JP2009267271A - 露光装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】
チャックの中心位置と露光すべき基板の中心位置とが正確に位置合わせされ、搬送時の位置ずれによる基板の変形や反りを低減する露光装置を提供する。
【解決手段】
基板を保持可能なチャックと、前記チャックを搭載して移動可能なステージと、前記基板を前記チャック上に搬送可能な搬送ハンドと、露光前に前記搬送ハンドにより前記チャック上に搬送された透過型基板に形成された第1マークと前記チャックに形成された第2マークとのずれ量を検出する検出手段と、露光すべき基板を前記搬送ハンドにより前記チャック上に搬送するときに、前記検出手段の出力に基づいて、少なくとも搬送ハンドまたは前記ステージの移動量を算出する算出手段と、前記算出手段の出力に基づいて、少なくとも前記搬送ハンドまたは前記ステージを制御する制御手段と、を備える。
【選択図】図1
チャックの中心位置と露光すべき基板の中心位置とが正確に位置合わせされ、搬送時の位置ずれによる基板の変形や反りを低減する露光装置を提供する。
【解決手段】
基板を保持可能なチャックと、前記チャックを搭載して移動可能なステージと、前記基板を前記チャック上に搬送可能な搬送ハンドと、露光前に前記搬送ハンドにより前記チャック上に搬送された透過型基板に形成された第1マークと前記チャックに形成された第2マークとのずれ量を検出する検出手段と、露光すべき基板を前記搬送ハンドにより前記チャック上に搬送するときに、前記検出手段の出力に基づいて、少なくとも搬送ハンドまたは前記ステージの移動量を算出する算出手段と、前記算出手段の出力に基づいて、少なくとも前記搬送ハンドまたは前記ステージを制御する制御手段と、を備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッドなどをリソグラフィー工程で製造する際に使用され、原版の微細回路パターンを基板に露光する露光装置に関する。
例えば、半導体素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッドなどをリソグラフィー工程で製造する際に、マスク又はレチクルのパターンを、投影光学系を介して、感光剤の塗布された基板上へ露光を行う。その露光の際に、感光剤の塗布された基板の搬送を行うユニットと、それを受け取る基板ホルダーユニットであるチャックの位置関係によって、搬送される基板の中心位置と、露光を行う際に基板を搭載するチャックの中心位置との関係は影響される。基板の中心位置と、チャックの中心位置は、メカ的な突き当て精度、あるいは別のスコープ基準による基板上の中心位置、基板ホルダーユニットとメカ的に相対位置精度を保証された基準マークとの位置関係等から位置が保証される。
また、特許文献1にて、チャックに対する基板の搬送位置のずれ量を検出するために、原点位置においてガラス基板のエッジ位置を検出し、該検出した結果に基づいてチャックの位置を補正した後、マスクパターンの転写を行う基板位置合わせ機構が提案されている。
特開2001−83714号公報
また、特許文献1にて、チャックに対する基板の搬送位置のずれ量を検出するために、原点位置においてガラス基板のエッジ位置を検出し、該検出した結果に基づいてチャックの位置を補正した後、マスクパターンの転写を行う基板位置合わせ機構が提案されている。
しかしながら、従来技術のメカ的な公差の積み上げが無視できないほど大きく、露光装置の性能に影響を及ぼす場合がある。また、折角、位置保証を行っても、チャックに異物が付着してチャックが着脱し、あるいは、クリーニング行為によって、チャックの中心位置と、基板の中心位置との関係が変化する場合がある。このため、簡易に、再現性よく位置出しが行うことが必要となるが、初めて露光される基板上の露光領域の絶対位置保証に機差が生じる場合があった。
半導体素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッドなどをリソグラフィー工程で製造する際には、露光される基板上に、初めて露光された位置を基準にアライメントされる。このため、この機差が、次工程のリソグラフィーや、絶対位置保証が可能な露光装置で行われる露光工程に継承されるため、初めて基板上に露光を行った露光装置によって、製品の個体差が生じる場合がある。
また、プロセスを積み重ねた基板では、工程上の熱処理などにより、変形や反りが生じ易い。基板の搭載位置のずれがあると、特に、基板の変形や反りがあることによって、周辺部の基板の形状が局所的に変化し易くなる。このため、半導体露光装置のフォーカス制御で、制御しきれない領域では、フォーカス精度が劣化する。
また、露光装置毎のずれ量によっては、デフォーカスによるディストーション成分や、チャック吸着変形依存で生じるディストーション成分を劣化させる。このため、半導体プロセスの各工程を、いくつかの露光装置を使用して、最終的な半導体デバイス製品を作成する場合の重ね合わせ(Mix&Match)でのアライメント性能を劣化させる。以上の結果、露光装置の歩留まりを下げることとなる。
そこで、本発明は、チャックの中心位置と露光すべき基板の中心位置とが正確に位置合わせされ、搬送時の位置ずれによる基板の変形や反りを低減することを目的とする。
半導体素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッドなどをリソグラフィー工程で製造する際には、露光される基板上に、初めて露光された位置を基準にアライメントされる。このため、この機差が、次工程のリソグラフィーや、絶対位置保証が可能な露光装置で行われる露光工程に継承されるため、初めて基板上に露光を行った露光装置によって、製品の個体差が生じる場合がある。
また、プロセスを積み重ねた基板では、工程上の熱処理などにより、変形や反りが生じ易い。基板の搭載位置のずれがあると、特に、基板の変形や反りがあることによって、周辺部の基板の形状が局所的に変化し易くなる。このため、半導体露光装置のフォーカス制御で、制御しきれない領域では、フォーカス精度が劣化する。
また、露光装置毎のずれ量によっては、デフォーカスによるディストーション成分や、チャック吸着変形依存で生じるディストーション成分を劣化させる。このため、半導体プロセスの各工程を、いくつかの露光装置を使用して、最終的な半導体デバイス製品を作成する場合の重ね合わせ(Mix&Match)でのアライメント性能を劣化させる。以上の結果、露光装置の歩留まりを下げることとなる。
そこで、本発明は、チャックの中心位置と露光すべき基板の中心位置とが正確に位置合わせされ、搬送時の位置ずれによる基板の変形や反りを低減することを目的とする。
上記課題を解決するための本発明の露光装置は、基板を保持可能なチャックと、前記チャックを搭載して移動可能なステージと、前記基板を前記チャック上に搬送可能な搬送ハンドと、露光前に前記搬送ハンドにより前記チャック上に搬送された透過型基板に形成された第1マークと前記チャックに形成された第2マークとのずれ量を検出する検出手段と、露光すべき基板を前記搬送ハンドにより前記チャック上に搬送するときに、前記検出手段の出力に基づいて、少なくとも搬送ハンドまたは前記ステージの移動量を算出する算出手段と、前記算出手段の出力に基づいて、少なくとも前記搬送ハンドまたは前記ステージを制御する制御手段と、を備えることを特徴とする。
本発明によれば、チャックに対して露光すべき基板を正確に配置することができるため、露光すべき基板がチャック上にずれて配置されることによって生じる基板の変形や反りを低減することができる。
以下、添付図面を参照して、本発明の実施例を説明する。
図1は、本発明の一実施例にかかる投影露光装置の概略構成図である。
露光すべき基板34または露光光が透過する性質を有するガラス基板である透過型基板14は、チャック15に吸着、搭載され、原版であるレチクル8の上に配置されたパターンを、投影光学系9を介して露光すべき基板34上に露光転写する。チャック15は、露光すべき基板34または透過型基板14を保持可能に構成される。チャック15は、図3に示されるように複数の吸着ピン25を吸着ピン交わし機構26により有し、吸着ピン25の間に図4に示されるように1箇所以上の位置合わせ用の第2マーク20が配置され、ウェハステージ16上に複数の吸着ピン25が固定される。基板ステージであるウェハステージ16は、チャック15を搭載し駆動され、移動可能に構成される。投影光学系9へは、アライメント検出光学系3、ハーフミラー4,5および照明光学系2により露光光を照射する。ウェハステージ16およびレチクルステージ7は、位置記憶装置17、18によって位置、同期の記憶がされ、位置、同期が保証される。
図1は、本発明の一実施例にかかる投影露光装置の概略構成図である。
露光すべき基板34または露光光が透過する性質を有するガラス基板である透過型基板14は、チャック15に吸着、搭載され、原版であるレチクル8の上に配置されたパターンを、投影光学系9を介して露光すべき基板34上に露光転写する。チャック15は、露光すべき基板34または透過型基板14を保持可能に構成される。チャック15は、図3に示されるように複数の吸着ピン25を吸着ピン交わし機構26により有し、吸着ピン25の間に図4に示されるように1箇所以上の位置合わせ用の第2マーク20が配置され、ウェハステージ16上に複数の吸着ピン25が固定される。基板ステージであるウェハステージ16は、チャック15を搭載し駆動され、移動可能に構成される。投影光学系9へは、アライメント検出光学系3、ハーフミラー4,5および照明光学系2により露光光を照射する。ウェハステージ16およびレチクルステージ7は、位置記憶装置17、18によって位置、同期の記憶がされ、位置、同期が保証される。
透過型基板14は、図4に示されるようにエッチングまたはパターンニングされたアライメントマークである位置合わせ用の第1マーク19を有し、かつ、露光光が透過する性質を有する。ガラス基板である透過型基板14を用いる理由は、透過型基板14の裏面の第1マーク19と、チャック15上の第2マーク20を同時に直接的にスコープ30により観察するためである。搬送ハンド21、22は、露光すべき基板34または透過型基板14をチャック15の上に搬送可能な手段である。透過型基板14の第1マーク19とチャック15の第2マーク20との重ね合わせのずれ量をスコープ30にて観察する際に、透過型基板14の厚みによるフォーカス差の影響を受けないようにする必要がある。このため、第1マーク19を透過型基板14の裏面に形成し、搬送ハンド21により透過型基板14を搬送する。搬送された透過型基板14は、図示されない駆動機構により駆動されるウェハステージ16上に配置され、透過型基板14を受け取るチャック15上に搭載される。第2マーク20と、透過型基板14上の位置合わせ用の第1マーク19のマークを重ね合わせ、透過型基板14の中心と、チャック15の中心の重ね合わせのずれ量をずれ量検出手段により検出する。
露光前に搬送ハンド21、22によりチャック15上に搬送された透過型基板14に形成された第1マークとチャック14に形成された第2マーク20とのずれ量を検出する検出手段は、スコープ30から成る。スコープ30は、搬送ハンド21,22が透過型基板14をチャック15へ搬送し、透過型基板14をチャック15が吸着した時に、第1マーク19と第2マーク20とのずれ量を検出する手段である。スコープ30は、第1マーク19と第2マーク20とのずれ量を観察する手段で、光源10、照明光学系11、ハーフミラー6、投影光学系9とは別の光軸を有する光学系12および撮像素子14とから成る。スコープ30を通して撮像された、例えば、CCDやHRD画像を処理し、波形の画像処理を行い、第1マーク19と第2マーク20とのずれ量、すなわち、透過型基板14の中心と、チャック15の中心のずれ量を検出する。このずれ量がメカ的な突き当て精度や、公差によって積み上げられた、チャック15と搬送ハンド21,22の装置固有の誤差成分である。この誤差成分を、透過型基板14を送り込む際の、オフセットとして装置が反映した搬送を行うため、透過型基板14の中心とチャック15の中心を合わせた上で搬送する。
算出手段である駆動量算出回路31は、露光すべき基板34を搬送ハンド21、22によりチャック15上に搬送するときに、検出手段であるスコープ30の出力に基づいて、少なくとも搬送ハンド21、22またはウェハステージ16の移動量を算出する。また、駆動量算出回路31は、駆動量算出回路31の出力に基づいて、少なくとも搬送ハンド21,22またはウェハステージ16を制御する制御手段を有する。
算出手段である駆動量算出回路31は、露光すべき基板34を搬送ハンド21、22によりチャック15上に搬送するときに、検出手段であるスコープ30の出力に基づいて、少なくとも搬送ハンド21、22またはウェハステージ16の移動量を算出する。また、駆動量算出回路31は、駆動量算出回路31の出力に基づいて、少なくとも搬送ハンド21,22またはウェハステージ16を制御する制御手段を有する。
図2は、透過型基板14がウェハステージ上16のチャック15に搭載するための工程を示す。
ステップ1においてウェハ収納キャリア24またはインライン搬入口に収納されていた透過型基板14を、ステップ2、3において基板搬送用ハンド21によって、θ回転合わせ、ノッチ検出用ユニット23へ搬送する。ここでは一定位置に搬送ハンド22が、透過型基板14をウェハステージ16へ精度良く送り込めるように、基板ノッチ検出や、基板外形または基板中心検出によるX,Y,θの位置決めを行う。
位置決めされた透過型基板14を、搬送ハンド21、22を用いてウェハステージ16上のチャック15へ搭載する。(ステップ4,5)
搬送ハンド22はハンドユニットの取り付け時に、ウェハステージ16の下にあるウェハステージ定盤27とメカ的な突き当てなどによって位置関係が決定される。(ステップ5)
また、ウェハステージ16自身も、リセット時等に、原点出しをウェハステージ定盤27の例えばフォトスイッチなどを切ることによって保証されている。よって、ウェハステージ16と、搬送ハンド22は、ウェハステージ定盤27を介して位置関係がメカ的に保証されることとなる。しかし、メカ的な公差の積み上げによる誤差は少なからず発生する。また、チャック15に異物が付着した場合には,例えば、クリーニング工具によって付着物を除去することや、チャック15をウェハステージ16から外して、チャック15のクリーニングや交換作業が行う。
ステップ1においてウェハ収納キャリア24またはインライン搬入口に収納されていた透過型基板14を、ステップ2、3において基板搬送用ハンド21によって、θ回転合わせ、ノッチ検出用ユニット23へ搬送する。ここでは一定位置に搬送ハンド22が、透過型基板14をウェハステージ16へ精度良く送り込めるように、基板ノッチ検出や、基板外形または基板中心検出によるX,Y,θの位置決めを行う。
位置決めされた透過型基板14を、搬送ハンド21、22を用いてウェハステージ16上のチャック15へ搭載する。(ステップ4,5)
搬送ハンド22はハンドユニットの取り付け時に、ウェハステージ16の下にあるウェハステージ定盤27とメカ的な突き当てなどによって位置関係が決定される。(ステップ5)
また、ウェハステージ16自身も、リセット時等に、原点出しをウェハステージ定盤27の例えばフォトスイッチなどを切ることによって保証されている。よって、ウェハステージ16と、搬送ハンド22は、ウェハステージ定盤27を介して位置関係がメカ的に保証されることとなる。しかし、メカ的な公差の積み上げによる誤差は少なからず発生する。また、チャック15に異物が付着した場合には,例えば、クリーニング工具によって付着物を除去することや、チャック15をウェハステージ16から外して、チャック15のクリーニングや交換作業が行う。
そのため、図3に示されるように吸着ピン25と、チャック15上の吸着ピン交わし機構26には、ある程度ゆとりのあるクリアランスが必要である。吸着ピン25と、チャック15上の吸着ピン交わし機構26にゆとりが大きいと、ウェハステージ16と、搬送ハンド22の位置関係がメカ的に保証されていたとしても、チャック15とウェハステージ16の位置関係が保証されていない。このため、透過型基板14の搭載位置が厳密には保証されない。結果として、図2のステップ5で示したようなa≠b≠c≠dを有する配置で、透過型基板14がチャック15上に配置される。
これを解消するために、図4で示される透過型基板14に、位置合わせ用の第1マーク19をパターニングまたはエッチングした透過型基板14を工具として用意する。また、チャック15上には、透過型基板14上の位置合わせ用の第1マーク19との重ね合わせにより、位置ずれ量の検出が可能な位置合わせ用の第2マーク20を配置する。これを図2のステップ1〜5を行って、位置ずれが発生する状態のままで透過型基板14の搬送を行う。
これを解消するために、図4で示される透過型基板14に、位置合わせ用の第1マーク19をパターニングまたはエッチングした透過型基板14を工具として用意する。また、チャック15上には、透過型基板14上の位置合わせ用の第1マーク19との重ね合わせにより、位置ずれ量の検出が可能な位置合わせ用の第2マーク20を配置する。これを図2のステップ1〜5を行って、位置ずれが発生する状態のままで透過型基板14の搬送を行う。
図5は、透過型基板14の中心と、チャック15の中心を調整するフローチャートである。
透過型基板14をチャック15に搭載した後に、露光用の照明光学系2および露光光とは別のスコープ30の光源10を使用して、投影光学系9およびスコープ30の撮像素子13を用いてずれ量を検出する(図5のステップ101,102,103,104)。
この際、透過型基板14が、ある程度の厚みを持っている場合には、透過型基板14上の位置合わせ用の第1マーク19と、チャック15上の位置合わせ用の第2マーク20の焦点距離が合わなくなるため、透過型基板14を裏返して搬送する。または、透過型基板14を限界まで薄くして、投影光学系9や撮像素子13で検出する際の焦点位置を共通化させる必要がある。この検出されたずれ量は、装置内のオフセットとして管理し、以降の搬送時には、そのずれ量を考慮してチャック15上に搭載することを可能とする(図5のステップ105,106,107)。なお、ウェハステージ16が複数搭載された露光装置においては、各々のウェハステージ16にてオフセットを個別に有する。
透過型基板14をチャック15に搭載した後に、露光用の照明光学系2および露光光とは別のスコープ30の光源10を使用して、投影光学系9およびスコープ30の撮像素子13を用いてずれ量を検出する(図5のステップ101,102,103,104)。
この際、透過型基板14が、ある程度の厚みを持っている場合には、透過型基板14上の位置合わせ用の第1マーク19と、チャック15上の位置合わせ用の第2マーク20の焦点距離が合わなくなるため、透過型基板14を裏返して搬送する。または、透過型基板14を限界まで薄くして、投影光学系9や撮像素子13で検出する際の焦点位置を共通化させる必要がある。この検出されたずれ量は、装置内のオフセットとして管理し、以降の搬送時には、そのずれ量を考慮してチャック15上に搭載することを可能とする(図5のステップ105,106,107)。なお、ウェハステージ16が複数搭載された露光装置においては、各々のウェハステージ16にてオフセットを個別に有する。
また、オフセット算出後に、チャック15の取り外しや、クリーニング行為が行われた場合には再度オフセットの算出が必要である。この場合には、再度、透過型基板14を使用してずれ量を追い込みなおすことも可能であるが、別の実施例として、以下の手段でも可能である。初めて透過型基板14とチャック15の位置のずれ量の検出を行う時に、ウェハステージ16上に配置された図6に示される基準マーク28と、チャック15上に配置された相対位置確認用マーク29を同時期に計測する。これにより、基準マーク28と、チャック15の相対位置関係を把握する。仮にチャッククリーニングや、チャック交換が行われたとしても、基準マークの配置関係は動くことが無い。このため、この基準マークを基準として、チャッククリーニングや、チャック交換後の基準マーク28とチャック上マーク29の相対位置ずれ量を算出し、この変化量を装置オフセットに加減算することで、基板搭載位置を再保証することが可能である。
本実施例の露光装置によって透過型基板14の搬送から露光開始位置決めを行う場合には、図7に示されるように透過型基板14上に初めて露光を行うシーケンスである1stシーケンス(ステップ111、112、113、119)がある。
さらに、2回目以降の2ndシーケンスの2種類のシーケンス(ステップ114、115、116、117,118,119)がある。チャック15と透過型基板14の中心の位置合わせを行わないと、1stシーケンスの場合には、透過型基板14のθ回転合わせ、ノッチ検出用ユニット23によって、ある程度の位置出しが行われるが、チャック15のずれ量が不定である。このため、透過型基板14の中心と、チャック15の中心の位置関係も不定となる。この場合、図8に示されるように透過型基板14においてショットの露光位置14bが、理想の露光位置14aからeだけシフトし、ずれ量を発生する。このずれ量は半導体デバイスを作成する上で、後の工程で他の露光装置を使用する場合に、影響を及ぼす場合がある。
さらに、2回目以降の2ndシーケンスの2種類のシーケンス(ステップ114、115、116、117,118,119)がある。チャック15と透過型基板14の中心の位置合わせを行わないと、1stシーケンスの場合には、透過型基板14のθ回転合わせ、ノッチ検出用ユニット23によって、ある程度の位置出しが行われるが、チャック15のずれ量が不定である。このため、透過型基板14の中心と、チャック15の中心の位置関係も不定となる。この場合、図8に示されるように透過型基板14においてショットの露光位置14bが、理想の露光位置14aからeだけシフトし、ずれ量を発生する。このずれ量は半導体デバイスを作成する上で、後の工程で他の露光装置を使用する場合に、影響を及ぼす場合がある。
以上説明したように、本実施例によれば、チャック15の中心と透過型基板14の中心を合わせることにより、基板の形状の変形を低減させ、フォーカス制御精度を向上する。
また、チャック吸着、またはデフォーカス等によるディストーション低減によるMix&Matchの重ね合わせ精度を向上する。また、デバイスによって確定的に生じる、局所的な基板の変形や基板の反りによるデフォーカスやディストーションの影響が、もっとも発生しにくいように、チャック15の中心と、基板の中心位置をずらす場合も有る。さらに、チャック矯正力を高めることで装置固有のディストーションを低減し、Mix
& Matchの精度を向上し、初めて露光される前記基板上の露光領域の位置に関する装置間差を低減する。また、チャック中心位置と、基板中心位置を故意に一定量ずらすことで、デバイスに応じた透過しない基板の固有の反りや変形依存のデフォーカス、またはディストーションを低減する。液浸露光装置において、基板とチャック間の中心位置を合わせることで、水漏れの影響を最小限にする。
以上の本発明の実施例は、半導体デバイス製造用の回路パターン転写を目的としたステップアンドリピート方式で露光する縮小投影露光装置(ステッパー)、あるいは、ステップアンドスキャン方式を用いた走査型露光装置(スキャナー)である。
しかし、本発明は、これに限られず、たとえば多層膜反射鏡を用いた投影光学系を使用するEUV露光装置や、X線露光装置に代表されるプロキシミティー露光装置やそれらを用いたデバイス製造方法にも適用可能である。
また、チャック吸着、またはデフォーカス等によるディストーション低減によるMix&Matchの重ね合わせ精度を向上する。また、デバイスによって確定的に生じる、局所的な基板の変形や基板の反りによるデフォーカスやディストーションの影響が、もっとも発生しにくいように、チャック15の中心と、基板の中心位置をずらす場合も有る。さらに、チャック矯正力を高めることで装置固有のディストーションを低減し、Mix
& Matchの精度を向上し、初めて露光される前記基板上の露光領域の位置に関する装置間差を低減する。また、チャック中心位置と、基板中心位置を故意に一定量ずらすことで、デバイスに応じた透過しない基板の固有の反りや変形依存のデフォーカス、またはディストーションを低減する。液浸露光装置において、基板とチャック間の中心位置を合わせることで、水漏れの影響を最小限にする。
以上の本発明の実施例は、半導体デバイス製造用の回路パターン転写を目的としたステップアンドリピート方式で露光する縮小投影露光装置(ステッパー)、あるいは、ステップアンドスキャン方式を用いた走査型露光装置(スキャナー)である。
しかし、本発明は、これに限られず、たとえば多層膜反射鏡を用いた投影光学系を使用するEUV露光装置や、X線露光装置に代表されるプロキシミティー露光装置やそれらを用いたデバイス製造方法にも適用可能である。
(デバイス製造方法の実施例)
デバイス(半導体集積回路素子、液晶表示素子等)は、前述のいずれかの実施例の露光装置を使用して、感光剤を塗布した基板(ウェハ、ガラスプレート等)を露光する工程と、その基板を現像する工程と、他の周知の工程と、を経ることにより製造される。
デバイス(半導体集積回路素子、液晶表示素子等)は、前述のいずれかの実施例の露光装置を使用して、感光剤を塗布した基板(ウェハ、ガラスプレート等)を露光する工程と、その基板を現像する工程と、他の周知の工程と、を経ることにより製造される。
2 照明光学系 3 アライメント検出光学系
4、5、6 ハーフミラー 7 レチクルステージ
8 レチクル
9 投影光学系
10 光源
11 照明光学系
12 投影光学系とは別の光軸を有する光学系
13 撮像素子
14 基板
15 チャック
16 ウェハステージ
17 ウェハステージ位置記憶装置 18 レチクルステージ位置記憶装置
19 第1マーク
20 第2マーク
21、22 搬送ハンド
23 θ回転合わせ、ノッチ検出用ユニット
24 基板収納キャリア
25 吸着ピン
26 吸着ピン交わし機構
27 基板ステージ定盤
28 基準マーク
29 基準マークとの相対位置確認用マーク
4、5、6 ハーフミラー 7 レチクルステージ
8 レチクル
9 投影光学系
10 光源
11 照明光学系
12 投影光学系とは別の光軸を有する光学系
13 撮像素子
14 基板
15 チャック
16 ウェハステージ
17 ウェハステージ位置記憶装置 18 レチクルステージ位置記憶装置
19 第1マーク
20 第2マーク
21、22 搬送ハンド
23 θ回転合わせ、ノッチ検出用ユニット
24 基板収納キャリア
25 吸着ピン
26 吸着ピン交わし機構
27 基板ステージ定盤
28 基準マーク
29 基準マークとの相対位置確認用マーク
Claims (3)
- 基板を保持可能なチャックと、
前記チャックを搭載して移動可能なステージと、
前記基板を前記チャック上に搬送可能な搬送ハンドと、
露光前に前記搬送ハンドにより前記チャック上に搬送された透過型基板に形成された第1マークと前記チャックに形成された第2マークとのずれ量を検出する検出手段と、
露光すべき基板を前記搬送ハンドにより前記チャック上に搬送するときに、前記検出手段の出力に基づいて、少なくとも搬送ハンドまたは前記ステージの移動量を算出する算出手段と、
前記算出手段の出力に基づいて、少なくとも前記搬送ハンドまたは前記ステージを制御する制御手段と、
を備えることを特徴とする露光装置。 - 前記チャックは複数のピンを備え、前記第2マークが前記ピンの間に配置されることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 請求項1または2記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記基板を現像する工程と、を備えることを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008117908A JP2009267271A (ja) | 2008-04-28 | 2008-04-28 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008117908A JP2009267271A (ja) | 2008-04-28 | 2008-04-28 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2009267271A true JP2009267271A (ja) | 2009-11-12 |
Family
ID=41392705
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008117908A Pending JP2009267271A (ja) | 2008-04-28 | 2008-04-28 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2009267271A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015082610A (ja) * | 2013-10-23 | 2015-04-27 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ装置、決定方法及び物品の製造方法 |
CN112904677A (zh) * | 2019-12-04 | 2021-06-04 | 佳能株式会社 | 搬送装置、曝光装置以及物品的制造方法 |
-
2008
- 2008-04-28 JP JP2008117908A patent/JP2009267271A/ja active Pending
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