JP2009258544A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】小型の液晶セルを構成するTFT基板と対向基板を研磨によって薄くする際に、研磨液によって個々の液晶セルが損傷を受けることを防止する。
【解決手段】マザー基板から分離した、複数の液晶セルが配列した短冊基板の、複数の液晶セルに同時に液晶を封入し、封止材30によって封止する。その後、短冊基板を研磨液に浸漬して短冊基板の外側を研磨する。封止材30は、個々の液晶セルの封止材としての役割と、研磨液に対するシールとしての役割を有する。封止材30がTFT基板と対向基板との間に吸い込まれて、封止材30が不良となることを防止するために、シール材20で囲まれた領域の外側において、封止材30と個々の液晶セルのシール材20との間にストッパー50を形成する。これによって、基板を研磨するときの個々の液晶セルの不良の発生を防止することが出来る。
【選択図】図7
【解決手段】マザー基板から分離した、複数の液晶セルが配列した短冊基板の、複数の液晶セルに同時に液晶を封入し、封止材30によって封止する。その後、短冊基板を研磨液に浸漬して短冊基板の外側を研磨する。封止材30は、個々の液晶セルの封止材としての役割と、研磨液に対するシールとしての役割を有する。封止材30がTFT基板と対向基板との間に吸い込まれて、封止材30が不良となることを防止するために、シール材20で囲まれた領域の外側において、封止材30と個々の液晶セルのシール材20との間にストッパー50を形成する。これによって、基板を研磨するときの個々の液晶セルの不良の発生を防止することが出来る。
【選択図】図7
Description
本発明は表示装置に係り、特に小型で、厚さが薄い液晶表示装置に関する。
液晶表示装置はフラットで軽量であることから、色々な分野で用途が広がっている。携帯電話やDSC(Digital Still Camera)等には、小型の液晶表示装置が広く使用されている。携帯電話やDSC等では、装置全体の厚さを薄くし、かつ、軽量としたいという要求がある。このため、使用される液晶表示装置に対しても、全体の厚さを薄くしたいという要求が強い。
液晶表示装置は、薄膜トランジスタ(TFT)、画素電極等を含む多くの画素がマトリクス状に形成されたTFT基板と、カラーフィルタ等が形成された対向基板とがシール材を挟んで対向し、内部に液晶が封入されている。シール材は完全に閉じられているのではなく、一部に開口を有し、この開口部(封入孔)から液晶を封入し、その後、封止材で液晶を封止する。
シール材はTFT基板と対向基板の周辺内側に形成されるが、TFT基板および対向基板の端部とシール材の端部との間にはわずかに隙間が生ずる。液晶を封入する際、液晶がTFT基板と対向基板とシール材の端部とで形成される周辺の隙間に入り込むと、TFT基板に形成された配線の腐食を誘発する等の問題を生ずる。
液晶を封入するときに、液晶がTFT基板と対向基板とシール材の端部とで形成される周辺の隙間に入り込まないように、液晶の封入孔付近に、浸透防止材を形成する技術が、「特許文献1」、「特許文献2」、「特許文献3」等に記載されている。
以後の説明では、個々のTFT基板と対向基板との間にシール材が形成され、内部に液晶が封入されて液晶表示装置の主要部分となるものを液晶セルという。小型の液晶セルの製造を個々の装置毎に製造することは効率が悪い。したがって、大きなマザー基板に多数の液晶セルを一度に形成することが行われている。すなわち、大きなマザーTFT基板に多数のTFT基板を形成する。また、大きなマザー対向基板に多数の対向基板を形成する。そして、将来分離されることになる、個々の液晶セルのTFT基板あるいは対向基板毎にシール材が形成される。
図13はこの様子を示すものである。図13において、マザー対向基板2002とマザーTFT基板1002とが貼り合わされ、20個の液晶セル1が形成されている状態を示している。シール材20は、個々の液晶セル1毎に形成されている。その後、分離線60において、個々の液晶セル1が分離される。
最近は、携帯電話、DSC等の装置全体を薄くしたいという要求から、液晶表示装置に使用される液晶セル1自体を薄くしたいという要求が強い。液晶セル1の厚みはガラス基板によってほぼ決まる。しかし、液晶セル1に使用されるガラス基板は、0.5mmあるいは0.4mm等に規格化されており、規格化された厚さ以外のガラス基板を使用することは、材料費の大幅なコスト高になる。また、規格化されたガラス基板よりもさらに薄いガラス基板を使用すると、ガラス基板の機械的な強度等の問題が生じ、製造工程におけるガラス基板の取り扱いが困難になる。
このような問題を解決して、薄型の液晶セル1を可能とするために、液晶セルが完成したあと、ガラス基板、すなわち、TFT基板100と対向基板200の外側を研磨する技術がある。この研磨は機械的な研磨でも良いが、フッ酸等による化学的研磨が多く使用される。
この研磨も個々の液晶セル1毎に行うのは効率が悪いので、マザー基板の状態で研磨を行う。図14にマザー基板の状態で研磨をするための、マザー基板の構成を示す。図14において、マザーTFT基板1002とマザー対向基板2002の内側周辺部にマザー基板シール材22を形成しておく。実際には、マザー対向基板2002側にマザー基板シール材22を設置しておく。そして、マザーTFT基板1002とマザー対向基板2002とを接着する際に、マザー基板シール材22によってマザーTFT基板1002とマザー対向基板2002の全体をシールする。
機械研磨にしろ、化学研磨にしろ、研磨剤あるいは研磨液を使用する。マザーTFT基板1002とマザー対向基板2002とを貼り合わせた時点では、個々の液晶セル1は、まだ封止されていない状態である。したがって、研磨液等が内部に入り込むと個々の液晶セル1内に研磨液等が入り込むことになる。マザーTFT基板1002とマザー対向基板2002の全体を封止するのは、マザー基板を研磨する時に、研磨液等が内部に入り込むことを防止するためである。
周辺がシールされた状態でマザー基板全体を研磨し、研磨を終えた後、マザー基板の周辺を取り除き、同時にマザー基板シール材22も除去する。そして、個々の液晶セル1もマザー基板から分離される。その後、個々の液晶セル1毎に、液晶を注入する。
このようにして、厚さの薄い液晶セル1を形成することが出来る。しかし、最近は液晶セル1に対して厚みをさらに薄くする要求がある。このような要求に応えるためには、例えば、TFT基板100あるいは、対向基板200の板厚を0.18mm程度、さらには、0.15mm以下としなければならない。TFT基板100の初期の板厚が0.4mmとしてこれを0.15mmまでにするには、0.25mmも研磨しなければならない。
このようにガラス板を大幅に研磨することは、研磨による板厚のムラが生じ易い。特に、基板が大きいと、場所による研磨ムラが生ずる。場所による研磨ムラを小さくするには、基板の大きさを小さくする必要がある。しかし、個々液晶セル1毎に研磨したのでは効率が悪い。そこで、例えば、図13に示すマザー基板において。横1列に配列した複数の液晶セルごとにシールして研磨することが行われる。この場合は、横方向に5個の液晶セル1が配置された短冊状の基板を研磨することになる。このような短冊状に形成された基板を効率よく、かつ、高い信頼性をもって研磨することが本発明の課題である。
本発明は上記課題を克服するものであり、具体的な手段は次のとおりである。
(1)画素電極とTFTとを含む画素がマトリクス状に形成されたTFT基板と、前記TFT基板に対向して配置された対向基板と、前記TFT基板と前記対向基板とを貼り合わせるシール材とを有する液晶セルを有する液晶表示装置であって、前記液晶セルの1辺において、前記シール材は液晶を封入するための封入孔を有し、前記封入孔が形成された前記液晶セルの前記1辺に沿って封止材が形成され、前記シール材で囲まれた領域の外側において、前記封止材と前記シール材との間には、前記封止材が前記液晶セルの内側に侵入することを防止するストッパーが、前記封入孔が形成された前記液晶セルの前記1辺と平行に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
(2)前記液晶セルは、前記シール材で囲まれた内部に画像を表示する表示領域を有し、前記表示領域には、前記TFT基板と前記対向基板との間隔を規定する柱状スペーサが形成され、前記ストッパーは前記柱状スペーサと同じ材料で形成されていることを特徴とする(1)に記載の液晶表示装置。
(3)前記ストッパーと前記柱状スペーサは同じ高さであることを特徴とする(2)に記載の液晶表示装置。
(4)前記封入孔は、前記液晶セルの短辺側に形成されており、前記封止材は前記短辺全体に形成されていることを特徴とする(1)に記載の液晶表示装置。
(5)前記液晶セルの前記シール材で囲まれた内部に液晶が封入された後、前記TFT基板と前記対向基板とのうち少なくとも一方の外側が研磨されていることを特徴とする(1)に記載の液晶表示装置。
(6)画素電極とTFTとを含む画素がマトリクス状に形成されたTFT基板と、前記TFT基板に対向して配置された対向基板と、前記TFT基板と前記対向基板とを貼り合わせるシール材とを有する液晶セルを有する液晶表示装置であって、前記シール材は、全周が閉じたループとなっており、前記液晶セルの1辺において、前記液晶セルの端部には封止材が形成され、前記シール材で囲まれた領域の外側において、前記封止材と前記シール材との間には、前記封止材が前記液晶セルの内側へ侵入することを防止するストッパーが形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
(7)前記液晶セルは、前記シール材で囲まれた内部に画像を表示する表示領域を有し、前記表示領域には、前記TFT基板と前記対向基板との間隔を規定する柱状スペーサが形成され、前記ストッパーは前記柱状スペーサと同じ材料で形成されていることを特徴とする(6)に記載の液晶表示装置。
(8)前記液晶セルに前記封止材が形成された後、前記TFT基板と前記対向基板とのうち少なくとも一方の外側が研磨されていることを特徴とする(6)に記載の液晶表示装置。
(9)画素電極とTFTとを含む画素がマトリクス状に形成されたTFT基板と、前記TFT基板に対向して配置された対向基板と、前記TFT基板と前記対向基板とを貼り合わせるシール材とを有する液晶セルを有する液晶表示装置であって、前記液晶セルは画像が形成される表示領域を有し、前記表示領域において、前記TFT基板には前記TFTを保護する有機パッシベーション膜が形成され、前記対向基板には前記TFT基板と前記対向基板との間隔を規定するための柱状スペーサが形成され、前記液晶セルの1辺の端部に封止材を有し、前記シール材で囲まれた領域の外側において、前記封止材と前記シール材との間に、前記封止材が前記液晶セルの内側に侵入することを防止するストッパーが、前記封止材が配置された前記液晶セルの前記1辺と平行に、前記対向基板に形成されており、前記対向基板の前記ストッパーに対向する領域において、前記TFT基板側には、前記有機パッシベーション膜と同じ膜が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
(10)前記柱状スペーサと前記ストッパーとは同一のプロセスで形成されていることを特徴とする(9)に記載の液晶表示装置。
(11)前記液晶セルに前記封止材が形成された後、前記TFT基板と前記対向基板とのうち少なくとも一方の外側が研磨されていることを特徴とする(9)に記載の液晶表示装置。
液晶セルが複数1列に形成された短冊状のマザー基板を研磨して、液晶セルの厚さを薄くする際、研磨液が個々の液晶セルに侵入することを防止するための封止材と、シール材で囲まれた領域の外側において、封止材と個々の液晶セルのシール材との間に、封止材が液晶セルの内側に侵入することを防止するためのストッパーを形成するので、封止材に欠陥が生じず、研磨液が個々の液晶セルに侵入して各液晶セルを不良にする現象を防止することが出来る。
また、本発明によれば、前記ストッパーを液晶セルの表示領域内に形成された、TFT基板と対向基板との間隔を規定するための柱状スペーサと同時に形成するので、製造コストの増加を伴うことなく、ストッパーを形成することが出来る。
本発明によれば、液晶表示装置の製造歩留りを向上でき、かつ、個々の液晶表示装置の信頼性を上げることが出来る。
実施例にしたがって本発明の内容を詳細に開示する。
図1は本発明による、携帯電話等に使用される液晶セル1の平面図である。
図1において、TFT基板100上に対向基板200が設置されている。TFT基板100と対向基板200との間に液晶層300が挟持されている。TFT基板100と対向基板200とは額縁部に形成されたシール材20によってシールされている。TFT基板100は対向基板200よりも大きく形成されており、TFT基板100が対向基板200よりも大きくなっている部分には、液晶セル1に電源、映像信号、走査信号等を供給するための端子部150が形成されている。また、端子部150には、走査線、映像信号線等を駆動するためのICドライバ70が設置されている。
図1において、液晶セル1の縦寸法LYは81mm、横寸法LYは54mmである。また、ICドライバ70等が搭載されている端子部150の幅はTは2.7mmである。表示領域10からTFT基板100または対向基板200の端部までが額縁部である。額縁部には、シール材20の他、図示しない走査線引出し線等が設置される。
図1において、液晶封入孔40を塞ぐ封止材30は、液晶セル1の短辺全体にわたって形成されている。後で述べるように、この構成によって、液晶セル1のTFT基板100および対向基板200を、個々に分離する前の、液晶セル1が複数並んだ短冊基板の状態で、液晶を封入し、液晶を封入した後、短冊基板を研磨することが出来る。以後、液晶セル1が1列に並んだ状態のものを短冊基板と称し、TFT基板100が1列に並んだものを短冊TFT基板1001と称し、対向基板200が1列に並んだものを短冊対向基板2001と称する。
図1において、シール材20で囲まれた領域の外側では、封止材30とシール材20とに間に、細い棒状のストッパー50が形成されている。このストッパー50の役割は、後で述べるように、封止材30の欠陥が生ずることを防止することである。図1におけるストッパー50は、長さが20mm以上であるのに対し、幅が10μm、高さが4μm程度であり、非常に細く、ほとんど線状である。
図2は図1のA−A断面図である。図2ではTFT基板100あるいは対向基板200に形成された詳細な構成は省略している。図2において、シール材20内の表示領域10にはTFT基板100に形成された層の内、最も厚い有機パッシベーション膜108のみが記載されている。また、対向基板200には、TFT基板100と対向基板200との間隔を規定するための柱状スペーサ205が形成され、TFT基板100側の有機パッシベーション膜108と直接的または間接的に(たとえば配向膜などを介して)接している。ただし、両者は必ずしも直接的または間接的に接する必要はなく、一部の柱状スペーサ205は離れていてもよい。
シール材20の内側には液晶が充填されている。シール材20はエポキシ樹脂で形成されており、幅は0.6mm程度である。シール材20の外側には、本発明の特徴であるストッパー50が形成されている。ストッパー50は表示領域10内の柱状スペーサ205と同じ材料で、同時に形成される。柱状スペーサ205は次のようにして形成される。すなわち、感光性のアクリル樹脂を対向基板200全面に塗布し、マスクを用いて露光すると、光が当たった部分のみが硬化して現像液に不溶となり、現像されると、柱状スペーサ205が形成される。感光性樹脂は、レジスト工程が不要であり、プロセスが簡易となる。
柱状スペーサ205はこのようにして形成されるが、柱状スペーサ205を形成すると同時に、ストッパー50も同様にして形成される。すなわち、ストッパー50の形成は従来と露光マスクが異なるだけで、追加プロセス等は必要としない。ストッパー50は柱状スペーサ205と同時に形成されるので、高さも柱状スペーサ205と同じである。
TFT基板100と対向基板200との間隔を表示領域10内と同じに保つためには、表示領域10内における有機パッシベーション膜108と同じ高さの台座が必要である。図2では、この台座は有機パッシベーション膜108で形成している。有機パッシベーション膜108も、感光性のアクリル樹脂で形成される。ストッパー50部分に形成される台座も有機パッシベーション膜108のパターニングと同時に形成される。したがって、台座を形成するための追加のプロセスは必要としない。尚、ストッパー50と有機パッシベーション膜108とは、必ずしも直接的または間接的に接する必要はなく、両者が離れていてもよい。対向基板200のストッパー50に対向する領域において、TFT基板100側には、有機パッシベーション膜108と同じ膜が形成されていればよい。
ストッパー50の外側で、TFT基板100と対向基板200の端部には、封止材30が形成されている。本発明においては、図1において説明したように、液晶セル1の短辺全体にわたって封止材30が形成されている。封止材30は、図1のB−B断面図である図3に示すように、本来は、液晶の封入孔40となるシール材20の開口部において、液晶を封止するものである。しかし、本発明は、後で述べるように、短冊基板を研磨する際において、研磨液が短冊基板内部に侵入することを防止するためのシールの役割を有しているので、短辺全体にわたって形成されている。
図4は表示領域10における液晶セル1の断面図である。図4において、TFT基板100上には、ゲート電極101が形成されている。ゲート電極101はスパッタリングによって形成され、その後、フォトリソグラフィによってパターニングされる。ゲート電極101はAlによって形成され、膜厚は300nm程度である。ゲート電極101と同層で図示しない走査線等が同時に形成される。対向基板200の対向電極204にコモン電圧を供給するためにTFT基板100に形成されるコモン配線も同層で、同時に形成される。ゲート電極101を覆って、ゲート絶縁膜102が形成される。ゲート絶縁膜102は、例えば、SiN膜をCVD法で成膜することによって形成される。ゲート絶縁膜102は例えば、400nm程度である。
ゲート電極101の上には、ゲート絶縁膜102を介して半導体層103が形成される。半導体層103はa−Siで形成され、膜厚は150nm程度である。a−Si層にTFTのチャネル領域が形成される。a−Si層にソース電極105およびドレイン電極106を設置する前に、n+Si層104を形成する。a−Si層とソース電極105あるいはドレイン電極106との間にオーミックコンタクトを形成するためである。
n+Si層104の上にソース電極105あるいはドレイン電極106が形成される。ソース電極105あるいはドレイン電極106と同層で、映像信号線等が形成される。ソース電極105あるいはドレイン電極106は、Moあるいは、Al等によって形成される。なお、Alが使用される場合は、その上下をMo等によって覆う。Alがコンタクトホール113部において、ITO等と接触すると、接触抵抗が不安定になる場合があるからである。
ソース電極105あるいはドレイン電極106を形成したあと、ソース電極105およびドレイン電極106をマスクとしてチャネルエッチングを行う。チャネル層からn+Si層104を完全に除去するために、a−Si層の上部までエッチングを行い、チャネルエッチング領域109が形成される。その後、TFT全体を覆って無機パッシベーション膜107を形成する。無機パッシベーション膜(絶縁膜)107はSiNによって形成する。無機パッシベーション膜107は例えば、400nm程度である。
無機パッシベーション膜107を覆って有機パッシベーション膜(絶縁膜)108が形成される。有機パッシベーション膜108は平坦化膜としての役割を有するので、厚く形成され、例えば、2μm程度の厚さに形成される。有機パッシベーション膜108には例えば、感光性のアクリル樹脂が使用され、レジストを使用せずにパターニングを行なうことが出来る。
その後、有機パッシベーション膜108および無機パッシベーション膜107にコンタクトホール113を形成する。ITOで形成される画素電極110とTFTのソース電極105との導通をとるためである。有機パッシベーション膜108の上には、画素電極110となるITOが形成される。
図4において、画素電極110の上には液晶分子を配向させるための配向膜111が形成されている。TFT基板100と対向基板200との間に液晶層300が挟持されている。液晶層300の液晶分子は、TFT基板100に形成された配向膜111と対向基板200に形成された配向膜111とによって初期配向が規定されている。
図4において、対向基板200の内側には、カラーフィルタ201が形成されている。カラーフィルタ201は画素毎に、赤、緑、青のカラーフィルタ201が形成されており、カラー画像が形成される。カラーフィルタ201とカラーフィルタ201との間にはブラックマトリクス(遮光膜)202が形成され、画像のコントラストを向上させている。なお、ブラックマトリクス202はTFTに対する遮光膜としての役割も有し、TFTに光電流が流れることを防止している。
カラーフィルタ201およびブラックマトリクス202を覆ってオーバーコート膜203が形成されている。カラーフィルタ201およびブラックマトリクス202の表面は凹凸となっているために、オーバーコート膜203によって表面を平らにしている。オーバーコート膜203の上には、透明導電膜であるITOによって対向電極204が形成されている。TFT基板100の画素に形成された画素電極110と、対向基板200に形成された対向電極204との間に電圧を印加することによって液晶分子を回転等させて透過光あるいは反射光を制御することによって画像を形成する。
対向電極204の上には、対向基板200とTFT基板100との間隔を規定するための柱状スペーサ205が形成されている。柱状スペーサ205は、バックライト等の光が透過しない、ブラックマトリクス202が形成された部分に形成される。柱状スペーサ205のある部分は液晶の配向が乱れ、バックライト等から光漏れが生じ、コントラストが低下する原因となるからである。
柱状スペーサ205の高さHは、液晶層300の層厚と同じで、例えば、4μmである。図1および図2に示すストッパー50は柱状スペーサ205と同時に形成される。したがって、柱状スペーサ205とストッパー50とは同じ高さである。柱状スペーサ205は例えば、感光性のアクリル樹脂によって形成される。アクリル樹脂は対向基板200全面に塗布され、マスクを使用して露光すると、光の当たった部分のみ、現像液に不溶となって、露光した部分のみが柱状スペーサ205として残る。感光性の樹脂を使用することによって、レジスト工程が不要となり、工程が短縮される。
柱状スペーサ205および対向電極204を覆って配向膜111が形成される。TFT基板100に形成された配向膜111と対向基板200に形成された配向膜111によって液晶層300の初期配向が決定され、この配向状態をTFT基板100に形成された画素電極110と対向基板200との間に印加される電圧によって液晶分子を回転等させて液晶層300を透過する光を制御して画像が形成される。
以上のように、表示領域10には、TFT基板100と対向基板200との間隔を規定する柱状スペーサ205が形成されるが、本発明のストッパー50は、この柱状スペーサ205を形成するのと同時に形成される。なお、図4では、TNあるいは、VA等、TFT基板100の画素電極10と対向基板200の対向電極204との間に電圧を印加して液晶分子を制御する縦電界方式の場合を例に取って説明した。液晶の駆動方法として、この他に、対向電極と画素電極とをいずれもTFT基板100上に形成し、液晶をTFT基板100と平行方向の電界成分を有する、横電界によって駆動するIPS(In Plane Switching)方式が存在する。しかし、IPS方式においても、対向電極がTFT基板100に形成される他は、構造は本質的には図4と同様であり、本発明を適用することが出来る。
図5は本発明を適用しない場合の液晶セル1に起こりうる問題点を示すものである。図5において、液晶セル1の構成は図1で説明したのと同様である。但し、図1で説明したストッパー50は形成されていない。図5において、封止材30が液晶セル1の短辺全体に形成されている。TFT基板100と対向基板200との間には隙間が生じており、また、コーナー部においては、液晶セル1の端部とシール材20との間隔が大きいので、この隙間に封止材30が入り込む。
封止材30は紫外線あるいは熱等で硬化される前は液体であるからこのような現象は起こりうる。封止材30がTFT基板100と対向基板200との間に入り込むと、例えば、図5のA部において、封止材30による封止が不十分となる。図5に示す液晶セル1完成品においては、液晶のシールはシール材20によって行われるので、直接の問題は生じない。しかし、短冊基板を個々の液晶セル1に分離する前の短冊基板を研磨する時に問題が生ずる。
なお、図5において封入孔40の部分にも同様のことが起こりうるように見えるが、封入孔40部分は面積が小さい上、封入孔40は、封止材30が過度に液晶セル1の内部に入り込まないようにするための形状となっているので、図5のA部に示すような現象は生じない。
図6はこのような問題点を説明する短冊基板の平面図である。図6において、短冊基板には3個の液晶セル1が並列して形成されている。実際には3個よりも多く、6個以上が並列して形成されている場合が多い。図6の時点では、各液晶セルには未だ端子部は形成されていない。端子部は短冊基板を研磨し、各液晶セルを分離した後、あるいは、各液晶セルを分離するのと同時に、対向基板200の一部を除去して形成される。図6では、参考として、端子部を表す線が記載されている。図7〜図11においても同様である。
図6において、3個の液晶セル1には各々シール材20が形成されている。3個の液晶セル1の3方を囲んで短冊基板シール材21が形成されている。短冊基板シール材21は、短冊基板の短冊TFT基板1001、あるいは短冊対向基板2001を研磨液で研磨する際に、研磨液が入り込んで、分離する前の液晶セル1を汚染することを防止する役割を有する。
短冊基板の一方の辺全体は封止材30によって封止されている。この封止材30は、個々の液晶セル1の液晶の封止と、短冊基板を研磨する時に、内部が研磨液によって汚染されることを防止するシールとしての役割を有している。図6において、液晶は、短冊基板が封止材30によって封止される前に、各液晶セル1に封入される。液晶の封入は、3個の液晶セル1に対して同時に行われる、そして、3個の液晶セル1に対する封止も同時に行われることになる。
図6において、A部は短冊基板シール材21が短冊TFT基板1001と短冊対向基板2001との間に封止材30が吸い込まれた状態を示している。図6において、封止材30が吸い込まれた部分は、短冊TFT基板1001あるいは短冊対向基板2001の端部と各液晶セル1のシール材20との間隔が大きい部分である。A部においては、短冊基板のシールが十分でない部分であり、短冊基板を化学研磨液等に浸漬した場合に、このA部から化学研磨等が内部に侵入する。そうすると、液晶セル1が侵され、液晶セル1は不良となる。
図7は本発明による短冊基板の平面図である。図7において、シール材20で囲まれた領域の外側であって、短冊基板の1辺に形成された封止材30と、各液晶セル1のシール材20との間にストッパー50が形成されている。このストッパー50は、先に説明したように、液晶セル1の表示領域10における柱状スペーサ205と同時に形成される。図7におけるその他の構成は図6と同様である。
図7の構成の製造プロセスとしては、マザーTFT基板1002およびマザー対向基板2002を形成する。図7におけるストッパー50はマザー対向基板2002に形成される。その後、マザー対向基板2002に個々の液晶セル1のためのシール材20、および、短冊状に切り出したときの各短冊に形成されていることになる短冊基板シール材21が形成さる。そして、マザーTFT基板1002とマザー対向基板2002とを貼り合わせる。
このようにして形成されたマザー基板を、液晶セル1を複数個含む短冊基板に分離する。その後、各液晶セル1に形成された封入孔40から複数の液晶セル1に対して同時に液晶を注入する。この時、ストッパー50は液晶がシール材20内部以外に侵入することを防止する役割も持つことになる。
液晶を注入したあと、封止材30を短冊基板の1辺全体にわたって形成する。これによって複数の液晶セル1全体を同時に封止することが出来る。封止材30を短冊基板の1辺全体にわたって形成することによって、この封止材30は、個々の液晶セル1の封止材30としての役割をもつのみでなく、短冊基板を研磨するときの、研磨液に対するシールとしての役割も有することになる。
図7において、封止材30と各液晶セル1のシール材20との間にストッパー50が形成されている。このストッパー50によって封止材30が内部に吸い込まれることを防止する。したがって、図7に示す封止材30には、図6のA部に示すような封止材30の欠陥は生じない。こうして形成された短冊基板を研磨液に浸漬等して、短冊TFT基板1001、および、短冊対向基板2001の外側を研磨して短冊基板を薄くする。尚、短冊TFT基板1001、および、短冊対向基板2001の両方を研磨するのではなく、何れか一方のみを研磨してもよい。
このようにして形成された短冊基板を分離線60によって分離し、液晶セル1が完成する。このように、本発明によれば、短冊基板の状態における封止材30の欠陥が生じないので、短冊基板を研磨する際の研磨液による各液晶セル1の損傷を防止することが出来、製造歩留りを上げることが出来るとともに、各液晶セル1の信頼性を上げることが出来る。
図8および図9は、本発明の第2の実施例を説明する図である。図8および図9は、短冊基板シール材21が3個の液晶セル1全体を囲むのではなく、個々の液晶セル1を囲んでいる点で実施例1と異なる。その分、短冊基板を研磨液に浸漬等したときの不良率の上昇を抑えることが出来る。すなわち、もし、短冊シール材21、あるいは、封止材30に欠陥が生じて研磨液が短冊基板の内部に侵入した場合も、全部の液晶セルが不良になるのではなく、研磨液が侵入した液晶セルのみが不良になる。
図8は本発明のストッパー50を使用しない場合の、短冊基板の平面図である。図8において、封止材30が短冊基板の1辺全体に形成されている。図8においては、短冊基板シール材21が各液晶セル1を囲っているので、各液晶セル1の境界においては、封止材30が吸い込まれることは防止される。しかし、図8に示すように、各液晶セル1のコーナーにおいては、液晶セル1とシール材20との間隔が大きくなっており、この部分で封止材30の吸い込みが生ずる。
そうすると、図8のBに示すような封止材30の欠陥が生ずる。したがって、図8のような短冊基板を研磨液等に浸漬すると研磨液が例えば、中央に位置している液晶セル1に侵入し、この液晶セル1を不良にする。
図9は本発明を用いることによってこのような問題を対策する構成を示す。図9において、シール材20で囲まれた領域の外側であって、短冊基板の1辺に形成された封止材30と各液晶セル1のシール材20との間にストッパー50が形成されている。その他の構成は、図8で説明したのと同様である。図9において、短冊基板シール材21とストッパー50とがオーバーラップしているが、ストッパー50は幅が10μm程度と小さいので、短冊基板シール材21によって容易に乗り越えることが出来る。すなわち、ストッパー50は短冊基板シール材21を塗布する時はすでに固化しているので、短冊基板シール材21を印刷あるいはディスペンサで形成するときに、ストッパー50部分は短冊基板シール材21内に容易に喰い込むことが出来る。
図9に示すように、ストッパー50が形成されていることによって全体にわたって封止材30がTFT基板100と対向基板200との間に吸い込まれる現象を回避することが出来る。したがって、短冊基板を研磨によって薄くする際の、研磨液による各液晶セル1の受けるダメージを防止することが出来、製造歩留りを上げることが出来るとともに、各液晶セル1の信頼性を向上させることが出来る。
図10および図11は本発明の第3の実施例を説明するための図である。実施例1および実施例2においては、液晶は各液晶セル1に設けられた封入孔40から注入される。液晶は比較的粘度が大きいので封入に時間がかかる。また、注入のためには、特別な形状をした封入孔を形成する必要がある。
このような液晶の注入にともなう、封入孔の形成、複雑なプロセス等を回避するために、液晶を滴下する方式が開発されている。この液晶を滴下する方式では、各液晶セル1の対向基板200に形成されたシール材20の内側に、量を正確にコントロールした液晶を滴下する。各液晶セル1に形成されるシール材20は、注入方式の場合と異なり、開口部を持たず、完全に閉じている。
このような液晶セル1においては、液晶を注入するための封入孔は不要である。しかし、短冊基板を研磨する時の封止材30は必要である。本発明においては、TFT基板100および対向基板200の研磨は、マザー基板の状態ではなく、マザー基板から短冊基板に分離した後、行う。
マザー基板から短冊基板に分離する際、短冊基板毎に短冊基板シール材21を形成するよりは、1辺でも短冊基板シール材21を形成していない辺が存在しているほうが、材料歩留りは向上する。したがって、本実施例においては、図10に示すように、短冊基板の1辺には、短冊基板シール材21を設けず、封止材30を形成して封止する。しかし、このような構成の場合も、図10に示すように、各液晶セル1のシール材20と封止材30との間が大きい部分においては、封止材30がTFT基板100と対向基板200との間に吸い込まれる現象が生ずる。
図11はこのような現象を対策した本発明による短冊基板の平面図である。図11において、短冊基板には液晶セル1が3個並列に配置されている。並列に配置された3個の液晶セル1の3方を短冊基板シール材21が囲んでいる。短冊基板の1辺は封止材30によってシールされている。なお、本実施例で液晶の封入孔40を封止するわけではないので、シール材と言っても良いが、他の実施例と用語を合わせて封止材30という。封止材30と各液晶セル1のシール材20との間には、ストッパー50が形成されている。本実施例におけるストッパー50は、線状に連続している。本実施例におけるストッパー50も実施例1あるいは実施例2におけるストッパー50も表示領域10内の柱状スペーサ205と同時に形成されるので、ストッパー50の形状によってプロセス、あるいは材料費等が上昇することは無い。
図11に示すように、ストッパー50を形成することによって、封止材30の吸い込みは防止され、封止材30の欠陥は無くすことが出来る。したがって、短冊基板を研磨する際の研磨液の侵入等を防止することが出来、製造歩留りを向上させることが出来るとともに、各液晶セル1の信頼性を向上させることが出来る。
図12は実施例3によって形成された液晶セル1の平面図である。図12において、液晶セル1の短辺側には封止材30が形成されている。この封止材30は先に説明したように、短冊基板を研磨によって薄くする際、研磨液が短冊基板の内部に侵入することを防ぐためのものである。場合によっては、短冊基板から個々の液晶セル1を分離する際、この封止材30を除去してもよい。この場合、ストッパー50は幅が10μmなので、除去する必要は無いが、封止材30を除去する際に、同時に除去しても良い。
実施例3においては、各液晶セル1の間には短冊基板シール材21は形成されていない。ただし、実施例3のような、滴下方式の場合においても、実施例2に示すように、各液晶セル1の間にも短冊基板シール材21を形成することが出来る。この場合は、万一、シールに不良が出て、研磨液が短冊基板の内部に侵入するようなことがあっても、全部の液晶セル1が不良となるのではなく、研磨液が侵入した液晶セル1のみが不良となる。したがって、製造歩留りを向上させることが出来るが、マザー基板の材料歩留りは低下する。
以上の実施例1〜実施例3までは、図4に示すように、液晶セル1の表示領域10には、有機パッシベーション膜108が形成されている。しかし、品種によっては有機パッシベーション膜108が形成されておらず、図4における無機パッシベーション膜107だけが形成されている場合もある。しかし、この場合も、本発明を問題なく適用することが出来る。この場合は、表示領域10内には、有機パッシベーション膜108が形成されていないので、ストッパー50の下には有機パッシベーション膜108と同じプロセスで形成された台座は必要ない。
また、以上の説明は、TFTがいわゆるボトムゲートの場合について説明したが、TFTがいわゆるトップゲートである場合も本発明は問題なく適用することが出来る。TFTの種類には関係なく、TFT基板100と対向基板200との間隔を規定する柱状スペーサ205は形成され、ストッパー50は柱状スペーサ205と同じプロセスで形成出来るからである。
1…液晶セル、 10…表示領域、 20…シール材、 21…短冊基板シール材、 22…マザー基板シール材、 30…封止材、 40…封入孔、 50…ストッパー、 60…分離線、 70…ICドライバ、 100…TFT基板、 101…ゲート電極、 102…ゲート絶縁膜、 103…半導体層、 104…n+Si層、 105…ソース電極、 106…ドレイン電極、 107…無機パッシベーション膜、 108…有機パッシベーション膜、 109…チャネルエッチング領域、 110…画素電極、 111…配向膜、 113…コンタクトホール、 150…端子部、 200…対向基板、 201…カラーフィルタ、 202…ブラックマトリクス、 203…オーバーコート膜、 204…対向電極、 205…柱状スペーサ、 300…液晶層、 1001…短冊TFT基板、 1002…マザーTFT基板、 2001…短冊対向基板、 2002…マザー対向基板。
Claims (11)
- 画素電極とTFTとを含む画素がマトリクス状に形成されたTFT基板と、前記TFT基板に対向して配置された対向基板と、前記TFT基板と前記対向基板とを貼り合わせるシール材とを有する液晶セルを有する液晶表示装置であって、
前記液晶セルの1辺において、前記シール材は液晶を封入するための封入孔を有し、前記封入孔が形成された前記液晶セルの前記1辺に沿って封止材が形成され、前記シール材で囲まれた領域の外側において、前記封止材と前記シール材との間には、前記封止材が前記液晶セルの内側に侵入することを防止するストッパーが、前記封入孔が形成された前記液晶セルの前記1辺と平行に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記液晶セルは、前記シール材で囲まれた内部に画像を表示する表示領域を有し、前記表示領域には、前記TFT基板と前記対向基板との間隔を規定する柱状スペーサが形成され、
前記ストッパーは前記柱状スペーサと同じ材料で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。 - 前記ストッパーと前記柱状スペーサは同じ高さであることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置。
- 前記封入孔は、前記液晶セルの短辺側に形成されており、前記封止材は前記短辺全体に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記液晶セルの前記シール材で囲まれた内部に前記液晶が封入された後、前記TFT基板と前記対向基板とのうち少なくとも一方の外側が研磨されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 画素電極とTFTとを含む画素がマトリクス状に形成されたTFT基板と、前記TFT基板に対向して配置された対向基板と、前記TFT基板と前記対向基板とを貼り合わせるシール材とを有する液晶セルを有する液晶表示装置であって、
前記シール材は、全周が閉じたループとなっており、前記液晶セルの1辺において、前記液晶セルの端部には封止材が形成され、前記シール材で囲まれた領域の外側において、前記封止材と前記シール材との間には、前記封止材が前記液晶セルの内側へ侵入することを防止するストッパーが形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記液晶セルは、前記シール材で囲まれた内部に画像を表示する表示領域を有し、前記表示領域には、前記TFT基板と前記対向基板との間隔を規定する柱状スペーサが形成され、
前記ストッパーは前記柱状スペーサと同じ材料で形成されていることを特徴とする請求項6に記載の液晶表示装置。 - 前記液晶セルに前記封止材が形成された後、前記TFT基板と前記対向基板とのうち少なくとも一方の外側が研磨されていることを特徴とする請求項6に記載の液晶表示装置。
- 画素電極とTFTとを含む画素がマトリクス状に形成されたTFT基板と、前記TFT基板に対向して配置された対向基板と、前記TFT基板と前記対向基板とを貼り合わせるシール材とを有する液晶セルを有する液晶表示装置であって、
前記液晶セルは画像が形成される表示領域を有し、前記表示領域において、前記TFT基板には前記TFTを保護する有機パッシベーション膜が形成され、前記対向基板には前記TFT基板と前記対向基板との間隔を規定するための柱状スペーサが形成され、
前記液晶セルの1辺の端部に封止材を有し、前記シール材で囲まれた領域の外側において、前記封止材と前記シール材との間に、前記封止材が前記液晶セルの内側に侵入することを防止するストッパーが、前記封止材が配置された前記液晶セルの前記1辺と平行に、前記対向基板に形成されており、前記対向基板の前記ストッパーに対向する領域において、前記TFT基板側には、前記有機パッシベーション膜と同じ膜が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記柱状スペーサと前記ストッパーとは同一のプロセスで形成されていることを特徴とする請求項9に記載の液晶表示装置。
- 前記液晶セルに前記封止材が形成された後、前記TFT基板と前記対向基板とのうち少なくとも一方の外側が研磨されていることを特徴とする請求項9に記載の液晶表示装置。
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