JP2009206523A - プラズマ処理装置 - Google Patents

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020514946A (ja) * 2017-06-23 2020-05-21 エルジー・ケム・リミテッド 二次電池用プラズマ発生装置及びそれを含むラミネーションシステム
JP2020194971A (ja) * 2016-02-26 2020-12-03 国立大学法人大阪大学 プラズマ処理装置
CN112638471A (zh) * 2019-06-24 2021-04-09 永进生物科技股份有限公司 包括二进气口的电浆装置
JP7648226B1 (ja) 2023-10-20 2025-03-18 株式会社ジェイテックコーポレーション プラズマcvm加工方法及びその装置
TWI902497B (zh) 2023-10-20 2025-10-21 日商Jtec股份有限公司 電漿cvm加工方法及其裝置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020194971A (ja) * 2016-02-26 2020-12-03 国立大学法人大阪大学 プラズマ処理装置
JP2020514946A (ja) * 2017-06-23 2020-05-21 エルジー・ケム・リミテッド 二次電池用プラズマ発生装置及びそれを含むラミネーションシステム
CN112638471A (zh) * 2019-06-24 2021-04-09 永进生物科技股份有限公司 包括二进气口的电浆装置
JP7648226B1 (ja) 2023-10-20 2025-03-18 株式会社ジェイテックコーポレーション プラズマcvm加工方法及びその装置
WO2025084360A1 (ja) * 2023-10-20 2025-04-24 株式会社ジェイテックコーポレーション プラズマcvm加工方法及びその装置
JP2025070568A (ja) * 2023-10-20 2025-05-02 株式会社ジェイテックコーポレーション プラズマcvm加工方法及びその装置
TWI902497B (zh) 2023-10-20 2025-10-21 日商Jtec股份有限公司 電漿cvm加工方法及其裝置

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