネーション抵抗値判断データの出力を制御するオンダイターミネーション出力イネイブル信号と、ノーマルモードに対応するイネイブル信号とを提供するイネイブル部と、
前記オンダイターミネーションテスト動作モードでイネイブルにされるオンダイターミネーションテストモード信号により、セルデータと前記オンダイターミネーション抵抗値判断データのいずれか1つを選択して出力する出力部と、
前記出力選択部から出力される信号を、前記イネイブル部から提供される信号の状態によって、前記出力ドライバーに伝達する駆動信号出力部と、
を含むことを特徴とする、請求項16に記載のオンダイターミネーション抵抗値テスト装置。 - ノーマルモード状態でパッドを介して入力される入力データに対する入力バッファー動作を行い、オンダイターミネーションテストモード状態で前記パッドを介して入力される入力データとオンダイターミネーションテストのために設定された内部基準電圧とを比較し、前記比較結果に対応するオンダイターミネーション抵抗値判断データを出力する比較部と、
前記比較部の出力を蓄積する蓄積部と
を含むことを特徴とする、オンダイターミネーション抵抗値テスト装置。 - 前記内部基準電圧は、前記入力データが目標とするオンダイターミネーション抵抗値のレベルよりも低いレベルに設定されることを特徴とする、請求項18に記載のオンダイターミネーション抵抗値テスト装置。
- 前記比較部は、
前記オンダイターミネーションテストモードに対応してイネイブルにされるオンダイターミネーションテストモード信号により、前記ノーマルモードのための基準電圧と前記オンダイターミネーションテストモードのための前記内部基準電圧を選択して出力する電圧選択部と、
前記パッドに入力される前記入力データを、前記電圧選択部から選択されて出力される電圧と比較し、前記オンダイターミネーション抵抗値判断デートとして出力する入力バッファーと、
を含むことを特徴とする、請求項18に記載のオンダイターミネーション抵抗値テスト装置。 - 前記蓄積部は、クロック信号に同期して前記比較部の出力を蓄積するDフリップフロップを含むことを特徴とする、請求項18に記載のオンダイターミネーション抵抗値テスト装置。
- オンダイターミネーション抵抗が適用されたパッドと、
ノーマルモードに対応する第1電圧とオンダイターミネーション抵抗値テストのためのテストモードに対応する第2電圧のいずれか1つを比較電圧として提供する比較電圧供給ユニットと、
前記パッドの入力データを、前記比較電圧供給ユニットから提供される比較電圧で比較し出力する入力バッファーと、
前記入力バッファーの比較結果を蓄積する蓄積部と、
前記ノーマルモードに対応してセルデータを出力し、前記テストモードに対応して前記蓄積部に蓄積されたデータを出力する出力データ選択ユニットと、
前記選択ユニットから提供されるデータを出力する出力ドライバーと、
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記比較電圧供給ユニットは、前記第2電圧として、前記入力データが目標とするオンダイターミネーション抵抗値のレベルよりも低いレベルの電圧を供給することを特徴とする、請求項22に記載の半導体装置。
- 前記比較電圧供給ユニットは、
ノーマルモードに対応する第1電圧とオンダイターミネーション抵抗値テストのためのテストモードに対応する第2電圧とを提供する内部電圧発生器と、
前記テスト動作モードでイネイブルにされるオンダイターミネーションテストモード信号を提供するモード制御部と、
前記モード制御部の前記オンダイターミネーションテストモード信号により、前記第1電圧と前記第2電圧のいずれか1つを選択して、前記入力バッファーに出力する電圧選択部と、
を備えることを特徴とする、請求項22に記載の半導体装置。 - 前記蓄積部は、クロック信号に同期して前記比較部の出力を蓄積するDフリップフロップを含むことを特徴とする、請求項22に記載の半導体装置。
- 前記出力データ選択ユニットは、
前記オンダイターミネーションテスト動作モードでイネイブルにされるオンダイターミネーション出力イネイブル信号と、ノーマルモードに対応するイネイブル信号とを前記出力ドライバーに提供するイネイブル部と、
前記テスト動作モードでイネイブルにされるオンダイターミネーションテストモード信号を提供するモード制御部と、
前記セルデータと前記蓄積部に蓄積されたデータが入力されて、前記モード制御部の前記オンダイターミネーションテストモード信号により、前記セルデータと前記蓄積部に蓄積されたデータのいずれか1つを選択して、前記出力ドライバーに出力するデータ選択部と、
を備えることを特徴とする、請求項22に記載の半導体装置。 - オンダイターミネーション抵抗が適用されたパッドと、
ノーマルモードに対応する第1電圧とオンダイターミネーション抵抗値テストのためのテストモードに対応する第2電圧のいずれか1つを比較電圧として提供する比較電圧供給ユニットと、
前記パッドの入力データを、前記比較電圧供給ユニットから提供される比較電圧で比較し出力する入力バッファーと、
前記入力バッファーの比較結果を蓄積する蓄積部と、
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記比較電圧供給ユニットは、前記第2電圧として、前記入力データが目標とするオンダイターミネーション抵抗値のレベルよりも低いレベルの電圧を供給することを特徴とする、請求項27に記載の半導体装置。
- 前記比較電圧供給ユニットは、
ノーマルモードに対応する第1電圧とオンダイターミネーション抵抗値テストのためのテストモードに対応する第2電圧とを提供する内部電圧発生器と、
前記テスト動作モードでイネイブルにされるオンダイターミネーションテストモード信号を提供するモード制御部と、
前記モード制御部の前記オンダイターミネーションテストモード信号により、前記第1電圧と前記第2電圧のいずれか1つを選択して、前記入力バッファーに出力する電圧選択部と、
を備えることを特徴とする、請求項27に記載の半導体装置。 - 前記蓄積部は、クロック信号に同期して前記比較部の出力を蓄積するDフリップフロップを含むことを特徴とする、請求項27に記載の半導体装置。
- オンダイターミネーションテスト動作時、パッドに入力されるテストデータと基準電圧とを比較し、比較データを生成するステップと、
前記比較データをクロック信号に同期させて蓄積するステップと、
出力イネイブル信号がイネイブルにされる時、前記比較データを駆動して前記パッドに出力するステップと、
を含むことを特徴とする、オンダイターミネーション抵抗値テスト方法。 - 前記基準電圧は、前記テストデータが目標とするオンダイターミネーション抵抗値の電圧よりも低いレベルに設定されることを特徴とする、請求項31に記載のオンダイターミネーション抵抗値テスト方法。
- 前記パッドを介して前記テストデータが入力される時にイネイブルにされて、前記テストデータにオンダイターミネーション抵抗値を反映させ、前記パッドを介して前記比較データを出力する時にディスエイブルにされてオンダイターミネーション抵抗値を除去するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項31に記載のオンダイターミネーション抵抗値テスト方法。
- 前記比較データを駆動して前記パッドに出力するステップは、
前記オンダイターミネーションテスト動作時にイネイブルにされるオンダイターミネーション出力イネイブル信号により、前記出力イネイブル信号をイネイブルにさせるステップと、
前記オンダイターミネーションテスト動作時にイネイブルにされるオンダイターミネーションテストモード信号により、前記比較データを選択するステップと、
前記出力イネイブル信号がイネイブルにされる時、前記比較データを反転駆動し、駆動信号を出力するステップと、
前記駆動信号により前記比較データを駆動し、前記パッドに出力するステップと、
を含むことを特徴とする、請求項31に記載のオンダイターミネーション抵抗値テスト方法。
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