JP2009218871A - 電圧制御発振器 - Google Patents
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Abstract
【課題】定電流源が有する雑音、電流の増幅及び折り返しのために使用するカレントミラー回路で発生するトランジスタのショット雑音並びにフリッカー雑音の影響を排除することができる共振型の電圧制御発振器を得る。
【解決手段】可変抵抗制御回路12の第1制御回路部21で生成された第1制御信号SR[n−1:0]を可変抵抗7に出力すると共に、可変抵抗制御回路12の第2制御回路部22で生成された第2制御信号DR[m−1:0]を可変抵抗8に出力することにより、発振回路11は、定電流源を有することなく消費電流が一定になり、所望の動作点を得ることができ、定電流源が有する雑音、電流の増幅及び折り返しのために使用するカレントミラー回路で発生するトランジスタのショット雑音並びにフリッカー雑音の影響を排除することができるようにした。
【選択図】図1
【解決手段】可変抵抗制御回路12の第1制御回路部21で生成された第1制御信号SR[n−1:0]を可変抵抗7に出力すると共に、可変抵抗制御回路12の第2制御回路部22で生成された第2制御信号DR[m−1:0]を可変抵抗8に出力することにより、発振回路11は、定電流源を有することなく消費電流が一定になり、所望の動作点を得ることができ、定電流源が有する雑音、電流の増幅及び折り返しのために使用するカレントミラー回路で発生するトランジスタのショット雑音並びにフリッカー雑音の影響を排除することができるようにした。
【選択図】図1
Description
本発明は、CMOSアナログ回路のうちインダクタと可変容量と負性抵抗によって共振回路を構成する電圧制御発振器に関する。
CMOSプロセスを使用した共振型の電圧制御発振器では、素子の構成要素としてスパイラルインダクタを、可変容量としてバラクタ(可変容量ダイオード)を、負性抵抗としてトランジスタをそれぞれ使用するのが一般的である。しかしこれらの素子の各特性にはバラツキがあるため、安定した発振動作が行われるようにするためには、各素子のバラツキに対してマージンが必要になっていた。例えば、共振回路の寄生抵抗等から発生する等価並列抵抗に対して、前記負性抵抗がそれを十分に打ち消す値でない場合には安定した発振動作が難しくなる。このようなことから、前記負性抵抗の値をある程度安定させるためには定電流源による電流供給を行うのが一般的であった。
このような定電流を供給する方法としては、発振回路の電源側にPchトランジスタで定電流を供給する方法と、発振回路の接地電圧GND側にNchトランジスタで定電流を供給する方法があった。このような各方法では、電流制御用のトランジスタのゲート電圧は、定電流源からカレントミラー回路で折り返し、トランジスタサイズの相対比の電流を発生させていた。
また、もう1つの電圧制御発振器の重要な特性として位相雑音特性がある。
該位相雑音特性を改善させるために様々なアプローチがなされており、例えば、共振回路と電源との間にPchトランジスタで定電流を発生させ、該共振回路と該Pchトランジスタとの間に抵抗を付加することで、発振動作に伴う偶数次の高調波が電流源へ逆戻りし、位相雑音が悪化するのを防いでいた(例えば、特許文献1参照。)。
また、もう1つの電圧制御発振器の重要な特性として位相雑音特性がある。
該位相雑音特性を改善させるために様々なアプローチがなされており、例えば、共振回路と電源との間にPchトランジスタで定電流を発生させ、該共振回路と該Pchトランジスタとの間に抵抗を付加することで、発振動作に伴う偶数次の高調波が電流源へ逆戻りし、位相雑音が悪化するのを防いでいた(例えば、特許文献1参照。)。
また、他の方法として、例えば、共振回路と接地電圧との間にNchトランジスタで定電流を発生させ、起動時に定電流源からカレントミラー回路で生成されるゲート電圧を容量で保持し、定常状態ではカレントミラー回路から切り離すことで、定電流源の雑音とカレントミラー回路のトランジスタの雑音の影響を排除していた(例えば、特許文献2参照。)。
特開2006−245774号公報
特開2007−189591号公報
CMOSプロセスを使用した共振型の電圧制御発振器において、共振回路の電流を制御する手段としては、従来技術にあるように定電流源から、トランジスタでカレントミラー回路を構成している共振回路に定電流を供給する方法が用いられていた。しかしこのような方法の場合、カレントミラー回路のトランジスタで生じるショット雑音とフリッカー雑音が共振回路に抽入され、位相雑音を悪化させるという回路的な問題を有していた。このような問題を改善するためには、トランジスタのゲート長Lを大きくする必要があり、レイアウト面積の拡大を招き、前記問題の改善にも限界があった。
また、フリッカー雑音は1/fに比例して雑音が大きくなるため、数百MHz以下では抵抗の熱雑音よりも大きくなる傾向にあった。更に、定電流源の回路自体においても、トランジスタを含めて多くの素子で構成されており、帰還動作によりある程度の改善を期待することができるが、カレントミラー回路で電流をX倍に増幅するのと同時に雑音もX倍に増幅されるため、このような雑音は無視することができなかった。このように、定電流源から電流を供給することにより、発振器として安定した動作を行うことができ、消費電流の制御も可能となるが、位相雑音特性を改善させることができないという問題があった。
本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、発振回路の電流制御に定電流源を使用しないようにして、該定電流源が有する雑音、電流の増幅及び折り返しのために使用するカレントミラー回路で発生するトランジスタのショット雑音並びにフリッカー雑音の影響を排除することができる共振型の電圧制御発振器を得ることを目的とする。
この発明に係る電圧制御発振器は、入力電圧に応じた周波数の信号を生成して出力する共振型の電圧制御発振器において、
2つのインダクタンスが直列に接続された構成をなすインダクタ部と、
該インダクタ部に並列に接続された可変容量部と、
前記インダクタ部に並列に接続された負性抵抗をなす負性抵抗部と、
入力された第1制御信号に応じた抵抗値をなす、前記負性抵抗部における各抵抗の接続部と負側電源電圧との間に接続された第1可変抵抗と、
入力された第2制御信号に応じた抵抗値をなす、正側電源電圧と前記各インダクタンスの接続部との間に接続された第2可変抵抗と、
前記第1制御信号及び第2制御信号を生成して出力し、前記第1可変抵抗及び第2可変抵抗の各抵抗値の制御を行う可変抵抗制御回路部と、
を備え、
前記可変抵抗制御回路部は、前記第1可変抵抗及び第2可変抵抗の各抵抗値を制御することにより、前記インダクタ部、可変容量部及び負性抵抗部に流れる電流を所望の電流値に制御するものである。
2つのインダクタンスが直列に接続された構成をなすインダクタ部と、
該インダクタ部に並列に接続された可変容量部と、
前記インダクタ部に並列に接続された負性抵抗をなす負性抵抗部と、
入力された第1制御信号に応じた抵抗値をなす、前記負性抵抗部における各抵抗の接続部と負側電源電圧との間に接続された第1可変抵抗と、
入力された第2制御信号に応じた抵抗値をなす、正側電源電圧と前記各インダクタンスの接続部との間に接続された第2可変抵抗と、
前記第1制御信号及び第2制御信号を生成して出力し、前記第1可変抵抗及び第2可変抵抗の各抵抗値の制御を行う可変抵抗制御回路部と、
を備え、
前記可変抵抗制御回路部は、前記第1可変抵抗及び第2可変抵抗の各抵抗値を制御することにより、前記インダクタ部、可変容量部及び負性抵抗部に流れる電流を所望の電流値に制御するものである。
具体的には、前記インダクタ部は3端子インダクタからなり、前記第2可変抵抗は、前記正側電源電圧と該3端子インダクタの中間点との間に接続されるようにした。
また、前記インダクタ部は直列に接続された2つのインダクタからなり、前記第2可変抵抗は、前記正側電源電圧と該各インダクタの接続部との間に接続されるようにしてもよい。
また、前記負性抵抗部は、クロスカップルされた同一導電型のユニポーラトランジスタである第1トランジスタ及び第2トランジスタで構成されるようにした。
また、前記可変抵抗制御回路部は、
前記第1制御信号を生成して出力する第1制御回路部と、
前記第2制御信号を生成して出力する第2制御回路部と、
を備え、
前記第1制御回路部は、
前記負性抵抗部の総抵抗値と同等の抵抗値の抵抗を形成する第1参照トランジスタと、
前記正側電源電圧と該第1参照トランジスタの電流入力端との間に接続され、該第1参照トランジスタに所定の定電流を供給する定電流源と、
前記第1参照トランジスタの電流出力端と前記負側電源電圧との間に接続された第3可変抵抗と、
前記定電流源と前記第1参照トランジスタとの接続部の電圧が、所定の基準電圧になるように前記第3可変抵抗の抵抗値を制御する第1抵抗制御回路と、
を備え、
前記第1抵抗制御回路から前記第3可変抵抗に出力される制御信号は、前記第1制御信号をなすようにした。
前記第1制御信号を生成して出力する第1制御回路部と、
前記第2制御信号を生成して出力する第2制御回路部と、
を備え、
前記第1制御回路部は、
前記負性抵抗部の総抵抗値と同等の抵抗値の抵抗を形成する第1参照トランジスタと、
前記正側電源電圧と該第1参照トランジスタの電流入力端との間に接続され、該第1参照トランジスタに所定の定電流を供給する定電流源と、
前記第1参照トランジスタの電流出力端と前記負側電源電圧との間に接続された第3可変抵抗と、
前記定電流源と前記第1参照トランジスタとの接続部の電圧が、所定の基準電圧になるように前記第3可変抵抗の抵抗値を制御する第1抵抗制御回路と、
を備え、
前記第1抵抗制御回路から前記第3可変抵抗に出力される制御信号は、前記第1制御信号をなすようにした。
この場合、前記第1参照トランジスタは、前記第1トランジスタや第2トランジスタと同じ導電型のユニポーラトランジスタであり、前記第1トランジスタと第2トランジスタの各トランジスタサイズを加えたトランジスタサイズをなすようにした。
また、前記第1参照トランジスタは、前記第1トランジスタや第2トランジスタと同じ導電型のユニポーラトランジスタであり、前記第1トランジスタと第2トランジスタの各トランジスタサイズを加えて更に1/X(Xは実数)倍したトランジスタサイズをなし、これに伴って、前記定電流源から出力される定電流値を1/X倍にすると共に前記第3可変抵抗の抵抗値をX倍にするようにしてもよい。
また具体的には、前記第2制御回路部は、
前記負性抵抗部の総抵抗値と同等の抵抗値の抵抗を形成する第2参照トランジスタと、
前記正側電源電圧と該第2参照トランジスタの電流入力端との間に接続された第4可変抵抗と、
前記第1制御信号に応じた抵抗値をなす、前記第2参照トランジスタの電流出力端と前記負側電源電圧との間に接続された第5可変抵抗と、
前記第4可変抵抗と前記第2参照トランジスタとの接続部の電圧が、前記所定の基準電圧になるように前記第4可変抵抗の抵抗値を制御する第2抵抗制御回路と、
を備え、
前記第2抵抗制御回路から前記第4可変抵抗に出力される制御信号は、前記第2制御信号をなすようにした。
前記負性抵抗部の総抵抗値と同等の抵抗値の抵抗を形成する第2参照トランジスタと、
前記正側電源電圧と該第2参照トランジスタの電流入力端との間に接続された第4可変抵抗と、
前記第1制御信号に応じた抵抗値をなす、前記第2参照トランジスタの電流出力端と前記負側電源電圧との間に接続された第5可変抵抗と、
前記第4可変抵抗と前記第2参照トランジスタとの接続部の電圧が、前記所定の基準電圧になるように前記第4可変抵抗の抵抗値を制御する第2抵抗制御回路と、
を備え、
前記第2抵抗制御回路から前記第4可変抵抗に出力される制御信号は、前記第2制御信号をなすようにした。
この場合、前記第2参照トランジスタは、前記第1トランジスタや第2トランジスタと同じ導電型のユニポーラトランジスタであり、前記第1トランジスタと第2トランジスタの各トランジスタサイズを加えたトランジスタサイズをなすようにした。
また、前記第2参照トランジスタは、前記第1トランジスタや第2トランジスタと同じ導電型のユニポーラトランジスタであり、前記第1トランジスタと第2トランジスタの各トランジスタサイズを加えて更に1/X(Xは実数)倍したトランジスタサイズをなし、これに伴って前記第4可変抵抗及び第5可変抵抗の各抵抗値をそれぞれX倍にするようにししてもよい。
また、前記可変抵抗制御回路部は、
前記負性抵抗部の総抵抗値と同等の抵抗値の抵抗を形成する参照トランジスタと、
電流入力端が正側電源電圧に接続され、所定の定電流を生成して出力する定電流源と、
一端が前記正側電源電圧に接続された第6可変抵抗と、
外部から入力された制御信号に応じて、前記定電流源の電流出力端又は該第6可変抵抗の他端の何れか一方を前記参照トランジスタの電流入力端に接続する切換回路と、
前記参照トランジスタの電流出力端と前記負側電源電圧との間に接続された第7可変抵抗と、
前記参照トランジスタの電流入力端の電圧が、所定の基準電圧になるように前記第6可変抵抗及び第7可変抵抗の各抵抗値を制御する抵抗制御回路と、
を備え、
前記抵抗制御回路から前記第7可変抵抗に出力される制御信号は、前記第1制御信号をなし、前記抵抗制御回路から前記第6可変抵抗に出力される制御信号は、前記第2制御信号をなすようにした。
前記負性抵抗部の総抵抗値と同等の抵抗値の抵抗を形成する参照トランジスタと、
電流入力端が正側電源電圧に接続され、所定の定電流を生成して出力する定電流源と、
一端が前記正側電源電圧に接続された第6可変抵抗と、
外部から入力された制御信号に応じて、前記定電流源の電流出力端又は該第6可変抵抗の他端の何れか一方を前記参照トランジスタの電流入力端に接続する切換回路と、
前記参照トランジスタの電流出力端と前記負側電源電圧との間に接続された第7可変抵抗と、
前記参照トランジスタの電流入力端の電圧が、所定の基準電圧になるように前記第6可変抵抗及び第7可変抵抗の各抵抗値を制御する抵抗制御回路と、
を備え、
前記抵抗制御回路から前記第7可変抵抗に出力される制御信号は、前記第1制御信号をなし、前記抵抗制御回路から前記第6可変抵抗に出力される制御信号は、前記第2制御信号をなすようにした。
この場合、前記参照トランジスタは、前記第1トランジスタや第2トランジスタと同じ導電型のユニポーラトランジスタであり、前記第1トランジスタと第2トランジスタの各トランジスタサイズを加えたトランジスタサイズをなすようにした。
また、前記参照トランジスタは、前記第1トランジスタや第2トランジスタと同じ導電型のユニポーラトランジスタであり、前記第1トランジスタと第2トランジスタの各トランジスタサイズを加えて更に1/X(Xは実数)倍したトランジスタサイズをなし、これに伴って前記第6可変抵抗及び第7可変抵抗の各抵抗値をそれぞれX倍にするようにしてもよい。
また、前記第1可変抵抗及び第2可変抵抗は、前記可変抵抗制御回路部から対応して入力された第1制御信号及び第2制御信号に応じて、抵抗値が無限大になって遮断状態になり、前記可変抵抗制御回路部は、前記第1可変抵抗及び/又は第2可変抵抗を該遮断状態にして低消費電流動作を行わせるようにしてもよい。
また、前記可変抵抗制御回路部を構成する各可変抵抗は、入力された制御信号に応じて、抵抗値が無限大になって遮断状態になり、前記可変抵抗制御回路部は、前記各可変抵抗を該遮断状態にして低消費電流動作を行うようにしてもよい。
本発明の電圧制御発振器によれば、前記インダクタ部、可変容量部及び負性抵抗部で構成された発振回路に流れる電流の制御を定電流源を使用せずに可変抵抗を使用して実現したことから、該定電流源が有する雑音、電流の増幅及び折り返しのために使用するカレントミラー回路で発生するトランジスタのショット雑音及びフリッカー雑音の影響を排除することができ、定電流源を使用した場合よりも優れた位相雑音特性を得ることができる。
また、可変抵抗を使用して、前記インダクタ部、可変容量部及び負性抵抗部で構成された発振回路に流れる電流の制御を行うことで、該可変抵抗の代わりに固定抵抗を使用した従来よりも、各プロセスパラメータ、温度及び電源電圧の変動に対しても安定した動作を行うことができる。
次に、図面に示す実施の形態に基づいて、本発明を詳細に説明する。
第1の実施の形態.
図1は、本発明の第1の実施の形態における電圧制御発振器の構成例を示した図である。
図1において、電圧制御発振器1は、インダクタ2、可変容量ダイオードであるバラクタ3,4、負性抵抗としてクロスカップルされたNMOSトランジスタ5,6及び可変抵抗7,8で構成された発振回路11と、可変抵抗7及び8の各抵抗値の制御を行う可変抵抗制御回路12とを備えている。
第1の実施の形態.
図1は、本発明の第1の実施の形態における電圧制御発振器の構成例を示した図である。
図1において、電圧制御発振器1は、インダクタ2、可変容量ダイオードであるバラクタ3,4、負性抵抗としてクロスカップルされたNMOSトランジスタ5,6及び可変抵抗7,8で構成された発振回路11と、可変抵抗7及び8の各抵抗値の制御を行う可変抵抗制御回路12とを備えている。
なお、インダクタ2はインダクタ部を、バラクタ3及び4は可変容量部を、NMOSトランジスタ5及び6は負性抵抗部をそれぞれなし、可変抵抗7は第1可変抵抗を、可変抵抗8は第2可変抵抗を、可変抵抗制御回路12は可変抵抗制御回路部をそれぞれなす。また、NMOSトランジスタ5は第1トランジスタを、NMOSトランジスタ6は第2トランジスタをそれぞれなす。
可変抵抗8は、正側電源電圧をなす電源電圧Vddとインダクタ2の中間点との間に接続され、可変抵抗制御回路12からのm(mは、m>0の整数)ビットの第2制御信号DR[m−1:0]に応じて抵抗値が可変する。インダクタ2の一端はNMOSトランジスタ5のドレインに接続され、インダクタ2の他端はNMOSトランジスタ6のドレインに接続されている。NMOSトランジスタ5及び6の各ソースは接続され、該接続部と負側電源電圧をなす接地電圧との間に可変抵抗7が接続されている。可変抵抗7は、可変抵抗制御回路12からのn(nは、n>0の整数)ビットの第1制御信号SR[n−1:0]に応じて抵抗値が可変する。
NMOSトランジスタ5のゲートはNMOSトランジスタ6のドレインに接続され、該接続部が出力端OUTをなしている。同様に、NMOSトランジスタ6のゲートはNMOSトランジスタ5のドレインに接続され、該接続部が出力端OUTBをなしている。バラクタ3のカソード側端部が、インダクタ2とNMOSトランジスタ5との接続部に接続されると共に、バラクタ4のカソード側端部が、インダクタ2とNMOSトランジスタ6との接続部に接続され、バラクタ3及び4の各アノード側端部が接続され、該接続部には制御電圧VTが外部から入力されている。
なお、図1では、インダクタ2が3端子インダクタである場合を例にして示しているが、インダクタ2の代わりに2端子のインダクタを2つ直列に接続して使用するようにしてもよい。また、すべてのバラクタ3,4に制御電圧VTを入力する必要はなく、バラクタ3及び4に並列にMIM容量等の固定容量を接続するようにしてもよい。
なお、図1では、インダクタ2が3端子インダクタである場合を例にして示しているが、インダクタ2の代わりに2端子のインダクタを2つ直列に接続して使用するようにしてもよい。また、すべてのバラクタ3,4に制御電圧VTを入力する必要はなく、バラクタ3及び4に並列にMIM容量等の固定容量を接続するようにしてもよい。
図2は、図1の可変抵抗7の回路例を示した図であり、図3は図1の可変抵抗8の回路例を示した図である。
図2において、可変抵抗7は、n個の抵抗RA(0)〜RA(n−1)とn個のNMOSトランジスタN(0)〜N(n−1)で構成されており、NMOSトランジスタN(0)〜N(n−1)の各ドレインに抵抗RA(0)〜RA(n−1)が対応して直列に接続され、該各直列回路がNMOSトランジスタ5及び6の各ソースの接続部と接地電圧との間に並列に接続されている。また、NMOSトランジスタN(0)〜N(n−1)の各ゲートには、可変抵抗制御回路12からの第1制御信号SR[n−1:0]の各ビット信号SR[0]〜SR[n−1]が対応して入力されている。
図2において、可変抵抗7は、n個の抵抗RA(0)〜RA(n−1)とn個のNMOSトランジスタN(0)〜N(n−1)で構成されており、NMOSトランジスタN(0)〜N(n−1)の各ドレインに抵抗RA(0)〜RA(n−1)が対応して直列に接続され、該各直列回路がNMOSトランジスタ5及び6の各ソースの接続部と接地電圧との間に並列に接続されている。また、NMOSトランジスタN(0)〜N(n−1)の各ゲートには、可変抵抗制御回路12からの第1制御信号SR[n−1:0]の各ビット信号SR[0]〜SR[n−1]が対応して入力されている。
なお、NMOSトランジスタN(0)〜N(n−1)のトランジスタサイズは、オン抵抗が小さくなるようにゲート幅W/ゲート長Lのサイズを大きくすることが望ましい。また、抵抗RA(0)〜RA(n−1)の各抵抗値は、NMOSトランジスタN(0)〜N(n−1)のオン抵抗を考慮して決められる。例えば、2の累乗の比率で抵抗RA(0)〜RA(n−1)の各抵抗値に重み付けを行い、並列に接続される抵抗の数に応じた分解能で可変抵抗7の抵抗値を調整できるようにする。
また、図3において、可変抵抗8は、m個の抵抗RB(0)〜RB(m−1)とm個のPMOSトランジスタP(0)〜P(m−1)で構成されており、PMOSトランジスタP(0)〜P(m−1)の各ドレインに抵抗RB(0)〜RB(m−1)が対応して直列に接続され、該各直列回路が電源電圧Vddとインダクタ2の中間点との間に並列に接続されている。また、PMOSトランジスタP(0)〜P(m−1)の各ゲートには、可変抵抗制御回路12からの第2制御信号DR[m−1:0]の各ビット信号DR[0]〜DR[m−1]が対応して入力されている。
可変抵抗8においても、可変抵抗7の場合と同様に、PMOSトランジスタP(0)〜P(m−1)のサイズは、オン抵抗が小さくなるようにゲート幅W/ゲート長Lのサイズを大きくすることが望ましい。また、抵抗RB(0)〜RB(m−1)の各抵抗値は、PMOSトランジスタP(0)〜P(m−1)のオン抵抗を考慮して決められる。例えば、2の累乗の比率で抵抗RB(0)〜RB(n−1)の各抵抗値に重み付けを行い、並列に接続される抵抗の数に応じた分解能で可変抵抗8の抵抗値を調整できるようにする。
図2及び図3において、可変抵抗制御回路12は、第1制御信号SR[n−1:0]を使用してNMOSトランジスタN(0)〜N(n−1)を選択的にオンさせて導通状態にし可変抵抗7の抵抗値の制御を行うと共に、第2制御信号DR[m−1:0]を使用してPMOSトランジスタP(0)〜P(m−1)を選択的にオンさせて導通状態にし可変抵抗8の抵抗値の制御を行う。
次に、図4は、図1の可変抵抗制御回路12の回路例を示した図である。
図4において、可変抵抗制御回路12は、可変抵抗7の制御を行う第1制御回路部21と、可変抵抗8の制御を行う第2制御回路部22とを備えている。第1制御回路部21は、定電流源31、NMOSトランジスタ32、可変抵抗33、コンパレータ34及び第1判定回路35で構成され、第2制御回路部22は、可変抵抗41,43、NMOSトランジスタ42、コンパレータ44及び第2判定回路45で構成されている。
次に、図4は、図1の可変抵抗制御回路12の回路例を示した図である。
図4において、可変抵抗制御回路12は、可変抵抗7の制御を行う第1制御回路部21と、可変抵抗8の制御を行う第2制御回路部22とを備えている。第1制御回路部21は、定電流源31、NMOSトランジスタ32、可変抵抗33、コンパレータ34及び第1判定回路35で構成され、第2制御回路部22は、可変抵抗41,43、NMOSトランジスタ42、コンパレータ44及び第2判定回路45で構成されている。
なお、NMOSトランジスタ32は第1参照トランジスタを、可変抵抗33は第3可変抵抗を、コンパレータ34及び第1判定回路35は第1抵抗制御回路をそれぞれなす。また、可変抵抗41は第4可変抵抗を、NMOSトランジスタ42は第2参照トランジスタを、可変抵抗43は第5可変抵抗を、コンパレータ44及び第2判定回路45は第2抵抗制御回路をそれぞれなす。
第1制御回路部21において、電源電圧VddとNMOSトランジスタ32のドレインとの間に定電流源31が接続され、NMOSトランジスタ32のソースと接地電圧との間に可変抵抗33が接続されている。NMOSトランジスタ32のゲートはNMOSトランジスタ32のドレインに接続され、該接続部はコンパレータ34の非反転入力端に接続されている。コンパレータ34の反転入力端には所定の基準電圧VCMが入力されている。コンパレータ34は、電圧比較結果を示す信号を生成して第1判定回路35に出力し、第1判定回路35は、コンパレータ34から入力された信号に基づいて、NMOSトランジスタN(0)〜N(n−1)がすべてオフすることなく、NMOSトランジスタN(0)〜N(n−1)の少なくとも何れか1つがオンするように第1制御信号SR[n−1:0]を生成して出力する。可変抵抗33は、第1制御信号SR[n−1:0]に応じた抵抗値をなす。
第2制御回路部22において、電源電圧VddとNMOSトランジスタ42のドレインとの間に可変抵抗41が接続され、NMOSトランジスタ42のソースと接地電圧との間に可変抵抗43が接続されている。NMOSトランジスタ42のゲートはNMOSトランジスタ42のドレインに接続され、該接続部はコンパレータ44の非反転入力端に接続されている。コンパレータ44の反転入力端には基準電圧VCMが入力されている。コンパレータ44は、電圧比較結果を示す信号を生成して第2判定回路45に出力し、第2判定回路45は、コンパレータ44から入力された信号に基づいて、PMOSトランジスタP(0)〜P(m−1)がすべてオフすることなく、PMOSトランジスタP(0)〜P(m−1)の少なくとも何れか1つがオンするように第2制御信号DR[m−1:0]を生成して出力する。また、可変抵抗41は、第2制御信号DR[m−1:0]に応じた抵抗値をなし、可変抵抗43は、第1判定回路35で生成し出力された第1制御信号SR[n−1:0]に応じた抵抗値をなす。
このような構成において、第1制御回路部21では、定電流源31は、例えばPMOSトランジスタによるカレントミラー回路で構成されており、NMOSトランジスタ32に流れる電流値が、最終的に図1の発振回路11の消費電流になることから、このことを前提にした所望の電流が定電流源31から出力される必要がある。NMOSトランジスタ32のトランジスタサイズは、図1のNMOSトランジスタ5及び6を合わせたトランジスタサイズと同じであり、可変抵抗33は図1の可変抵抗7と同じものである。また、十分な発振振幅と位相雑音が得られるように基準電圧VCMの電圧を配慮すべきであり、NMOSトランジスタ32のしきい値電圧VTHのバラツキを可変抵抗33で吸収する必要があるため、例えば基準電圧VCMを、ある程度高い電圧、例えば、電源電圧Vddの1/2弱の定電圧にするとよい。第1判定回路35は、コンパレータ34によるNMOSトランジスタ32のドレイン電圧Vd1と基準電圧VCMとの電圧比較結果を基にして、最適な可変抵抗7の抵抗値が得られるように第1制御信号SR[n−1:0]を生成して出力する。
図5は、n=5のときの可変抵抗7の抵抗値の変化の例を示した図である。なお、図5では、図2の回路において、抵抗RA(0)とNMOSトランジスタN(0)の直列回路に並列に、最上位ビットの抵抗値(最も小さな抵抗値)と同じ抵抗値の抵抗を接続してオフセットを持たせた場合を例にして示しており、第1制御信号SR[4:0]を00hからインクリメントして変化させたときの可変抵抗7の抵抗値の変化を示している。
図5において、縦軸は可変抵抗7の合成抵抗値を、横軸は2進数の第1制御信号SR[4:0]の変化を10進数で示しており、可変抵抗7の合成抵抗値は32段階の単調減少の特性を示していることが分かる。
図5において、縦軸は可変抵抗7の合成抵抗値を、横軸は2進数の第1制御信号SR[4:0]の変化を10進数で示しており、可変抵抗7の合成抵抗値は32段階の単調減少の特性を示していることが分かる。
図6は、n=5のときの図4の第1制御回路部21の動作例を示した図である。
図6において、第1判定回路35は、第1制御信号SR[4:0]を00hからインクリメントしていき、NMOSトランジスタ32のドレイン電圧Vd1が基準電圧VCMよりも小さくなるときをコンパレータ34の出力信号から検出し、このときの第1制御信号SR[4:0]を保持する。
図6において、第1判定回路35は、第1制御信号SR[4:0]を00hからインクリメントしていき、NMOSトランジスタ32のドレイン電圧Vd1が基準電圧VCMよりも小さくなるときをコンパレータ34の出力信号から検出し、このときの第1制御信号SR[4:0]を保持する。
次に、第2制御回路部22において、第1制御回路部21との相違点は、定電流源31を可変抵抗41に変えたことにあり、その他は、第1制御回路部21と同様である。NMOSトランジスタ42のトランジスタサイズは、図1のNMOSトランジスタ5及び6を合わせたトランジスタサイズと同じであり、可変抵抗41は図1の可変抵抗8と同じものであり、可変抵抗43は図1の可変抵抗7と同じものである。第2判定回路45は、コンパレータ44によるNMOSトランジスタ42のドレイン電圧Vd2と基準電圧VCMとの電圧比較結果を基にして、最適な可変抵抗8の抵抗値が得られるように第2制御信号DR[m−1:0]を生成して出力する。
一方、m=5のときの可変抵抗8の抵抗値の変化の例を示した図は、抵抗RA(0)とPMOSトランジスタP(0)の直列回路に並列に、最上位ビットの抵抗値(最も小さな抵抗値)と同じ抵抗値の抵抗を接続してオフセットを持たせた場合において、制御信号DR[4:0]の各ビット信号を、制御信号SR[4:0]の各ビット信号の信号レベルをそれぞれ反転させたときに図5と同様の特性になる。
図7は、m=5のときの図4の第2制御回路部22の動作例を示した図である。
図7において、第2判定回路45は、第2制御信号DR[4:0]を00hからインクリメントしていき、NMOSトランジスタ42のドレイン電圧Vd2が基準電圧VCMよりも大きくなるときをコンパレータ44の出力信号から検出し、このときの第2制御信号SR[4:0]を保持する。このとき、可変抵抗43には、第1判定回路35で保持された制御信号SR[4:0]が入力されている。
図7は、m=5のときの図4の第2制御回路部22の動作例を示した図である。
図7において、第2判定回路45は、第2制御信号DR[4:0]を00hからインクリメントしていき、NMOSトランジスタ42のドレイン電圧Vd2が基準電圧VCMよりも大きくなるときをコンパレータ44の出力信号から検出し、このときの第2制御信号SR[4:0]を保持する。このとき、可変抵抗43には、第1判定回路35で保持された制御信号SR[4:0]が入力されている。
ここで、発振回路11と、第1制御回路部21及び第2制御回路部22との間に消費電流値にX:1の比を設け、可変抵抗制御回路12で消費される電流を少なくするようにしてもよい。
例えば、図8の第1制御回路部21は、図4の場合よりも、定電流源31の電流値が1/X倍になっており、NMOSトランジスタ32のゲート幅W/ゲート長Lのトランジスタサイズ(図ではTrサイズと記す)を1/X倍にし、可変抵抗33の抵抗値をX倍にすることで、図4の場合と同じ動作点を実現することができる。同様に、図8の第2制御回路部22は、図4の場合よりも、可変抵抗41及び43の各抵抗値がそれぞれX倍にし、NMOSトランジスタ42のゲート幅W/ゲート長Lのトランジスタサイズを1/X倍にすることで、図4の場合と同じ動作点を実現することができる。このようにすることにより、第1制御回路部21及び第2制御回路部22で消費される電流は、図4のときよりも1/Xに低減させることができる。なお、Xは実数であればよく、整数である必要はない。
例えば、図8の第1制御回路部21は、図4の場合よりも、定電流源31の電流値が1/X倍になっており、NMOSトランジスタ32のゲート幅W/ゲート長Lのトランジスタサイズ(図ではTrサイズと記す)を1/X倍にし、可変抵抗33の抵抗値をX倍にすることで、図4の場合と同じ動作点を実現することができる。同様に、図8の第2制御回路部22は、図4の場合よりも、可変抵抗41及び43の各抵抗値がそれぞれX倍にし、NMOSトランジスタ42のゲート幅W/ゲート長Lのトランジスタサイズを1/X倍にすることで、図4の場合と同じ動作点を実現することができる。このようにすることにより、第1制御回路部21及び第2制御回路部22で消費される電流は、図4のときよりも1/Xに低減させることができる。なお、Xは実数であればよく、整数である必要はない。
図9は、電圧制御発振器1の10kHzオフセット位相雑音特性の例を示した図であり、図10は、電圧制御発振器1の発振振幅の変化例を示した図であり、図11は、電圧制御発振器1の消費電流の変化例を示した図である。なお、図9〜11では、横軸は各素子の条件を示しており、TYPは通常の電源電圧と温度である場合を、FFは高電源電圧で低温であるという場合を、SSは低電源電圧で高温であるという場合をそれぞれ示している。
図9〜11において、実線は本第1の実施の形態における電圧制御発振器1の場合を示し、点線は発振回路に固定抵抗を使用した従来の場合を示しており、更に、図9の1点鎖線は発振回路に定電流源を使用した従来の場合を示している。
図9〜11において、実線は本第1の実施の形態における電圧制御発振器1の場合を示し、点線は発振回路に固定抵抗を使用した従来の場合を示しており、更に、図9の1点鎖線は発振回路に定電流源を使用した従来の場合を示している。
図9から、本第1の実施の形態における電圧制御発振器1は、発振回路に定電流源を使用した従来のものと比較して、優れた位相雑音特性を実現していることが分かる。また、制御された可変抵抗を使う代わりに固定抵抗を使用した従来の場合は、本第1の実施の形態における電圧制御発振器1と比較して、FF条件やTYP条件ではややよい結果となるが、SS条件では、電流値が少なくなり、また負性抵抗をなすトランジスタのVdsを十分に取ることができなくなり、位相雑音が大きくなっている。
また、図10で示すように、制御された可変抵抗を使う代わりに固定抵抗を使用した従来の場合は、本第1の実施の形態における電圧制御発振器1と比較して、SS条件ではトランジスタのgmが低下し、十分な発振条件が得難くなるため、発振振幅が極端に小さくなっている。
また、図11で示すように、制御された可変抵抗を使う代わりに固定抵抗を使用した従来の場合は、本第1の実施の形態における電圧制御発振器1と比較して、FF条件では消費電流が急激に増加している。
図9〜11に示すように、本第1の実施の形態の電圧制御発振器1は、従来のものよりも各プロセスにおいて安定した動作を行うことができる。
また、図11で示すように、制御された可変抵抗を使う代わりに固定抵抗を使用した従来の場合は、本第1の実施の形態における電圧制御発振器1と比較して、FF条件では消費電流が急激に増加している。
図9〜11に示すように、本第1の実施の形態の電圧制御発振器1は、従来のものよりも各プロセスにおいて安定した動作を行うことができる。
このように、本第1の実施の形態における電圧制御発振器は、第1制御回路部21で生成された第1制御信号SR[n−1:0]を可変抵抗7に出力すると共に、第2制御回路部22で生成された第2制御信号DR[m−1:0]を可変抵抗8に出力することにより、発振回路11は、定電流源を使用することなく消費電流が一定になり、所望の動作点を得ることができ、定電流源が有する雑音、電流の増幅及び折り返しのために使用するカレントミラー回路で発生するトランジスタのショット雑音並びにフリッカー雑音の影響を排除することができる。
第2の実施の形態.
前記第1の実施の形態における第1制御回路部21及び第2制御回路部22において、共有できるものは1つにして共有するようにしてもよく、このようにしたものを本発明の第2の実施の形態とする。
本発明の第2の実施の形態における電圧制御発振器の構成例を示した図は、図1の可変抵抗制御回路12を可変抵抗制御回路12aにし、図1の電圧制御発振器1を電圧制御発振器1aにする以外は図1と同様であるので省略する。
図12は、本発明の第2の実施の形態における電圧制御発振器を構成する可変抵抗制御回路12aの回路例を示した図である。なお、図12では、図4と同じもの又は同様のものは同じ符号で示している。
前記第1の実施の形態における第1制御回路部21及び第2制御回路部22において、共有できるものは1つにして共有するようにしてもよく、このようにしたものを本発明の第2の実施の形態とする。
本発明の第2の実施の形態における電圧制御発振器の構成例を示した図は、図1の可変抵抗制御回路12を可変抵抗制御回路12aにし、図1の電圧制御発振器1を電圧制御発振器1aにする以外は図1と同様であるので省略する。
図12は、本発明の第2の実施の形態における電圧制御発振器を構成する可変抵抗制御回路12aの回路例を示した図である。なお、図12では、図4と同じもの又は同様のものは同じ符号で示している。
図12において、可変抵抗制御回路12aは、定電流源31、NMOSトランジスタ32、可変抵抗33、コンパレータ34、切換スイッチ51及び判定回路52で構成されている。
なお、図12において、NMOSトランジスタ32は参照トランジスタを、可変抵抗33は第7可変抵抗を、可変抵抗41は第6可変抵抗をそれぞれなし、切換スイッチ51は切換回路を、コンパレータ34及び判定回路52は抵抗制御回路をそれぞれなす。
なお、図12において、NMOSトランジスタ32は参照トランジスタを、可変抵抗33は第7可変抵抗を、可変抵抗41は第6可変抵抗をそれぞれなし、切換スイッチ51は切換回路を、コンパレータ34及び判定回路52は抵抗制御回路をそれぞれなす。
電源電圧Vddと切換スイッチ51の端子Aとの間に定電流源31が接続され、電源電圧Vddと切換スイッチ51の端子Bとの間に可変抵抗41が接続されている。切換スイッチ51の共通端子Cと接地電圧との間には、NMOSトランジスタ32と可変抵抗33が直列に接続されており、切換スイッチ51の共通端子CとNMOSトランジスタ32のドレインとの接続部は、コンパレータ34の非反転入力端に接続されている。NMOSトランジスタ32のゲートはNMOSトランジスタ32のドレインに接続され、コンパレータ34の反転入力端には基準電圧VCMが入力されている。
コンパレータ34は、電圧比較結果を示す信号を生成して判定回路52に出力し、判定回路52は、コンパレータ34から入力された信号に基づいて、NMOSトランジスタN(0)〜N(n−1)がすべてオフすることなく、NMOSトランジスタN(0)〜N(n−1)の少なくとも何れか1つがオンするように第1制御信号SR[n−1:0]を生成して出力する。更に、判定回路52は、コンパレータ34から入力された信号に基づいて、PMOSトランジスタP(0)〜P(m−1)がすべてオフすることなく、PMOSトランジスタP(0)〜P(m−1)の少なくとも何れか1つがオンするように第2制御信号DR[m−1:0]を生成して出力する。可変抵抗33は、第1制御信号SR[n−1:0]に応じた抵抗値をなし、可変抵抗41は、第2制御信号DR[m−1:0]に応じた抵抗値をなす。切換スイッチ51は、外部から入力された制御信号SCに応じて、共通端子Cを端子A又は端子Bのいずれかに接続する。
このような構成において、第1ステップとして、切換スイッチ51に対して、NMOSトランジスタ32のドレインを第1系統の定電流源31に接続させ、可変抵抗制御回路12aは、図4の第1制御回路部21と同じ動作を行う。次に、第2ステップとして、切換スイッチ51に対して、NMOSトランジスタ32のドレインを可変抵抗41に接続させ、可変抵抗制御回路12aは、図4の第2制御回路部22と同じ動作を行う。
このようにして、前記第1の実施の形態における可変抵抗制御回路12と同様の動作を実現すると同時に、回路規模を小さくすることができる。ただし、切換スイッチ51のオン抵抗は十分に小さくする必要があり、切換スイッチ51をアナログスイッチで構成した場合、該アナログスイッチに使用するトランジスタのサイズ(W/L)は大きくする必要がある。
このようにして、前記第1の実施の形態における可変抵抗制御回路12と同様の動作を実現すると同時に、回路規模を小さくすることができる。ただし、切換スイッチ51のオン抵抗は十分に小さくする必要があり、切換スイッチ51をアナログスイッチで構成した場合、該アナログスイッチに使用するトランジスタのサイズ(W/L)は大きくする必要がある。
ここで、発振回路11と、可変抵抗制御回路12aとの間に消費電流値にX:1の比を設け、可変抵抗制御回路12aで消費される電流を少なくするようにしてもよい。
例えば、図13の可変抵抗制御回路12aは、図12の場合よりも、定電流源31の電流値が1/X倍になっており、NMOSトランジスタ32のゲート幅W/ゲート長Lのトランジスタサイズを1/X倍にし、可変抵抗33及び41の各抵抗値をそれぞれX倍にすることで、図12の場合と同じ動作点を実現することができる。このようにすることにより、可変抵抗制御回路12aで消費される電流は、図12のときよりも1/Xに低減させることができる。なお、Xは実数であればよく、整数である必要はない。
例えば、図13の可変抵抗制御回路12aは、図12の場合よりも、定電流源31の電流値が1/X倍になっており、NMOSトランジスタ32のゲート幅W/ゲート長Lのトランジスタサイズを1/X倍にし、可変抵抗33及び41の各抵抗値をそれぞれX倍にすることで、図12の場合と同じ動作点を実現することができる。このようにすることにより、可変抵抗制御回路12aで消費される電流は、図12のときよりも1/Xに低減させることができる。なお、Xは実数であればよく、整数である必要はない。
このように、本第2の実施の形態における電圧制御発振器は、前記第1の実施の形態における第1制御回路部21と第2制御回路部22において、NMOSトランジスタ32,42、可変抵抗33,43及びコンパレータ34,44をそれぞれ1つにして共通にして、切換スイッチ51の切り換えによって、定電流源31又は可変抵抗41の何れか一方をNMOSトランジスタ32のドレインに接続するようにした。このことから、前記第1の実施の形態と同様の効果を得ることができると共に、前記第1の実施の形態よりも回路規模を小さくすることができ、コストの低減を図ることができる。
なお、前記第1及び第2の各実施の形態では、PMOSトランジスタP(0)〜P(m−1)の少なくとも何れか1つをオンさせると共に、NMOSトランジスタN(0)〜N(n−1)の少なくとも何れか1つをオンさせるようにしたが、すべてのNMOSトランジスタN(0)〜N(n−1)をオフさせて遮断状態に及び/又はすべてのPMOSトランジスタP(0)〜P(m−1)をオフさせて遮断状態にするようにしてもよい。このようにすることによって可変抵抗7及び/又は8の抵抗値を極めて大きくすることができ、電流を遮断することができる。例えば、可変抵抗制御回路が作動しているときに、発振回路11の可変抵抗7又は8のMOSトランジスタをすべてオフ状態にして、発振回路11をスリープ状態にすることができる。
同様に、可変抵抗制御回路を構成する可変抵抗においても、可変抵抗7及び8と同様にして、可変抵抗内のMOSトランジスタをすべてオフ状態にすることで、可変抵抗制御回路をスリープ状態にすることができ、電圧制御発振器としての消費電流の増加を抑えることができる。例えば、可変抵抗制御回路が作動する時間帯には、可変抵抗制御回路は、可変抵抗7及び/又は8の抵抗値を無限大にして遮断状態にすることにより、発振回路11をスリープ状態にする。また、可変抵抗制御回路の動作が終了すると、可変抵抗制御回路は、出力している第1制御信号SR[n−1:0]及び第2制御信号DR[m−1:0]の各状態を保持して発振回路11を作動させたまま、可変抵抗制御回路の各可変抵抗の抵抗値を無限大にし遮断状態にしてスリープ状態になるようにしてもよい。このようにすることにより、電圧制御発振器の消費電流を低減させることができる。
また、前記第1及び第2の各実施の形態において、基準電圧VCMを生成する回路を可変抵抗制御回路内に設けるようにしてもよい。
1 電圧制御発振器
2 インダクタ
3,4 バラクタ
5,6,32,42,N(0)〜N(n−1) NMOSトランジスタ
7,8,33,41,43 可変抵抗
11 発振回路
12,12a 可変抵抗制御回路
21 第1制御回路部
22 第2制御回路部
31 定電流源
34,44 コンパレータ
35 第1判定回路
45 第2判定回路
51 切換スイッチ
52 判定回路
P(0)〜P(m−1) PMOSトランジスタ
RA(0)〜RA(n−1),RB(0)〜RB(m−1) 抵抗
2 インダクタ
3,4 バラクタ
5,6,32,42,N(0)〜N(n−1) NMOSトランジスタ
7,8,33,41,43 可変抵抗
11 発振回路
12,12a 可変抵抗制御回路
21 第1制御回路部
22 第2制御回路部
31 定電流源
34,44 コンパレータ
35 第1判定回路
45 第2判定回路
51 切換スイッチ
52 判定回路
P(0)〜P(m−1) PMOSトランジスタ
RA(0)〜RA(n−1),RB(0)〜RB(m−1) 抵抗
Claims (15)
- 入力電圧に応じた周波数の信号を生成して出力する共振型の電圧制御発振器において、
2つのインダクタンスが直列に接続された構成をなすインダクタ部と、
該インダクタ部に並列に接続された可変容量部と、
前記インダクタ部に並列に接続された負性抵抗をなす負性抵抗部と、
入力された第1制御信号に応じた抵抗値をなす、前記負性抵抗部における各抵抗の接続部と負側電源電圧との間に接続された第1可変抵抗と、
入力された第2制御信号に応じた抵抗値をなす、正側電源電圧と前記各インダクタンスの接続部との間に接続された第2可変抵抗と、
前記第1制御信号及び第2制御信号を生成して出力し、前記第1可変抵抗及び第2可変抵抗の各抵抗値の制御を行う可変抵抗制御回路部と、
を備え、
前記可変抵抗制御回路部は、前記第1可変抵抗及び第2可変抵抗の各抵抗値を制御することにより、前記インダクタ部、可変容量部及び負性抵抗部に流れる電流を所望の電流値に制御することを特徴とする電圧制御発振器。 - 前記インダクタ部は3端子インダクタからなり、前記第2可変抵抗は、前記正側電源電圧と該3端子インダクタの中間点との間に接続されることを特徴とする請求項1記載の電圧制御発振器。
- 前記インダクタ部は直列に接続された2つのインダクタからなり、前記第2可変抵抗は、前記正側電源電圧と該各インダクタの接続部との間に接続されることを特徴とする請求項1記載の電圧制御発振器。
- 前記負性抵抗部は、クロスカップルされた同一導電型のユニポーラトランジスタである第1トランジスタ及び第2トランジスタで構成されることを特徴とする請求項1、2又は3記載の電圧制御発振器。
- 前記可変抵抗制御回路部は、
前記第1制御信号を生成して出力する第1制御回路部と、
前記第2制御信号を生成して出力する第2制御回路部と、
を備え、
前記第1制御回路部は、
前記負性抵抗部の総抵抗値と同等の抵抗値の抵抗を形成する第1参照トランジスタと、
前記正側電源電圧と該第1参照トランジスタの電流入力端との間に接続され、該第1参照トランジスタに所定の定電流を供給する定電流源と、
前記第1参照トランジスタの電流出力端と前記負側電源電圧との間に接続された第3可変抵抗と、
前記定電流源と前記第1参照トランジスタとの接続部の電圧が、所定の基準電圧になるように前記第3可変抵抗の抵抗値を制御する第1抵抗制御回路と、
を備え、
前記第1抵抗制御回路から前記第3可変抵抗に出力される制御信号は、前記第1制御信号をなすことを特徴とする請求項4記載の電圧制御発振器。 - 前記第1参照トランジスタは、前記第1トランジスタや第2トランジスタと同じ導電型のユニポーラトランジスタであり、前記第1トランジスタと第2トランジスタの各トランジスタサイズを加えたトランジスタサイズをなすことを特徴とする請求項5記載の電圧制御発振器。
- 前記第1参照トランジスタは、前記第1トランジスタや第2トランジスタと同じ導電型のユニポーラトランジスタであり、前記第1トランジスタと第2トランジスタの各トランジスタサイズを加えて更に1/X(Xは実数)倍したトランジスタサイズをなし、これに伴って、前記定電流源から出力される定電流値を1/X倍にすると共に前記第3可変抵抗の抵抗値をX倍にすることを特徴とする請求項5記載の電圧制御発振器。
- 前記第2制御回路部は、
前記負性抵抗部の総抵抗値と同等の抵抗値の抵抗を形成する第2参照トランジスタと、
前記正側電源電圧と該第2参照トランジスタの電流入力端との間に接続された第4可変抵抗と、
前記第1制御信号に応じた抵抗値をなす、前記第2参照トランジスタの電流出力端と前記負側電源電圧との間に接続された第5可変抵抗と、
前記第4可変抵抗と前記第2参照トランジスタとの接続部の電圧が、前記所定の基準電圧になるように前記第4可変抵抗の抵抗値を制御する第2抵抗制御回路と、
を備え、
前記第2抵抗制御回路から前記第4可変抵抗に出力される制御信号は、前記第2制御信号をなすことを特徴とする請求項5、6又は7記載の電圧制御発振器。 - 前記第2参照トランジスタは、前記第1トランジスタや第2トランジスタと同じ導電型のユニポーラトランジスタであり、前記第1トランジスタと第2トランジスタの各トランジスタサイズを加えたトランジスタサイズをなすことを特徴とする請求項8記載の電圧制御発振器。
- 前記第2参照トランジスタは、前記第1トランジスタや第2トランジスタと同じ導電型のユニポーラトランジスタであり、前記第1トランジスタと第2トランジスタの各トランジスタサイズを加えて更に1/X(Xは実数)倍したトランジスタサイズをなし、これに伴って前記第4可変抵抗及び第5可変抵抗の各抵抗値をそれぞれX倍にすることを特徴とする請求項8記載の電圧制御発振器。
- 前記可変抵抗制御回路部は、
前記負性抵抗部の総抵抗値と同等の抵抗値の抵抗を形成する参照トランジスタと、
電流入力端が正側電源電圧に接続され、所定の定電流を生成して出力する定電流源と、
一端が前記正側電源電圧に接続された第6可変抵抗と、
外部から入力された制御信号に応じて、前記定電流源の電流出力端又は該第6可変抵抗の他端の何れか一方を前記参照トランジスタの電流入力端に接続する切換回路と、
前記参照トランジスタの電流出力端と前記負側電源電圧との間に接続された第7可変抵抗と、
前記参照トランジスタの電流入力端の電圧が、所定の基準電圧になるように前記第6可変抵抗及び第7可変抵抗の各抵抗値を制御する抵抗制御回路と、
を備え、
前記抵抗制御回路から前記第7可変抵抗に出力される制御信号は、前記第1制御信号をなし、前記抵抗制御回路から前記第6可変抵抗に出力される制御信号は、前記第2制御信号をなすことを特徴とする請求項4記載の電圧制御発振器。 - 前記参照トランジスタは、前記第1トランジスタと第2トランジスタと同一導電型のユニポーラトランジスタであり、前記第1トランジスタと第2トランジスタの各トランジスタサイズを加えたトランジスタサイズをなすことを特徴とする請求項11記載の電圧制御発振器。
- 前記参照トランジスタは、前記第1トランジスタや第2トランジスタと同じ導電型のユニポーラトランジスタであり、前記第1トランジスタと第2トランジスタの各トランジスタサイズを加えて更に1/X(Xは実数)倍したトランジスタサイズをなし、これに伴って前記第6可変抵抗及び第7可変抵抗の各抵抗値をそれぞれX倍にすることを特徴とする請求項11記載の電圧制御発振器。
- 前記第1可変抵抗及び第2可変抵抗は、前記可変抵抗制御回路部から対応して入力された第1制御信号及び第2制御信号に応じて、抵抗値が無限大になって遮断状態になり、前記可変抵抗制御回路部は、前記第1可変抵抗及び/又は第2可変抵抗を該遮断状態にして低消費電流動作を行わせることを特徴とする請求項1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12又は13記載の電圧制御発振器。
- 前記可変抵抗制御回路部を構成する各可変抵抗は、入力された制御信号に応じて、抵抗値が無限大になって遮断状態になり、前記可変抵抗制御回路部は、前記各可変抵抗を該遮断状態にして低消費電流動作を行うことを特徴とする請求項5、6、7、8、9、10、11、12、13又は14記載の電圧制御発振器。
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