JP2009212181A - ナノ粒子薄膜、ナノ粒子薄膜の製造方法、ナノ粒子薄膜パターン形成方法および回路パターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】微細なパターンニングを可能とするナノ粒子薄膜パターンの製造方法、回路パターン形成方法およびこれに適したナノ粒子薄膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】二重結合を有する有機物質のシェルと金属のコアとで形成されるコアシェル型のナノ粒子が、二重結合を有するモノマーと化学結合して形成されるナノ粒子薄膜であって、上記ナノ粒子由来の粒子が上記モノマー由来の構造部分を介して結合し3次元ネットワーク構造を形成していることを特徴とするナノ粒子薄膜および製造方法。また、ナノ粒子薄膜パターン以外の部分を超音波処理により選択的に剥離するナノ粒子薄膜パターンの製造方法および回路パターン形成方法。
【選択図】図1
Description
本発明の第1の実施の形態のナノ粒子薄膜は、二重結合を有する有機物質のシェルと金属のコアとで形成されるコアシェル型のナノ粒子が、二重結合を有するモノマーと化学結合して形成されるナノ粒子薄膜である。そして、上記ナノ粒子由来の粒子が、上記モノマー由来の構造部分を介して結合し3次元ネットワーク構造を形成している。
本発明の第2の実施の形態のナノ粒子薄膜パターン形成方法は、基板上に金属層を形成する工程と、この金属層上にレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクに金属層をエッチングする工程と、レジストパターンを剥離する工程と、基板上にナノ粒子薄膜を形成する工程と、超音波により、金属層表面のナノ粒子薄膜を選択的に除去する工程を有する。
本実施の形態のナノ粒子薄膜パターン形成方法は、基板上に金属層とナノ粒子薄膜の両者でパターンが構成される構造を形成する方法である。基板の材料選択、金属層の材料選択、ナノ粒子薄膜の成膜方法等については、第2の実施の形態と同様であるので、記述を省略する。
本実施の形態の回路パターン形成方法は、基板上に金属層を形成する工程と、この金属層上にレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクに金属層をエッチングする工程と、レジストパターンを剥離する工程と、基板上にナノ粒子薄膜を形成する工程と、超音波により、上記金属層表面のナノ粒子薄膜を選択的に除去する工程と、上記金属層表面のナノ粒子薄膜を選択的に除去する工程の後に、上記金属層をエッチングする工程と、基板を130℃以上に加熱することで上記ナノ粒子薄膜を金属化する工程を有する。ここで、金属層をエッチングする工程までは、第2の実施の形態と同様であるので、重複する内容については記載を省略する。
第1の実施の形態のナノ粒子薄膜の製造方法を、図2に示す第2の実施の形態のナノ粒子薄膜パターン形成方法に適用して、パターン形成を行った。
重合開始剤を、2、2′―アゾビス(4−メトキシ−2,4−ジメチルバレロニトリル)(略称V−70、和光純薬)とする以外は、実施例1と同様の方法で、パターン形成を行った。
ナノ粒子を溶かした溶液を滴下して乾燥させるナノ粒子薄膜の製造方法を、図2に示す第2の実施の形態のナノ粒子薄膜パターン形成方法に適用して、パターン形成を行った。
黒色固体(C12−AuNP)を溶解した溶液にかえて、水分散ナノ粒子(田中貴金属、Au−MSAコロイド溶液1.5wt%)を滴下させる以外は、実施例3と同様の方法でパターン形成を行った。
第1の実施の形態のナノ粒子薄膜の製造方法を、図3に示す第3の実施の形態のナノ粒子薄膜パターン形成方法に適用して、パターン形成を行った。なお、ナノ粒子薄膜の製造は実施例1と同条件で行った。図5〜図7を参照しつつ説明する。図5、図6は本実施例のナノ粒子薄膜パターン形成方法を説明する平面図である。また、図7(a)、図7(b)はそれぞれ、本実施例で形成されるナノ粒子薄膜パターンの平面図および断面図である。
ナノ粒子薄膜パターンを8μm幅で10nmのストレートラインとし、形成されたナノ粒子薄膜パターン上に保護膜を形成すること以外は実施例1と同一の条件でナノ粒子薄膜パターンを形成した。保護膜の形成は以下のプロセスによる。まず、ナノ粒子薄膜のラインパターン上に、酸化物である酸化カルシウムを200nm蒸着した。さらにレジストを塗布して4μm直径の円形のパターンをラインの2つの末端に重なるようにアライメントして露光した。現像した後、充分にイオン交換水で洗浄した。現像とイオン交換水による洗浄は合わせて60秒であった。その後、円形のパターン部の酸化物をエッチング除去した後、レジストを剥離した。
実施例1で形成された4μm幅のナノ粒子薄膜パターンをオーブン中で、250℃で2時間加熱した。また、同様のパターンを、130℃で24時間、180℃で15時間、210℃で8時間加熱した。すべての条件において、金属配線の回路パターンが形成された。
第1の実施の形態のナノ粒子薄膜の製造方法を、図2に示す第2の実施の形態のナノ粒子薄膜パターン形成方法に適用して、パターン形成を行った。実施例1と異なり、ガラスの基板とAuの間に密着性向上のためクロム(Cr)膜を形成した。
比較例として、基板表面にシランカップリング剤をあらかじめ塗布する方法を用いて、ナノ粒子薄膜を製造した。
12 金属ナノ粒子由来の粒子
14 モノマー由来の構造部分16 有機物
22 金属層
24 レジスト
26 レチクル
30 ナノ粒子薄膜
34 第2の金属層
40 金属パターン
60 保護膜
70 開口部
Claims (10)
- 二重結合を有する有機物質のシェルと金属のコアとで形成されるコアシェル型のナノ粒子が、二重結合を有するモノマーと化学結合して形成されるナノ粒子薄膜であって、
前記ナノ粒子由来の粒子が前記モノマー由来の構造部分を介して結合し3次元ネットワーク構造を形成していることを特徴とするナノ粒子薄膜。 - 前記有機物質がウンデセンチオールまたはその誘導体であって、かつ、
前記モノマーがメタクリレートまたはその誘導体であることを特徴とする請求項1記載のナノ粒子薄膜。 - ラジカル重合開始剤であるα,α’−アゾビスイソブチロニトリル、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタンまたはアゾ化合物の誘導体を含有することを特徴とする請求項1または請求項2記載のナノ粒子薄膜。
- 膜厚が50nm以上であることを特徴とする請求項1ないし請求項3いずれか一項に記載のナノ粒子薄膜。
- 二重結合を有する有機物質のシェルと金属のコアとで形成されるコアシェル型のナノ粒子と、二重結合を有するモノマーと、ラジカル重合開始剤を溶媒に溶解しディップ液を作製する工程と、
前記ディップ液に基板を浸漬する工程と、
前記基板を浸漬したディップ液を加熱し、前記有機物質と前記モノマーとを反応させる工程と、
前記ディップ液を冷却する工程と、
前記ディップ液から前記基板を取り出し洗浄する工程とを有することを特徴とするナノ粒子薄膜の製造方法。 - 前記有機物質がウンデセンチオールまたはその誘導体であって、かつ、
前記モノマーがメタクリレートまたはその誘導体であって、かつ、
前記ラジカル重合開始剤がα,α’−アゾビスイソブチロニトリル、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタンまたはアゾ化合物の誘導体であることを特徴とする請求項5記載のナノ粒子薄膜の製造方法。 - 基板上に金属層を形成する工程と、
前記金属層上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクに前記金属層をエッチングする工程と、
前記レジストパターンを剥離する工程と、
前記基板上にナノ粒子薄膜を形成する工程と、
超音波により、前記金属層表面の前記ナノ粒子薄膜を選択的に除去する工程を有することを特徴とするナノ粒子薄膜パターン形成方法。 - 超音波により、前記金属層表面の前記ナノ粒子薄膜を選択的に除去する工程の後に、
前記金属層をエッチングする工程と、
前記ナノ粒子薄膜上に酸化物を形成する工程と、
前記酸化物上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクに前記酸化物をエッチングして、前記ナノ粒子薄膜の一部を選択的に露出させる工程を有することを特徴とする請求項7記載のナノ粒子薄膜パターン形成方法。 - 前記基板上にナノ粒子薄膜を形成する工程は、
二重結合を有する有機物質のシェルと金属のコアとで形成されるコアシェル型のナノ粒子と、二重結合を有するモノマーと、ラジカル重合開始剤を溶媒に溶解しディップ液を作製する工程と、
前記ディップ液に基板を浸漬する工程と、
前記基板を浸漬したディップ液を加熱し、前記有機物質と前記モノマーとを反応させる工程と、
前記ディップ液を冷却する工程と、
前記ディップ液から前記基板を取り出し洗浄する工程とを有することを特徴とする請求項7または請求項8記載のナノ粒子薄膜パターン形成方法。 - 基板上に金属層を形成する工程と、
前記金属層上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクに前記金属層をエッチングする工程と、
前記レジストパターンを剥離する工程と、
前記基板上にナノ粒子薄膜を形成する工程と、
超音波により、前記金属層表面の前記ナノ粒子薄膜を選択的に除去する工程と、
前記金属層表面の前記ナノ粒子薄膜を選択的に除去する工程の後に、前記金属層をエッチングする工程と、
前記基板を130℃以上に加熱することで前記ナノ粒子薄膜を金属化する工程を有することを特徴とする回路パターン形成方法。
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