JP2009218546A - 不揮発性半導体記憶装置、不揮発性メモリアレイ、および不揮発性半導体記憶装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】不揮発性半導体記憶装置の構造を簡便化する。
【解決手段】半導体基板20の上にゲート絶縁膜30を介してポリシリコンからなるフローティングゲート40が設けられている。フローティングゲート40の両側壁には、側壁絶縁膜50が設けられている。拡散層60は、半導体基板20内に設けられ、フローティングゲート40から所定の距離だけ離間している。拡散層70は、半導体基板20内に設けられ、チャネル領域のチャネル幅方向およびチャネル長さ方向においてフローティングゲート40とオーバーラップしている。フローティングゲート40と容量カップリングした拡散層70に高電圧を印加することによりフローティングゲート40に電子が注入される。
【選択図】図1
【解決手段】半導体基板20の上にゲート絶縁膜30を介してポリシリコンからなるフローティングゲート40が設けられている。フローティングゲート40の両側壁には、側壁絶縁膜50が設けられている。拡散層60は、半導体基板20内に設けられ、フローティングゲート40から所定の距離だけ離間している。拡散層70は、半導体基板20内に設けられ、チャネル領域のチャネル幅方向およびチャネル長さ方向においてフローティングゲート40とオーバーラップしている。フローティングゲート40と容量カップリングした拡散層70に高電圧を印加することによりフローティングゲート40に電子が注入される。
【選択図】図1
Description
本発明は、不揮発性半導体記憶装置、不揮発性メモリアレイ、および不揮発性半導体記憶装置の製造方法に関する。
近年、携帯電話やデジタルスチルカメラなどの応用分野の拡大に伴い、電気的にプログラム及び消去可能な読み出し専用メモリ装置(EEPROM; Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory)が急速に普及している。このうち、電気的に一括消去可能なEEPROMは、フラッシュEEPROMと呼ばれている。
EEPROMは、フローティングゲートに所定の電荷量が蓄積されているか否かによって、2値またはそれ以上の多値のデジタル情報を記憶し、その電荷量に応じたチャネル領域の導通の変化によって、デジタル情報を読み出す不揮発性半導体記憶装置である。
特開平7−249701号公報
従来のEEPROMでは、フローティングゲートに電荷を出し入れするために、フローティングゲートに積層されたコントロールゲートに電圧を印加する必要があった。このため、メモリセル毎にコントロールゲート用の配線が必要となるため、メモリセルの構造の複雑化を招いていた。
また、従来のEEPROMを製造する場合には、コントロールゲートを作製する工程が必須となるため、ロジックプロセスとの親和性が得られないという問題があった。そのため、ロジック回路とEEPRROMを混在した半導体集積回路では、ロジックプロセスとは別にEEPROM特有の製造プロセスを実施する必要が生じるため、製造コストの増大を招いていた。
本発明はこうした課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、不揮発性半導体記憶装置の構造を簡便化する技術の提供にある。また、本発明の他の目的は、不揮発性半導体記憶装置の製造プロセスとロジックプロセスとの親和性を高め、不揮発性半導体記憶装置の製造コストの低減を図る技術の提供にある。
本発明のある態様は、不揮発性半導体記憶装置である。当該不揮発性半導体記憶装置は、第1導電型の半導体基板と、半導体基板の上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の上に設けられたフローティングゲートと、半導体基板内に設けられ、フローティングゲートから離間している第1導電型と逆の導電型である第2導電型の第1の不純物拡散層と、フローティングゲートに近接して半導体基板内に設けられた第2導電型の第2の不純物拡散層と、を備え、フローティングゲートは第1の不純物拡散層と第2の不純物拡散層との間のチャネル領域のチャネル幅に対応する主領域と、主領域のチャネル幅方向の外側に延在する拡張領域を有し、第2の不純物拡散層は拡張領域においてフローティングゲートと重畳していることを特徴とする。この態様において、第2の不純物拡散層はチャネル領域の少なくとも一方の側に回り込む拡張領域を含むことにより当該拡張領域においてフローティングゲートと重畳していてもよい。
また、上記態様において、第2の不純物拡散層の主領域が半導体基板内においてフローティングゲートと重畳していてもよい。
上述した各態様の不揮発性半導体記憶装置によれば、フローティングゲートに積層されたコントロールゲートを用いることなく、フローティングゲートとカップリングした第2の不純物拡散層に高電圧を印加することによりフローティングゲートに電子を注入することができるため、不揮発性半導体記憶装置の構造のさらなる簡便化を図ることができる。
また、フローティングゲートの拡張領域が、第2の不純物拡散層と部分的に重畳することにより、フローティングゲートと第2の不純物拡散層とが重畳する領域を増大させ、これにともなってカップリング容量を増大させることができる。カップリング容量が増大した結果、書き込み動作時における第2の不純物拡散層の印加電圧および消去動作における第1の不純物拡散層の印加電圧を低電圧化することができる。
また、フローティングゲートの両側壁に側壁絶縁膜がさらに設けられ、フローティングゲートと第1の不純物拡散層との離間距離が側壁絶縁膜の底部の厚さと同等であってもよい。
また、第2導電型の第3の不純物拡散層と、第3の不純物拡散層と離間して設けられた第2の導電型の第4の不純物拡散層と、第3の不純物拡散層と第4の不純物拡散層との間に設けられた別のチャネル両領域と、をさらに備え、フローティングゲートの拡張領域が別のチャネル領域とさらに重畳していてもよい(以下、態様Aという)。
また、第2導電型の第3の不純物拡散層と、第3の不純物拡散層と離間して設けられた第2の導電型の第4の不純物拡散層と、第3の不純物拡散層と第4の不純物拡散層との間に設けられた別のチャネル両領域と、をさらに備え、フローティングゲートの拡張領域が別のチャネル領域とさらに重畳していてもよい(以下、態様Aという)。
本発明のさらに他の態様は、不揮発性メモリアレイである。当該不揮発性メモリアレイは、行列状に配置された態様Aに係る不揮発性半導体記憶装置と、不揮発性半導体記憶装置の第2の不純物拡散層に接続された第1の用トランジスタと、第3の不純物拡散層に接続された第2のトランジスタと、不揮発性半導体記憶装置の第1の不純物拡散層に共通接続された消去線と、第1のトランジスタのゲート電極および第2のトランジスタのゲート電極に共通接続されたワード線と、第1のトランジスタのドレインに共通接続された書き込み用ビット線と、第2のトランジスタのドレインに共通接続された読み出し用ビット線と、を備えることを特徴とする。
なお、上述した各要素を適宜組み合わせたものも、本件特許出願によって特許による保護を求める発明の範囲に含まれうる。
本発明によれば、フローティングゲートに積層されたコントロールゲートを用いることなく、フローティングゲートに電子を注入することができるため、不揮発性半導体記憶装置の構造のさらなる簡便化を図ることができる。また、ロジックプロセスとの親和性が高くなるため、ロジックプロセスと並行して不揮発性半導体記憶装置の製造することが可能となり、ロジック回路と不揮発性半導体記憶装置とを混在した半導体集積回路の製造コストの低減を図ることができる。また、書き込み動作時における第2の不純物拡散層の印加電圧および消去動作における第1の不純物拡散層の印加電圧を低電圧化することができる。
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
(実施の形態1)
図1は、実施の形態1に係る不揮発性半導体記憶装置10の構造を示す断面図である。不揮発性半導体記憶装置10は、半導体基板20、ゲート絶縁膜30、フローティングゲート40、側壁絶縁膜50、第1の不純物拡散層領域である拡散層60および第2の不純物拡散層領域である拡散層70を備えるメモリセルである。
図1は、実施の形態1に係る不揮発性半導体記憶装置10の構造を示す断面図である。不揮発性半導体記憶装置10は、半導体基板20、ゲート絶縁膜30、フローティングゲート40、側壁絶縁膜50、第1の不純物拡散層領域である拡散層60および第2の不純物拡散層領域である拡散層70を備えるメモリセルである。
半導体基板20の上にゲート絶縁膜30が設けられている。半導体基板20として、たとえば、P型Si基板を用いることができる。ゲート絶縁膜30として、たとえば、シリコン酸化膜を用いることができる。
半導体基板20の上にゲート絶縁膜30を介してフローティングゲート40が設けられている。フローティングゲート40として、たとえば、ポリシリコンを用いることができる。フローティングゲート40の両側壁には、それぞれ側壁絶縁膜50が設けられている。側壁絶縁膜50として、たとえば、シリコン酸化膜を用いることができる。
拡散層60および拡散層70は、N+型拡散層である。
拡散層60は、半導体基板20内に設けられ、フローティングゲート40から所定の距離だけ離間している。拡散層60とフローティングゲート40との離間距離は、側壁絶縁膜50の底部の厚さと同等である。
拡散層70は、半導体基板20内に設けられ、フローティングゲート40と重畳(オーバーラップ)している。また、拡散層70の深さは、拡散層60の深さに比べて深くなっている。
図2は、実施の形態1に係る不揮発性半導体記憶装置10におけるフローティングゲート40、拡散層60および拡散層70の面方向の位置関係を示す図である。図1は、図2のA−A線における断面図に相当する。
図2に示すように、フローティングゲート40はチャネル領域80のチャネル幅に対応する主領域Rと、主領域Rのチャネル幅方向の両側にそれぞれ延在する拡張領域R’とを有する。
また、拡散層70はチャネル領域80のチャネル幅に対応する主領域Sと、主領域Sのチャネル幅方向の両側にそれぞれ延在する拡張領域S’とを有する。
フローティングゲート40の主領域Rと拡散層70の主領域Sとは部分的に重畳している。また、フローティングゲート40の拡張領域R’は、それぞれ拡散層70の拡張領域S’と部分的に重畳している。フローティングゲート40と拡散層70とが重畳した領域において容量結合が得られる。
このように、本実施の形態では、フローティングゲート40の拡張領域R’が、それぞれ、拡散層70の拡張領域S’と部分的に重畳することにより、フローティングゲート40と拡散層70とが重畳する領域が増大し、これにともなってカップリング容量が増大している。カップリング容量が増大した結果、後述する書き込み動作時における拡散層70の印加電圧および消去動作における拡散層60の印加電圧を低電圧化することができる。
なお、拡散層70とフローティングゲート40とを重畳させる場合に、拡散層60と拡散層70との間にパンチスルーが生じないように拡散層70と拡散層60との距離を確保する必要がある。
次に、不揮発性半導体記憶装置10の動作について図3(A)乃至図3(C)を参照して説明する。
(書き込み動作)
書き込み動作は、後述する消去動作により、フローティングゲート40から電子(電荷)が放出された状態で行われる。具体的には、図3(A)に示すように、拡散層60を低電圧(たとえば、0V)にし、拡散層70を高電圧(たとえば、10V)にすると、拡散層70から拡散層60に向けてチャネル領域に空乏層72が形成され、空乏層72と拡散層60の間の電界が強まる。この結果、拡散層60の近傍でゲート絶縁膜30のエネルギー障壁を超えるエネルギーを有するホットエレクトロンが発生する。このホットエレクトロンは、拡散層70と容量カップリングしたフローティングゲート40の電圧(たとえば、8V)に引かれてフローティングゲート40に注入される。これにより、メモリセルは書き込み状態となり、フローティングゲートの電位が降下する。詳しくは、拡散層70を低電圧としたとき、フローティングゲート40の電位が降下し、フローティングゲート下の半導体基板20の界面を反転できない電位まで下がる。
書き込み動作は、後述する消去動作により、フローティングゲート40から電子(電荷)が放出された状態で行われる。具体的には、図3(A)に示すように、拡散層60を低電圧(たとえば、0V)にし、拡散層70を高電圧(たとえば、10V)にすると、拡散層70から拡散層60に向けてチャネル領域に空乏層72が形成され、空乏層72と拡散層60の間の電界が強まる。この結果、拡散層60の近傍でゲート絶縁膜30のエネルギー障壁を超えるエネルギーを有するホットエレクトロンが発生する。このホットエレクトロンは、拡散層70と容量カップリングしたフローティングゲート40の電圧(たとえば、8V)に引かれてフローティングゲート40に注入される。これにより、メモリセルは書き込み状態となり、フローティングゲートの電位が降下する。詳しくは、拡散層70を低電圧としたとき、フローティングゲート40の電位が降下し、フローティングゲート下の半導体基板20の界面を反転できない電位まで下がる。
(消去動作)
消去動作時には、図3(B)に示すように、拡散層60に高電圧(たとえば、10V)を印加し、拡散層70を低電圧(たとえば、0V)にする。これにより、拡散層60の近傍に空乏層62が形成され、ファウラー・ノルドハイム・トンネル効果により、フローティングゲート40に蓄積された電子がゲート絶縁膜30を介して空乏層62に放出される。これにより、メモリセルは消去状態となり、フローティングゲートの電位が上昇する。詳しくは、拡散層70を低電圧としたとき、フローティングゲート40の電位が上昇し、フローティングゲート下の半導体基板20の界面が反転する電位まで上昇する。
消去動作時には、図3(B)に示すように、拡散層60に高電圧(たとえば、10V)を印加し、拡散層70を低電圧(たとえば、0V)にする。これにより、拡散層60の近傍に空乏層62が形成され、ファウラー・ノルドハイム・トンネル効果により、フローティングゲート40に蓄積された電子がゲート絶縁膜30を介して空乏層62に放出される。これにより、メモリセルは消去状態となり、フローティングゲートの電位が上昇する。詳しくは、拡散層70を低電圧としたとき、フローティングゲート40の電位が上昇し、フローティングゲート下の半導体基板20の界面が反転する電位まで上昇する。
(読み出し動作)
読み出し動作時には、図3(C)に示すように、拡散層60に中間電圧(たとえば、5V)を印加し、拡散層70を低電圧(たとえば、0V)にする。このとき、メモリセルが消去状態の場合には、拡散層60と拡散層70との間に電流が流れる。一方、メモリセルが書き込み状態の場合には、拡散層60と拡散層70との間に電流が流れない。この電流に基づいて、フローティングゲート40に記憶された情報が読み出される。なお、拡散層60に印加する電圧によって、拡散層60とフローティングゲート40との離間距離を越えるだけの空乏層が半導体基板20内に形成される必要がある。
読み出し動作時には、図3(C)に示すように、拡散層60に中間電圧(たとえば、5V)を印加し、拡散層70を低電圧(たとえば、0V)にする。このとき、メモリセルが消去状態の場合には、拡散層60と拡散層70との間に電流が流れる。一方、メモリセルが書き込み状態の場合には、拡散層60と拡散層70との間に電流が流れない。この電流に基づいて、フローティングゲート40に記憶された情報が読み出される。なお、拡散層60に印加する電圧によって、拡散層60とフローティングゲート40との離間距離を越えるだけの空乏層が半導体基板20内に形成される必要がある。
以上説明した不揮発性半導体記憶装置10では、書き込み動作時において、コントロールゲートを用いることなく、フローティングゲート40に容量カップリングした拡散層70に高電圧を印加するだけで済むため、メモリセルの構造をより簡便化、微細化することができる。また、フローティングゲート40と拡散層70とがチャネル領域80のチャネル幅に対応する領域以外でも重畳しているため、書き込み動作時における拡散層70の印加電圧および消去動作における拡散層60の印加電圧を低電圧化することができる。
(製造方法)
次に、不揮発性半導体記憶装置10の製造方法について図4乃至図6を参照して説明する。不揮発性半導体記憶装置10は、後述するようにMOSFETの製造と並行して行うことができる。なお、図4乃至図5において、左半分はMOSFETの断面図であり、右半分は不揮発性半導体記憶装置の断面図である。
次に、不揮発性半導体記憶装置10の製造方法について図4乃至図6を参照して説明する。不揮発性半導体記憶装置10は、後述するようにMOSFETの製造と並行して行うことができる。なお、図4乃至図5において、左半分はMOSFETの断面図であり、右半分は不揮発性半導体記憶装置の断面図である。
まず、図4(A)に示すように、周知のSTI (Shallow Trench Isolation)技術などにより形成されたシリコン酸化膜22により素子間分離されたP型Si基板からなる半導体基板20を用意する。
次に、図4(B)に示すように、半導体基板20の表層に熱酸化法を用いてシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜30を形成する。
次に、図4(C)に示すように、ゲート絶縁膜30の上に多結晶シリコン膜32を成膜する。
次に、図4(D)に示すように、フォトリソグラフィ法およびドライエッチング法を用いて、多結晶シリコン膜32の所定領域を選択的に除去して、フローティングゲート40およびゲート電極100を形成する。このとき、フローティングゲート40の幅がチャネル幅(拡散層60の幅)に比べて大きくなるようにフローティングゲート40を形成する。
次に、図5(A)に示すように、露出した部分のゲート絶縁膜30をエッチングにより除去した後、フローティングゲート40の一方の側(本実施の形態では、ゲート電極100とは反対側)に開口を有するマスク(図示せず)を用いて拡散層70にN型不純物としてPをイオン注入する。また、ゲート電極100の両側のソース領域104およびドレイン領域106にマスクを(図示せず)用いてそれぞれAsを浅く注入する。なお、図6に示すように、N型不純物がイオン注入される拡散層70の領域がフローティングゲート40の一方の側の辺S1に接するだけでなく、フローティングゲート40のゲート幅方向の辺S2に接するようにマスクに開口を設ける。
次に、半導体基板20の上に全面的にシリコン酸化膜(図示せず)を堆積させる。続いて、図5(B)に示すように、異方性ドライエッチングによりシリコン酸化膜をエッチバックし、フローティングゲート40およびゲート電極100の両側壁にのみシリコン酸化膜を残す。これにより、フローティングゲート40およびゲート電極100の両側壁にそれぞれ側壁絶縁膜(サイドウォール)50、102が形成される。
次に、図5(C)に示すように、半導体基板20の表面にAsをイオン注入する。これにより、側壁絶縁膜50とセルフアラインに拡散層60および拡散層70にAsが添加される。また、側壁絶縁膜102とセルフアラインにソース領域104およびドレイン領域106が形成される。
次に、図7に示すように、拡散層70を熱拡散させる。Pの拡散速度はAsの拡散速度に比べて速いため、主にPが拡散する。これにより、拡散層60とフローティングゲート40とのオフセットが維持されたまま、拡散層70が半導体基板20の面方向においてフローティングゲート40と重畳する。また、拡散層70の深さが、拡散層60の深さに比べて深くなる。
以上の工程により、不揮発性半導体記憶装置10およびMOSFET190が製造される。不揮発性半導体記憶装置10の製造プロセスは、MOSFET190の製造プロセスと親和性が高いため、不揮発性半導体記憶装置10とMOSFET190とを並行して製造することができ、製造プロセスの工程数の低減、簡便化を図ることができる。
(実施の形態2)
図8は、実施の形態2に係る不揮発性半導体記憶装置10の構造を示す断面図である。図9は、実施の形態2に係る不揮発性半導体記憶装置10におけるフローティングゲート40、拡散層60および拡散層70の面方向の位置関係を示す図である。図8は、図9のB−B線における断面図に相当する。
図8は、実施の形態2に係る不揮発性半導体記憶装置10の構造を示す断面図である。図9は、実施の形態2に係る不揮発性半導体記憶装置10におけるフローティングゲート40、拡散層60および拡散層70の面方向の位置関係を示す図である。図8は、図9のB−B線における断面図に相当する。
図8に示すように、本実施の形態では、側壁絶縁膜50の下方の半導体基板20内にN+型拡散層のエクステンション層74が設けられている。
また、図9に示すように、フローティングゲート40はチャネル領域80のチャネル幅に対応する主領域Rと、主領域Rのチャネル幅方向の一方の側に延在する拡張領域R’とを有する。
また、図9に示すように、拡散層70は主領域Sおよび拡張領域S’を有する。拡散層70は主領域Sにおいてエクステンション層74と接続している。拡散層70の拡張領域S’は、フローティングゲート40の拡張領域R’と交差するように引き回されている。本実施の形態では、拡散層70の拡張領域S’は途中で直角に折れ曲がることによりフローティングゲート40の拡張領域R’と交差している。
これにより、フローティングゲート40の拡張領域R’と、拡散層70の拡張領域S’とが部分的に重畳した構造が得られる。この結果、フローティングゲート40と拡散層70とが重畳した領域において容量結合が得られる。フローティングゲート40と拡散層70とが重畳した領域の面積をより大きくすることによりカップリング容量が増大させることができる。
実施の形態2に係る不揮発性半導体記憶装置10における書き込み動作、消去動作および読み出し動作は実施の形態1と同様である。ただし、本実施の形態では、フローティングゲート40と拡散層70との容量結合がチャネル領域から離間した領域で得られている点が実施の形態1と異なる。
(製造方法)
実施の形態2に係る不揮発性半導体記憶装置10の製造方法について図10乃至図12を参照して説明する。不揮発性半導体記憶装置10は、後述するようにデプレッション型のMOSFETの製造と並行して行うことができる。
実施の形態2に係る不揮発性半導体記憶装置10の製造方法について図10乃至図12を参照して説明する。不揮発性半導体記憶装置10は、後述するようにデプレッション型のMOSFETの製造と並行して行うことができる。
まず、図10(A)(i)および(ii)に示すように、周知のSTI (Shallow Trench Isolation)技術などにより形成されたシリコン酸化膜22により素子間分離されたP型Si基板からなる半導体基板20を用意する。なお、図10乃至図12において、(i)の左半分はデプレッション型MOSFETの断面図、(i)の右半分は図9のB−B線に対応する断面図である。また、図10乃至図12において、(ii)は、図9のC−C線に対応する断面図である。
次に、図10(B)(i)および(ii)に示すように、シリコン酸化膜22により素子間分離されたメモリセル形成領域Mの一部に開口を有するマスク(図示せず)を用いてAsをイオン注入することにより、拡散層70を形成する。これと同時に、チャネル領域を含むMOS形成領域NにAsをイオン注入することにより、デプレッション層110を形成する。なお、拡散層70は、図9に示すように、主領域Sおよび主領域から延在するL字形の拡張領域S’からなる。
次に、図10(C)(i)および(ii)に示すように、半導体基板20の表層に熱酸化法を用いてシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜30を形成する。
次に、図10(D)(i)および(ii)に示すように、ゲート絶縁膜30の上に多結晶シリコン膜32を成膜する。
次に、図11(A)(i)および(ii)に示すように、フォトリソグラフィ法およびドライエッチング法を用いて、多結晶シリコン膜32の所定領域を選択的に除去して、フローティングゲート40およびゲート電極100を形成する。ここで形成されるフローティングゲート40は、図9に示すように、主領域Rと拡張領域R’からなり、フローティングゲート40の拡張領域R’は、拡散層70の拡張領域S’の上を交差する。すなわち、フローティングゲート40の拡張領域R’の一部が拡散層70の拡張領域S’の一部と重畳する。フローティングゲート40の主領域Rは、拡散層70の主領域Sに所定の距離だけ離れて近接していることが好適であるが、フローティングゲート40の主領域Rと拡散層70の主領域Sとを離さないようにしてもよい。
次に、図11(B)(i)および(ii)に示すように、露出した部分のゲート絶縁膜30をエッチングにより除去した後、フローティングゲート40の一方の側壁(本実施の形態では、ゲート電極100とは反対側)と拡散層70の主領域Sとの間のエクステンション層74、ならびにゲート電極100の両側のソース領域104およびドレイン領域106に開口を有するマスク(図示せず)を用いてAsを浅く注入する。これにより、拡散層70の主領域Sは、エクステンション層74を介してフローティングゲート40の主領域Rと自己整合的に近接することとなる。
次に、半導体基板20の上に全面的にシリコン酸化膜(図示せず)を堆積させる。続いて、図11(C)(i)および(ii)に示すように、異方性ドライエッチングによりシリコン酸化膜をエッチバックし、フローティングゲート40およびゲート電極100の両側壁にのみシリコン酸化膜を残す。これにより、フローティングゲート40およびゲート電極100の両側壁にそれぞれ側壁絶縁膜(サイドウォール)50、102が形成される。なお、一方の側壁絶縁膜50はエクステンション層74に対応してその上に形成される。
次に、図12(i)および(ii)に示すように、半導体基板20の表面にAsをイオン注入する。これにより、側壁絶縁膜50とセルフアラインに拡散層60にAsが添加される。また、側壁絶縁膜102とセルフアラインにソース領域114およびドレイン領域116が形成される。なお、ソース領域104およびドレイン領域106は、それぞれソース領域114およびドレイン領域116のエクステンション層となる。
以上の工程により、不揮発性半導体記憶装置10およびデプレッション型のMOSFET190が並行して製造される。上述したように、デプレッション型のMOSFET190のチャネル領域へのイオン注入と拡散層70の拡張領域へのイオン注入を同一の工程で行うことができるため、ロジック回路と不揮発性半導体記憶装置とが混在された半導体集積回路の製造プロセスを簡便化し、製造コストを低減することができる。
本実施の形態の製造方法では、チャネル領域から離れた領域において、フローティングゲート40の拡張領域R’の一部が拡散層70の拡張領域S’の一部とが重畳しているため、熱拡散工程を経ることなく、イオン注入工程により不揮発性半導体記憶装置10の拡散層70を形成することができる。なお、実施の形態1および実施の形態2を組み合わせて、チャネル領域でフローティングゲート40と拡散層70とを重畳させつつ、上述のようにチャネル領域から離れた領域においてもフローティングゲート40と拡散層70とを重畳させるようにしてもよい。
(実施の形態3)
図13は、実施の形態3に係る不揮発性半導体記憶装置におけるフローティングゲートと拡散層との位置関係を示す平面図である。図14および図15は、それぞれ図13のC−C線およびD−D線に対応する断面図である。なお、図13のB−B線に対応する断面図は、図8と同様である。
図13は、実施の形態3に係る不揮発性半導体記憶装置におけるフローティングゲートと拡散層との位置関係を示す平面図である。図14および図15は、それぞれ図13のC−C線およびD−D線に対応する断面図である。なお、図13のB−B線に対応する断面図は、図8と同様である。
本実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置10は、書き込みおよび消去用のトランジスタと、読み出し用のトランジスタとが複合した構造を有する。より詳しくは、一つのメモリセルにおいて、読み出し動作用のトランジスタは、書き込みおよび消去動作のトランジスタのフローティングゲートと同じノードのゲートを有し、書き込みおよび消去動作と読み出し動作とが異なるトランジスタで実行される。
図13に示すように、フローティングゲート40は、チャネル領域80のチャネル幅に対応する主領域Rと、主領域Rのチャネル幅方向の一方の側に延在する拡張領域R’とを有する点で実施の形態2と共通する。さらに、本実施の形態に係るフローティングゲート40は、拡張領域R’から延在し、読み出し用のトランジスタのチャネル領域82と重畳する拡張領域R’’を有する点で実施の形態2と相違している。
フローティングゲート40の拡張領域R’’を挟んで、一方の側に第3の不純物拡散層領域(ドレイン領域)である拡散層410およびエクステンション層412が設けられており、他方の側に第4の不純物拡散層領域(ソース領域)である拡散層420およびエクステンション層422が設けられている。エクステンション層412、422は、それぞれフローティングゲート40の拡張領域R’’の側壁に設けられた側壁絶縁膜50の下方に形成されている。
本実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置10では、書き込みおよび消去動作は実施の形態1と同様である。すなわち、書き込み動作時には、拡散層60を低電圧にし、拡散層70を高電圧にすることにより、拡散層70と容量カップリングしたフローティングゲート40にホットエレクトロンが注入される。
一方、消去動作時には、拡散層60に高電圧を印加し、拡散層70を低電圧にすることにより、フローティングゲート40に蓄積された電子が放出される。
本実施の形態では、実施の形態2と同様に、フローティングゲート40の拡張領域R’と、拡散層70の拡張領域S’との間で容量結合が得られるため、書き込み動作時における拡散層70の印加電圧および消去動作における拡散層60の印加電圧の低電圧化が可能となる。
また、読み出し動作においては、実施の形態2とは異なり、拡散層410に電圧(たとえば、5V)を印加し、拡散層420を低電圧(たとえば、0V)にする。このとき、メモリセルが消去状態の場合には、拡散層410と拡散層420との間に電流が流れる。一方、メモリセルが書き込み状態の場合には、拡散層410と拡散層420との間に電流が流れない。この電流に基づいて、フローティングゲート40に記憶された情報が読み出される。
このように、一つのメモリセルにおいて、書き込みおよび消去動作と読み出し動作とが異なるトランジスタで実行することにより、読み出し動作時にドレインに印加される電圧により、フローティングゲート40に蓄積された電荷が放出されてしまうおそれを抑制することができる。特に、本実施の形態では、書き込み動作時における拡散層70の印加電圧および消去動作における拡散層60の印加電圧が低電圧化されているため、読み出し動作時の影響を抑制することによりメモリセルの信頼性の向上を図ることがきわめて有意義である。
また、書き込みおよび消去動作用のトランジスタにおいては、パンチスルーなどを考慮するとゲート長をある程度長くする必要がある。この点、本実施の形態では、書き込みおよび消去動作用のトランジスタと読み出し動作用のトランジスタとを分けることにより、読み出し動作用のトランジスタのゲート長を書き込みおよび消去動作用のトランジスタのゲート長に比べて短くすることができる。この結果、読み出し動作用のトランジスタの駆動能力の向上が可能となり、メモリセルの高速化が実現可能となる。
(不揮発性メモリアレイ:実施例1)
図16(A)〜(C)は、マトリクス状に配置された不揮発性半導体記憶装置すなわち不揮発性メモリアレイ(実施例1)の回路図である。不揮発性半導体記憶装置10の拡散層70は、MOSFET190のドレインと接続されている。書き込み用ビット線210に沿って隣接する不揮発性半導体記憶装置10の拡散層60は、それぞれ共通のドレイン線(消去線)200に接続されている。また、MOSFET190のソースは、書き込み用ビット線210に接続され、MOSFET190のゲート電極は、ワード線220に接続されている。
図16(A)〜(C)は、マトリクス状に配置された不揮発性半導体記憶装置すなわち不揮発性メモリアレイ(実施例1)の回路図である。不揮発性半導体記憶装置10の拡散層70は、MOSFET190のドレインと接続されている。書き込み用ビット線210に沿って隣接する不揮発性半導体記憶装置10の拡散層60は、それぞれ共通のドレイン線(消去線)200に接続されている。また、MOSFET190のソースは、書き込み用ビット線210に接続され、MOSFET190のゲート電極は、ワード線220に接続されている。
不揮発性半導体記憶装置10のフローティングゲート40は、読み出し動作用のトランジスタ400のゲートを兼ねている。読み出し動作用のトランジスタ400のソースとなる拡散層420は接地されている。また、読み出し動作用のトランジスタ400のドレインとなる拡散層410は、MOSFET500のソースと接続されている。MOSFET500のドレインは、読み出し用ビット線230に接続されている。また、MOSFET500のゲート電極はワード線220に接続されており、ワード線220はMOSFET190とMOSFET500とで共用されている。
なお、以下の説明において、データの書き込み等を行う注目セル300に対応する書き込み用ビット線210を書き込み用ビット線210aと呼び、注目セル300に対応しない書き込み用ビット線210を書き込み用ビット線210bと呼ぶ。また、注目セル300に対応するワード線220をワード線220aと呼び、注目セル300に対応しないワード線220をワード線220bと呼ぶ。
図16(A)に示すように、注目セル300について書き込み動作を行う場合には、書き込み用ビット線210aを6Vとし、書き込み用ビット線210bをオープンにする。また、ワード線220aを6Vとし、ワード線220bを0Vとする。また、ドレイン線200を0Vとする。注目セル300については、MOSFET190がオン状態となり、不揮発性半導体記憶装置10の拡散層70が6Vとなる。一方、不揮発性半導体記憶装置10の拡散層60は0Vとなる。これにより、不揮発性半導体記憶装置10に関して図3(A)で示した書き込み動作時の状態が得られ、注目セル300の不揮発性半導体記憶装置10のフローティングゲートに電子が注入される。
なお、注目セル300以外のセルについては、MOSFET190がオフ状態になるか、拡散層60と拡散層70との間に十分な電位差が得られないためフローティングゲートへの電子の注入が生じない。
図16(B)に示すように、消去動作を行う場合には、書き込み用ビット線210aおよび書き込み用ビット線210bを0Vとする。また、ワード線220を2〜6Vとし、ドレイン線200を10Vとする。これにより、MOSFET190がオン状態となり、不揮発性半導体記憶装置10の拡散層60に10Vが印加される。一方、不揮発性半導体記憶装置10の拡散層70は0Vとなる。これにより、不揮発性半導体記憶装置10に関して図3(B)で示した消去動作時の状態が得られ、不揮発性半導体記憶装置10のフローティングゲートから電子が放出される。以上のように本実施例では、複数の不揮発性半導体記憶装置10の消去が一括して行われるため、消去動作の高速化を図ることができる。
図16(C)に示すように、注目セル300について読み出し動作を行う場合には、書き込み用ビット線210をオープンとし、ワード線220a、220bをそれぞれを5V、0Vとする。また、ドレイン線200をオープンとする。注目セル300については、MOSFET500がオン状態となり、トランジスタ400はビット線230と接続される。これにより、フローティングゲート40の電子の蓄積が不十分な場合には、トランジスタ400およびMOSFET500に電流が流れる。一方、注目セル300のフローティングゲート40の電子の蓄積が十分な場合には、トランジスタ400およびMOSFET500に電流が流れない。この電流を読み出し用ビット線230に接続されたセンスアンプで検出することにより注目セル300に記憶された情報を読み出すことができる。なお、読み出し用ビット線230上の他のセルは、MOSFET500がオフ状態であるためフローティングゲートに蓄積された電子の有無にかかわらず電流が流れない。
以上説明した不揮発性半導体記憶装置の配置(不揮発性メモリアレイ)によれば、注目セルについてのみ書き込み、および読み出しを行うことができ、同時に多数のセルを消去することができる。
(不揮発性メモリアレイ:実施例2)
図17(A)〜(C)は、不揮発性メモリアレイ(実施例2)の回路図である。本実施例の不揮発性メモリアレイは、ワード線を書き込み用ワード線と、読み出し用ワード線の2つに分けた点で実施例1の不揮発性メモリアレイと相違する。
図17(A)〜(C)は、不揮発性メモリアレイ(実施例2)の回路図である。本実施例の不揮発性メモリアレイは、ワード線を書き込み用ワード線と、読み出し用ワード線の2つに分けた点で実施例1の不揮発性メモリアレイと相違する。
具体的には、書き込み用ワード線221がMOSFET190のゲート電極に接続されている。また、読み出し用ワード線222がMOSFET500のゲート電極に接続されている。
図17(A)に示すように、書き込み動作時において、書き込み用ワード線221a、221bの電圧をそれぞれ6V、0Vとする一方で、読み出し用ワード線222の電圧を0Vとする。
図17(B)に示すように、消去動作時において、書き込み用ワード線221の電圧を5Vとする一方で、読み出し用ワード線222の電圧を0Vとする。
また、図17(C)に示すように、読み出し動作時において、書き込み用ワード線221の電圧を0Vとする一方で、読み出し用ワード線222a、222bの電圧をそれぞれ5V、0Vとする。
本実施例の不揮発性メモリアレイによれば、実施例1と同様に注目セルについてのみ書き込み、および読み出しを行うことができ、同時に多数のセルを消去することができる。さらに、ワード線を書き込み用ワード線と、読み出し用ワード線の2つに分けることによりワード線の負荷を低減することができる。
(不揮発性メモリアレイ:実施例3)
図18(A)〜(C)は、不揮発性メモリアレイ(実施例3)の回路図である。本実施例の不揮発性メモリアレイは、書き込み用のMOSFET190が図16で示した読み出し用のMOSFET500の機能を兼ねている点で実施例1の不揮発性メモリアレイと相違する。
図18(A)〜(C)は、不揮発性メモリアレイ(実施例3)の回路図である。本実施例の不揮発性メモリアレイは、書き込み用のMOSFET190が図16で示した読み出し用のMOSFET500の機能を兼ねている点で実施例1の不揮発性メモリアレイと相違する。
具体的には、図16で示した読み出し用のMOSFET500が省略され、トランジスタ400のソース側の拡散層420がMOSFET190のドレインに接続されている。
書き込みおよび消去動作時における各線の印加電圧は実施例1と同様である(図18(A)および図18(B)参照)。また、図18(C)に示すように、読み出し動作時において、書き込み用ビット線210aの電圧を0Vとし、書き込み用ビット線210bの電圧をオープンまたは0Vとする。
本実施例の不揮発性メモリアレイによれば、実施例1と同様に注目セルについてのみ書き込み、消去および読み出しを行うことができ、かつ、回路構成を簡便化することができる。
本発明は、上述の各実施の形態に限定されるものではなく、当業者の知識に基づいて各種の設計変更等の変形を加えることも可能であり、そのような変形が加えられた実施の形態も本発明の範囲に含まれうるものである。
以上の実施の形態では、書き込み動作、消去動作を繰り返し行えるものであるが、初期状態を紫外線照射などにより消去状態としておき、書き込み動作のみ行えるよう回路を簡略することもできる。これにより、One−Time PROM(OTPROM)として機能させることができる。
また、実施の形態3で説明した読み出し用のトランジスタを実施の形態1に係る不揮発性半導体記憶装置に適用して、書き込みおよび消去用のトランジスタと、読み出し用のトランジスタとが複合した構造としてもよい。
10 不揮発性半導体記憶装置、20 半導体基板、30 ゲート絶縁膜、40 フローティングゲート、50 側壁絶縁膜、60 拡散層、70 拡散層。
Claims (11)
- 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の上に設けられたフローティングゲートと、
前記半導体基板内に設けられ、前記フローティングゲートから離間している前記第1導電型と逆の導電型である第2導電型の第1の不純物拡散層と、
前記フローティングゲートに近接して前記半導体基板内に設けられた前記第2導電型の第2の不純物拡散層と、
を備え、
前記フローティングゲートは前記第1の不純物拡散層と前記第2の不純物拡散層との間のチャネル領域のチャネル幅に対応する主領域と、前記主領域のチャネル幅方向の外側に延在する拡張領域を有し、
前記第2の不純物拡散層は前記拡張領域において前記フローティングゲートと重畳していることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記第2の不純物拡散層はチャネル領域の少なくとも一方の側に回り込む拡張領域を含むことにより当該拡張領域において前記フローティングゲートと重畳していることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記第2の不純物拡散層の主領域が前記半導体基板内において前記フローティングゲートと重畳していることを特徴とする請求項1にまたは2に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記フローティングゲートの両側壁に側壁絶縁膜がさらに設けられ、
前記フローティングゲートと前記第1の不純物拡散層との離間距離が前記側壁絶縁膜の底部の厚さと同等であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 第2導電型の第3の不純物拡散層と、
前記第3の不純物拡散層と離間して設けられた第2の導電型の第4の不純物拡散層と、
前記第3の不純物拡散層と前記第4の不純物拡散層との間に設けられた別のチャネル両領域と、
をさらに備え、
前記フローティングゲートの拡張領域が前記別のチャネル領域とさらに重畳していることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 行列状に配置された請求項5に記載の不揮発性半導体記憶装置と、
不揮発性半導体記憶装置の第2の不純物拡散層に接続された第1のトランジスタと、
前記第3の不純物拡散層に接続された第2のトランジスタと、
不揮発性半導体記憶装置の第1の不純物拡散層に共通接続された消去線と、
前記第1のトランジスタのゲート電極および前記第2のトランジスタのゲート電極に共通接続されたワード線と、
前記第1のトランジスタのドレインに共通接続された書き込み用ビット線と、
前記第2のトランジスタのドレインに共通接続された読み出し用ビット線と、
を備えることを特徴とする不揮発性メモリアレイ。 - 行列状に配置された請求項5に記載の不揮発性半導体記憶装置と、
不揮発性半導体記憶装置の第2の不純物拡散層に接続された第1のトランジスタと、
前記第3の不純物拡散層に接続された第2のトランジスタと、
不揮発性半導体記憶装置の第1の不純物拡散層に共通接続された消去線と、
前記第1のトランジスタのゲート電極に接続された書き込み用ワード線と、
前記第2のトランジスタのゲート電極に接続された読み出し用ワード線と、
前記第1のトランジスタのドレインに共通接続された書き込み用ビット線と、
前記第2のトランジスタのドレインに共通接続された読み出し用ビット線と、
を備えることを特徴とする不揮発性メモリアレイ。 - 行列状に配置された請求項5に記載の不揮発性半導体記憶装置と、
不揮発性半導体記憶装置の第2の不純物拡散層に接続された第1のトランジスタと、
不揮発性半導体記憶装置の第1の不純物拡散層に共通接続された消去線と、
前記第1のトランジスタのゲート電極に接続された書き込み用ワード線と、
前記第1のトランジスタのドレインに共通接続された書き込み用ビット線と、
前記第3の不純物拡散層に共通接続された読み出し用ビット線と、
を備えることを特徴とする不揮発性メモリアレイ。 - 第1導電型の半導体基板内のチャネル領域に近接する主領域および前記主領域に隣接する拡張領域に前記第1導電型と逆の導電型である第2導電型の不純物を注入する第1の工程と、
前記チャネル領域および前記拡張領域と重畳するように、前記半導体基板の上に絶縁膜を介してフローティングゲートを形成する第2の工程と、
前記フローティングゲートの側壁に側壁絶縁膜を形成する第3の工程と、
前記主領域とは反対側の前記フローティングゲートの側壁絶縁膜の外側の領域に、前記第2導電型の不純物を注入する第4の工程と、
を備えることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。 - 前記第1の工程において、前記第4の工程で注入される不純物よりも拡散速度が高い不純物が注入され、
前記第1の工程で注入された不純物を熱拡散させることにより、前記チャネル領域で前記フローティングゲートと熱拡散した不純物領域とを重畳させる第5の工程をさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。 - 前記第1の工程において、前記不揮発性半導体記憶装置に並設して製造されるデプレッション型のMOSFETのチャネル領域に前記第2導電型の不純物が注入されることを特徴とする請求項9または10に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
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-
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